JPS6237779B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6237779B2 JPS6237779B2 JP11315480A JP11315480A JPS6237779B2 JP S6237779 B2 JPS6237779 B2 JP S6237779B2 JP 11315480 A JP11315480 A JP 11315480A JP 11315480 A JP11315480 A JP 11315480A JP S6237779 B2 JPS6237779 B2 JP S6237779B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- mask
- pinhole
- dye
- resist layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマスク修正方法に係り、特にハード・
マスクのピンホール修正方法に関する。
マスクのピンホール修正方法に関する。
半導体集積回路特にLSI等を製造する際には多
くのハード・マスクが使用される。そしてこれら
ハード・マスクに存在するピンホールは、半導体
集積回路の性能や信頼性或るいは製造歩留まりに
悪影響を与える。従つてハード・マスクの製造工
程に於て、ピンホール修正工程は極めて重要な工
程である。
くのハード・マスクが使用される。そしてこれら
ハード・マスクに存在するピンホールは、半導体
集積回路の性能や信頼性或るいは製造歩留まりに
悪影響を与える。従つてハード・マスクの製造工
程に於て、ピンホール修正工程は極めて重要な工
程である。
次に従来からピンホール修正に用いられている
方法を、クロム・マスクを例にとつて説明する。
方法を、クロム・マスクを例にとつて説明する。
即ち従来のクロムなどのハードマスク修正方法
に於ては、第１図ａに示すように、ガラス基板１
上に被着形成されているクロム膜２にピンホール
３が存在するクロム・マスクの、クロム膜２を有
する面上に、先ずポジ・レジスト層４を塗布形成
する。次いで修正装置等を用いて前記ピンホール
３を含む所定領域５を覆うポジ・レジスト層に露
光を行い、現像を行つて、第１図ｂに示すように
ポジ・レジスト層４にピンホール修正窓６を形成
する。次いで第１図ｃに示すように、該マスク面
上に蒸着或るいはスパツタリング等の方法により
修正用クロム層７を被覆して後、該クロム・マス
クを水酸化ナトリウム（NaOH）等からなるレジ
スト剥離液に浸漬して、ポジ・レジスト層４を溶
解除去すると同時にポジ・レジスト層４上の修正
用クロム層７を剥離除去して（リフト・オフ
法）、第１図ｄに示すようにクロム膜２のピンホ
ール３を含む所定領域上に修正用クロム層７を残
留形成せしめることにより、ピンホールの修正が
なされていた。
に於ては、第１図ａに示すように、ガラス基板１
上に被着形成されているクロム膜２にピンホール
３が存在するクロム・マスクの、クロム膜２を有
する面上に、先ずポジ・レジスト層４を塗布形成
する。次いで修正装置等を用いて前記ピンホール
３を含む所定領域５を覆うポジ・レジスト層に露
光を行い、現像を行つて、第１図ｂに示すように
ポジ・レジスト層４にピンホール修正窓６を形成
する。次いで第１図ｃに示すように、該マスク面
上に蒸着或るいはスパツタリング等の方法により
修正用クロム層７を被覆して後、該クロム・マス
クを水酸化ナトリウム（NaOH）等からなるレジ
スト剥離液に浸漬して、ポジ・レジスト層４を溶
解除去すると同時にポジ・レジスト層４上の修正
用クロム層７を剥離除去して（リフト・オフ
法）、第１図ｄに示すようにクロム膜２のピンホ
ール３を含む所定領域上に修正用クロム層７を残
留形成せしめることにより、ピンホールの修正が
なされていた。
然し上記従来方法に於ては、修正用クロム層を
リフト・オフする際、ポジ・レジスト層の上面が
修正用クロム層で覆われているために、レジスト
剥離液はレジスト層の端面からのみ浸入していつ
てレジスト層を溶解するので、長時間を要してい
た。又剥離された修正用クロム層はちぎれて細片
状のクロム層を生じ、特に微細パターンや高密度
パターンを有するマスクに於ては、マスクの露光
窓に附着したクロム層の細片が洗浄処理により除
去しきれず、マスクの製造歩留まりの低下を招き
又このクロムの細片残渣を除去するための修正処
理のために余分な工数を要するという問題があつ
た。
リフト・オフする際、ポジ・レジスト層の上面が
修正用クロム層で覆われているために、レジスト
剥離液はレジスト層の端面からのみ浸入していつ
てレジスト層を溶解するので、長時間を要してい
た。又剥離された修正用クロム層はちぎれて細片
状のクロム層を生じ、特に微細パターンや高密度
パターンを有するマスクに於ては、マスクの露光
窓に附着したクロム層の細片が洗浄処理により除
去しきれず、マスクの製造歩留まりの低下を招き
又このクロムの細片残渣を除去するための修正処
理のために余分な工数を要するという問題があつ
た。
本発明は上記問題点に鑑み、簡単な操作で且つ
短時間で修正を行うことができ、しかもマスクの
露光窓を変形せしめるような修正用遮光膜の残渣
を生ずることのないハード・マスクのピンホール
修正方法を提供する。
短時間で修正を行うことができ、しかもマスクの
露光窓を変形せしめるような修正用遮光膜の残渣
を生ずることのないハード・マスクのピンホール
修正方法を提供する。
即ち本発明はハード・マスクのピンホールを修
正する方法に於て、遮光膜を有するマスク面にフ
オト・レジスト層を塗布形成し、次いで該フオト
レジスト層に遮光膜のピンホール部を表出するピ
ンホール修正窓を形成し、次いで該マスク面全面
に色素膜を塗布形成し、次いで該色素膜を酸化固
化せしめ、次いでフオト・レジスト層を溶解除去
すると同時にフオト・レジスト層上の色素膜をリ
フト・オフして、遮光膜のピンホール部にピンホ
ールを覆う色素膜からなる遮光層を形成する工程
を有することを特徴とする。
正する方法に於て、遮光膜を有するマスク面にフ
オト・レジスト層を塗布形成し、次いで該フオト
レジスト層に遮光膜のピンホール部を表出するピ
ンホール修正窓を形成し、次いで該マスク面全面
に色素膜を塗布形成し、次いで該色素膜を酸化固
化せしめ、次いでフオト・レジスト層を溶解除去
すると同時にフオト・レジスト層上の色素膜をリ
フト・オフして、遮光膜のピンホール部にピンホ
ールを覆う色素膜からなる遮光層を形成する工程
を有することを特徴とする。
以下本発明をクロム・マスクのピンホールを修
正する際の一実施例について、第２図ａ乃至ｅに
示す工程断面図を用いて詳細に説明する。
正する際の一実施例について、第２図ａ乃至ｅに
示す工程断面図を用いて詳細に説明する。
即ち本発明の方法により、第２図ａに示すよう
にガラス基板１上に被着されているクロム膜２に
ピンホール３が存在するクロム・マスクのピンホ
ール修正を行うに際しては、第２図ｂに示すよう
に先ず該クロム・マスクのクロム膜２を有する面
上に、例えば5000〜6000〔Å〕程度の厚さのポ
ジ・レジスト層４を形成する。次いで修正装置等
を用いてポジ・レジスト層４に於けるピンホール
３を覆う位置に、ピンホール３を含む所望の広さ
に露光し、現像を行つて、第２図ｃに示すように
ポジ・レジスト層４に、クロム膜２のピンホール
３を含む所定の領域５を表出せしめるピンホール
修正窓６を形成する。
にガラス基板１上に被着されているクロム膜２に
ピンホール３が存在するクロム・マスクのピンホ
ール修正を行うに際しては、第２図ｂに示すよう
に先ず該クロム・マスクのクロム膜２を有する面
上に、例えば5000〜6000〔Å〕程度の厚さのポ
ジ・レジスト層４を形成する。次いで修正装置等
を用いてポジ・レジスト層４に於けるピンホール
３を覆う位置に、ピンホール３を含む所望の広さ
に露光し、現像を行つて、第２図ｃに示すように
ポジ・レジスト層４に、クロム膜２のピンホール
３を含む所定の領域５を表出せしめるピンホール
修正窓６を形成する。
次いで第２図ｄに示すように、上記マスク面に
黒色或るいは赤色等の紫外光に対して遮光効果を
有する、例えばチオ・インジゴ（C16H8O2S2）系
インジゴイド染料の50〔％〕程度のアルコール等
の有機溶液を、浸漬或るいは回転塗布等の方法に
より塗布して、マスク面全面に上記染料からなる
色素膜８を形成する。そして此の際ピンホール３
内には800〔Å〕程度の厚さを有するクロム膜２
と殆んど同じ厚さの色素がたまり、その他の面上
の色素膜８は数10〔Å〕程度の極めて薄い膜厚と
なる。
黒色或るいは赤色等の紫外光に対して遮光効果を
有する、例えばチオ・インジゴ（C16H8O2S2）系
インジゴイド染料の50〔％〕程度のアルコール等
の有機溶液を、浸漬或るいは回転塗布等の方法に
より塗布して、マスク面全面に上記染料からなる
色素膜８を形成する。そして此の際ピンホール３
内には800〔Å〕程度の厚さを有するクロム膜２
と殆んど同じ厚さの色素がたまり、その他の面上
の色素膜８は数10〔Å〕程度の極めて薄い膜厚と
なる。
次いで該マスクを空気中で40〜50〔℃〕程度の
温度で３〜５〔分〕程度乾燥し、色素膜８中の溶
剤を蒸発させて後、該マスクを空気中で90〜100
〔℃〕程度の温度で５〜10〔分〕程度加熱し、色
素膜８を酸化せしめて、黒色或るいは赤色等の色
素特有の色に発色させる。そして此の際色素膜８
の厚さは溶剤が除かれた分だけ薄くなり、ピンホ
ール３内の色素膜８は約400〔Å〕程度の厚さと
なり、その他の領域も塗布時の厚さの1/2程度の
厚さとなる。なおピンホール内の色素膜厚を更に
厚く形成する際には、塗布する色素液の濃度を更
に高めれば良い。
温度で３〜５〔分〕程度乾燥し、色素膜８中の溶
剤を蒸発させて後、該マスクを空気中で90〜100
〔℃〕程度の温度で５〜10〔分〕程度加熱し、色
素膜８を酸化せしめて、黒色或るいは赤色等の色
素特有の色に発色させる。そして此の際色素膜８
の厚さは溶剤が除かれた分だけ薄くなり、ピンホ
ール３内の色素膜８は約400〔Å〕程度の厚さと
なり、その他の領域も塗布時の厚さの1/2程度の
厚さとなる。なおピンホール内の色素膜厚を更に
厚く形成する際には、塗布する色素液の濃度を更
に高めれば良い。
次いで該マスクを水酸ナトリウム等からなるレ
ジスト剥離液に浸漬し、ポジ・レジスト層４を溶
解除去し、同時にポジ・レジスト層４上の色素膜
８をリフト・オフして、第２図ｅに示すようにク
ロム膜２のピンホール３を含む所望の領域上にピ
ンホール３を400〔Å〕程度の厚さで覆う色素膜
８からなる遮光膜を形成する。
ジスト剥離液に浸漬し、ポジ・レジスト層４を溶
解除去し、同時にポジ・レジスト層４上の色素膜
８をリフト・オフして、第２図ｅに示すようにク
ロム膜２のピンホール３を含む所望の領域上にピ
ンホール３を400〔Å〕程度の厚さで覆う色素膜
８からなる遮光膜を形成する。
そして上記色素膜８のリフト・オフ工程に於て
ポジ・レジスト層４上に形成されている色素膜８
が、前述のように数10〔Å〕程度の極めて薄い膜
厚であるために、剥離液は色素膜を透過してポ
ジ・レジスト層４を溶解し、５〜10〔分〕程度の
短時間でリフト・オフが完了する。又ポジ・レジ
スト層４上の色素膜８は前記のように極めて薄い
ので、剥離した色素膜８は薄膜状にならず極めて
微細な粒状となるので該色素粒の残渣がマスクの
露光窓を形成せしめることがない。
ポジ・レジスト層４上に形成されている色素膜８
が、前述のように数10〔Å〕程度の極めて薄い膜
厚であるために、剥離液は色素膜を透過してポ
ジ・レジスト層４を溶解し、５〜10〔分〕程度の
短時間でリフト・オフが完了する。又ポジ・レジ
スト層４上の色素膜８は前記のように極めて薄い
ので、剥離した色素膜８は薄膜状にならず極めて
微細な粒状となるので該色素粒の残渣がマスクの
露光窓を形成せしめることがない。
なお上記実施例に於ては、ピンホールを修正す
る色素膜としてインジゴイド染料を用いたが、本
発明の方法に使用する色素膜として上記に限らず
紫外光を遮光する光調に発色する染料の適用が可
能である。
る色素膜としてインジゴイド染料を用いたが、本
発明の方法に使用する色素膜として上記に限らず
紫外光を遮光する光調に発色する染料の適用が可
能である。
以上説明したように本発明によれば、ハード・
マスクのピンホール修正に際して、修正時間の短
縮が図れ、且つマスクの露光窓に修正膜の残渣が
附着して露光窓を変形せしめることがなくなるの
で、ハード・マスクの製造歩留まりの向上及び製
造工数の削減を図ることができる。
マスクのピンホール修正に際して、修正時間の短
縮が図れ、且つマスクの露光窓に修正膜の残渣が
附着して露光窓を変形せしめることがなくなるの
で、ハード・マスクの製造歩留まりの向上及び製
造工数の削減を図ることができる。
第１図ａ乃至ｄは従来のマスク修正方法の工程
断面図で、第２図ａ乃至ｅは本発明のマスク修正
方法の工程断面図である。 図に於て、１はガラス基板、２はクロム膜、３
はピンホール、４はポジ・レジスト層、５はピン
ホールを含む所定領域、６はピンホール修正窓、
７は修正用クロム層、８は色素膜を表わす。
断面図で、第２図ａ乃至ｅは本発明のマスク修正
方法の工程断面図である。 図に於て、１はガラス基板、２はクロム膜、３
はピンホール、４はポジ・レジスト層、５はピン
ホールを含む所定領域、６はピンホール修正窓、
７は修正用クロム層、８は色素膜を表わす。
Claims (1)
- １ ハード・マスクのピンホールを修正する方法
に於て、遮光膜を有するマスク面にフオト・レジ
スト層を塗布形成し、次いで該フオト・レジスト
層に遮光膜のピンホール部を表出するピンホール
修正窓を形成し、次いで該マスク面全面に色素膜
を塗布形成し、次いで該色素膜を酸化固化せし
め、次いでフオト・レジスト層を溶解除去すると
同時にフオト・レジスト層上の色素膜をリフト・
オフして、遮光膜のピンホール部にピンホールを
覆う色素膜からなる遮光層を形成する工程を有す
ることを特徴とするマスク修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11315480A JPS5737831A (en) | 1980-08-18 | 1980-08-18 | Mask correcting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11315480A JPS5737831A (en) | 1980-08-18 | 1980-08-18 | Mask correcting method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5737831A JPS5737831A (en) | 1982-03-02 |
| JPS6237779B2 true JPS6237779B2 (ja) | 1987-08-14 |
Family
ID=14604927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11315480A Granted JPS5737831A (en) | 1980-08-18 | 1980-08-18 | Mask correcting method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5737831A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2702409B2 (ja) * | 1994-07-18 | 1998-01-21 | 東芝イーエムアイ株式会社 | ディスク収納用ケース |
-
1980
- 1980-08-18 JP JP11315480A patent/JPS5737831A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5737831A (en) | 1982-03-02 |
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