JPS6237925A - 基板ホルダ - Google Patents
基板ホルダInfo
- Publication number
- JPS6237925A JPS6237925A JP17789685A JP17789685A JPS6237925A JP S6237925 A JPS6237925 A JP S6237925A JP 17789685 A JP17789685 A JP 17789685A JP 17789685 A JP17789685 A JP 17789685A JP S6237925 A JPS6237925 A JP S6237925A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate holder
- concavity
- uniformly
- recess
- Prior art date
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- Pending
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、真空中で半導体等の基板を保持して加熱す
るのに適した構造に改良した基板ホルダに関する。
るのに適した構造に改良した基板ホルダに関する。
例えば分子線エピタキシー装置等において、真空中で例
えばＧａＡｓ等の半導体の基板を保持して加熱するのに
、従来から第４図あるいは第５図に示すような基板ホル
ダが用いられている。
えばＧａＡｓ等の半導体の基板を保持して加熱するのに
、従来から第４図あるいは第５図に示すような基板ホル
ダが用いられている。
第４図においては、例えばモリブデンから成る有底円筒
形の基板ホルダ２を用いて、それの外側底面に基板１を
例えばインジウムで全面にロウ付けすることによって、
当該基板１の保持と基板１と基板ホルダ２との間の熱伝
達を図っている。これは、基板１を基板ホルダ２の外側
底面に単に取り付けただけでは、ミクロ的に見れば両者
間に多くの間隙があって十分な熱伝達が得られないから
である。なお図中の３は基板加熱用のヒータである。
形の基板ホルダ２を用いて、それの外側底面に基板１を
例えばインジウムで全面にロウ付けすることによって、
当該基板１の保持と基板１と基板ホルダ２との間の熱伝
達を図っている。これは、基板１を基板ホルダ２の外側
底面に単に取り付けただけでは、ミクロ的に見れば両者
間に多くの間隙があって十分な熱伝達が得られないから
である。なお図中の３は基板加熱用のヒータである。
ところが上記のような基板ホルダ２を用いた加熱方法は
、インジウムによる基板１の汚染が起こるためクリーン
ではなく、しかも後工程でインジウムの除去処理が必要
であるため量産向きでないという問題がある。
、インジウムによる基板１の汚染が起こるためクリーン
ではなく、しかも後工程でインジウムの除去処理が必要
であるため量産向きでないという問題がある。
そのため現状では、第５図に示すように、リング状の基
板ホルダ４に基板１を装着し、当該基板１を直接、ヒー
タ３からの輻射熱で加熱する方法が採られている。なお
図中の５は、基板固定用の例えばモリブデンから成る押
え板である。
板ホルダ４に基板１を装着し、当該基板１を直接、ヒー
タ３からの輻射熱で加熱する方法が採られている。なお
図中の５は、基板固定用の例えばモリブデンから成る押
え板である。
ところが上記のような基板ホルダ４を用いた加熱方法で
は、基板１が例えばＧａＡｓ等の化合物半導体の場合に
は赤外線の透過率が高いものが多いため、■基板１の加
熱に長時間（例えば１〜２時間）を要する、■温度の均
一性が容易に達成されず、デバイス化した場合にそれが
特性のバラツキとなって表れる、等の問題がある。
は、基板１が例えばＧａＡｓ等の化合物半導体の場合に
は赤外線の透過率が高いものが多いため、■基板１の加
熱に長時間（例えば１〜２時間）を要する、■温度の均
一性が容易に達成されず、デバイス化した場合にそれが
特性のバラツキとなって表れる、等の問題がある。
また特殊な場合には、第５図の方法において、基板１の
裏面に金属膜をコーティングして熱線吸収の向上を図っ
ているけれども、その場合には余分な前処理を要すると
共に他の金属で基板１を汚染するという問題が生じる。
裏面に金属膜をコーティングして熱線吸収の向上を図っ
ているけれども、その場合には余分な前処理を要すると
共に他の金属で基板１を汚染するという問題が生じる。
そのため、量産指向の分子線エピタキシー装置等におい
ては、クリーンであって余分な前後処理を必要とせず、
しかも迅速に基板を加熱することができる手段が求めら
れていた。
ては、クリーンであって余分な前後処理を必要とせず、
しかも迅速に基板を加熱することができる手段が求めら
れていた。
そこでこの発明は、基板ホルダを改良することにより上
記要望に応えようとするものである。
記要望に応えようとするものである。
この発明の基板ホルダは、基板保持面側に凹部を有し、
当該凹部内のほぼ全面にほぼ一様に、可撓性を有する熱
伝導材を基板と凹部底面の両方に接触するように配設し
ていることを特徴とする。
当該凹部内のほぼ全面にほぼ一様に、可撓性を有する熱
伝導材を基板と凹部底面の両方に接触するように配設し
ていることを特徴とする。
基板ホルダの凹部内に配設された熱伝導材を介して、基
板は伝導伝熱で迅速かつ均一に加熱される。
板は伝導伝熱で迅速かつ均一に加熱される。
第１図は、この発明の一実施例に係る基板ホルダの一使
用態様を示す断面図である。第４図および第５図と同等
部分には同一符号を付してその説明を省略する。
用態様を示す断面図である。第４図および第５図と同等
部分には同一符号を付してその説明を省略する。
、 この実施例の基板ホルダ６は、例えばモリブデン
から成る円板状のものであり、基板１の保持面側にほぼ
基板１に対応する大きさの凹部７を有し、当該凹部７内
のほぼ全面にほぼ一様に、可撓性を有する熱伝導材とし
で、屈曲したリボン状をしたタンタル箔８を配設してい
る。そして、当該タンタル箔８は、高さを調節して、基
板ホルダ６に基板１を装着した場合に適当に撓んでそれ
が基板１と凹部７の底面の両方に接触するようにしてい
る。
から成る円板状のものであり、基板１の保持面側にほぼ
基板１に対応する大きさの凹部７を有し、当該凹部７内
のほぼ全面にほぼ一様に、可撓性を有する熱伝導材とし
で、屈曲したリボン状をしたタンタル箔８を配設してい
る。そして、当該タンタル箔８は、高さを調節して、基
板ホルダ６に基板１を装着した場合に適当に撓んでそれ
が基板１と凹部７の底面の両方に接触するようにしてい
る。
その場合、この例のように、タンタル箔８を複数の点９
で凹部７の底面にスポット溶接しておいても良い。その
ようにすれば、タンタル箔８の外れや落下を防市するこ
とができると共に、単なる接触より更に熱伝導が良くな
る。尚、基板１の基板ホルダ６への固定は、例えば第５
図の場合と同様に押え板５等で行う。以下の実施例にお
いても同様である。
で凹部７の底面にスポット溶接しておいても良い。その
ようにすれば、タンタル箔８の外れや落下を防市するこ
とができると共に、単なる接触より更に熱伝導が良くな
る。尚、基板１の基板ホルダ６への固定は、例えば第５
図の場合と同様に押え板５等で行う。以下の実施例にお
いても同様である。
真空中において、上記のような基板ホルダ６を用いてそ
の裏面側に設げられたヒータ３で基板１を加熱する場合
、凹部７内に配設されたタンタル箔８を介して、基板１
は伝導伝熱で迅速かつ均一に加熱される。例えば、基板
１の温度が所定温度（例えば８００℃）で安定するまで
の時間は、第５図に示した従来例に比べてこの実施例で
は１／２〜１／４程度にまで短縮される。しかも上記基
板ホルダ６によれば、従来のように基板１にロウ付け、
金属膜のコーティング等の処理を施す必要がないため、
クリーンであって余分な前後処理を必要としない。
の裏面側に設げられたヒータ３で基板１を加熱する場合
、凹部７内に配設されたタンタル箔８を介して、基板１
は伝導伝熱で迅速かつ均一に加熱される。例えば、基板
１の温度が所定温度（例えば８００℃）で安定するまで
の時間は、第５図に示した従来例に比べてこの実施例で
は１／２〜１／４程度にまで短縮される。しかも上記基
板ホルダ６によれば、従来のように基板１にロウ付け、
金属膜のコーティング等の処理を施す必要がないため、
クリーンであって余分な前後処理を必要としない。
第２図（Ａ）はこの発明の他の実施例に係る基板ホルダ
を示す平面図であり、第２図（Ｂ）はその線Ｂ−Ｂに沿
う断面図である。第１図の実施例との相違点を説明すれ
ば、この実施例の基板ホルダ６においては、可撓性を有
する熱伝導材として、椀状をした多数のタンタル箔１０
を凹部７内のほぼ全面にほぼ一様に配設し、それぞれを
点１１で凹部７の底面にスポット溶接している。そして
当該タンタル箔１０は、基板ホルダ６に基板１を装着し
た場合にその上面が基板１に接触して適当に撓むように
している。
を示す平面図であり、第２図（Ｂ）はその線Ｂ−Ｂに沿
う断面図である。第１図の実施例との相違点を説明すれ
ば、この実施例の基板ホルダ６においては、可撓性を有
する熱伝導材として、椀状をした多数のタンタル箔１０
を凹部７内のほぼ全面にほぼ一様に配設し、それぞれを
点１１で凹部７の底面にスポット溶接している。そして
当該タンタル箔１０は、基板ホルダ６に基板１を装着し
た場合にその上面が基板１に接触して適当に撓むように
している。
第３図は、この発明の更に他の実施例に係る基板ホルダ
を示す平面図である。第１図あるいは第２図の実施例と
の相違点を説明すれば、この実施例の基板ホルダ６にお
いては、可撓性を有する熱伝導材として、コイル状をし
たタンタル線１２を凹部７内のほぼ全面にほぼ一様に配
設している。
を示す平面図である。第１図あるいは第２図の実施例と
の相違点を説明すれば、この実施例の基板ホルダ６にお
いては、可撓性を有する熱伝導材として、コイル状をし
たタンタル線１２を凹部７内のほぼ全面にほぼ一様に配
設している。
そして当該タンタル線１２は、基板ホルダ６に基板ｌを
装着した場合に適当に撓んでそれが基板１と凹部７の底
面の両方に接触するようにしている。
装着した場合に適当に撓んでそれが基板１と凹部７の底
面の両方に接触するようにしている。
尚、この場合も必要に応じて、タンタル線１２を凹部７
の底面の適当個所にスポット溶接しておいても良い。
の底面の適当個所にスポット溶接しておいても良い。
上記第２図および第３図の実施例においても、前述した
第１図の実施例と同様に基板ｌを迅速かつ均一に加熱す
ることができる。
第１図の実施例と同様に基板ｌを迅速かつ均一に加熱す
ることができる。
尚、基板ホルダ６の材質は、必ずしも上に例示したモリ
ブデンに限られるものではなく、例えばタンタル等の他
の高融点金属、あるいはセラミックス等でも良い。また
可撓性を有する熱伝導材も必ずしも上に例示したタンタ
ル箔８．１０、タンタル線１２のようなものに限られる
ものではなく、例えばモリブデン等の高融点金属等から
成る他の形状をした箔、線、帯等でも良い。
ブデンに限られるものではなく、例えばタンタル等の他
の高融点金属、あるいはセラミックス等でも良い。また
可撓性を有する熱伝導材も必ずしも上に例示したタンタ
ル箔８．１０、タンタル線１２のようなものに限られる
ものではなく、例えばモリブデン等の高融点金属等から
成る他の形状をした箔、線、帯等でも良い。
以上のようにこの発明に係る基板ホルダによれば、クリ
ーンであって余分な前後処理を必要とせず、しかも迅速
かつ均一に基板を加熱することができる。
ーンであって余分な前後処理を必要とせず、しかも迅速
かつ均一に基板を加熱することができる。
第１図は、この発明の一実施例に係る基板ホルダの一使
用態様を示す断面図である。第２図（Ａ）はこの発明の
他の実施例に係る基板ホルダを示す平面図であり、第２
図（Ｂ）はその線Ｂ−Ｈに沿う断面図である。第３図は
、この発明の更に他の実施例に係る基板ホルダを示す平
面図である。 第４図および第５図は、それぞれ、従来の基板ホルダを
示す断面図である。 １・・・基板、３・・・ヒータ、６・・・基板ホルダ、
７・・・凹部、８，１０・・・タンタル箔、１２・・・
タンタル線
用態様を示す断面図である。第２図（Ａ）はこの発明の
他の実施例に係る基板ホルダを示す平面図であり、第２
図（Ｂ）はその線Ｂ−Ｈに沿う断面図である。第３図は
、この発明の更に他の実施例に係る基板ホルダを示す平
面図である。 第４図および第５図は、それぞれ、従来の基板ホルダを
示す断面図である。 １・・・基板、３・・・ヒータ、６・・・基板ホルダ、
７・・・凹部、８，１０・・・タンタル箔、１２・・・
タンタル線
Claims (1)
- （１）基板を保持する基板ホルダにおいて、基板保持面
側に凹部を有し、当該凹部内のほぼ面にほぼ一様に、可
撓性を有する熱伝導材を基板と凹部底面の両方に接触す
るように配設していることを特徴とする基板ホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17789685A JPS6237925A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 基板ホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17789685A JPS6237925A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 基板ホルダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237925A true JPS6237925A (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=16038955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17789685A Pending JPS6237925A (ja) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | 基板ホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6237925A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5538463A (en) * | 1992-11-26 | 1996-07-23 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for bevelling wafer-edge |
-
1985
- 1985-08-12 JP JP17789685A patent/JPS6237925A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5538463A (en) * | 1992-11-26 | 1996-07-23 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for bevelling wafer-edge |
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