JPS6239207A - 半導体ダイスの製造方法 - Google Patents
半導体ダイスの製造方法Info
- Publication number
- JPS6239207A JPS6239207A JP60178663A JP17866385A JPS6239207A JP S6239207 A JPS6239207 A JP S6239207A JP 60178663 A JP60178663 A JP 60178663A JP 17866385 A JP17866385 A JP 17866385A JP S6239207 A JPS6239207 A JP S6239207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- die
- wafer
- dicing
- semiconductor die
- Prior art date
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- Pending
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウニ・・から半導体ダイスを得る、
いわゆる半導体ダイスのネ゛Ｊ造方法Ｋ Ｉ’ｓ！Ｉす
るものである。
いわゆる半導体ダイスのネ゛Ｊ造方法Ｋ Ｉ’ｓ！Ｉす
るものである。
従来の製造方法を第２図〜第５図にしたがって説明する
。図において、（１）はＩＣ（集積回路ンなとの半導体
パターン（１ａ＋）〜（１ａｎ）が多数形成されたウェ
ハ、（２）は塩ビ状のシート、（３）はブレーク台、（
４）はブレークローラー（５）はダイバンドである。こ
こで、ウェハ（１）における半導体パターン（１ａ＋）
〜（１ａｎ）の周囲がＸ方向とｙ方向に互いに等しい深
さＨｘ、 、 Ｈｙ、だけダイサー（図示せず）により
ダイシングされた後、シート（２）を介してブレーク台
（３）上にウェハ（１）が載置される。この状態でブレ
ークローラ（４）を上記Ｘ方向とｙ方向とにそれぞれ移
動させると、半導体パターン（１ａ、）〜（１ａｎ）が
互いに切り離され、その結果、半導体ダイス（１Ａｌ）
〜（ＩＡｎ）をシート（２）に付着した状態で得ること
ができ、これを後工程のダイポンダに供給する。
。図において、（１）はＩＣ（集積回路ンなとの半導体
パターン（１ａ＋）〜（１ａｎ）が多数形成されたウェ
ハ、（２）は塩ビ状のシート、（３）はブレーク台、（
４）はブレークローラー（５）はダイバンドである。こ
こで、ウェハ（１）における半導体パターン（１ａ＋）
〜（１ａｎ）の周囲がＸ方向とｙ方向に互いに等しい深
さＨｘ、 、 Ｈｙ、だけダイサー（図示せず）により
ダイシングされた後、シート（２）を介してブレーク台
（３）上にウェハ（１）が載置される。この状態でブレ
ークローラ（４）を上記Ｘ方向とｙ方向とにそれぞれ移
動させると、半導体パターン（１ａ、）〜（１ａｎ）が
互いに切り離され、その結果、半導体ダイス（１Ａｌ）
〜（ＩＡｎ）をシート（２）に付着した状態で得ること
ができ、これを後工程のダイポンダに供給する。
上記のような過程においてダイシング深さＨｘ、。
Ｈｙ、を深（すると、ダイサーのカッター寿命率が短く
なり、反対にダイシング深さＨｘ、 、 Ｈｙ、を浅く
すると、上記カッター寿命率は向上するものの。
なり、反対にダイシング深さＨｘ、 、 Ｈｙ、を浅く
すると、上記カッター寿命率は向上するものの。
プレークローラ（４）によるブレーク時に半導体パター
ン（１ａ＋）〜（１ａｎ）の寸法より寸法１分突出した
凸壁部（Ｉ Ａｘ）が形成される（第４図参照〕そのた
め、後のダイポンダニ程において半導体ダイス（ＩＡＩ
）〜（ＩＡｎ）の回転位置ずれが発生した場合に、ダイ
パッド（５）より凸壁部（１Ａｘ）がはみ出す、いわゆ
るボンディング不良が多く発生する等の欠点があった。
ン（１ａ＋）〜（１ａｎ）の寸法より寸法１分突出した
凸壁部（Ｉ Ａｘ）が形成される（第４図参照〕そのた
め、後のダイポンダニ程において半導体ダイス（ＩＡＩ
）〜（ＩＡｎ）の回転位置ずれが発生した場合に、ダイ
パッド（５）より凸壁部（１Ａｘ）がはみ出す、いわゆ
るボンディング不良が多く発生する等の欠点があった。
この発明は以上のような従来の欠点を解消するためにな
されたもので、ダイサーの寿命率の低下を低減しつつダ
イボンド不良を減少させ得る半導体ダイスの製造方法を
実現することを目的とするものである。
されたもので、ダイサーの寿命率の低下を低減しつつダ
イボンド不良を減少させ得る半導体ダイスの製造方法を
実現することを目的とするものである。
この発明によれば、ウェハ上の半導体パターンにおける
長辺部のダイシング深さが、短辺部のそれに比し深く形
成される。
長辺部のダイシング深さが、短辺部のそれに比し深く形
成される。
その結果、ダイサーのカッターの寿命率の割にブレーク
時に凸壁部の少ない半導体ダイスが得られる。
時に凸壁部の少ない半導体ダイスが得られる。
以下、第１図の断面図にしたがってこの発明の一実施例
を説明する。第１図において、Ｈｘ２は半導体パターン
（１ａｌ）〜（１ａｎ）の長辺に溢ったいわゆるＸ方向
のダイシング深さで、これはＨｘ、 ）Ｈｙ。
を説明する。第１図において、Ｈｘ２は半導体パターン
（１ａｌ）〜（１ａｎ）の長辺に溢ったいわゆるＸ方向
のダイシング深さで、これはＨｘ、 ）Ｈｙ。
の関係をなすように形成されている。
次にこの深さを不等にした理由を説明するうすなわち、
Ｘ方向とＸ方向のダイシング深さを共に従来より単純に
深くすると、凸壁部（ＩＡｎの突出寸法ｔが小さくなり
、第５図に示すように、ダイボンド時にダイパッド（５
）から凸壁部（ＩＡｘ）がはみ出す、いわゆるボンデン
グ不良は減少するものの、ダイサーのカッターの寿命率
が著しく低下する。
Ｘ方向とＸ方向のダイシング深さを共に従来より単純に
深くすると、凸壁部（ＩＡｎの突出寸法ｔが小さくなり
、第５図に示すように、ダイボンド時にダイパッド（５
）から凸壁部（ＩＡｘ）がはみ出す、いわゆるボンデン
グ不良は減少するものの、ダイサーのカッターの寿命率
が著しく低下する。
そのため、この発明は上記ボンデング不良発生して影響
の大きい半導体パターン（１ａ＋）〜（１ａｎ）の長辺
部の凸壁部の突出寸法のみを小さくし、そしてボンデン
グ不良発生に影響の少ない短辺部はカッターの寿命率を
優先させてダイシング深さを特に深くしないようにした
ものである。
の大きい半導体パターン（１ａ＋）〜（１ａｎ）の長辺
部の凸壁部の突出寸法のみを小さくし、そしてボンデン
グ不良発生に影響の少ない短辺部はカッターの寿命率を
優先させてダイシング深さを特に深くしないようにした
ものである。
この発明は以上のように、後工程のダイポンダでのダイ
スの位置ずれに影響の大きい半導体パターンの長辺部に
おけるダイシング深さを短辺部のそれに比し深くし、そ
してダイポンダに対する影響の少ない短辺部については
ダイシング深さを特に深くせず、これによりダイサーの
カッターの寿命が著しく低下することを防止できる。ま
た、ダイボンドにおけるダイスの位置ずれ不良、すなわ
ちダイボンド不良を著しく少なくできる等の効果がある
。
スの位置ずれに影響の大きい半導体パターンの長辺部に
おけるダイシング深さを短辺部のそれに比し深くし、そ
してダイポンダに対する影響の少ない短辺部については
ダイシング深さを特に深くせず、これによりダイサーの
カッターの寿命が著しく低下することを防止できる。ま
た、ダイボンドにおけるダイスの位置ずれ不良、すなわ
ちダイボンド不良を著しく少なくできる等の効果がある
。
第１図はこの発明の一実施例による半導体ダイスの断面
図、第２図〜第５図は従来例の説明図で。 それぞれ平面図、断面図、要部の断面図、平面図である
。 図中、（１）はウェハ、（１ａ＋）〜（１ａｎ）は半導
体パターン−（１Ａ、 ） 〜（ＩＡｎ）は半導体ダイ
ス、（ｊＡｘ）は凸壁部、（２）はシート、（３）はブ
レーク台、（４）はブレークローラ、（Ｈｘ＋ ） 、
（Ｈｘ２）、（Ｈｙ＋）はダイシング深さである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第１図 第２図 １０１１ 第３図 第４図 第５図
図、第２図〜第５図は従来例の説明図で。 それぞれ平面図、断面図、要部の断面図、平面図である
。 図中、（１）はウェハ、（１ａ＋）〜（１ａｎ）は半導
体パターン−（１Ａ、 ） 〜（ＩＡｎ）は半導体ダイ
ス、（ｊＡｘ）は凸壁部、（２）はシート、（３）はブ
レーク台、（４）はブレークローラ、（Ｈｘ＋ ） 、
（Ｈｘ２）、（Ｈｙ＋）はダイシング深さである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第１図 第２図 １０１１ 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 多数の半導体パターンが形成された半導体ウェハを半
導体パターンに対応してダイシング後、該ウェハの裏面
をシートに付着させた状態でブレークし半導体ダイスを
得るようにしたものにおいて、上記半導体パターンの長
辺部のダイシング深さを短辺部のそれに比し深くしたこ
とを特徴とする半導体ダイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60178663A JPS6239207A (ja) | 1985-08-15 | 1985-08-15 | 半導体ダイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60178663A JPS6239207A (ja) | 1985-08-15 | 1985-08-15 | 半導体ダイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6239207A true JPS6239207A (ja) | 1987-02-20 |
Family
ID=16052395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60178663A Pending JPS6239207A (ja) | 1985-08-15 | 1985-08-15 | 半導体ダイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6239207A (ja) |
-
1985
- 1985-08-15 JP JP60178663A patent/JPS6239207A/ja active Pending
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