JPS6238435B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6238435B2 JPS6238435B2 JP54161267A JP16126779A JPS6238435B2 JP S6238435 B2 JPS6238435 B2 JP S6238435B2 JP 54161267 A JP54161267 A JP 54161267A JP 16126779 A JP16126779 A JP 16126779A JP S6238435 B2 JPS6238435 B2 JP S6238435B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- plating
- current density
- liquid
- pure gold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は純金めつき液に関するものである。
純金めつき液は半導体関係の種々の製品、例え
ばICフレーム、セラミツクパツケージ、プリン
ト基板、リードフレーム等に広く使用され益々そ
の需要は拡大されつつあり、従来より幾つかの純
金めつき液がこれらの製品を純金めつきするため
に提供されて来ている。しかしながら、従来の純
金めつき液は、殆んどのものが、金量は多く、電
流密度がそれ程上がらず、そして液温が高くて蒸
発量が多いという問題点がある。例えば、特公昭
45―15846号公報に開示される電解浴は金量が１
〜75g／であり、陰極電流密度0.1〜10A／ｄm2
及び温度20〜90℃を操作条件としている。又、特
開昭47−1956号公報の「電解金メツキ溶液及びそ
れを使用する方法」によれば金量は１〜75g／
で、陰極電流密度が好ましくは２〜10A／ft2
（0.216〜1.08A／ｄm2）、温度は100〜180F（37.8
〜82.2℃）を操作条件としている。
ばICフレーム、セラミツクパツケージ、プリン
ト基板、リードフレーム等に広く使用され益々そ
の需要は拡大されつつあり、従来より幾つかの純
金めつき液がこれらの製品を純金めつきするため
に提供されて来ている。しかしながら、従来の純
金めつき液は、殆んどのものが、金量は多く、電
流密度がそれ程上がらず、そして液温が高くて蒸
発量が多いという問題点がある。例えば、特公昭
45―15846号公報に開示される電解浴は金量が１
〜75g／であり、陰極電流密度0.1〜10A／ｄm2
及び温度20〜90℃を操作条件としている。又、特
開昭47−1956号公報の「電解金メツキ溶液及びそ
れを使用する方法」によれば金量は１〜75g／
で、陰極電流密度が好ましくは２〜10A／ft2
（0.216〜1.08A／ｄm2）、温度は100〜180F（37.8
〜82.2℃）を操作条件としている。
本発明はこれら従来の問題点に着目して開発さ
れた純金めつき液で、金量が少なく、高い陰極電
流密度がとれ、低い液温で使用でき、加えて半導
体関係の製品にとつて最適な特性、即ち密着性、
耐熱性、ボンデイング性及び半田ぬれ性が共に良
好な純金めつき層を析出することのできる純金め
つき液を提供せんとするものである。そして、本
発明は具体的には上記意図の下で、金化合物とし
てシアン化金カリウムを２〜16g／、クエン酸
塩を５〜200g／、リン酸塩を５〜100g／、
硫酸アンモニウムを10〜150g／、タリウム、
セリウム、鉛、アンチモン、ヒ素、ビスマス又は
テルルの内一種の金属化合物を0.01〜40mg／含
有して成る純金めつき液を提供せんとするもので
ある。
れた純金めつき液で、金量が少なく、高い陰極電
流密度がとれ、低い液温で使用でき、加えて半導
体関係の製品にとつて最適な特性、即ち密着性、
耐熱性、ボンデイング性及び半田ぬれ性が共に良
好な純金めつき層を析出することのできる純金め
つき液を提供せんとするものである。そして、本
発明は具体的には上記意図の下で、金化合物とし
てシアン化金カリウムを２〜16g／、クエン酸
塩を５〜200g／、リン酸塩を５〜100g／、
硫酸アンモニウムを10〜150g／、タリウム、
セリウム、鉛、アンチモン、ヒ素、ビスマス又は
テルルの内一種の金属化合物を0.01〜40mg／含
有して成る純金めつき液を提供せんとするもので
ある。
金化合物はシアン化金カリウムの形で酸性めつ
き液に加えられ、その含有量としては２〜16g／
、好ましくは４〜8g／存在させることがで
きる。このように金化合物の（即ち、金の）含有
量が少ないことは本発明の特色の一つである。
き液に加えられ、その含有量としては２〜16g／
、好ましくは４〜8g／存在させることがで
きる。このように金化合物の（即ち、金の）含有
量が少ないことは本発明の特色の一つである。
この純金めつき液は液中に導電性で且つ緩衝作
用を有する化合物としてクエン酸塩及びリン酸塩
を含有する。クエン酸塩としてはクエン酸カリウ
ムを５〜200g／、好ましくは120〜150g／含
有させることができ、そしてリン酸塩としてはリ
ン酸カリウムを５〜100g／、好ましくは10〜
50g／含有させることができる。
用を有する化合物としてクエン酸塩及びリン酸塩
を含有する。クエン酸塩としてはクエン酸カリウ
ムを５〜200g／、好ましくは120〜150g／含
有させることができ、そしてリン酸塩としてはリ
ン酸カリウムを５〜100g／、好ましくは10〜
50g／含有させることができる。
更に本発明に係かる純金めつき液は硫酸アンモ
ニウムを液中に含有せしめ、又添加剤としてタリ
ウム、セリウム、鉛、アンチモン、ヒ素、ビスマ
ス、又はテルルの内１種の金属化合物を含めるも
のである。硫酸アンモニウムは10〜150g／、
好ましくは20〜150g／液中に含有させること
ができ、純金めつき液の安定性に寄与するもので
ある。上記添加剤は金属化合物であり、このよう
な「金属」を添加する純金めつき液にとつて、液
の安定性は陰極電流密度を高く採るために欠かせ
ぬ条件であるが硫酸アンモニウムはこの必要条件
を満足させることができる。このような硫酸アン
モニウムの含有に加えて液中に金属化合物を添加
するところに本発明の特色がある。金属化合物、
即ち添加剤の含有量は微量でよく、0.01〜40mg／
液中に添加するだけでよい。添加剤として液中
に、タリウム、セリウム、鉛、アンチモン、ヒ
素、ビスマス、又はテルルの内１種の金属化合物
を添加することにより析出する純金めつき層は密
着性、耐熱性、ボンデイング性、及び半田ぬれ性
を有することができる。
ニウムを液中に含有せしめ、又添加剤としてタリ
ウム、セリウム、鉛、アンチモン、ヒ素、ビスマ
ス、又はテルルの内１種の金属化合物を含めるも
のである。硫酸アンモニウムは10〜150g／、
好ましくは20〜150g／液中に含有させること
ができ、純金めつき液の安定性に寄与するもので
ある。上記添加剤は金属化合物であり、このよう
な「金属」を添加する純金めつき液にとつて、液
の安定性は陰極電流密度を高く採るために欠かせ
ぬ条件であるが硫酸アンモニウムはこの必要条件
を満足させることができる。このような硫酸アン
モニウムの含有に加えて液中に金属化合物を添加
するところに本発明の特色がある。金属化合物、
即ち添加剤の含有量は微量でよく、0.01〜40mg／
液中に添加するだけでよい。添加剤として液中
に、タリウム、セリウム、鉛、アンチモン、ヒ
素、ビスマス、又はテルルの内１種の金属化合物
を添加することにより析出する純金めつき層は密
着性、耐熱性、ボンデイング性、及び半田ぬれ性
を有することができる。
本発明の純金めつき液は水素イオン濃度（PH）
４〜７、温度50〜75℃そして陰極電流密度0.1〜
15A／ｄm2の操作条件で用いられる。従来の純金
めつき液では例えば80℃、90℃近辺の高い液温で
液を使用し、ために蒸発量が多いものであつた
が、本発明の純金めつき液は50〜75℃好ましくは
60℃の液温で十分に使用できるので蒸発量を低く
抑えることができる。しかも、従来の液では通常
金が5g／程度ならば陰極電流密度を上げても
1A／ｄm2程度であり、これ以上陰極電流密度を
上げるには金量を多くし、他の液組成にも手を加
え調整しなければならないが本発明の純金めつき
液では上述の如く少ない金量の液でありながら
0.1〜15A／ｄm2で使用できる。例えば浸漬めつ
きの場合には0.1〜1.5A／ｄm2、又高速めつきの
場合は0.1〜15A／ｄm2で液を操作できるもので
ある。
４〜７、温度50〜75℃そして陰極電流密度0.1〜
15A／ｄm2の操作条件で用いられる。従来の純金
めつき液では例えば80℃、90℃近辺の高い液温で
液を使用し、ために蒸発量が多いものであつた
が、本発明の純金めつき液は50〜75℃好ましくは
60℃の液温で十分に使用できるので蒸発量を低く
抑えることができる。しかも、従来の液では通常
金が5g／程度ならば陰極電流密度を上げても
1A／ｄm2程度であり、これ以上陰極電流密度を
上げるには金量を多くし、他の液組成にも手を加
え調整しなければならないが本発明の純金めつき
液では上述の如く少ない金量の液でありながら
0.1〜15A／ｄm2で使用できる。例えば浸漬めつ
きの場合には0.1〜1.5A／ｄm2、又高速めつきの
場合は0.1〜15A／ｄm2で液を操作できるもので
ある。
（実施例 １）
シアン化金カリウム（メタルとして） 5g／
クエン酸１カリウム 20g／
リン酸カリウム 15g／
硫酸アンモニウム 100g／
タリウム塩（硫酸タリウムとして） 20mg／
PH 6.0
比重 11゜B′e
液温 60℃
予め金ストライクめつきを施こした試験片に、
上記の条件で浸漬めつきを行なつたところ、陰極
電流密度を1.5A／ｄm2にでき、半光沢でしかも
レモンイエローの析出物が得られた。そしてこの
純金めつき片は密着性、耐熱性、ボンデイング
性、半田ぬれ性等、半導体部品用に要求される特
性を十分備えていることが判明した。
上記の条件で浸漬めつきを行なつたところ、陰極
電流密度を1.5A／ｄm2にでき、半光沢でしかも
レモンイエローの析出物が得られた。そしてこの
純金めつき片は密着性、耐熱性、ボンデイング
性、半田ぬれ性等、半導体部品用に要求される特
性を十分備えていることが判明した。
（実施例 ２）
シアン化金カリウム（メタルとして） 5g／
クエン酸カリウム 80g／
リン酸１カリウム 20g／
硫酸アンモニウム 40g／
鉛塩（硫酸鉛として） ５mg／
PH 6.0
比重 11゜Be′
液温 60℃
予め金ストライクめつきを施こした試験片に、
上記の条件で噴射式高速部分めつき装置（特公昭
49−24775号公報に示されるような装置）を利用
して高速めつきをしたところ陰極電流密度を
4A／ｄm2にでき、半光沢でしかもレモンイエロ
ーの析出物が得られた。この純金めつき片は密着
性、耐熱性、ボンデイング性、半田ぬれ性等半導
体部品用として十分な特性を備えていることが確
認できた。
上記の条件で噴射式高速部分めつき装置（特公昭
49−24775号公報に示されるような装置）を利用
して高速めつきをしたところ陰極電流密度を
4A／ｄm2にでき、半光沢でしかもレモンイエロ
ーの析出物が得られた。この純金めつき片は密着
性、耐熱性、ボンデイング性、半田ぬれ性等半導
体部品用として十分な特性を備えていることが確
認できた。
（実施例 ３）
シアン化金カリウム（メタルとして） 4g／
クエン酸カリウム 50g／
リン酸２カリウム 25g／
硫酸アンモニウム 130g／
セリウム塩（硫酸第一セリウムとして）
0.4mg／ PH 6.0 比重 11゜B′e 液温 60℃ 予め金ストライクめつきを施こした試験片に、
上記の条件で実施例２と同様の装置を利用し高速
めつきをしたところ、陰極電流密度を5A／ｄm2
にでき、半光沢で且つレモンイエローの析出物が
得られた。この純金めつき片は密着性、耐熱性、
ボンデイング性、半田ぬれ性等の半導体部品用と
して必要な特性を十分備えていることが判明し
た。
0.4mg／ PH 6.0 比重 11゜B′e 液温 60℃ 予め金ストライクめつきを施こした試験片に、
上記の条件で実施例２と同様の装置を利用し高速
めつきをしたところ、陰極電流密度を5A／ｄm2
にでき、半光沢で且つレモンイエローの析出物が
得られた。この純金めつき片は密着性、耐熱性、
ボンデイング性、半田ぬれ性等の半導体部品用と
して必要な特性を十分備えていることが判明し
た。
（実施例 ４）
シアン化金カリウム（メタルとして） 3g／
クエン酸カリウム 100g／
リン酸１カリウム 40g／
硫酸アンモニウム 20g／
ビスマス塩（ビスマス酸ナトリウムとして）
0.5mg／ PH 6.0 比重 11゜B′e 液温 50℃ 予め金ストライクめつきを施こした試験片に、
上記の条件で実施例２と同様の装置を利用し高速
めつきをしたところ、陰極電流密度を3A／ｄm2
にでき半光沢で且つレモンイエローの析出物が得
られた。この純金めつき試験片は密着性、耐熱
性、ボンデイング性、半田ぬれ性等の半導体部品
用として要求される特性を十分満足させるもので
あつた。
0.5mg／ PH 6.0 比重 11゜B′e 液温 50℃ 予め金ストライクめつきを施こした試験片に、
上記の条件で実施例２と同様の装置を利用し高速
めつきをしたところ、陰極電流密度を3A／ｄm2
にでき半光沢で且つレモンイエローの析出物が得
られた。この純金めつき試験片は密着性、耐熱
性、ボンデイング性、半田ぬれ性等の半導体部品
用として要求される特性を十分満足させるもので
あつた。
（実施例 ５）
シアン化金カリウム（メタルとして） 4g／
クエン酸カリウム 40g／
リン酸２カリウム 25g／
硫酸アンモニウム 60g／
タリウム塩（硫酸タリウムとして） 0.04mg／
PH 6.0
比重 11゜B′e
液温 60℃
予め金ストライクめつきを施こした試験片に、
上記の条件で、実施例２と同様の装置を用い高速
めつきしたところ、陰極電流密度を4A／ｄm2に
でき、半光沢でしかもレモンイエローの析出物が
得られた。この純金めつき試験片は密着性、耐熱
性、ボンデイング性、半田ぬれ性等半導体部品用
として条件を十分に満たすものであつた。
上記の条件で、実施例２と同様の装置を用い高速
めつきしたところ、陰極電流密度を4A／ｄm2に
でき、半光沢でしかもレモンイエローの析出物が
得られた。この純金めつき試験片は密着性、耐熱
性、ボンデイング性、半田ぬれ性等半導体部品用
として条件を十分に満たすものであつた。
（実施例 ６）
シアン化金カリウム（メタルとして） 16g／
クエン酸カリウム 40g／
リン酸１カリウム 25g／
硫酸アンモニウム 80g／
タリウム塩（硫酸タリウムとして） 20mg／
PH 6.0
比重 13゜B′e
液温 75℃
予め金ストライクめつきを施こした試験片に、
上記条件で、実施例２と同様の装置を用い高速め
つきをしたところ、陰極電流密度を15A／ｄm2に
でき、半光沢でつきまわりの良いしかもレモンイ
エローの析出物が得られた。この純金めつき片は
密着性、耐熱性、ボンデイング性、半田ぬれ性等
半導体部品用としての条件を十分満たすものであ
つた。
上記条件で、実施例２と同様の装置を用い高速め
つきをしたところ、陰極電流密度を15A／ｄm2に
でき、半光沢でつきまわりの良いしかもレモンイ
エローの析出物が得られた。この純金めつき片は
密着性、耐熱性、ボンデイング性、半田ぬれ性等
半導体部品用としての条件を十分満たすものであ
つた。
以上、説明したように本発明に係かる純金めつ
き液は金化合物として２〜16g／のシアン化金
カリウムを含有させればよく、従来の１〜75g／
程度の多くの金量を必要とする純金めつき液に
比べ非常に金含有量が少ないのでめつき槽からの
「くみ出し量」が少量であり、又50〜70℃という
低い液温で操作可能なので液の蒸発量も極めて少
なく非常に経済的で且つ使用し易いものであつ
て、しかも陰極電流密度を0.1〜15A／ｄm2と高
くとることができ15A／ｄm2までめつき焼けも無
く外観が良好であり、その析出純金層は密着性、
耐熱性、ボンデイング性そして半田ぬれ性という
半導体部品にとり必要不可欠の特性を備えるか
ら、この種の製品に対する汎用性も高く、加えて
液が安定していて高い陰極電流密度をとることが
できるので高速噴射めつき用の液として最適であ
るという多くの秀れた効果がある。
き液は金化合物として２〜16g／のシアン化金
カリウムを含有させればよく、従来の１〜75g／
程度の多くの金量を必要とする純金めつき液に
比べ非常に金含有量が少ないのでめつき槽からの
「くみ出し量」が少量であり、又50〜70℃という
低い液温で操作可能なので液の蒸発量も極めて少
なく非常に経済的で且つ使用し易いものであつ
て、しかも陰極電流密度を0.1〜15A／ｄm2と高
くとることができ15A／ｄm2までめつき焼けも無
く外観が良好であり、その析出純金層は密着性、
耐熱性、ボンデイング性そして半田ぬれ性という
半導体部品にとり必要不可欠の特性を備えるか
ら、この種の製品に対する汎用性も高く、加えて
液が安定していて高い陰極電流密度をとることが
できるので高速噴射めつき用の液として最適であ
るという多くの秀れた効果がある。
Claims (1)
- １ 金化合物としてシアン化金カリウムを２〜
16g／、クエン酸塩を５〜200g／、リン酸塩
を５〜100g／、硫酸アンモニウムを10〜
150g／、タリウム、セリウム、鉛、アンチモ
ン、ヒ素、ビスマス又はテルルの内一種の金属化
合物を0.01〜40mg／含有して成る純金めつき
液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16126779A JPS5684495A (en) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | Pure gold plating liquid |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16126779A JPS5684495A (en) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | Pure gold plating liquid |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5684495A JPS5684495A (en) | 1981-07-09 |
| JPS6238435B2 true JPS6238435B2 (ja) | 1987-08-18 |
Family
ID=15731849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16126779A Granted JPS5684495A (en) | 1979-12-12 | 1979-12-12 | Pure gold plating liquid |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5684495A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4435253A (en) * | 1983-01-28 | 1984-03-06 | Omi International Corporation | Gold sulphite electroplating solutions and methods |
| CN101906649B (zh) * | 2010-08-11 | 2011-09-21 | 哈尔滨工业大学 | 无氰电镀金的镀液及采用无氰电镀金的镀液电镀金的方法 |
| JP6393526B2 (ja) * | 2014-06-11 | 2018-09-19 | メタローテクノロジーズジャパン株式会社 | シアン系電解金めっき浴及びこれを用いるバンプ形成方法 |
| US20160145756A1 (en) * | 2014-11-21 | 2016-05-26 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Environmentally friendly gold electroplating compositions and methods |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5610754B2 (ja) * | 1972-07-03 | 1981-03-10 | ||
| JPS5816141B2 (ja) * | 1975-07-21 | 1983-03-29 | 川崎重工業株式会社 | エンジン用の摩耗試験装置 |
-
1979
- 1979-12-12 JP JP16126779A patent/JPS5684495A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5684495A (en) | 1981-07-09 |
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