JPS6240645A - 光ピツクアツプの半導体レ−ザ - Google Patents
光ピツクアツプの半導体レ−ザInfo
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- JPS6240645A JPS6240645A JP60180696A JP18069685A JPS6240645A JP S6240645 A JPS6240645 A JP S6240645A JP 60180696 A JP60180696 A JP 60180696A JP 18069685 A JP18069685 A JP 18069685A JP S6240645 A JPS6240645 A JP S6240645A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【産業上の利用分野1
本発明は光学的情報記録再生装置における光ピックアッ
プの半導体レーザに関する。 【従来の技術】 光学的情報記録再生装置において、特に記録データーを
読み取りつつ複数の記録媒体に対して同時に記録するこ
とのできる光学的情報記録再生装置として第6図の装置
が開発されている。 かかる装置は、半導体レーザlと、この半導体レーザ1
からのレーザビームを一方の記録用対物レンズ2と、他
方の記録用対物レンズ3に透過ならびに反射せしめる半
透鏡4とこの半透鏡4の反射ビームを他方の記録用対物
レンズ3に反射せしめるとともに読み取り用対物レンズ
5に透過する半透鏡6と、さらに前記半透鏡4.6間に
介装した外部変調器7.8と全反射鏡9.10により構
成される2つの記録用ピックアップ11.12と、これ
に加えて、前記半導体レーザ1並びに半透鏡4,6を読
み取り用対物レンズ5間に介装した全反射鏡13,14
.フィルター15とから成る読み取り用ピックアップ1
6との組み合せから成るものである。 また、前記構成中には、記録用発光パワーを設定するた
めの記録基準電圧、出力光をモニターする光検出器17
、記録基準電圧18と光検出器の出力を比較する比較器
19並びに半導体レーザ1の駆動回路20が設けられて
いる。 さらに、読み取り用ピックアップ16のディスク21は
1枚の記録データあるいはサーボトラックでもよく、記
録用ピックアップ11.12にはそれぞれのディスク2
2.23を設けである。 また、前記記録用ピックアップ11.12と読み取り用
ピックアップ16に使用する半導体レーザ2としては、
特開昭55−120189号に開示されている技術が用
いられる。 そして、この半導体レーザ装置は、第7図に示す如く、
2層30と1層31とで、P −n接合面を作り、電極
33.34から接合面に垂直に電流を流し1面35.3
6間を共振器として発振する。 レーザ発振した光は、面35.36に垂直に出射される
。 このレーザ装置37の使用において、これに流す?l!
流と、光出力の関係を示すのが第8図a。 b、cである。 すなわち、電流値がrthに達するまでは光出力はゆる
やかに増加し、さらに電流を流すと急に光出力が増加す
る。 このような直接変調するには、第8図すのようにIth
より少し高い電流値IBにバイアスしておき、これにパ
ルス電流Isを重ねる。 これにより、光出力の時間(1)変化は第8図Cのよう
になるが、バイアスしているため信号パルス電流Isが
オフ時でも光が出射される(PB)。 [発明が解決しようとする問題点1 前述してきた光学的記録再生装置によれば記録せんとす
るデータを読み取りつつ複数の記録媒体に対して同時に
記録を遂行し得る利点、そして特にブリチェック方式に
よる欠陥検出に有効である等の利点を有するが、その構
成上以下の欠点を有するものである。 (1) 複数個の記録用ピックアップの構成に当り、
個別的に外部変調器を装入する必要上高価で、大型化す
る。 (2) −光源を使用して半透鏡を装入しつつ構成す
るために出射効率(レーザ発光量/対物レンズ出射量)
が低下する。 因って、本発明は前記装置における欠点に鑑みてなされ
たもので、個別的な外部変調器や半透鏡を要求されるこ
となく、この種装置を構成することのできる光ピックア
ップの半導体レーザの提供を目的とするものである。 r問題点を解決する手段1 本発明の半導体レーザは、前後方向から光ビームを出射
される半導体レーザにおいて、前記半導体レーザを2分
割し、その分割間隙間に光検出器を配設したものである
。 [作 用] 本発明の半導体レーザは、半導体レーザの分割間隙間に
配設した光検出器により、2方向に出射される光ビーム
の光出力の相方または一方をモニターし、A20回路に
よって前記半導体レーザの出力をコントロールできるも
のである。
プの半導体レーザに関する。 【従来の技術】 光学的情報記録再生装置において、特に記録データーを
読み取りつつ複数の記録媒体に対して同時に記録するこ
とのできる光学的情報記録再生装置として第6図の装置
が開発されている。 かかる装置は、半導体レーザlと、この半導体レーザ1
からのレーザビームを一方の記録用対物レンズ2と、他
方の記録用対物レンズ3に透過ならびに反射せしめる半
透鏡4とこの半透鏡4の反射ビームを他方の記録用対物
レンズ3に反射せしめるとともに読み取り用対物レンズ
5に透過する半透鏡6と、さらに前記半透鏡4.6間に
介装した外部変調器7.8と全反射鏡9.10により構
成される2つの記録用ピックアップ11.12と、これ
に加えて、前記半導体レーザ1並びに半透鏡4,6を読
み取り用対物レンズ5間に介装した全反射鏡13,14
.フィルター15とから成る読み取り用ピックアップ1
6との組み合せから成るものである。 また、前記構成中には、記録用発光パワーを設定するた
めの記録基準電圧、出力光をモニターする光検出器17
、記録基準電圧18と光検出器の出力を比較する比較器
19並びに半導体レーザ1の駆動回路20が設けられて
いる。 さらに、読み取り用ピックアップ16のディスク21は
1枚の記録データあるいはサーボトラックでもよく、記
録用ピックアップ11.12にはそれぞれのディスク2
2.23を設けである。 また、前記記録用ピックアップ11.12と読み取り用
ピックアップ16に使用する半導体レーザ2としては、
特開昭55−120189号に開示されている技術が用
いられる。 そして、この半導体レーザ装置は、第7図に示す如く、
2層30と1層31とで、P −n接合面を作り、電極
33.34から接合面に垂直に電流を流し1面35.3
6間を共振器として発振する。 レーザ発振した光は、面35.36に垂直に出射される
。 このレーザ装置37の使用において、これに流す?l!
流と、光出力の関係を示すのが第8図a。 b、cである。 すなわち、電流値がrthに達するまでは光出力はゆる
やかに増加し、さらに電流を流すと急に光出力が増加す
る。 このような直接変調するには、第8図すのようにIth
より少し高い電流値IBにバイアスしておき、これにパ
ルス電流Isを重ねる。 これにより、光出力の時間(1)変化は第8図Cのよう
になるが、バイアスしているため信号パルス電流Isが
オフ時でも光が出射される(PB)。 [発明が解決しようとする問題点1 前述してきた光学的記録再生装置によれば記録せんとす
るデータを読み取りつつ複数の記録媒体に対して同時に
記録を遂行し得る利点、そして特にブリチェック方式に
よる欠陥検出に有効である等の利点を有するが、その構
成上以下の欠点を有するものである。 (1) 複数個の記録用ピックアップの構成に当り、
個別的に外部変調器を装入する必要上高価で、大型化す
る。 (2) −光源を使用して半透鏡を装入しつつ構成す
るために出射効率(レーザ発光量/対物レンズ出射量)
が低下する。 因って、本発明は前記装置における欠点に鑑みてなされ
たもので、個別的な外部変調器や半透鏡を要求されるこ
となく、この種装置を構成することのできる光ピックア
ップの半導体レーザの提供を目的とするものである。 r問題点を解決する手段1 本発明の半導体レーザは、前後方向から光ビームを出射
される半導体レーザにおいて、前記半導体レーザを2分
割し、その分割間隙間に光検出器を配設したものである
。 [作 用] 本発明の半導体レーザは、半導体レーザの分割間隙間に
配設した光検出器により、2方向に出射される光ビーム
の光出力の相方または一方をモニターし、A20回路に
よって前記半導体レーザの出力をコントロールできるも
のである。
(第一実施例)
第1図a、bは第1実施例を示す。
半導体レーザーAは2層とN層とでP−N接合面を作り
、電極33.34から接合面に垂直に電流を流し、面3
5.36間を共振器として発振させる。 さらに半導体レーザAを2層30を共通にし光軸方向に
二分割して溝40を設はレーザ部AH。 A2を形成する。このレーザ部A、、A2の間に光検出
器41.42を設け、レーザ部A、の後方ビームを光検
出器で、レーザ部A2の後方ビームを41で各々検出出
来るように配設したものである。 従ってレーザ部A、、A2の電極33 、33’にバイ
アスを加えたり、パルス電流を加えることにより、2枚
の光デイスク媒体に記録したり、読出しをしたりするこ
とが出来る。 なお、光検出器41.42はレーザ部A、、Aよ相互の
発光出力により影響(光検出器の反射によるモードずれ
)されないように光軸に対し傾斜させるように配するこ
とが望ましい。 (第二実施例) 第2図は第二実施例を示し、この第二実施例のものは、
前記第1の実施例の2枚の光検出器41.42の一方の
光検出器42を配した点において第一実施例のものと異
なり、例えばリード・ライト用の一方のレーザ部A2の
出力をAPC回路を通じて他方のリード用し−ザ部A、
側にフィードバックするように構成したものである。 (第三実施例) 第3図の第三実施例のものは第1実施例の各レーf 部
A + 、A 2の外部にコリメータレンズ44.4
4’を配し、枠体43でパッケージしたものでレーザ発
光点のずれである非点格差を除去、或は出射する光を平
行にするようにしたものである。 このコリメータレンズ44 、44 ’は非球面レンズ
を用いると尚一層の前記効果を期待できる。 (使用例) 第4図は、半導体レーザAの一使用例を示し、この使用
例は、集合型光デイスク装置に用いる複数台のライドリ
ード機能を持つピックアップに係り、特にシーク系を速
くするため光ピックアップの分離型の使用例を示してい
る。 45は光学的再生装置で、装R45の光学系は次のよう
な構造になっている。スピンドルモータ(図示せず)に
よって、回転駆動させる2枚の円盤状の光学的記録媒体
(ディスク)46のディスク面に対向して光学式の分離
型ピー、クアップ(光学ヘッド)45の可動部材48が
ボイスコイルモータによって、ディスク46の半径方向
に移動自在に設けである。 上記可動部材48は、キャリッジ50に取付けられ、こ
のキャリッジ50がボイスコイルモータ(VCM)によ
って図示しないガイド棒に沿ってディスク46の半径方
向に移動されるようにしである。この2個の可動部材4
8の移動方向に対向して、光学式の分離型ピックアップ
45の固定部材49が介装部材51を用いる等して装置
52に固定されている・ 全反射ミラー54で反射された光は、1/4波長板を通
過することによって、常光線と異常光線との間で174
波長の位相差が生じ、直線偏光は円偏光となりレンズア
クチュエータ内の対物レンズ61を通って集光されてデ
ィスク46面にスポット状に照射される。 上記ディスク46面で反射された円偏光の光は、再び対
物レンズ61を通り、さらに174波長板を通ることに
よって、偏光面が90度変化したものにされ、上記固定
部材49のハウジング内に入射される。上記固定部材4
9のハウジング内には、記録又は、再生用の光源として
半導体レーザダイオードAが取付けてあり、このダイオ
ードAによって発光された例えばP偏光(紙面内で上下
方向に振動)の光は1体型(パッケージ内にある)コリ
メータレンズ44によって平行光束にされる。この平行
光束は整形され、偏光、半透鏡を備えた1体プリズム5
2に入射され、楕円光束の短軸と長袖とを合わせること
により日光束に整形され、2個の直角プリズムの接合斜
面部分が多層の誘電体膜を蒸着したものを介装して形成
した偏光プリズム部53でP偏光のみが透過し、S偏光
成分は反射される。 上記透過したP偏光の平行光束は、固定部材49のハウ
ジングと離間して可動できる可動部材48内の可動部材
48と固定部材49との間の光路を通り、固定部材49
内の偏プリズム部53で反射し、半透鏡部55で、分岐
され透過した光は集光レンズ56を経て光検出器59に
入射され、アンプを通して情報信号を得ることができる
ようにしである。一方、上記半透鏡部55で反射された
光は、l/2波長板(省略)を通過し再びP偏光にされ
た後、臨界角プリズム部57で反射し、集光レンズ58
を経て4分割光検出器60に入射される。尚、上記集光
レンズ58は、フォーカスエラー信号内の偽合焦及び合
焦点を切り離すために介装しである。上記光学系は半導
体レーザAの2つの出射孔側に各々設けられている。 尚、固定部材49例の偏光プリズム部53はディスク面
からの反射光が半導体レーザA側に戻らないように、例
えば往路ではP偏光として通し、復路ではS偏光が入射
されるように設定しであるが、ディスク46での複屈折
により数%通過してしまう、この場合1/4波長板を回
転しレーザノイズが低減される位置に固定しても良い。 なお、第5図で示すものは、半導体レーザAをヒートシ
ンク65に設け、光検出器感度が周囲温度によって変化
する場合や、温度変化によって光出力が変化する場合等
に用いると良く、ヒートシンク65は熱冷却素子(放熱
板)66によって一定の温度が保たれるようになってい
る。 [発明の効果] 本発明の半導体レーザの前方光束、及び後方光束を情報
記録媒体に照射して簡単に情報の記録・再生・消去中ダ
ビング又は欠陥検出のいずれか又はそれ等の組合せを同
時に行うことが出来るとともに、本発明の半導体レーザ
を光学的情報記録再生装置に利用すると記録、再生の為
の2枚のディスクに向かう光路中に各々外部変調器を挿
入する必要がなく装置の大型化を防ぐという効果を奏す
るものである。
、電極33.34から接合面に垂直に電流を流し、面3
5.36間を共振器として発振させる。 さらに半導体レーザAを2層30を共通にし光軸方向に
二分割して溝40を設はレーザ部AH。 A2を形成する。このレーザ部A、、A2の間に光検出
器41.42を設け、レーザ部A、の後方ビームを光検
出器で、レーザ部A2の後方ビームを41で各々検出出
来るように配設したものである。 従ってレーザ部A、、A2の電極33 、33’にバイ
アスを加えたり、パルス電流を加えることにより、2枚
の光デイスク媒体に記録したり、読出しをしたりするこ
とが出来る。 なお、光検出器41.42はレーザ部A、、Aよ相互の
発光出力により影響(光検出器の反射によるモードずれ
)されないように光軸に対し傾斜させるように配するこ
とが望ましい。 (第二実施例) 第2図は第二実施例を示し、この第二実施例のものは、
前記第1の実施例の2枚の光検出器41.42の一方の
光検出器42を配した点において第一実施例のものと異
なり、例えばリード・ライト用の一方のレーザ部A2の
出力をAPC回路を通じて他方のリード用し−ザ部A、
側にフィードバックするように構成したものである。 (第三実施例) 第3図の第三実施例のものは第1実施例の各レーf 部
A + 、A 2の外部にコリメータレンズ44.4
4’を配し、枠体43でパッケージしたものでレーザ発
光点のずれである非点格差を除去、或は出射する光を平
行にするようにしたものである。 このコリメータレンズ44 、44 ’は非球面レンズ
を用いると尚一層の前記効果を期待できる。 (使用例) 第4図は、半導体レーザAの一使用例を示し、この使用
例は、集合型光デイスク装置に用いる複数台のライドリ
ード機能を持つピックアップに係り、特にシーク系を速
くするため光ピックアップの分離型の使用例を示してい
る。 45は光学的再生装置で、装R45の光学系は次のよう
な構造になっている。スピンドルモータ(図示せず)に
よって、回転駆動させる2枚の円盤状の光学的記録媒体
(ディスク)46のディスク面に対向して光学式の分離
型ピー、クアップ(光学ヘッド)45の可動部材48が
ボイスコイルモータによって、ディスク46の半径方向
に移動自在に設けである。 上記可動部材48は、キャリッジ50に取付けられ、こ
のキャリッジ50がボイスコイルモータ(VCM)によ
って図示しないガイド棒に沿ってディスク46の半径方
向に移動されるようにしである。この2個の可動部材4
8の移動方向に対向して、光学式の分離型ピックアップ
45の固定部材49が介装部材51を用いる等して装置
52に固定されている・ 全反射ミラー54で反射された光は、1/4波長板を通
過することによって、常光線と異常光線との間で174
波長の位相差が生じ、直線偏光は円偏光となりレンズア
クチュエータ内の対物レンズ61を通って集光されてデ
ィスク46面にスポット状に照射される。 上記ディスク46面で反射された円偏光の光は、再び対
物レンズ61を通り、さらに174波長板を通ることに
よって、偏光面が90度変化したものにされ、上記固定
部材49のハウジング内に入射される。上記固定部材4
9のハウジング内には、記録又は、再生用の光源として
半導体レーザダイオードAが取付けてあり、このダイオ
ードAによって発光された例えばP偏光(紙面内で上下
方向に振動)の光は1体型(パッケージ内にある)コリ
メータレンズ44によって平行光束にされる。この平行
光束は整形され、偏光、半透鏡を備えた1体プリズム5
2に入射され、楕円光束の短軸と長袖とを合わせること
により日光束に整形され、2個の直角プリズムの接合斜
面部分が多層の誘電体膜を蒸着したものを介装して形成
した偏光プリズム部53でP偏光のみが透過し、S偏光
成分は反射される。 上記透過したP偏光の平行光束は、固定部材49のハウ
ジングと離間して可動できる可動部材48内の可動部材
48と固定部材49との間の光路を通り、固定部材49
内の偏プリズム部53で反射し、半透鏡部55で、分岐
され透過した光は集光レンズ56を経て光検出器59に
入射され、アンプを通して情報信号を得ることができる
ようにしである。一方、上記半透鏡部55で反射された
光は、l/2波長板(省略)を通過し再びP偏光にされ
た後、臨界角プリズム部57で反射し、集光レンズ58
を経て4分割光検出器60に入射される。尚、上記集光
レンズ58は、フォーカスエラー信号内の偽合焦及び合
焦点を切り離すために介装しである。上記光学系は半導
体レーザAの2つの出射孔側に各々設けられている。 尚、固定部材49例の偏光プリズム部53はディスク面
からの反射光が半導体レーザA側に戻らないように、例
えば往路ではP偏光として通し、復路ではS偏光が入射
されるように設定しであるが、ディスク46での複屈折
により数%通過してしまう、この場合1/4波長板を回
転しレーザノイズが低減される位置に固定しても良い。 なお、第5図で示すものは、半導体レーザAをヒートシ
ンク65に設け、光検出器感度が周囲温度によって変化
する場合や、温度変化によって光出力が変化する場合等
に用いると良く、ヒートシンク65は熱冷却素子(放熱
板)66によって一定の温度が保たれるようになってい
る。 [発明の効果] 本発明の半導体レーザの前方光束、及び後方光束を情報
記録媒体に照射して簡単に情報の記録・再生・消去中ダ
ビング又は欠陥検出のいずれか又はそれ等の組合せを同
時に行うことが出来るとともに、本発明の半導体レーザ
を光学的情報記録再生装置に利用すると記録、再生の為
の2枚のディスクに向かう光路中に各々外部変調器を挿
入する必要がなく装置の大型化を防ぐという効果を奏す
るものである。
第1図a、bは本発明半導体レーザの第1実施例を示す
平面図、斜視図、第2図a、bは第2実施例を示す平面
図、斜視図、第3図a、bは第3実施例を示す平面図、
斜視図、第4図は本発明の半導体レーザの使用例を示す
概略的な側面図、第6図は従来の光学的記録再生装置の
構成図、第7図は従来の半導体レーザの斜視図、第8図
a。 b、cは第7図示の半導体レーザにおける電流と出力光
の関係を示す線図である。 1・・・半導体レーザ 2.3・・・記録用対物レンズ 4.6・・・半透鏡 5・・・レンズ 7.8・・・外部変調器 9.10,13.14・・・全反射鏡 11.12.16・・・ピックアップ 15・・・フィルター 17.41.42・・・光検出器 18・・・記録基準電圧 19・・・比較器 20・・・駆動回路 21.22.23・・・ディスク 30・・・P層 31・・・n層 33.34・・・電極 35.36・・・而 37・・・レーザ装置 44.44’・・・コリメータレンズ 45・・・光学的再生装置 46・・・ディスク 48・・・可動部材 49・・・固定部材 50・・・キャリッジ 51・・・介装部材 52・・・プリズム 53・・・偏光プリズム 54・・・全反射ミラー 56.58・・・集光レンズ 57・・・臨界角プリズム 65…ヒートシンク 66・・・熱冷却素子 A、、A2・・・レーザ部 シ 区 第3図 (a) (b) 第6図 フ1 第7図 手続補正書(方式) 昭和60年11月29日 1、事件の表示 昭和60年特許願第180696吟 2、発明の名称 光ピックアップの半導体レーザ 3、補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 大 佐 所 東京都渋谷区幡ケ谷2丁目43番2号4、代
理 人 昭和60年11月26日 6、補正の対象 明細書の「図面の簡単な説明」の欄 ?、補正の内容 jl) 明細書第12頁第10行目と11行目の間に
下記の記載を挿入する。 「5図は半導体レーザに放熱板を有するヒートシンクを
装備して構成した構成例を示す断面図、第」。
平面図、斜視図、第2図a、bは第2実施例を示す平面
図、斜視図、第3図a、bは第3実施例を示す平面図、
斜視図、第4図は本発明の半導体レーザの使用例を示す
概略的な側面図、第6図は従来の光学的記録再生装置の
構成図、第7図は従来の半導体レーザの斜視図、第8図
a。 b、cは第7図示の半導体レーザにおける電流と出力光
の関係を示す線図である。 1・・・半導体レーザ 2.3・・・記録用対物レンズ 4.6・・・半透鏡 5・・・レンズ 7.8・・・外部変調器 9.10,13.14・・・全反射鏡 11.12.16・・・ピックアップ 15・・・フィルター 17.41.42・・・光検出器 18・・・記録基準電圧 19・・・比較器 20・・・駆動回路 21.22.23・・・ディスク 30・・・P層 31・・・n層 33.34・・・電極 35.36・・・而 37・・・レーザ装置 44.44’・・・コリメータレンズ 45・・・光学的再生装置 46・・・ディスク 48・・・可動部材 49・・・固定部材 50・・・キャリッジ 51・・・介装部材 52・・・プリズム 53・・・偏光プリズム 54・・・全反射ミラー 56.58・・・集光レンズ 57・・・臨界角プリズム 65…ヒートシンク 66・・・熱冷却素子 A、、A2・・・レーザ部 シ 区 第3図 (a) (b) 第6図 フ1 第7図 手続補正書(方式) 昭和60年11月29日 1、事件の表示 昭和60年特許願第180696吟 2、発明の名称 光ピックアップの半導体レーザ 3、補正をする者 事件との関係 特 許 出 願 大 佐 所 東京都渋谷区幡ケ谷2丁目43番2号4、代
理 人 昭和60年11月26日 6、補正の対象 明細書の「図面の簡単な説明」の欄 ?、補正の内容 jl) 明細書第12頁第10行目と11行目の間に
下記の記載を挿入する。 「5図は半導体レーザに放熱板を有するヒートシンクを
装備して構成した構成例を示す断面図、第」。
Claims (3)
- (1)前後方向から光ビームを出射する半導体レーザに
おいて、前記半導体レーザの共振器を2分割し、その分
割間隙間に光検出器を配設して構成したことを特徴とす
る光ピックアップの半導体レーザ。 - (2)前記半導体レーザはコリメータレンズを一体的に
パッケージ構成していることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記録の光ピック アップの半導体レーザ。 - (3)前記半導体レーザを含む光学部材からなる固定部
材は、温度制御されるように構成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の光ピックアップの半
導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60180696A JPS6240645A (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | 光ピツクアツプの半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60180696A JPS6240645A (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | 光ピツクアツプの半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6240645A true JPS6240645A (ja) | 1987-02-21 |
Family
ID=16087705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60180696A Pending JPS6240645A (ja) | 1985-08-16 | 1985-08-16 | 光ピツクアツプの半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6240645A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05174420A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Sharp Corp | マルチヘッドピックアップ装置 |
-
1985
- 1985-08-16 JP JP60180696A patent/JPS6240645A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05174420A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Sharp Corp | マルチヘッドピックアップ装置 |
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