JPS6239838B2 - - Google Patents

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JPS6239838B2
JPS6239838B2 JP55162474A JP16247480A JPS6239838B2 JP S6239838 B2 JPS6239838 B2 JP S6239838B2 JP 55162474 A JP55162474 A JP 55162474A JP 16247480 A JP16247480 A JP 16247480A JP S6239838 B2 JPS6239838 B2 JP S6239838B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
optical fiber
light
quarter
plate
Prior art date
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Expired
Application number
JP55162474A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5785279A (en
Inventor
Teruhito Matsui
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP55162474A priority Critical patent/JPS5785279A/ja
Publication of JPS5785279A publication Critical patent/JPS5785279A/ja
Publication of JPS6239838B2 publication Critical patent/JPS6239838B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/11Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on acousto-optical elements, e.g. using variable diffraction by sound or like mechanical waves

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は光フアイバ通信における半導体レー
ザと光フアイバの結合装置に関するものである。
半導体レーザは小型で、低電圧発振が可能であ
り、しかも、直接変調ができることなどから、光
通信用の光源として、発光ダイオードとともに重
要な素子である。しかしながら、外部の反射体に
よつて戻つて来た半導体レーザの出力光を活性層
に再結合させると自己結合現象と呼ばれる変化が
生じる。これは、戻り光によつて電流―光出力特
性の直接の劣化や、光出力の増加、さらには半導
体レーザの発振スペクトルの変化をもたらし、
S/N比の劣化の原因となり、光通信において
は、はなはだ不都合な現象である。
ところで、光フアイバはコアと呼ばれる屈折率
の高い部分と、クラツドとばれる屈折率の低い部
分か構成されたガラス繊維からなり、コア層とク
ラツド層の境界で光を全反射させながら伝搬させ
る光の伝送路として用いられるものである。
全反射のくり返しにより導波される光はモード
と呼ばれるのに倣つて、コアとクラツドの境界で
異る角度で反射され多数のモードが伝搬される光
フアイバを、マルチモード光フアイバと呼んでい
る。光通信の場合に、たとえば、半導体レーザの
ようなレーザ光源からのコヒーレントな光をマル
チモード光フアイバを使つて伝送させると、モー
ド間で位相速度が異るため、光フアイバの種々の
伝搬モード間の干渉が起こり、光フアイバからの
出射光を観察するとスペツクルと呼ばれる斑点模
様が現われる。これによつて生じる雑音をスペツ
クル強度雑音と呼んでいる。
このスペツクリング現象は光フアイバの振動
や、光源の波長のゆらぎ、たとえば半導体レーザ
がシングルモード発振でも電流、温度によつて波
長が変化することなどによつて空間的、時間的に
変化する。このため、とくに光フアイバに接続箇
所、たとえばコネクタ接続やスプライシングがあ
ると、その接続点でスペツクルの欠落が生じ、そ
れが時間的に変動するため、アナログ信号を伝送
した場合に大幅にS/N比の劣化をもたらす。マ
ルチモード光フアイバをコヒーレントな光が伝搬
すると、上記スペツクリング現象は避けられない
ので、光フアイバ通信に半導体レーザを使用する
場合には、上記スペツクルを低減させる対策を講
じる必要がある。
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、光フアイバ通信において、半導体レーザを光
源とした場合に生じる反射による戻り光の影響お
よびスペツクルによるノイズを、比較的簡単な構
成により低減させることができる半導体レーザと
光フアイバの結合装置を提供することを目的とし
ている。
以下、この発明の一実施例を図面について説明
する。第1図において、1は半導体レーザ、2は
半導体レーザ1と後述する光フアイバ5との間に
設置された結合用レンズ、3は偏光板であり、こ
の偏光板3は上記半導体レーザ1の接合面と平行
な電界成分の光を通すように配置されている。4
は4分の1波長板であり、水晶のような透明圧電
性結晶からなり、上記半導体レーザ1の接合面に
対して光軸が45度の角度をなすように配置されて
いる。この4分の1波長板4の前後いずれの面に
は、交差指形電極4aが設けられている。5は光
フアイバ、6は上記4分の1波長に弾性表面波が
生じるように上記交差指形電極4aに電流を印加
する高周波発振回路である。
つぎに上記構成の動作について説明する。
光学的異方性を持つ結晶、たとえば、一軸結晶
の屈折率楕円体は X+Y/n +Z/n =1 ……(1) np=nx=ny……常光線 ne=nz……異常光線 で表わされる。
屈折率楕円体の主軸をX、Y、Z、この結晶の
Y軸方向の厚さをDとする。X軸方向に振動して
いる電界成分の光に対する屈折率はnx、したが
つて厚さDの結晶板を通過するのに要する時間t
xはtx=D/(c/nx)である。cは真空中の
光速である。同様にZ軸方向に振動している光の
通過時間tzはtz=D/(c/nz)となる。よ
つて、光の角周波数をωとすると位相差ΔはΔ=
ω(tx−tz)となる。ここでω=2πc/λo
であるから、位相差Δは次のように与えられる。
Δ=2π/λo(nx−nz)D ……(2) 入射直線偏光の振動面が結晶板のX軸およびZ
軸となす角がθ=45度の場合、位相差Δがπ/2
となるような厚さDを持つとすると(4分の1波
長板と呼ばれる)円偏光が得られる。そこで、第
2図のように4分の1波長板4の光源側と反対側
に鏡7を置くと、反射して戻つてきた光は入射光
の直線偏光の振動面と垂直になる。これは往復で
位相差Δがπ、すなわち2分の1波長板を通つた
ことと等価である。
半導体レーザ1から出た光は、接合面と平行な
電界成分を通す偏光板3によつて半導体レーザの
結合面と平行な電界成分を持つ光(TEモード
光)だけが透過され、垂直な電界成分を持つ光
(TMモード光)は阻止される。このため、半導
体レーザ1からの出射光は結合用レンズ2、偏光
板3、4分の1波長板4を通つて光フアイバ5の
結合され、一部端面で反射された光は再び4分の
1波長板4を通り、入射時と垂直な電界成分をも
つ偏光に変換され、偏光板3を通過することがで
きない。
半導体レーザの発振光の偏光は一般にTEモー
ドであることが知られており、実際に通常TEモ
ードで発振しているレーザ光の偏光比TE/TM
=Ey /Ex は10ないし数十で偏つていること
がわかる。したがつて偏光板3による透過損失は
少なく、反射による戻り光を阻止するアイソレー
タとしての機能を果すことができる。
さらに、4分の1波長板4を水晶のような圧電
性単結晶で構成してあるから、その表面に交差指
形電極4aを形成し、この4分の1波長板4上で
の波長とこの電極4aのピツチとが一致するよう
な周波数の電気信号を双方の電極間に加えると、
その周波数の弾性表面波が交差指形電極4aと直
角方向に、電極の交差幅で双方向に発生する。こ
のため、半導体レーザ1の光を、4分の1波長板
4のこの弾性表面波の伝搬している部分を透過さ
せると光フアイバ1の入射面での位相等入射条件
を周期的に変えれることになり、光フアイバ5内
での干渉条件が変わり、スペツクルの位置および
形状が変わることになる。したがつて、信号の変
調周波数よりも高い周波数を持つ高周波発振回路
6を付加することにより、光フアイバ5内のスペ
ツクルが平滑化され、スペツクル雑音を低減化す
ることができる。そして受信機において、ローパ
スフイルタを通すことにより、弾性表面波の周波
数成分を除去すればよい。
ところで、4分の1波長板4としては(2m+
1)λ/4に相当する厚さ(m=0、1、2……、λ は波長)でもよく、またガラス基板等4分の1波
長板を貼り付けてもよい。
さらに、偏光板3は通常の偏光板でも、グラ
ン・トムソン・プリズムやローシヨン・プリズム
といつた偏光プリズムでもよく、また結合用レン
ズ2は通常の光学レンズでも、屈折率が半径の2
乗に反比例して減少する屈折率分布形レンズでも
よい。
さらにまた、4分の1波長板として利用できる
透明圧電性結晶としては、水晶の他、LiNbo3
LiTaO3、Bi12SiO20等がある。
以上のように、この発明によれば、圧電性結晶
からなる4分の1波長板上に弾性表面波を伝搬さ
せるように構成したので戻り光に対するアイソレ
ータとしての機能と、スペツクルを平滑化する機
能を併せもつた半導体レーザと光フアイバの結合
装置が容易に実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図この発明の一実施例による半導体レーザ
と光フアイバの結合装置の一例を示す斜視図、第
2図はこの発明の原理の一部を説明するための斜
視図である。 1……半導体レーザ、2……結合用レンズ、3
……偏光板、4……透明圧電性結晶からなる4分
の1波長板、4a……交差指形電極、5は光フア
イバ、6……高周波発振回路。なお、図中、同一
符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 半導体レーザと光フアイバとの間に設けられ
    た結合用レンズと、該半導体レーザの接合面と平
    行な電界成分の光を通すように配置された偏光板
    と、前後いずれかの面に交差指形電極を有し、か
    つ該接合面に対して光軸が45度の角度をなすよう
    に配置された透明圧電性結晶からなる4分の1波
    長板と、上記4分の1波長板に弾性表面波が生起
    されるように上記電極に電流を印加する高周波発
    振回路とを具備した半導体レーザと光フアイバの
    結合装置。 2 上記高周波発振回路からの電流印加によつて
    上記4分1波長板に発生する弾性表面波の周波数
    を、上記半導体レーザに印加する信号電流の周波
    数帯域よりも高く設定してなる特許請求の範囲第
    1項記載の半導体レーザと光フアイバの結合装
    置。
JP55162474A 1980-11-17 1980-11-17 Coupler for semiconductor laser and optical fiber Granted JPS5785279A (en)

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JP55162474A JPS5785279A (en) 1980-11-17 1980-11-17 Coupler for semiconductor laser and optical fiber

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JP55162474A JPS5785279A (en) 1980-11-17 1980-11-17 Coupler for semiconductor laser and optical fiber

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Publication Number Publication Date
JPS5785279A JPS5785279A (en) 1982-05-27
JPS6239838B2 true JPS6239838B2 (ja) 1987-08-25

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ID=15755305

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JP55162474A Granted JPS5785279A (en) 1980-11-17 1980-11-17 Coupler for semiconductor laser and optical fiber

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GB8410973D0 (en) * 1984-04-30 1984-06-06 Crosfield Electronics Ltd Modifying coherent radiation

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JPS5785279A (en) 1982-05-27

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