JPS6237963A - 焦電形赤外撮像装置 - Google Patents
焦電形赤外撮像装置Info
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- JPS6237963A JPS6237963A JP60177905A JP17790585A JPS6237963A JP S6237963 A JPS6237963 A JP S6237963A JP 60177905 A JP60177905 A JP 60177905A JP 17790585 A JP17790585 A JP 17790585A JP S6237963 A JPS6237963 A JP S6237963A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体走査回路を用いた焦電形赤外撮像装置の信
号読み出し方式の改善に関するものである。
号読み出し方式の改善に関するものである。
従来の技術
第１０図はＣＯＤ走査回路上に、焦電形センサを積層し
た焦電形Ｃ０Ｄ（パイロＣ０Ｄ）の従来の信号読み出し
方式（信号電流注入方式）を説明するための単位画素の
等価回路と駆動ポテンシャルの概念図である。
た焦電形Ｃ０Ｄ（パイロＣ０Ｄ）の従来の信号読み出し
方式（信号電流注入方式）を説明するための単位画素の
等価回路と駆動ポテンシャルの概念図である。
焦電形センサには光チョッパの開閉に応じて正と負の電
荷が生じる。Ｓｉ −ＣＯＤではどちらか一方の電荷の
みを読み出すように動作する。そのため、両方の符号の
入力信号電荷を受は入れられるように、従来例では、Ｃ
ＯＤの転送可能な最大電荷量の半分をバイアス電荷とし
て、光チョッパの開閉に同期して電気的に注入していた
。
荷が生じる。Ｓｉ −ＣＯＤではどちらか一方の電荷の
みを読み出すように動作する。そのため、両方の符号の
入力信号電荷を受は入れられるように、従来例では、Ｃ
ＯＤの転送可能な最大電荷量の半分をバイアス電荷とし
て、光チョッパの開閉に同期して電気的に注入していた
。
第１０図において、光チョッパの開閉に応じて、焦電形
センサ（パイロセンサ）１ｏ６で発生した正負の信号電
荷１．１１，１１２は読み出しゲートＧＲ１（１ｏ３）
を介してＣＯＤ走査部ＧＴ１（１０４）、ＧＴ２（１０
５）Ｋ転送される。とのとき、光チョッパの開閉に同期
させて、一度、前記入力ダイオード部１０１をリセント
レベル１０９にリセットさせた後、バイアス電荷１１０
を電気的に注入した状態で、入力ダイオード部１０１に
パイロセンサの正負両極の信号電荷１１１゜１１２を蓄
積させ、一定蓄積時間後、ゲートＧＲ１（１０３）を介
１．テ、ＣＯＤ走査部１０２に読み込む動作をする。こ
れは、例えば、アール・フトン他 インフレアート
フィジックス（Ｒ＋Ｗａｔｔｏｎ。
センサ（パイロセンサ）１ｏ６で発生した正負の信号電
荷１．１１，１１２は読み出しゲートＧＲ１（１ｏ３）
を介してＣＯＤ走査部ＧＴ１（１０４）、ＧＴ２（１０
５）Ｋ転送される。とのとき、光チョッパの開閉に同期
させて、一度、前記入力ダイオード部１０１をリセント
レベル１０９にリセットさせた後、バイアス電荷１１０
を電気的に注入した状態で、入力ダイオード部１０１に
パイロセンサの正負両極の信号電荷１１１゜１１２を蓄
積させ、一定蓄積時間後、ゲートＧＲ１（１０３）を介
１．テ、ＣＯＤ走査部１０２に読み込む動作をする。こ
れは、例えば、アール・フトン他 インフレアート
フィジックス（Ｒ＋Ｗａｔｔｏｎ。
ｅｔａｌ、 Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｐｈｙｓ） ｖｏｌ
２２． ＰＰ、 ２５９〜２７５１９８２に述べられて
いる。
２２． ＰＰ、 ２５９〜２７５１９８２に述べられて
いる。
発明が解決しようとする問題点
従来例のように、初期バイアス電荷を電気的に注入させ
ようとする場合、バイアス電荷注入のための入力機構（
例えばダイオード・カット・オフ法）を新たに付加しな
くてはいけない。そのため２、以下の問題点が発生した
。
ようとする場合、バイアス電荷注入のための入力機構（
例えばダイオード・カット・オフ法）を新たに付加しな
くてはいけない。そのため２、以下の問題点が発生した
。
（１）単位画素のセルサイズが犬きくなる。
（２）構造が複雑になる。
（３）駆動が複雑になる。
このため、従来の電気的注入法の延長技術では、２次元
エリアセンサとして実用的な解像度を持つ画素数（４０
０ＨＸ５００■）を得ようとすると、単にチップサイズ
が大きくなるだけでなく、駆動的にも非常に困難な面が
あった。
エリアセンサとして実用的な解像度を持つ画素数（４０
０ＨＸ５００■）を得ようとすると、単にチップサイズ
が大きくなるだけでなく、駆動的にも非常に困難な面が
あった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、焦５ベーヅ
型彫赤外撮像装置の信号読み出し方式の改善を図る新規
なる構造を提供することを目的としている。
なる構造を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、センザ面上、又は
半導体基板裏面から光（主に可視以下の領域の光）を、
連続的に又は赤外光に対する光チョッパの開閉に同期さ
せて、走査部の蓄積ダイオードに照射させ、この動作に
信号読み出し動作を連動させるものである。
半導体基板裏面から光（主に可視以下の領域の光）を、
連続的に又は赤外光に対する光チョッパの開閉に同期さ
せて、走査部の蓄積ダイオードに照射させ、この動作に
信号読み出し動作を連動させるものである。
作 用
本発明は、上記した構成により、蓄積ダイオードに可視
光で初期バイアス電荷を発生させ、パイロセンサの正、
負の信号電荷の読み出しを可能にする。
光で初期バイアス電荷を発生させ、パイロセンサの正、
負の信号電荷の読み出しを可能にする。
実施例
本発明の一実施例を第１図、第２図、第３図を用いて説
明する。第１図は、２次元の焦電形赤外撮像装置におい
て、走査回路として用いたＳｉ（シリコン）−ＣＯＤの
蓄積ダイオードに可視光を照射して、バイアス電荷を発
生させる撮像シス６ベーノ テムを概略的に示したものである。ここで、１゜は赤外
画像、１１はＧｅで形成された赤外レンズ、１２はベル
ト状の光チョッパでＴＶ画面の垂直走査に同期し、かつ
画面の水平走査方向と常に平行を保ちながら移動する。
明する。第１図は、２次元の焦電形赤外撮像装置におい
て、走査回路として用いたＳｉ（シリコン）−ＣＯＤの
蓄積ダイオードに可視光を照射して、バイアス電荷を発
生させる撮像シス６ベーノ テムを概略的に示したものである。ここで、１゜は赤外
画像、１１はＧｅで形成された赤外レンズ、１２はベル
ト状の光チョッパでＴＶ画面の垂直走査に同期し、かつ
画面の水平走査方向と常に平行を保ちながら移動する。
１２−１は、ベルト状光チョッパの開口部で、１２−２
はベルトの送り穴である。光チョッパ１２によシ開閉さ
れた赤外画像１ｏは、パイロＣＣＤ１５上に像を結ぶ。
はベルトの送り穴である。光チョッパ１２によシ開閉さ
れた赤外画像１ｏは、パイロＣＣＤ１５上に像を結ぶ。
一方、パイロＣ０Ｄ１５上には、バイアス電荷を発生さ
せる可視光１３が反射板１４−１を介して連続的に照射
されている。
せる可視光１３が反射板１４−１を介して連続的に照射
されている。
第２図は、パイｏＣＣＤの単位画素の概略的な断面構造
図である。ここで赤外画像１０はＣｒ電極２ｏを介して
ＰＶＤＦ高分子フィルム等のパイロフィルム２１に入射
スる。パイロフィルム２１は光チョッパ１２の開閉に応
じて、正負両極の信号電荷を発生し、この信号電荷によ
る電位変動は、ｐｏｌｙ−８ｔ（ポリシリコン）電極２
２を介して蓄積ダイオード２３のバイアス電荷を変調さ
せる。
図である。ここで赤外画像１０はＣｒ電極２ｏを介して
ＰＶＤＦ高分子フィルム等のパイロフィルム２１に入射
スる。パイロフィルム２１は光チョッパ１２の開閉に応
じて、正負両極の信号電荷を発生し、この信号電荷によ
る電位変動は、ｐｏｌｙ−８ｔ（ポリシリコン）電極２
２を介して蓄積ダイオード２３のバイアス電荷を変調さ
せる。
一定蓄積時間後、読み出しゲート２４を介して７／・−
７ ＣＯＤ転送段２５に読み込まれ、垂直転送され、その後
続いて水平転送されて画像信号として外部に取り出され
る。Ｃｒ電極２０．パイロフィルム２１ 、 Ｐｏ１ｙ
−８ｔ電極２２とも、ある強度以上の可視光１３は十分
透過するので、蓄積ダイオード２３にＳｉのｐｎ接合フ
ォトダイオードの効果でバイアス電荷を発生させること
が可能である。その他の構成要素として、２６はＳｔ基
板、２７はゲート酸化膜、２８はフィールド酸化膜、２
９はチャンネルストップ、３ｏはＰｏ１ｙ−８ｔで形成
された読み出しゲート電極を兼ねた転送電極、３１はＣ
ＯＤ転送段への赤外光１ｏ、及び可視光１３の入射を阻
止するＡｌｌ 、 Ｍｏ等で形成される光シールド板、
３２はＣＶ Ｄ Ｓ １０２膜等で形成される層間絶
縁膜である。
７ ＣＯＤ転送段２５に読み込まれ、垂直転送され、その後
続いて水平転送されて画像信号として外部に取り出され
る。Ｃｒ電極２０．パイロフィルム２１ 、 Ｐｏ１ｙ
−８ｔ電極２２とも、ある強度以上の可視光１３は十分
透過するので、蓄積ダイオード２３にＳｉのｐｎ接合フ
ォトダイオードの効果でバイアス電荷を発生させること
が可能である。その他の構成要素として、２６はＳｔ基
板、２７はゲート酸化膜、２８はフィールド酸化膜、２
９はチャンネルストップ、３ｏはＰｏ１ｙ−８ｔで形成
された読み出しゲート電極を兼ねた転送電極、３１はＣ
ＯＤ転送段への赤外光１ｏ、及び可視光１３の入射を阻
止するＡｌｌ 、 Ｍｏ等で形成される光シールド板、
３２はＣＶ Ｄ Ｓ １０２膜等で形成される層間絶
縁膜である。
ここで第３図を用いて、本発明の動作を簡単に説明する
。光チヨツパ−１２はＴＶの垂直走査に同期して、開、
閉をくシ返しく図ｄ）、これに応じてパイロフィルム２
１よりなるセンサは正、負ダイオード２３にバイアス電
荷がないと、負の信号電荷をＣＯＤ転送段に読み出すこ
とができない。
。光チヨツパ−１２はＴＶの垂直走査に同期して、開、
閉をくシ返しく図ｄ）、これに応じてパイロフィルム２
１よりなるセンサは正、負ダイオード２３にバイアス電
荷がないと、負の信号電荷をＣＯＤ転送段に読み出すこ
とができない。
そこで、連続的な可視光を照射して（図ｂ）、蓄積ダイ
オード２３にバイアス電荷を注入してやると、図Ｃの走
査パルスに同期して、蓄積ダイオード２３の電荷の変動
は図ｅのようになり、正の信号電荷はｑ（Ｎ＋ｎ）、負
の信号電荷はｑ（Ｎ−ｎ）の形で外部に取り出される。
オード２３にバイアス電荷を注入してやると、図Ｃの走
査パルスに同期して、蓄積ダイオード２３の電荷の変動
は図ｅのようになり、正の信号電荷はｑ（Ｎ＋ｎ）、負
の信号電荷はｑ（Ｎ−ｎ）の形で外部に取り出される。
ここで、ｑＮはバイアス電荷量、ｑｎけパイロセンサの
出力電荷量である。
出力電荷量である。
、本発明の他の実施例として、可視光を断続的に照射す
る場合を第４図、第５図を用いて説明する。
る場合を第４図、第５図を用いて説明する。
以下、説明を容易にするために、同一の構成要素は同じ
番号を用いて行う。
番号を用いて行う。
第４図は、本発明の撮像システムを概略的に示したもの
である。ここで、可視光反射板１４−２は、光チヨツパ
−１２の閉部の上に取り付けられ、ベルトの送シととも
に、移動する。そして可視光１３の入射角を最適にする
ことにより、可視光１３ヲヘルトの移動に従って、パイ
ロＣｃＩ）Ｉｔｓ上を９ページ 移動照射する。とのため、可視光は連続的に照射してい
ても、パイｂｃｃＤは断続的に照射することが可能とな
る。
である。ここで、可視光反射板１４−２は、光チヨツパ
−１２の閉部の上に取り付けられ、ベルトの送シととも
に、移動する。そして可視光１３の入射角を最適にする
ことにより、可視光１３ヲヘルトの移動に従って、パイ
ロＣｃＩ）Ｉｔｓ上を９ページ 移動照射する。とのため、可視光は連続的に照射してい
ても、パイｂｃｃＤは断続的に照射することが可能とな
る。
次に、第５図を用いて、可視光を断続的に照射する本実
施例の動作を簡単に説明する。ここでは、可視光は光チ
ヨツパ−１２の開、閉に同期して、閉に々っだ直後にの
み照射される（図ｂ）。・そのため蓄積ダイオードの電
荷の変動は図ｅのように々る。すなわち、光チョッパー
の開の時はバイアス電荷なしに正の信号電荷ｑｎが読み
出される。
施例の動作を簡単に説明する。ここでは、可視光は光チ
ヨツパ−１２の開、閉に同期して、閉に々っだ直後にの
み照射される（図ｂ）。・そのため蓄積ダイオードの電
荷の変動は図ｅのように々る。すなわち、光チョッパー
の開の時はバイアス電荷なしに正の信号電荷ｑｎが読み
出される。
光チョッパーの閉の時は、最初に可視光の照射によ勺バ
イアス電荷ｑＮを発生させ、一定蓄積時間後、負の信号
電荷ｑｎはｑ（Ｎ−ｎ）の形で外部に取シ出される。ま
た、可視光源自体を断続的に点滅することによっても同
様の効果を得ることは可能である。
イアス電荷ｑＮを発生させ、一定蓄積時間後、負の信号
電荷ｑｎはｑ（Ｎ−ｎ）の形で外部に取シ出される。ま
た、可視光源自体を断続的に点滅することによっても同
様の効果を得ることは可能である。
本発明の他の実施例として、可視光を半導体基側
板の裏面築ら照射する場合を第６図、第７図、第８図を
用いて説明する。以下、説明を容易にするため、同一の
構成要素は同一の番号を用いている。
用いて説明する。以下、説明を容易にするため、同一の
構成要素は同一の番号を用いている。
１０ページ
第６図は、可視光１３をパイロｃｃＤ１５の基板裏面か
ら連続的に照射する場合の撮像システムを概略的に示し
たものである。ここで、可視光１３はパイロＣＣＤ１５
の基板裏面から照射され、蓄積ダイオード２３にバイア
ス電荷を発生させる。
ら連続的に照射する場合の撮像システムを概略的に示し
たものである。ここで、可視光１３はパイロＣＣＤ１５
の基板裏面から照射され、蓄積ダイオード２３にバイア
ス電荷を発生させる。
第７図は、可視光１３をパイロＣＣＤ１５の基板裏面か
ら断続的に照射する場合の撮像システムを概略的に示し
たものである。ここで、赤外画像１０に対する光チョッ
パ１２−１は、パイロＣＣＤ１６の裏面側において、可
視光１３に対する光チョッパにもなっている。そのため
、連続光を照射しているにもかかわらず、パイロＣＣＤ
１５裏面には、断続的な照射を可能にする。
ら断続的に照射する場合の撮像システムを概略的に示し
たものである。ここで、赤外画像１０に対する光チョッ
パ１２−１は、パイロＣＣＤ１６の裏面側において、可
視光１３に対する光チョッパにもなっている。そのため
、連続光を照射しているにもかかわらず、パイロＣＣＤ
１５裏面には、断続的な照射を可能にする。
また、可視光源自体を断続的に点滅するととによっても
同様の効果を得ることは可能である。
同様の効果を得ることは可能である。
第８図は、可視光をパイロＣＯＤの基板裏面から照射す
る場合の素子構造を示す、単位画素の概略的な断面構造
図である。ここで可視光１３は、基板２６の裏面側から
照射され、蓄積ダイオード２＜３直下の開口部４１を介
して、蓄積ダイオード１１ へ−７ ２３のｐｎ接合フォトダイオードに侵入し、バイアス電
荷を発生する。まだ、蓄積ダイオード２３以外の部分は
可視光１３が侵入しないように、Ａｅ等の光シールド板
４０でおおわれている。
る場合の素子構造を示す、単位画素の概略的な断面構造
図である。ここで可視光１３は、基板２６の裏面側から
照射され、蓄積ダイオード２＜３直下の開口部４１を介
して、蓄積ダイオード１１ へ−７ ２３のｐｎ接合フォトダイオードに侵入し、バイアス電
荷を発生する。まだ、蓄積ダイオード２３以外の部分は
可視光１３が侵入しないように、Ａｅ等の光シールド板
４０でおおわれている。
本発明の他の実施例として、可視光１３をパイロＣＣＤ
の表面から効率よく蓄積ダイオードに照射する素子構造
を第９図を用いて説明する。以下、説明を容易にするた
め、同一の構成要素は同一の番号を用いている。第９図
は、本発明の実施例の素子構造を示す単位画素の概略的
Ａ断面構造図である。ここで、パイロフィルム２１の下
側の電極となる下地電極６Ｑには、蓄積ダイオード２３
の直上で、開口部５１が形成され、かつ下地電極６ｏは
Ｐｏ１ｙ−８ｉのスルーホール５２を介して蓄積ダイオ
ード２３に接続されている。下地電極５ｏはＡｌ 、
Ｍｏ等の金属で形成され、赤外光、可視光に対して不透
明である。赤外画像１ｏはパイロフィルム２１内で分極
された電荷と々す、下地電極５０ 、 Ｐｏ１ｙ −Ｓ
ｔスルーホール５２を介して蓄積ダイオード２３に伝達
される。可視光１３は、下地電極５０上に形成された開
口部５１からＰｏ１ｙ−８ｉ スルーホール５２を透過
して蓄積ダイオード２３に入ｐｐｎ接合の光電変換でバ
イアス電荷を発生する。
の表面から効率よく蓄積ダイオードに照射する素子構造
を第９図を用いて説明する。以下、説明を容易にするた
め、同一の構成要素は同一の番号を用いている。第９図
は、本発明の実施例の素子構造を示す単位画素の概略的
Ａ断面構造図である。ここで、パイロフィルム２１の下
側の電極となる下地電極６Ｑには、蓄積ダイオード２３
の直上で、開口部５１が形成され、かつ下地電極６ｏは
Ｐｏ１ｙ−８ｉのスルーホール５２を介して蓄積ダイオ
ード２３に接続されている。下地電極５ｏはＡｌ 、
Ｍｏ等の金属で形成され、赤外光、可視光に対して不透
明である。赤外画像１ｏはパイロフィルム２１内で分極
された電荷と々す、下地電極５０ 、 Ｐｏ１ｙ −Ｓ
ｔスルーホール５２を介して蓄積ダイオード２３に伝達
される。可視光１３は、下地電極５０上に形成された開
口部５１からＰｏ１ｙ−８ｉ スルーホール５２を透過
して蓄積ダイオード２３に入ｐｐｎ接合の光電変換でバ
イアス電荷を発生する。
発明の効果
本発明においては、先ず簡単な機構系のみで、光チョッ
パの開閉に同期したバイアス光の照射システムの形成が
可能である。そして、Ｓｔ基板上の蓄積ダイオードに、
バイアス光によりバイアス電荷を注入することが可能で
、これによりパイロ、センサで発生した正、負の信号電
荷を効率よく外部に読み出すことが可能である。寸だ、
バイアス光量を調節することによシ、バイアス電荷量を
、連続光の場合はＣＯＤの最大転送電荷量の半分まで断
続光の場合は最大転送電荷量寸で注入しておくことによ
り、各々のパイロセンサの信号電荷のＤ−レンジを最大
にすることができる。
パの開閉に同期したバイアス光の照射システムの形成が
可能である。そして、Ｓｔ基板上の蓄積ダイオードに、
バイアス光によりバイアス電荷を注入することが可能で
、これによりパイロ、センサで発生した正、負の信号電
荷を効率よく外部に読み出すことが可能である。寸だ、
バイアス光量を調節することによシ、バイアス電荷量を
、連続光の場合はＣＯＤの最大転送電荷量の半分まで断
続光の場合は最大転送電荷量寸で注入しておくことによ
り、各々のパイロセンサの信号電荷のＤ−レンジを最大
にすることができる。
以上のことにより、本発明で示した光バイアス方式の焦
電形赤外撮像装置は、以下の特長を有する。
電形赤外撮像装置は、以下の特長を有する。
１３ ページ
（１）素子構造が簡単
（乃 素子の駆動が簡単
このため、コンパクトなセルサイズが実現でき、従来の
複雑で大規模な構成のものでは不可能であった２次元エ
リアセンサの多画素化による高解像化を実現できるよう
になった。さらに、従来の複雑な入力機構を必要とした
ことによるＳ／Ｎの劣化も、簡単な駆動系の採用により
大幅に向上することができた。ここでは下地走査回路と
してＣＯＤを用いて説明したが、同様の効果は、ＭＯＳ
。
複雑で大規模な構成のものでは不可能であった２次元エ
リアセンサの多画素化による高解像化を実現できるよう
になった。さらに、従来の複雑な入力機構を必要とした
ことによるＳ／Ｎの劣化も、簡単な駆動系の採用により
大幅に向上することができた。ここでは下地走査回路と
してＣＯＤを用いて説明したが、同様の効果は、ＭＯＳ
。
ＣＰＤ等の他の固体走査回路を用いても得られる。
第１図ａは、本発明の一実施例における焦電形撮像素子
の撮像システムの構成図、第１図すは同システムに用い
る赤外シャッターの正面図、第２図は同撮像素子の単位
画素の概略構造を示す断面図、第３図ａ −ｅは同シス
テムの動作を説明するだめの要部波形図、第４図は本発
明の他の実施例における撮像システムの構成図、第５図
ａ −ｅは１４ヘー、゛ 形図、第６図、第７図は本発明のさらに他の実施例にお
ける撮像システムの構成図、第８図、第９図は単位画素
の概略構造を示す断面図、第１０図ａは単位画素の等価
回路を示す回路図、第１０図すは同単位画素の動作ポテ
ンシャルを示す概念図である。 １２・・・・・・光チョウパ、１３・・・・・・可視光
、１４−１・・・・・・可視光反射板、１４−２・・・
・・・可視光反射板、１５・・・・・・パイロＣＣＤ（
焦電形赤外撮像素子）、２ｏ・・・・・・Ｃｒ１ｆＬ２
１・・・・・・パイロフィルム、２２・・・・・・Ｐｏ
１ｙ−８ｉ電極、２３・・・・・・蓄積ダイオード、４
０・・・・・・光シールド板、４１・・・・・・開口部
、５０・・・・・・下地電極、５１・・・・・・開口部
、５２・・・・・・Ｐｏ１ｙ−８ｉスルーホール。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第４
図 第５図
の撮像システムの構成図、第１図すは同システムに用い
る赤外シャッターの正面図、第２図は同撮像素子の単位
画素の概略構造を示す断面図、第３図ａ −ｅは同シス
テムの動作を説明するだめの要部波形図、第４図は本発
明の他の実施例における撮像システムの構成図、第５図
ａ −ｅは１４ヘー、゛ 形図、第６図、第７図は本発明のさらに他の実施例にお
ける撮像システムの構成図、第８図、第９図は単位画素
の概略構造を示す断面図、第１０図ａは単位画素の等価
回路を示す回路図、第１０図すは同単位画素の動作ポテ
ンシャルを示す概念図である。 １２・・・・・・光チョウパ、１３・・・・・・可視光
、１４−１・・・・・・可視光反射板、１４−２・・・
・・・可視光反射板、１５・・・・・・パイロＣＣＤ（
焦電形赤外撮像素子）、２ｏ・・・・・・Ｃｒ１ｆＬ２
１・・・・・・パイロフィルム、２２・・・・・・Ｐｏ
１ｙ−８ｉ電極、２３・・・・・・蓄積ダイオード、４
０・・・・・・光シールド板、４１・・・・・・開口部
、５０・・・・・・下地電極、５１・・・・・・開口部
、５２・・・・・・Ｐｏ１ｙ−８ｉスルーホール。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第４
図 第５図
Claims (5)
- （１）半導体基板に、前記半導体基板と反対の導電形の
ダイオード領域と前記ダイオード領域に蓄積された信号
電荷を走査する走査ラインを有し、前記ダイオード領域
と接続する電極上に焦電形赤外線感光膜が形成され、前
記感光膜は光チョッパの開閉に応じて正と負の信号電荷
を生じ、前記ダイオードにバイアス光を前記半導体基板
上から照射することにより、赤外光の照射により生じた
前記感光膜の両方の極性の信号電荷を前記走査ラインに
読み出すことを特徴とする焦電形赤外撮像装置。 - （２）バイアス光を、光チョッパの開閉に同期させて断
熱的に照射することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の焦電形赤外撮像装置。 - （３）バイアス光を半導体基板の裏面から照射すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の焦電形赤外撮
像装置。 - （４）電極が金属で形成され、かつダイオード上の部分
がバイアス光に対して開口されることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の焦電形赤外撮像装置。 - （５）光チョッパをベルト状に形成し、前記ベルト状チ
ョッパの閉部の素子側にバイアス光の反射板を固定し、
前記反射板に前記素子側から前記バイアス光を照射し、
前記バイアス光の反射光が、前記ベルト状チョッパの移
動につれ照射を断続的にくり返すことを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の焦電形赤外撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60177905A JP2502505B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 焦電形赤外撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60177905A JP2502505B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 焦電形赤外撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237963A true JPS6237963A (ja) | 1987-02-18 |
| JP2502505B2 JP2502505B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=16039109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60177905A Expired - Lifetime JP2502505B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | 焦電形赤外撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2502505B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020105361A1 (ja) * | 2018-11-19 | 2020-05-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS568885A (en) * | 1979-07-03 | 1981-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Driving method of charge coupling element |
| JPS57104380A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-29 | New Japan Radio Co Ltd | Infrared ray solid-state image pickup device |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP60177905A patent/JP2502505B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS568885A (en) * | 1979-07-03 | 1981-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Driving method of charge coupling element |
| JPS57104380A (en) * | 1980-12-19 | 1982-06-29 | New Japan Radio Co Ltd | Infrared ray solid-state image pickup device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020105361A1 (ja) * | 2018-11-19 | 2020-05-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
| JPWO2020105361A1 (ja) * | 2018-11-19 | 2021-10-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2502505B2 (ja) | 1996-05-29 |
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