JPS6238520A - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPS6238520A JPS6238520A JP17913585A JP17913585A JPS6238520A JP S6238520 A JPS6238520 A JP S6238520A JP 17913585 A JP17913585 A JP 17913585A JP 17913585 A JP17913585 A JP 17913585A JP S6238520 A JPS6238520 A JP S6238520A
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- Japan
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- magnetic
- magnetoresistive
- magneto
- resistance effect
- layers
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘッドの改良に関する。
本発明は、センス電流の流される磁気抵抗効果感磁部と
、この磁気抵抗効果感磁部にバイアス磁界を与えるバイ
アス手段とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於いて
、磁気抵抗効果感磁部を、２ｒＦｉＩの磁気抵抗効果感
磁層と、その間に配された非磁性層とを積層合体して構
成することにより、バルクハウゼンノイズが発生し難く
成るようにしたものである。
、この磁気抵抗効果感磁部にバイアス磁界を与えるバイ
アス手段とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於いて
、磁気抵抗効果感磁部を、２ｒＦｉＩの磁気抵抗効果感
磁層と、その間に配された非磁性層とを積層合体して構
成することにより、バルクハウゼンノイズが発生し難く
成るようにしたものである。
従来の磁気抵抗効果型磁気−＼ラドは、単層の磁気抵抗
効果感磁部を用い、これにセンス電流を流すと共に、バ
イアス手段によってこの磁気抵抗効果感磁部にバイアス
磁界を与え、磁気媒体よりの磁界によって磁気抵抗効果
感磁部の電気抵抗を変化させることにより、磁気媒体に
記録された磁気信号を再生するようにしていた。
効果感磁部を用い、これにセンス電流を流すと共に、バ
イアス手段によってこの磁気抵抗効果感磁部にバイアス
磁界を与え、磁気媒体よりの磁界によって磁気抵抗効果
感磁部の電気抵抗を変化させることにより、磁気媒体に
記録された磁気信号を再生するようにしていた。
Ｃ発明が解決しようとする開題点〕
従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、単層の磁気抵抗効
果感磁部を用いているため、バルクハウゼンノイズが発
生するという欠点があった。この原因を第７図を参照し
て説明する。第７図は単層の磁気抵抗効果感磁部の平面
図であるが、この図に示すように、磁気抵抗効果感磁部
は磁気異方性等や形状に起因する静磁エネルギーの総和
が最小になるような磁区構成をとる。この場合は、磁気
抵抗効果感磁部が矩形であるので、第７図に図示のよう
に、両長辺に接する対称な台形の磁区（４ａ）（４ｃ）
と、両短辺に接する対称な二等辺三角形の磁区（４ｂ）
、（４ｄ）が形成される。Ｍａ〜Ｍ （ｉは各磁区（４
ａ）〜（４ｄ）の磁化の方向を示し、その向きは閉ルー
プを構成するように環流している。ＭＷ、 〜ＭＷ５は
各磁区（４ａ）〜（４ｄ）間の磁壁である。
果感磁部を用いているため、バルクハウゼンノイズが発
生するという欠点があった。この原因を第７図を参照し
て説明する。第７図は単層の磁気抵抗効果感磁部の平面
図であるが、この図に示すように、磁気抵抗効果感磁部
は磁気異方性等や形状に起因する静磁エネルギーの総和
が最小になるような磁区構成をとる。この場合は、磁気
抵抗効果感磁部が矩形であるので、第７図に図示のよう
に、両長辺に接する対称な台形の磁区（４ａ）（４ｃ）
と、両短辺に接する対称な二等辺三角形の磁区（４ｂ）
、（４ｄ）が形成される。Ｍａ〜Ｍ （ｉは各磁区（４
ａ）〜（４ｄ）の磁化の方向を示し、その向きは閉ルー
プを構成するように環流している。ＭＷ、 〜ＭＷ５は
各磁区（４ａ）〜（４ｄ）間の磁壁である。
しかして、磁気抵抗効果感磁部がこのような磁区構成を
とるため、この磁気抵抗効果感磁部に外部磁界が与えら
れると、かかる磁壁が不連続に移動し、これがバルクハ
ウゼンノイズ発生の原因となるものである。
とるため、この磁気抵抗効果感磁部に外部磁界が与えら
れると、かかる磁壁が不連続に移動し、これがバルクハ
ウゼンノイズ発生の原因となるものである。
かかる点に鑑み本発明は、バルクハウゼンノイズの発生
し難い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提案しようとするも
のである。
し難い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提案しようとするも
のである。
本発明は、センス電流の流される磁気抵抗効果感磁部（
４）と、この磁気抵抗効果感磁部（４）ニハイアス磁界
を与えるバイアス手段（バイアス導体）（５）とを有す
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於いて、磁気抵抗効果感
磁部（４）を、２層の磁気抵抗効果感磁層（４Ａ）、（
４Ｃ）と、その間に配された非磁性層（４Ｂ）とを積層
合体して構成するものである。
４）と、この磁気抵抗効果感磁部（４）ニハイアス磁界
を与えるバイアス手段（バイアス導体）（５）とを有す
る磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於いて、磁気抵抗効果感
磁部（４）を、２層の磁気抵抗効果感磁層（４Ａ）、（
４Ｃ）と、その間に配された非磁性層（４Ｂ）とを積層
合体して構成するものである。
かかる本発明によれば、再磁気抵抗効果感磁層（４Ａ）
、（４Ｃ）の磁化の方向が同じとなり、その向きが互い
に逆となるので、磁気抵抗効果感磁部（４）は同一面内
に複数磁区構成をとることがなく、このためバルクハウ
ゼンノイズの発生し難い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得
ることができる。
、（４Ｃ）の磁化の方向が同じとなり、その向きが互い
に逆となるので、磁気抵抗効果感磁部（４）は同一面内
に複数磁区構成をとることがなく、このためバルクハウ
ゼンノイズの発生し難い磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得
ることができる。
以下に、第１図を参照して、本発明の一実施例を詳細に
説明する。第１図に於いて、（１）はＭｎ−Ｚｎフェラ
イト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板である
。（２）は磁気媒体対接面側に配された、ＭＯパーマロ
イ、センダスト等から成る一方の磁性コアである。（３
）は、その一端が磁性コア（２）の端部に所定間隔を１
いて対向し、他端が磁性基板（１）に磁気的に連結され
た、磁性コア（２）と同じ材料から成る他方の磁性コア
である。（４）は磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）で
、その両端が磁性コア（２）、（３）の対向した両端部
に近接する如く配される。
説明する。第１図に於いて、（１）はＭｎ−Ｚｎフェラ
イト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板である
。（２）は磁気媒体対接面側に配された、ＭＯパーマロ
イ、センダスト等から成る一方の磁性コアである。（３
）は、その一端が磁性コア（２）の端部に所定間隔を１
いて対向し、他端が磁性基板（１）に磁気的に連結され
た、磁性コア（２）と同じ材料から成る他方の磁性コア
である。（４）は磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）で
、その両端が磁性コア（２）、（３）の対向した両端部
に近接する如く配される。
（５）は銅等から成るバイアス導体で、磁性コア（３）
及び磁性基板（１）間に配される。この場合、バイアス
導体（５）は磁気抵抗感磁部（４）から離れているので
、これより発生するジュール熱によって、磁気抵抗効果
感磁部（４）のＳ／Ｎが低下する虞は少ない。
及び磁性基板（１）間に配される。この場合、バイアス
導体（５）は磁気抵抗感磁部（４）から離れているので
、これより発生するジュール熱によって、磁気抵抗効果
感磁部（４）のＳ／Ｎが低下する虞は少ない。
このバイアス導体（５）には紙面に垂直な方向にバイア
ス電流が流され、これによりその周囲にバイアス磁界が
発生する。このバイアス磁界は、磁性コア（２）、（３
）及び磁性基板（１）を介して、トラック幅方向と略直
交する方向に磁気抵抗効果感磁部（４）に与えられる。
ス電流が流され、これによりその周囲にバイアス磁界が
発生する。このバイアス磁界は、磁性コア（２）、（３
）及び磁性基板（１）を介して、トラック幅方向と略直
交する方向に磁気抵抗効果感磁部（４）に与えられる。
尚、バイアス導体（５）を省略し、磁気抵抗効果感磁部
（４）に流されるセンス電流によって発生する磁界によ
って、磁気抵抗効果感磁部（４）にセルフバイアス磁界
を与えるようにしても良い。
（４）に流されるセンス電流によって発生する磁界によ
って、磁気抵抗効果感磁部（４）にセルフバイアス磁界
を与えるようにしても良い。
（６）は上述の各部材間に充填されたＳｉＯ２等の非磁
性絶縁層である。磁性コア（２）、磁性基板（１）及び
その間の非磁性絶縁層（６）から成る端面が磁気媒体に
対する対接面とされる。
性絶縁層である。磁性コア（２）、磁性基板（１）及び
その間の非磁性絶縁層（６）から成る端面が磁気媒体に
対する対接面とされる。
次ぎに、第４図を参照して、磁気抵抗効果感磁部（４）
の構成を説明する。この磁気抵抗効果感磁部（４）は、
２層のＮｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金等から成る磁気
抵抗効果感磁層（ＭＲ感磁層）（４Ａ）、（４Ｃ）及び
その間に配された非磁性層（４Ｂ）が積層合体されて構
成され、全体の厚さは例えば７００人程度である。磁気
抵抗効果感磁層（４Ａ）、（４Ｃ）の飽和磁化量は略等
しく選定される。非磁性層（４Ｂ）はＳ ｉ ０２ 、
Ａ １２０３”Ｔ’ ｉ 、 Ｍ Ｏ等から成る非磁性
絶縁層で、その厚さは、磁気抵抗効果感磁層（４Ａ）、
（４Ｃ）間の交換相互作用を無視できる程度に減少させ
、且つクーロンの法則に従う相互作用による結合が充分
強いとされるような値、即ち略５〜５００人が適当で、
（列えば２０人に選定される。
の構成を説明する。この磁気抵抗効果感磁部（４）は、
２層のＮｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｆｅ合金等から成る磁気
抵抗効果感磁層（ＭＲ感磁層）（４Ａ）、（４Ｃ）及び
その間に配された非磁性層（４Ｂ）が積層合体されて構
成され、全体の厚さは例えば７００人程度である。磁気
抵抗効果感磁層（４Ａ）、（４Ｃ）の飽和磁化量は略等
しく選定される。非磁性層（４Ｂ）はＳ ｉ ０２ 、
Ａ １２０３”Ｔ’ ｉ 、 Ｍ Ｏ等から成る非磁性
絶縁層で、その厚さは、磁気抵抗効果感磁層（４Ａ）、
（４Ｃ）間の交換相互作用を無視できる程度に減少させ
、且つクーロンの法則に従う相互作用による結合が充分
強いとされるような値、即ち略５〜５００人が適当で、
（列えば２０人に選定される。
この磁気抵抗効果感磁部（４）には、そのトランク幅方
向にセンス電流Ｉが流される。そして、磁気抵抗効果感
磁層（４Ａ）、（４Ｃ）は、センス電流■の方向と一致
する方向Ｘに夫々磁気異方性が付与せしめられる。か（
して、磁気抵抗効果感磁Ｗ１（４Ａ）、（４Ｃ）夫々単
磁区構成をとり、その磁化Ｍ、 、Ｍ２は磁化異方性の
方向Ｘと一致し、その向きが互いに逆で、その絶対値が
等しく成り、再磁気抵抗効果感磁層（４Ａ）、（４Ｃ）
を夫々通る閉磁束ループが形成される。
向にセンス電流Ｉが流される。そして、磁気抵抗効果感
磁層（４Ａ）、（４Ｃ）は、センス電流■の方向と一致
する方向Ｘに夫々磁気異方性が付与せしめられる。か（
して、磁気抵抗効果感磁Ｗ１（４Ａ）、（４Ｃ）夫々単
磁区構成をとり、その磁化Ｍ、 、Ｍ２は磁化異方性の
方向Ｘと一致し、その向きが互いに逆で、その絶対値が
等しく成り、再磁気抵抗効果感磁層（４Ａ）、（４Ｃ）
を夫々通る閉磁束ループが形成される。
次ぎに、第５図を参照して、この磁気抵抗効果感磁部（
４）の製法を説明する。先ず、非磁性絶縁層（６）上に
、蒸着、スパッタリング法等により磁気抵抗効果感ＶＡ
層（４Ｃ）を被着形成する（第５図Ａ）。次ぎに、この
磁気抵抗効果感磁層（４Ｃ）上に非磁性絶縁層（４Ｂ）
を蒸着、スパッタリング法等により被着形成する（第５
図Ｂ）。
４）の製法を説明する。先ず、非磁性絶縁層（６）上に
、蒸着、スパッタリング法等により磁気抵抗効果感ＶＡ
層（４Ｃ）を被着形成する（第５図Ａ）。次ぎに、この
磁気抵抗効果感磁層（４Ｃ）上に非磁性絶縁層（４Ｂ）
を蒸着、スパッタリング法等により被着形成する（第５
図Ｂ）。
次ぎに、非磁性絶縁層（４Ｂ）上に磁気抵抗効果感磁層
（４Ａ）を蒸着、スパッタリング法等により被着形成す
る（第５図Ｃ）。しかる後、これをバターニングして、
所定の形にする。
（４Ａ）を蒸着、スパッタリング法等により被着形成す
る（第５図Ｃ）。しかる後、これをバターニングして、
所定の形にする。
次ぎに、第６図を参照して、上述の磁気抵抗効果感磁部
（４）の動作を説明する。上述したように、磁気抵抗効
果感磁部（４）には、トラック幅方向にセンス電流Ｉが
流され、又、その磁気抵抗効果感磁層（４Ａ）、（４Ｃ
）にセンス電流Ｉと同じ方向に磁気異方性が付与される
。従って、上述したように、磁気抵抗効果感磁ｒＦＪ（
４Ａ）、（４Ｃ）の磁化Ｍ１、Ｍ２は、磁気異方性の方
向Ｘと同じ方向で、向きが互いに逆で、絶対値が等しい
。そこで、磁気抵抗効果感磁部（４）に、例えばトラッ
ク幅方向と直交する方向にバイアス磁界ＨＯを与えると
、再磁気抵抗効果感磁層（４Ａ）、（４Ｃ）の磁化Ｍ５
、Ｍ２はベクトル合成により、夫々 Ｍｌｌ、Ｍ２１の
如く角度θ１１、θ２１だけ反時計方向に回転する。
（４）の動作を説明する。上述したように、磁気抵抗効
果感磁部（４）には、トラック幅方向にセンス電流Ｉが
流され、又、その磁気抵抗効果感磁層（４Ａ）、（４Ｃ
）にセンス電流Ｉと同じ方向に磁気異方性が付与される
。従って、上述したように、磁気抵抗効果感磁ｒＦＪ（
４Ａ）、（４Ｃ）の磁化Ｍ１、Ｍ２は、磁気異方性の方
向Ｘと同じ方向で、向きが互いに逆で、絶対値が等しい
。そこで、磁気抵抗効果感磁部（４）に、例えばトラッ
ク幅方向と直交する方向にバイアス磁界ＨＯを与えると
、再磁気抵抗効果感磁層（４Ａ）、（４Ｃ）の磁化Ｍ５
、Ｍ２はベクトル合成により、夫々 Ｍｌｌ、Ｍ２１の
如く角度θ１１、θ２１だけ反時計方向に回転する。
更に、このバイアス磁界Ｈｏに信号磁界Ｈ２が加算され
れば、各磁化Ｍｌ 、Ｍ２はベクトル合成により、夫々
Ｍ１２、Ｍ ２２の如く角度θ１２、θ２２だけ反時計
方向に回転する。尚、磁気抵抗効果感磁層（４Ａ）、（
４Ｃ）の比抵抗は、センス電流Ｉの方向に対する磁化の
方向の角度θのｃｏｓの２乗の一次結合で表されるから
、磁気抵抗効果感磁層（４Ａ）、（４Ｃ）の外部磁界に
よる電気抵抗の変化は同し向きと成る。
れば、各磁化Ｍｌ 、Ｍ２はベクトル合成により、夫々
Ｍ１２、Ｍ ２２の如く角度θ１２、θ２２だけ反時計
方向に回転する。尚、磁気抵抗効果感磁層（４Ａ）、（
４Ｃ）の比抵抗は、センス電流Ｉの方向に対する磁化の
方向の角度θのｃｏｓの２乗の一次結合で表されるから
、磁気抵抗効果感磁層（４Ａ）、（４Ｃ）の外部磁界に
よる電気抵抗の変化は同し向きと成る。
次ぎに、第２図を参照して、本発明の他の実施例を説明
する。第２図に於いて、（１）はＭ ｎ −Ｚｎフェラ
イト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板である
。（７）はＭｏパーマロイ、センダスト等から成る磁気
ヨークで、その一端が磁気媒体対接面側に位置し、他端
が磁性基板（１）に磁気的に連結されている。（４）は
磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）で、磁気媒体対接面
側に於いて磁気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に配
されている。（８）は磁性体で、その一端が磁気ヨーク
（７）に磁気的に連結され、その他端が磁気抵抗効果感
磁部（４）に近接配置される。
する。第２図に於いて、（１）はＭ ｎ −Ｚｎフェラ
イト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板である
。（７）はＭｏパーマロイ、センダスト等から成る磁気
ヨークで、その一端が磁気媒体対接面側に位置し、他端
が磁性基板（１）に磁気的に連結されている。（４）は
磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）で、磁気媒体対接面
側に於いて磁気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に配
されている。（８）は磁性体で、その一端が磁気ヨーク
（７）に磁気的に連結され、その他端が磁気抵抗効果感
磁部（４）に近接配置される。
（５Ａ）、（５Ｂ）は夫々、磁性体（８）の上 。
下に配された、銅等から成る一対のバイアス導体で、紙
面に垂直な方向において、互いに逆向きにバイアス電流
がながされ、これによりその周囲に発生したバイアス磁
界が、磁気ヨーク（７）、磁性体（８）及び磁性基板（
１）を介して磁気抵抗効果感磁部（４）に加算的に与え
られる。この場合、バイアス導体（５Ａ）、（５Ｂ）に
流されるバイアス電流によって、磁気ヨーク（７）及び
磁性基板（１）に流れる磁束は略相殺され、これにより
磁気ヨーク（７）及び磁性基板（１）に流れる磁束によ
って発生するバルクハウゼンノイズは減少せしめられる
。
面に垂直な方向において、互いに逆向きにバイアス電流
がながされ、これによりその周囲に発生したバイアス磁
界が、磁気ヨーク（７）、磁性体（８）及び磁性基板（
１）を介して磁気抵抗効果感磁部（４）に加算的に与え
られる。この場合、バイアス導体（５Ａ）、（５Ｂ）に
流されるバイアス電流によって、磁気ヨーク（７）及び
磁性基板（１）に流れる磁束は略相殺され、これにより
磁気ヨーク（７）及び磁性基板（１）に流れる磁束によ
って発生するバルクハウゼンノイズは減少せしめられる
。
（６）は上述の各部材間に充填された５ｉｎ２等の非磁
性絶縁層である。磁気ヨーク（７）、磁性基板（１）、
磁気抵抗効果感磁部（４）及びその間の非磁性絶縁層（
６）から成る端面が磁気媒体に対する対接面とされる。
性絶縁層である。磁気ヨーク（７）、磁性基板（１）、
磁気抵抗効果感磁部（４）及びその間の非磁性絶縁層（
６）から成る端面が磁気媒体に対する対接面とされる。
尚、磁気抵抗効果感磁部（４）は上述の実施例と同様で
ある。
ある。
次ぎに、第３図を参照して、本発明の更に他の実施例を
説明する。第２図に於いて、（１）はＭｎ−Ｚｎフェラ
イト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板である
。（７）はＭＯパーマロイ、センダスト等から成る磁気
ヨークで、その一端が磁気媒体対接面側に位置し、他端
が磁性基板（１）に磁気的に連結されている。（４）は
磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）で、磁気媒体対接面
側に於いて磁気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に配
されている。（５）は銅等から成るバイアス導体で、磁
気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に於いて磁気抵抗
効果感磁部（４）の後方に配されている。
説明する。第２図に於いて、（１）はＭｎ−Ｚｎフェラ
イト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等から成る磁性基板である
。（７）はＭＯパーマロイ、センダスト等から成る磁気
ヨークで、その一端が磁気媒体対接面側に位置し、他端
が磁性基板（１）に磁気的に連結されている。（４）は
磁気抵抗効果感磁部（ＭＲ感磁部）で、磁気媒体対接面
側に於いて磁気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に配
されている。（５）は銅等から成るバイアス導体で、磁
気ヨーク（７）及び磁性基板（１）間に於いて磁気抵抗
効果感磁部（４）の後方に配されている。
（６）は上述の各部材間に充填された５ｉ０２等からな
る非磁性絶縁層である磁気ヨーク（７）、磁性基板（１
）、磁気抵抗効果感磁部（４）及びその間の非磁性絶縁
層（６）から成る端面が磁気媒体に対する対接面とされ
る。
る非磁性絶縁層である磁気ヨーク（７）、磁性基板（１
）、磁気抵抗効果感磁部（４）及びその間の非磁性絶縁
層（６）から成る端面が磁気媒体に対する対接面とされ
る。
尚、磁気抵抗効果感磁部（４）は上述の実施例と同様で
ある。
ある。
上述せる本発明によれば、バルクハウゼンノイズの発生
し難い磁気抵抗効果型磁気へ、ドを得ることができる。
し難い磁気抵抗効果型磁気へ、ドを得ることができる。
第１図、第２図及び第３図は夫々本発明の各実施例を示
す断面図、第４図は各実施例における磁気抵抗効果感磁
部を示す斜視図、第５図はその磁気抵抗効果感磁部の製
法を示す工程断面図、第６図はその磁気抵抗効果感磁部
の動作説明に供する線図、第７図は従来の磁気抵抗効果
型磁気へノドに於ける磁気抵抗効果感磁部の平面図であ
る。 （１）は磁性基板、（２）、（３）は磁性コア、（４）
は磁気抵抗効果感磁部、（５）、（５Ａ）、（５Ｂ）は
夫々バイアス導体、（６）は非磁性絶縁層、（７）は磁
気ヨーク、（８）は磁性体である。 第３図 各Ｔ施イｆ１にあ・け３ＭＥｌ毫斌紳の索１ネ見囮第４
図 説法め二程断Ｉ！］旧 説明にイ共丁６．棒肥 第６図 ４戸
す断面図、第４図は各実施例における磁気抵抗効果感磁
部を示す斜視図、第５図はその磁気抵抗効果感磁部の製
法を示す工程断面図、第６図はその磁気抵抗効果感磁部
の動作説明に供する線図、第７図は従来の磁気抵抗効果
型磁気へノドに於ける磁気抵抗効果感磁部の平面図であ
る。 （１）は磁性基板、（２）、（３）は磁性コア、（４）
は磁気抵抗効果感磁部、（５）、（５Ａ）、（５Ｂ）は
夫々バイアス導体、（６）は非磁性絶縁層、（７）は磁
気ヨーク、（８）は磁性体である。 第３図 各Ｔ施イｆ１にあ・け３ＭＥｌ毫斌紳の索１ネ見囮第４
図 説法め二程断Ｉ！］旧 説明にイ共丁６．棒肥 第６図 ４戸
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 センス電流の流される磁気抵抗効果感磁部と、該磁気抵
抗効果感磁部にバイアス磁界を与えるバイアス手段とを
有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドに於いて、 上記磁気抵抗効果感磁部を、２層の磁気抵抗効果感磁層
と、その間に配された非磁性層とを積層合体して構成し
たことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17913585A JPS6238520A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17913585A JPS6238520A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6238520A true JPS6238520A (ja) | 1987-02-19 |
Family
ID=16060590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17913585A Pending JPS6238520A (ja) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6238520A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01116914A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-09 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
-
1985
- 1985-08-14 JP JP17913585A patent/JPS6238520A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01116914A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-09 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
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