JPS623984B2 - - Google Patents

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JPS623984B2
JPS623984B2 JP56087572A JP8757281A JPS623984B2 JP S623984 B2 JPS623984 B2 JP S623984B2 JP 56087572 A JP56087572 A JP 56087572A JP 8757281 A JP8757281 A JP 8757281A JP S623984 B2 JPS623984 B2 JP S623984B2
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JP
Japan
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base
thin plate
plate body
hole
circuit
Prior art date
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Expired
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JP56087572A
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Japanese (ja)
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JPS57202763A (en
Inventor
Masao Sonoda
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS57202763A publication Critical patent/JPS57202763A/en
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Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/20845Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for automotive electronic casings
    • H05K7/20854Heat transfer by conduction from internal heat source to heat radiating structure
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874On different surfaces
    • H10W72/884Die-attach connectors and bond wires

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、放熱用フインを有する基台上に薄板
体を密着させて設け、該薄板体に搭載される回路
を包覆して為る電子装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention provides a thin plate body that is closely attached to a base having heat dissipation fins, and a circuit mounted on the thin plate body is covered. Related to electronic devices.

現今、自動車等に搭載される電子装置または屋
外用機器のための電子装置に対して、極めて高度
で複雑な機能が要求されるようになつてきてい
る。このような民生用電子機器においては、設置
される環境条件、例えば振動、温度変化、湿気等
による厳しい条件が課せられている。前記の条件
下において、電子装置を小型化・高密化し、耐候
性を向上させるためには、放熱性および気密性を
改善することが必要である。
BACKGROUND ART Nowadays, extremely sophisticated and complex functions are being required of electronic devices mounted on automobiles and the like or electronic devices for outdoor equipment. Such consumer electronic devices are subject to severe environmental conditions such as vibration, temperature changes, humidity, etc. in which they are installed. Under the above conditions, in order to downsize and increase the density of electronic devices and improve weather resistance, it is necessary to improve heat dissipation and airtightness.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、前記のような苛酷な条件下で作用される
電子装置として、例えば第1図に示されるような
装置がパワートランジスタ用に用いられている。
第1図において、パワートランジスタ用装置1
は、コバール等から作られた基台11、シリコン
回路チツプ12、コバールから成るキヤツプ体1
3、コネクタ14から構成されている。回路チツ
プ12は、基台11上に17に示されるようにダ
イボンデイング(Au−Suロウ付け)されてお
り、キヤツプ体13は18に示されるように基台
に溶接されている。コネクタ14は、基台11に
設けられた孔部にハーメチツクシール(ガラス封
止)されている。シリコン回路チツプ12は、コ
ネクタ14と接続導体16により接続されてい
る。
BACKGROUND ART Conventionally, as an electronic device that operates under the above-mentioned severe conditions, a device as shown in FIG. 1, for example, has been used for power transistors.
In FIG. 1, a power transistor device 1
1 includes a base 11 made of Kovar or the like, a silicon circuit chip 12, and a cap body 1 made of Kovar.
3. It is composed of a connector 14. The circuit chip 12 is die-bonded (Au-Su brazing) as shown at 17 on the base 11, and the cap body 13 is welded to the base as shown at 18. The connector 14 is hermetically sealed (glass sealed) in a hole provided in the base 11. The silicon circuit chip 12 is connected to a connector 14 by a connecting conductor 16.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかし、上述した従来技術では、装置の高密度
化という現今の要求には十分応えることができな
い。即ち、従来技術においては、回路チツプ12
がコバール製の基台11にロウ付けされている
が、高密度化すればより多くの部品が基台11上
に搭載される可能がある。ところが搭載部品が多
くなればなるほど該部品からの発熱量も多くな
り、装置自体の温度が上昇する。
However, the above-mentioned conventional techniques cannot sufficiently meet the current demand for higher density devices. That is, in the prior art, the circuit chip 12
are brazed to the base 11 made of Kovar, but if the density is increased, more parts may be mounted on the base 11. However, as the number of components mounted increases, the amount of heat generated from the components also increases, and the temperature of the device itself increases.

従つて、従来のように基台11とチツプ12間
を接合する手段としてロウ付けを使用していたの
では放熱効果が少ないので、発熱のため搭載部品
の電気的及び機械的特性が劣下する。
Therefore, if brazing is used as a means of joining the base 11 and the chip 12 as in the past, the heat dissipation effect is small, and the electrical and mechanical properties of the mounted components deteriorate due to heat generation. .

また、基台11の裏面が全体として平坦状であ
るため、放熱のために有効な面積が確保されてい
ないことも、高密度化した場合に装置の温度上昇
を阻止できずに上述と同様特性が劣下する原因と
なつている。
In addition, since the back surface of the base 11 is flat as a whole, an effective area for heat dissipation is not secured, and when the density is increased, the temperature rise of the device cannot be prevented, resulting in the same characteristics as described above. is the cause of the decline.

次に、気密性の観点からは、高密度化した場合
に、第1図に示す従来の接合手段たるロウ付け1
7や溶接18ではその融点が低いために発熱によ
り溶け出すおそれがあり、外部の温度、湿度など
の影響を受け易くなる。
Next, from the viewpoint of airtightness, when increasing the density, brazing, which is a conventional joining method shown in Fig.
7 and welding 18 have low melting points, so there is a risk that they will melt due to heat generation, making them susceptible to external temperature, humidity, etc.

更に、従来は、キヤツプ体13が基台11の表
面に溶接18により接合されていたため、キヤツ
プ体13を取りはずしてチツプ12やコネクタ1
4を点検し又は取替えようとしても上記溶接18
の部分を溶かすので時間がかかつた。高密度化す
れば、それに比例して電子装置の保守交換の機会
は多くなるが、従来技術では保守交換が容易では
ない。
Furthermore, conventionally, the cap body 13 was joined to the surface of the base 11 by welding 18, so the cap body 13 was removed and the chip 12 and connector 1
Even if you try to inspect or replace 4, the above welding 18
It took some time to melt the parts. As the density increases, the opportunities for maintenance and replacement of electronic devices increase proportionally, but maintenance and replacement is not easy with conventional technology.

上記のとおり、従来技術では、高密度化した場
合に放熱性、気密性が低下すると共に保守交換が
容易でないという問題点がある。
As described above, the conventional technology has problems in that heat dissipation and airtightness deteriorate when the density is increased, and maintenance and replacement are not easy.

〔問題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明は上記問題点を解決し高密度化した電子
装置の放熱性、気密性及び保守交換性のいずれを
も向上させようとするものであり、その手段は基
台の裏面には放熱用フインが形成されていると共
に上記基台の表面には回路部品を搭載した薄板体
がヒートシンクコンパウンド結合され、かつ該表
面の上記薄板体近傍に外部引出しコネクタを挿入
するための貫通孔が形成されて該貫通孔内壁には
上記回路部品と電気的に接続された上記コネクタ
が密閉封止結合され、更に上記基台表面には上記
薄板体と貫通孔を包覆する包覆キヤツプ体が密封
部材を介して螺着されていることを特徴とする電
子装置。
The present invention aims to solve the above-mentioned problems and improve all of the heat dissipation, airtightness, and maintenance/replacement of high-density electronic devices. A thin plate body carrying circuit components is bonded to the surface of the base with a heat sink compound, and a through hole for inserting an external drawer connector is formed near the thin plate body on the surface of the base. The connector electrically connected to the circuit component is hermetically sealed on the inner wall of the through-hole, and a cover cap body that covers the thin plate body and the through-hole is attached to the surface of the base via a sealing member. An electronic device characterized in that it is screwed.

〔作 用〕[Effect]

本発明装置は、基台裏面に放熱用フインを植設
すると共にその裏面には回路部品をヒートシンク
コンパウンド接合した薄板体を介在されて搭載し
更に貫通孔を形成してその内壁に外部引出しコネ
クタを密閉封止結合せしめたので、放熱性と気密
性が共に向上し、かつ上記薄板体及び貫通孔を包
覆するキヤツプ体を基板表面にねじ止めしたの
で、保守交換性も向上する。
The device of the present invention has heat dissipation fins planted on the back surface of the base, and a thin plate body with circuit components bonded to the heat sink compound is mounted on the back surface of the base, and a through hole is formed and an external drawer connector is installed on the inner wall of the device. The hermetically sealed connection improves both heat dissipation and airtightness, and since the thin plate and the cap covering the through hole are screwed to the substrate surface, ease of maintenance and replacement is improved.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明を実施例により添付図面を参照
し、説明する。
Hereinafter, the present invention will be explained by way of examples with reference to the accompanying drawings.

第2図は、本発明装置の長手方向断面図であ
る。第2図の装置は、モリブデンまたはコバール
などセラミツクスと熱膨張係数が等しい材料で作
られた基台21、ガラス系セラミツクス等の絶縁
層および回路パターン導電層から構成された薄板
体22、基台21上に取付けられたキヤツプ体2
3を有し、上記基台21にはその裏面に放熱用フ
イン211がまた薄板体22の近傍に外部引出し
コネクタ用貫通孔212(第4図)が、それぞれ
設けられている。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the device of the invention. The device shown in FIG. 2 consists of a base 21 made of a material such as molybdenum or Kovar having the same coefficient of thermal expansion as ceramics, a thin plate body 22 made of an insulating layer such as glass ceramics, and a circuit pattern conductive layer, and a base 21. Cap body 2 installed on top
3, and the base 21 is provided with heat dissipation fins 211 on its back surface and a through hole 212 (FIG. 4) for an external drawer connector near the thin plate body 22.

上記基台21と薄板体22とキヤツプ体23は
ほぼ熱膨張係数が等しい材料により形成され、外
部又は内部から生じる熱の変動のためにこれらが
熱破壊を受ける危険性が回避されている。基台2
1の裏面には、放熱薄フイン211が複数個下方
に向かつて突起状に形成され、後述するように放
熱効果が高められている。
The base 21, the thin plate body 22, and the cap body 23 are formed of materials having substantially the same coefficient of thermal expansion, thereby avoiding the risk that they will be thermally destroyed due to fluctuations in heat generated from the outside or inside. Base 2
1, a plurality of thin heat dissipating fins 211 are formed in a downwardly protruding shape to enhance the heat dissipating effect as described later.

一方、基台21の表面には、回路部品26を搭
載した薄板体22が、後述するようにヒートシン
クコンパウンド222により(第3図)接着され
ている。尚、上記薄板体22に搭載される回路部
品26は、所望の電子回路を構成する部品であ
り、例えばトランジスタ、サイリスタ、LSIなど
がある。
On the other hand, a thin plate body 22 on which a circuit component 26 is mounted is adhered to the surface of the base 21 with a heat sink compound 222 (FIG. 3), as will be described later. The circuit components 26 mounted on the thin plate body 22 are components constituting a desired electronic circuit, such as transistors, thyristors, and LSIs.

上記薄板体22を基台上に接着するヒートシン
クコンパウンド222は、第3図に示すように、
該薄板体22の側面と底面を包囲すると共に薄板
体22の底面全体とそれより広い領域に亘る基台
21の表面との間に介在している。
As shown in FIG. 3, the heat sink compound 222 for bonding the thin plate body 22 onto the base is
It surrounds the side and bottom surfaces of the thin plate body 22 and is interposed between the entire bottom surface of the thin plate body 22 and the surface of the base 21 over a wider area.

このように基台上にヒートシンクコンパウンド
結合された薄板体22の上面にはその中央に回路
部品を装着するための凹所223が形成され、そ
の両側には回路構成層221が形成されている。
A recess 223 for mounting a circuit component is formed in the center of the upper surface of the thin plate body 22 bonded to the base with the heat sink compound, and circuit structure layers 221 are formed on both sides of the recess 223.

上記凹所223内には回路部品26が接着剤2
24により固着されている。回路部品26には、
薄板体22に接着される面の反対側の面に接続導
体261,262が設けられ、この接続導体26
1,262が回路構成層221に接続されてい
る。従つて、回路部品26において発生した熱
は、矢印に示されるように接着剤224と薄板体
22とヒートシンクコンパウンド222と基台2
1と放熱用フイン211とを通して外部に放散さ
れる。
The circuit component 26 is placed in the recess 223 using the adhesive 2.
24. The circuit component 26 includes
Connection conductors 261 and 262 are provided on the surface opposite to the surface to be bonded to the thin plate body 22, and the connection conductors 26
1,262 are connected to the circuit configuration layer 221. Therefore, the heat generated in the circuit component 26 is transferred to the adhesive 224, the thin plate body 22, the heat sink compound 222, and the base 2 as shown by the arrow.
1 and the heat radiation fins 211 to the outside.

これにより、該装置2の高密度化にも拘らず、
従来より一層の放熱効果が高められる。
As a result, despite the high density of the device 2,
The heat dissipation effect is further enhanced than before.

外部引出しコネクタ用貫通孔212は、第4図
に示すように、その内壁が階段状に形成され内壁
に対応する形状のコネクタ25が着座している。
コネクタ25は、セラミツクスまたはプラスチツ
ク製の絶縁部材251と引出し導体525から成
り、ガラス等で絶縁された上基台21に設けられ
た上記貫通孔212の階段状部分にハーメチツク
シールされている。コネクタ25を形成する絶縁
部材251を貫通した引出し導体252は、相手
側コネクタに嵌合され得るように装置外部に向か
つて下方に突出していると共に装置内部に向かつ
て延びハンダ225で接合された接続導体28を
介して薄板体22の表面パターン226に接続さ
れる。
As shown in FIG. 4, the external drawer connector through-hole 212 has an inner wall formed in a stepped shape, and a connector 25 having a shape corresponding to the inner wall is seated.
The connector 25 is composed of an insulating member 251 made of ceramic or plastic and a lead-out conductor 525, and is hermetically sealed to the stepped portion of the through hole 212 provided in the upper base 21 insulated with glass or the like. A lead-out conductor 252 that passes through an insulating member 251 forming the connector 25 projects downward toward the outside of the device so that it can be fitted into a mating connector, and also extends toward the inside of the device and connects it with solder 225. It is connected to the surface pattern 226 of the thin plate body 22 via the conductor 28.

更に、上記基台21の表面には、包覆キヤツプ
体23が上記コネクタと回路部品26を全体から
覆うようにねじ27によりOリング24を介して
密着固定されている(第2図)。
Further, an enveloping cap body 23 is closely fixed to the surface of the base 21 with screws 27 via an O-ring 24 so as to completely cover the connector and circuit components 26 (FIG. 2).

Oリング24は基台24の表面に形成された角
形溝241内に挿入され、包覆キヤツプ体23と
基台21間の密封効果を高めることにより装置の
外部からほこり等が入り込まれないようになつて
いる(第2図)。
The O-ring 24 is inserted into a rectangular groove 241 formed on the surface of the base 24, and enhances the sealing effect between the enveloping cap 23 and the base 21 to prevent dust from entering from outside the device. (Figure 2).

また、キヤツプ体23は、ねじ27により基台
21に取付けられているので、回路部品26の保
守点検時には従来の溶接18(第1図)と比べて
取りはずすことが容易であり、故障した回路部品
26を交換することが一層容易でしかも迅速に行
える。
In addition, since the cap body 23 is attached to the base 21 with screws 27, it is easier to remove the circuit component 26 during maintenance and inspection compared to the conventional welding 18 (FIG. 1), and it is possible to remove the malfunctioning circuit component 26. 26 is easier and faster to replace.

上記構成を有する第2図の電子装置は、次の方
法で製造される。この製造方法においては、ま
ず、放熱用フインを設けた基台21をコバール等
の材基台21の平面に仕上げられた面上に、ガラ
ス系セラミツクス等の誘導体ペーストをスクリー
ン印刷法により印刷して絶縁層を形成する。次い
で、この絶縁層上に導体ペーストを印刷して回路
パターン導電層を形成する。回路パターンがクロ
スする場合には、前記の絶縁層および導体層の印
刷を繰返して多層の回路構成層を形成することも
可能である。このようにして基台21上に形成さ
れた絶縁層および導体層から成る薄板体22は、
印刷後に乾燥された後に焼成されて完成された後
に焼成されて完成される。
The electronic device shown in FIG. 2 having the above configuration is manufactured by the following method. In this manufacturing method, first, a dielectric paste such as glass-based ceramics is printed on the flat surface of the base 21 provided with heat dissipation fins using a screen printing method. Form an insulating layer. Next, a conductive paste is printed on this insulating layer to form a circuit pattern conductive layer. When the circuit patterns cross, it is also possible to form a multilayer circuit structure layer by repeating the printing of the insulating layer and conductive layer. The thin plate body 22 made of an insulating layer and a conductive layer formed on the base 21 in this way is
After printing, it is dried and then fired and completed.

次に、予め作成されたコネクタ25が基台21
に設けられた孔部に挿入され、ガラス系セラミツ
クス等によりハーメチツクシールされる。次に、
回路部品26を薄板体22上に取付けてハンダ付
けすることにより基台上の回路ユニツトを完成さ
せる。最後に、Oリングを用いてキヤツプ体23
が気密的に基台21上に取付けられる。
Next, the connector 25 created in advance is attached to the base 21.
It is inserted into a hole provided in the hole and hermetically sealed with glass-based ceramics or the like. next,
The circuit component 26 is mounted on the thin plate body 22 and soldered to complete the circuit unit on the base. Finally, use the O-ring to close the cap body 23.
is airtightly mounted on the base 21.

前記のように印刷により薄板体を形成した場
合、基台と薄板体が一体物として構成されるため
放熱効果が向上する。
When the thin plate body is formed by printing as described above, the base and the thin plate body are constructed as an integrated body, so that the heat dissipation effect is improved.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、苛酷な条件下で用いられる電
子装置における、放熱性、気密性および保守性を
向上させることができ、それにより、電子装置の
小型化、高密度化を実現することができる。
According to the present invention, it is possible to improve the heat dissipation, airtightness, and maintainability of electronic devices used under harsh conditions, thereby realizing miniaturization and higher density of electronic devices. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、従来の電子装置の構成図、第2図
は、本発明の一実施例としての電子装置の構成を
示す断面図、第3図、第4図は、第2図の装置の
部分的な詳細図である。 2……電子装置、21……基台、211……放
熱用フイン、212……外部引出コネクタ用貫通
孔、22……薄板体、221……回路構成層、2
22……ヒートシンクコンパウンド、23……包
覆キヤツプ体、24……Oリング、25……外部
引出しコネクタ、251……絶縁部材、252…
…引出し導体、26……回路部品、27……ネ
ジ、28……接続導体。
FIG. 1 is a configuration diagram of a conventional electronic device, FIG. 2 is a sectional view showing the configuration of an electronic device as an embodiment of the present invention, and FIGS. It is a partial detailed view. 2... Electronic device, 21... Base, 211... Heat dissipation fin, 212... Through hole for external drawer connector, 22... Thin plate body, 221... Circuit configuration layer, 2
22...Heat sink compound, 23...Enveloping cap body, 24...O ring, 25...External drawer connector, 251...Insulating member, 252...
...Output conductor, 26...Circuit component, 27...Screw, 28...Connection conductor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 基台の裏面には放熱用フインが形成されてい
ると共に上記基台の表面には回路部品を搭載した
薄板体がヒートシンクコンパウンド結合され、か
つ該表面の上記薄板体近傍に外部引出しコネクタ
を挿入するための貫通孔が形成されて該貫通孔内
壁には上記回路部品と電気的に接続された上記コ
ネクタが密閉封止結合され、更に上記基台表面に
は上記薄板体と貫通孔を包覆する包覆キヤツプ体
が密封部材を介して螺着されていることを特徴と
する電子装置。
1 A heat dissipation fin is formed on the back surface of the base, and a thin plate body carrying circuit components is bonded to the surface of the base with a heat sink compound, and an external drawer connector is inserted on the surface near the thin plate body. A through hole is formed in the inner wall of the through hole to seal and seal the connector electrically connected to the circuit component, and the base surface further covers the thin plate body and the through hole. An electronic device characterized in that a covering cap body is screwed through a sealing member.
JP56087572A 1981-06-09 1981-06-09 Electronic device Granted JPS57202763A (en)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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