JPS6239563B2 - - Google Patents
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- JPS6239563B2 JPS6239563B2 JP518180A JP518180A JPS6239563B2 JP S6239563 B2 JPS6239563 B2 JP S6239563B2 JP 518180 A JP518180 A JP 518180A JP 518180 A JP518180 A JP 518180A JP S6239563 B2 JPS6239563 B2 JP S6239563B2
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- Japan
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- planar circuit
- mixer diode
- diode
- dielectric plate
- mixer
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Links
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
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- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0608—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes
- H03D9/0633—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit
- H03D9/0641—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit located in a hollow waveguide
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、主としてSHF放送受信機のミキ
サ段に用いられる立体平面回路に関する。
サ段に用いられる立体平面回路に関する。
SHF放送受信機のミキサ段に用いられる立体
平面回路は、たとえば第１図に示すように構成さ
れ、断面凹状の第１導波管部材１とともに導波管
を形成する断面凹状の第２導波管部材２は、その
一方および他方の突堤２′，２″上に、両突堤
２′，２″をまたぐに足る幅と約0.3mmの厚さを有
する銅板等からなる平面回路３を付設し、一方の
突堤２′上には、ポリエチレン等からなる誘電体
板４を付設している。誘電体板４は、その上面に
付された銅等からなるＦ字形金属薄層５とで中間
周波信号をとり出し用のフイルタを形成してお
り、平面回路３および金属薄層５には、第２図に
示すようにパツケージ型ミキサダイオード６のリ
ード線７，８が、半田付けにより接続されてい
る。なお、第１導波管部材１と第２導波管部材２
とは、その上面同志が向き合うように重ね合わさ
れビス止めされる。前記フイルタは、導波管の側
壁を貫通し、また、平面回路３は、導波管内に突
出することになる。なお、９，１０は半田付け領
域、１１は誘電体板を示す。
平面回路は、たとえば第１図に示すように構成さ
れ、断面凹状の第１導波管部材１とともに導波管
を形成する断面凹状の第２導波管部材２は、その
一方および他方の突堤２′，２″上に、両突堤
２′，２″をまたぐに足る幅と約0.3mmの厚さを有
する銅板等からなる平面回路３を付設し、一方の
突堤２′上には、ポリエチレン等からなる誘電体
板４を付設している。誘電体板４は、その上面に
付された銅等からなるＦ字形金属薄層５とで中間
周波信号をとり出し用のフイルタを形成してお
り、平面回路３および金属薄層５には、第２図に
示すようにパツケージ型ミキサダイオード６のリ
ード線７，８が、半田付けにより接続されてい
る。なお、第１導波管部材１と第２導波管部材２
とは、その上面同志が向き合うように重ね合わさ
れビス止めされる。前記フイルタは、導波管の側
壁を貫通し、また、平面回路３は、導波管内に突
出することになる。なお、９，１０は半田付け領
域、１１は誘電体板を示す。
ところで、このように構成された従来の立体平
面回路では、ミキサダイオード６にパツケージ型
のものを用いたから、機械的強度が高い反面、非
常に高価となり、しかも、同ダイオードを半田付
けにより架設マウントするのに、高度の技術を必
要とする。その上、ミキサダイオードのパツケー
ジの静電容量およびボンデイングワイヤによるイ
ンダクタンスが、マイクロ波特性に悪影響を与え
るという欠点がある。
面回路では、ミキサダイオード６にパツケージ型
のものを用いたから、機械的強度が高い反面、非
常に高価となり、しかも、同ダイオードを半田付
けにより架設マウントするのに、高度の技術を必
要とする。その上、ミキサダイオードのパツケー
ジの静電容量およびボンデイングワイヤによるイ
ンダクタンスが、マイクロ波特性に悪影響を与え
るという欠点がある。
この発明は、前述のような従来の欠点を除去す
るためになされたものであり、つぎに、この発明
の立体平面回路をその１実施例を示した図面とと
もに説明する。
るためになされたものであり、つぎに、この発明
の立体平面回路をその１実施例を示した図面とと
もに説明する。
第３図において、断面凹状の第２導波管部材２
の一方の突堤２′上に付設されたポリエチレンま
たはテフロン（登録商標）ガラス等からなるフイ
ルタ用誘電体板１２は、他方の突堤２″側へ突出
した延長部１３を有し、誘電体板１２上に付され
たＦ字型金属薄層１４は延長部１３上に延長した
端部１５を有し、この端部１５上にビームリード
型ミキサダイオード１６の一方の端子が熱圧着さ
れている。そして、ミキサダイオード１６の他方
の端子は、第４図に示すように誘電体板１２の延
長部１３上に設けられたいま一つの導電層１７に
熱圧着されており、導電層１７は平面回路３に重
合して接続されている。
の一方の突堤２′上に付設されたポリエチレンま
たはテフロン（登録商標）ガラス等からなるフイ
ルタ用誘電体板１２は、他方の突堤２″側へ突出
した延長部１３を有し、誘電体板１２上に付され
たＦ字型金属薄層１４は延長部１３上に延長した
端部１５を有し、この端部１５上にビームリード
型ミキサダイオード１６の一方の端子が熱圧着さ
れている。そして、ミキサダイオード１６の他方
の端子は、第４図に示すように誘電体板１２の延
長部１３上に設けられたいま一つの導電層１７に
熱圧着されており、導電層１７は平面回路３に重
合して接続されている。
ダイオード１６は、機械的衝撃にて容易に離脱
する可能性があるので、それを防止するために枠
状の絶縁性ケース１８によつて囲繞する。従つて
絶縁性ケース１８は延長部１３に設けられること
になる。テフロン等からなる絶縁性ケース１８
は、ミキサダイオード１６の高さ以上の高さを有
しているが、これに蓋を設けたり、あるいは第５
図に示すように円環状に形成されていてもよい。
また、第５図に示すように、ミキサダイオード１
６にチツプ状のもの（ダイオードチツプ）を用い
てもよく、この場合、絶縁性ケース１８内に低誘
電率・低損失のマイクロ波用モールド樹脂、たと
えば、米国エマーソンアンドキユーミング社
（EMERSON＆CUMING Inc.）製の「スタイキ
ヤスト36DT」を充填することができる。
する可能性があるので、それを防止するために枠
状の絶縁性ケース１８によつて囲繞する。従つて
絶縁性ケース１８は延長部１３に設けられること
になる。テフロン等からなる絶縁性ケース１８
は、ミキサダイオード１６の高さ以上の高さを有
しているが、これに蓋を設けたり、あるいは第５
図に示すように円環状に形成されていてもよい。
また、第５図に示すように、ミキサダイオード１
６にチツプ状のもの（ダイオードチツプ）を用い
てもよく、この場合、絶縁性ケース１８内に低誘
電率・低損失のマイクロ波用モールド樹脂、たと
えば、米国エマーソンアンドキユーミング社
（EMERSON＆CUMING Inc.）製の「スタイキ
ヤスト36DT」を充填することができる。
Ｆ字型金属薄層１４および導電層１７は、フオ
トエツチング技術によつて形成することができ
る。この場合、誘電体板１２の一方の面上に予め
一様に形成された金属薄層の不要部分をエツチン
グにより溶解除去するのであり、パターン寸法は
第６図を参照して、金属薄層１４の端部１５と導
電層１７の各幅Ｗを約５mmに、相互間隔Ｇを約
0.1mm〜0.5mmに、そして、延長領域Ｌを約1.5mm〜
３mmにそれぞれ設定できる。またエツチング処理
後の延長部１３に接着によりとりつけられる絶縁
性ケース１８の内寸は、0.7mm×1.0mmの角形また
は１mmφの円形とすることができる（板厚は約
0.5mm）。
トエツチング技術によつて形成することができ
る。この場合、誘電体板１２の一方の面上に予め
一様に形成された金属薄層の不要部分をエツチン
グにより溶解除去するのであり、パターン寸法は
第６図を参照して、金属薄層１４の端部１５と導
電層１７の各幅Ｗを約５mmに、相互間隔Ｇを約
0.1mm〜0.5mmに、そして、延長領域Ｌを約1.5mm〜
３mmにそれぞれ設定できる。またエツチング処理
後の延長部１３に接着によりとりつけられる絶縁
性ケース１８の内寸は、0.7mm×1.0mmの角形また
は１mmφの円形とすることができる（板厚は約
0.5mm）。
誘電体板１２の不要部分は、第６図に示す破線
に沿つた切断で除去される。また、絶縁性ケース
１８内に、ビームリード型ミキサダイオード１６
が熱圧着によつて、あるいはチツプ状ミキサダイ
オード１６がダイボンドおよびワイヤボンドによ
つてとりつけられ、その後、必要に応じてケース
１８に蓋がとりつけられ、あるいはケース１８内
にモールド用樹脂が充填される。そして、導電層
１７と平面回路３とが、その重合部１９で相互に
半田付けされる。
に沿つた切断で除去される。また、絶縁性ケース
１８内に、ビームリード型ミキサダイオード１６
が熱圧着によつて、あるいはチツプ状ミキサダイ
オード１６がダイボンドおよびワイヤボンドによ
つてとりつけられ、その後、必要に応じてケース
１８に蓋がとりつけられ、あるいはケース１８内
にモールド用樹脂が充填される。そして、導電層
１７と平面回路３とが、その重合部１９で相互に
半田付けされる。
このように構成されたこの発明実施の立体平面
回路では誘電体板１２に、平面回路３に達する長
さの延長部１３を形成するとともに、この延長部
１３上の金属薄層端部１５に、ビームリード型ま
たはチツプ状のミキサダイオード１６をとりつ
け、かつ、このミキサダイオード１６を囲繞する
絶縁性ケース１８を延長部１３上に設けることに
より、高価なパツケージ型ミキサダイオードを用
いる必要はなくなる。ケース１８としては簡素な
枠状のもので十分となり、とくにこれをテフロン
（登録商標）で形成する場合は、パツケージ価格
を従来の約10分の１以下に抑えることができる。
また、パツケージによる寄生容量やボンデイング
ワイヤによるインダクタンスの成分を極小にする
とができる。さらにダイオード１６のとりつけ位
置が一定化するため回路特性が安定となるほか、
十分な機械的強度も得られ、しかもダイオード６
をＦ字型フイルタおよび平面回路に直接的に半田
付けでき、半田付け時の位置決めも容易となる。
回路では誘電体板１２に、平面回路３に達する長
さの延長部１３を形成するとともに、この延長部
１３上の金属薄層端部１５に、ビームリード型ま
たはチツプ状のミキサダイオード１６をとりつ
け、かつ、このミキサダイオード１６を囲繞する
絶縁性ケース１８を延長部１３上に設けることに
より、高価なパツケージ型ミキサダイオードを用
いる必要はなくなる。ケース１８としては簡素な
枠状のもので十分となり、とくにこれをテフロン
（登録商標）で形成する場合は、パツケージ価格
を従来の約10分の１以下に抑えることができる。
また、パツケージによる寄生容量やボンデイング
ワイヤによるインダクタンスの成分を極小にする
とができる。さらにダイオード１６のとりつけ位
置が一定化するため回路特性が安定となるほか、
十分な機械的強度も得られ、しかもダイオード６
をＦ字型フイルタおよび平面回路に直接的に半田
付けでき、半田付け時の位置決めも容易となる。
なお、ダイオード１６をケース１８と蓋により
完全に覆つた場合のマイクロ波特性の低下は、
12GHzの動作において雑音指数の値で約0.2dB以
下にすることができ、回路全体の雑音指数は従来
回路に比して約0.5dB以上良好となることが判明
した。
完全に覆つた場合のマイクロ波特性の低下は、
12GHzの動作において雑音指数の値で約0.2dB以
下にすることができ、回路全体の雑音指数は従来
回路に比して約0.5dB以上良好となることが判明
した。
第１図は従来の立体平面回路の分解斜視図、第
２図は同立体平面回路のミキサダイオードのとり
つけ部を拡大した切断側面図、第３図はこの発明
の立体平面回路の１実施例の要部の平面図、第４
図は同立体平面回路のミキサダイオードのとりつ
け部を拡大した斜視図、第５図はこの発明の他の
実施例のミキサダイオードのとりつけ部を拡大し
た斜視図、第６図はこの発明の立体平面回路のＦ
型フイルタのパターン形成を説明するための平面
図である。 １，２……導波管部材、３……平面回路、１２
……誘電体板、１３……誘電体板の延長部、１４
……金属薄層、１５……金属薄層の端部、１６…
…ミキサダイオード、１７……導電層、１８……
絶縁性ケース。
２図は同立体平面回路のミキサダイオードのとり
つけ部を拡大した切断側面図、第３図はこの発明
の立体平面回路の１実施例の要部の平面図、第４
図は同立体平面回路のミキサダイオードのとりつ
け部を拡大した斜視図、第５図はこの発明の他の
実施例のミキサダイオードのとりつけ部を拡大し
た斜視図、第６図はこの発明の立体平面回路のＦ
型フイルタのパターン形成を説明するための平面
図である。 １，２……導波管部材、３……平面回路、１２
……誘電体板、１３……誘電体板の延長部、１４
……金属薄層、１５……金属薄層の端部、１６…
…ミキサダイオード、１７……導電層、１８……
絶縁性ケース。
Claims (1)
- １ 導波管の側壁を貫通した誘電体板上の金属薄
層と前記導波管内に突出した平面回路との間にミ
キサダイオードを接続してなる立体平面回路にお
いて、前記誘電体板に連接され前記平面回路に達
する延長部と、該延長部上に設けられた前記金属
薄層の端部と、前記延長部上に設けられ前記平面
回路に接続された導電層とを備え、ビームリード
型またはチツプ状のミキサダイオードの一端を前
記端部に接続固定し他端を前記導電層に接続固定
し、かつ前記ミキサダイオードを囲繞する枠状絶
縁性ケースを前記延長部上に設けたことを特徴と
する立体平面回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP518180A JPS56102102A (en) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | Stereo-plane circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP518180A JPS56102102A (en) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | Stereo-plane circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56102102A JPS56102102A (en) | 1981-08-15 |
| JPS6239563B2 true JPS6239563B2 (ja) | 1987-08-24 |
Family
ID=11604055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP518180A Granted JPS56102102A (en) | 1980-01-18 | 1980-01-18 | Stereo-plane circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56102102A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03105368U (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-31 | ||
| US11414440B2 (en) * | 2016-11-21 | 2022-08-16 | Lg Chem, Ltd. | Modifier, method of preparing the same, and modified conjugated diene-based polymer including the same |
-
1980
- 1980-01-18 JP JP518180A patent/JPS56102102A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03105368U (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-31 | ||
| US11414440B2 (en) * | 2016-11-21 | 2022-08-16 | Lg Chem, Ltd. | Modifier, method of preparing the same, and modified conjugated diene-based polymer including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56102102A (en) | 1981-08-15 |
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