JPS6240845B2 - - Google Patents
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- JPS6240845B2 JPS6240845B2 JP1168378A JP1168378A JPS6240845B2 JP S6240845 B2 JPS6240845 B2 JP S6240845B2 JP 1168378 A JP1168378 A JP 1168378A JP 1168378 A JP1168378 A JP 1168378A JP S6240845 B2 JPS6240845 B2 JP S6240845B2
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- vacuum
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Description
本発明は真空中での薄膜成長に関し、主として
−族化合物の分子線エピキタシ（以下MBE
と言う）において、結晶成長中の雰囲気真空の圧
力を制御し、又真空系の汚染を防止する事によつ
て、良質の結晶を制御性よく作製する方法並びに
その装置を提供するものである。 MBEに於ては、線源と基板とは、熱的にも幾
何学的にも相互に分離独立しており、又線源の
数、種類も任意で、それぞれの温度も独立に制御
できる。又結晶成長するべき物質は、線源から超
高真空中を直進する分子として、基板上に一方向
的に輸送される。従つて、基板及び、複数の線源
の温度を、それぞれ独立に時系列に制御する事に
より、基板上に飛来する各材料分子の強度に応じ
た任意の組成を有する結晶を、制御性よく作製す
る事ができる。 一方、最近、1.0〜1.3μ領域での光フアイバの
低損失化が進み、この領域で発振する半導体レー
ザや発光ダイオードを実現する為の材料として、
InP基板と格子整合できるInGaAsPが有望視され
ている。この様に限定された種類の基板結晶に対
し、格子整合させながら且つ任意の禁制帯幅を有
する様な多元混晶のエピタキシヤル成長を必要と
する場合には、上記MBEの特徴は原理的に極め
て有利な条件を与える。 しかしながら、MBEにおいて、基板上の結晶
成長面は、常に真空中に曝されているため、成長
した結晶中には、成長時の真空雰囲気中の汚染性
ガス分子（CO、CO2、H2O、O2、炭化水素等）
が汚染性不純物として混入し易く、結晶の特性
は、成長時の雰囲気真空の清浄度に大きく依存す
る。従つてMBEにおいては、この様な汚洗性残
留ガスのできるだけ少ない質のよい真空を、常に
再現性よくしかも短時間で実現する事が極めて重
要である。 さて−族化合物半導体をMBE法によつて
成長させる場合、族原子の基板への付着係数は
１である。しかしながら族分子は、基板上に遊
離の族原子が存在する時はその族原子と結合
して結晶に組込まれるが、遊離の族原子が存在
しない時には、族分子単独では基板に付着せず
過剰の族分子は真空中に再放出する。従つて、
−族結晶を成長させる場合には、族分子よ
りも充分過剰の族分子（族分子に対し通常５
倍程度以上）を基板上に供給する必要がある。通
常、結晶成長時の雰囲気真空の内圧（約１×
10-6Torr）は殆んどＶ族分子の蒸気によつて占
められる。 この事は次の２点において、MBE法の大きな
欠点の原因となつている。即ち、 (i) 前記した様に、MBE法では、各線源温度を
制御するだけで、それぞれの線源温度によつて
決まる強度の材料元素の分子量を基板上に供給
し、任意の混晶組成を正確に実現し得る事が特
徴であるにも拘らず、２種以上のＶ族元素を含
む混晶を成長させる場合には、線源から直線基
板上に到達する分子数に対し、雰囲気真空中か
ら二次的に基板上に到達する分子数が無視でき
ない程度になり、線源温度を制御するだけで
は、各Ｖ族分子の基板上への到達率を充分に制
御できず、混晶組成を正確に実現する上での障
害となつている。又 (ii) 結晶成長終了後においても成長中に放出され
た大量の過剰族分子は、蒸気圧が高い上に、
イオンポンプやチタンゲツタポンプによつても
有効に排気されない為、長時間真空中に残留し
後述の様に真空装置の汚染の原因となつてい
た。 この理由を説明し、以下に述べる本発明の原理
並びに効果を明確にするため、まず族元素
（Ｐ、As、Sb）の種類と性質を次表に示す。
−族化合物の分子線エピキタシ（以下MBE
と言う）において、結晶成長中の雰囲気真空の圧
力を制御し、又真空系の汚染を防止する事によつ
て、良質の結晶を制御性よく作製する方法並びに
その装置を提供するものである。 MBEに於ては、線源と基板とは、熱的にも幾
何学的にも相互に分離独立しており、又線源の
数、種類も任意で、それぞれの温度も独立に制御
できる。又結晶成長するべき物質は、線源から超
高真空中を直進する分子として、基板上に一方向
的に輸送される。従つて、基板及び、複数の線源
の温度を、それぞれ独立に時系列に制御する事に
より、基板上に飛来する各材料分子の強度に応じ
た任意の組成を有する結晶を、制御性よく作製す
る事ができる。 一方、最近、1.0〜1.3μ領域での光フアイバの
低損失化が進み、この領域で発振する半導体レー
ザや発光ダイオードを実現する為の材料として、
InP基板と格子整合できるInGaAsPが有望視され
ている。この様に限定された種類の基板結晶に対
し、格子整合させながら且つ任意の禁制帯幅を有
する様な多元混晶のエピタキシヤル成長を必要と
する場合には、上記MBEの特徴は原理的に極め
て有利な条件を与える。 しかしながら、MBEにおいて、基板上の結晶
成長面は、常に真空中に曝されているため、成長
した結晶中には、成長時の真空雰囲気中の汚染性
ガス分子（CO、CO2、H2O、O2、炭化水素等）
が汚染性不純物として混入し易く、結晶の特性
は、成長時の雰囲気真空の清浄度に大きく依存す
る。従つてMBEにおいては、この様な汚洗性残
留ガスのできるだけ少ない質のよい真空を、常に
再現性よくしかも短時間で実現する事が極めて重
要である。 さて−族化合物半導体をMBE法によつて
成長させる場合、族原子の基板への付着係数は
１である。しかしながら族分子は、基板上に遊
離の族原子が存在する時はその族原子と結合
して結晶に組込まれるが、遊離の族原子が存在
しない時には、族分子単独では基板に付着せず
過剰の族分子は真空中に再放出する。従つて、
−族結晶を成長させる場合には、族分子よ
りも充分過剰の族分子（族分子に対し通常５
倍程度以上）を基板上に供給する必要がある。通
常、結晶成長時の雰囲気真空の内圧（約１×
10-6Torr）は殆んどＶ族分子の蒸気によつて占
められる。 この事は次の２点において、MBE法の大きな
欠点の原因となつている。即ち、 (i) 前記した様に、MBE法では、各線源温度を
制御するだけで、それぞれの線源温度によつて
決まる強度の材料元素の分子量を基板上に供給
し、任意の混晶組成を正確に実現し得る事が特
徴であるにも拘らず、２種以上のＶ族元素を含
む混晶を成長させる場合には、線源から直線基
板上に到達する分子数に対し、雰囲気真空中か
ら二次的に基板上に到達する分子数が無視でき
ない程度になり、線源温度を制御するだけで
は、各Ｖ族分子の基板上への到達率を充分に制
御できず、混晶組成を正確に実現する上での障
害となつている。又 (ii) 結晶成長終了後においても成長中に放出され
た大量の過剰族分子は、蒸気圧が高い上に、
イオンポンプやチタンゲツタポンプによつても
有効に排気されない為、長時間真空中に残留し
後述の様に真空装置の汚染の原因となつてい
た。 この理由を説明し、以下に述べる本発明の原理
並びに効果を明確にするため、まず族元素
（Ｐ、As、Sb）の種類と性質を次表に示す。
【表】
これら３つのＶ族元素の単体には、いずれも常
温安定型及び準安定型（常温不安定型、もしくは
分子状同素体）の２種の同素体が存在する。真空
中で、これら常温安定型の物質を加熱蒸発させる
と、準安定型の分子となつて放出される。準安定
型同素体は常温安定型の物質が同温度で示すより
も、遥かに高い蒸気圧を示し、化学的にも活性で
毒性も強い。 第１図に常温安定型物質である赤燐、砒素（金
属砒素）、アンチモン及び準安定型物質である黄
燐の蒸気圧を示す。第１図から明らかな様に、黄
燐の蒸気圧は、赤燐に比べ極めて高い。 なお、準安定型の物質は、常温で徐々に常温安
定型の物質に変化して行くが、その変化速度が遅
い為、真空中で常温安定型のＶ族元素を加熱蒸発
させると、長時間分子状の準安定型の物質のまま
残留し、真空室の圧力が蒸発停止後も容易に下が
らない原因となつている。又Ｖ族分子を−族
化合物から蒸発させた場合にも、準安定型の物質
として残留する。 以上述べた様にMBE法を用いて−族化合
物結晶を成長させる場合には、成長終了後も真空
室中に蒸気圧の高く活性な準安定型Ｖ族分子が充
満する。これらは一度真空室を大気に曝した時に
は、空気中の汚染性物質（H2O、CO、CO2等）
と容易に化合し、大量の汚染性物質を、液体や固
体の様ないわゆる凝縮された状態で真空室内壁に
導入する結果となり、MBE法となつて決定的な
欠陥をもたらす。そればかりか、化合物として真
空室内壁に付着した大量の汚染性物質を除去する
為には、極めて長時間のベーキングとポンピング
を必要とし、結晶成長を行なう上での時間的無駄
が大きく、且つ排気ポンプの寿命を著るしく短か
くしていた。 本発明はこのような問題に鑑みてなされたもの
で、汚染性物質を有効に除去することを可能とす
るものである。 ところで準安定型族元素が常温安定型に変化
する速度は、光や紫外線を照射する事によつて加
速する事が可能であり、特に砒素やアンチモンに
おいては容易に常温安定型に変化する。本発明は
この性質を用いて、薄膜成長中の雰囲気真空の圧
力を制御し、又真空系の汚染を防止する事によつ
て良質の薄膜を成長させる方法及び装置を提供す
るものである。 実施例 １ 第２図に本発明に用いるMBE装置の基本構成
を示す。１１は５×10-10Torr以下に排気可能な
結晶成長室で、液体窒素冷却のシユラウド１２、
Ga線源１３、As4線源１４、基板１９及び紫外線
ランプ２０が設置されており、線源１３，１４を
所定の温度に加熱した後、シヤツタ１７，１８の
操作によつて、開口１５，１６を通して、基板１
９上に分子線を供給して結晶成長を行なわせるも
のである。シユラウド１２には不安なGa、As4を
付着させるためのものである。紫外線ランプを点
灯する事により、結晶成長中のAs4の背圧は、紫
外線非照射時に比べ低く保つ事ができ、結晶成長
終了後も速かに背圧を減少させる事ができた。又
紫外線ランプの表面は、温度上昇の為、常温安定
型の砒素で覆われる事もなく、紫外線の照射効率
の低下もなかつた。 実施例 ２ 第３図の装置は、ゲートバルブ３０によつて結
晶成長室２１と気密的に分離可能な補助真空室３
１を取付け、紫外線ランプ３２を設置する。さら
に結晶成長室２１の内壁に沿つて、As4を付着さ
せる液体窒素冷却シユラウド３３を設けた。他は
第２図の装置と同様である。準安定型のAs4分子
は、液体窒素冷却壁面３３には付着係数が１に近
いので大部分付着され、結晶成長中は紫外線を照
射する事なく、系内の圧力を十分低く保つ事がで
きる。結晶成長終了後ゲートバルブ３０を開き紫
外線ランプ３２を点灯し、冷却面３３の温度上昇
によつて壁面から離脱してくるAs4分子を速かに
常温安定型に変え補助真空室３１の内壁面に付着
させた。 常温安定型のＶ族元素は、準安定型に比べれば
蒸気圧も、はるかに低く、活性も弱いが、それで
も真空室壁面を構成するステンレスに比べればは
るかに活性で、系を大気に曝した時には比較的容
易に大気中の汚染性不純物と化合して系内に汚染
物質を導入する原因となる。本実施例では、実施
例１の様に結晶成長室の内壁で常温安定型に変え
るのでなく、結晶成長室と分離可能な補助真空室
３１中で変える為、系を大気に曝した際の系の汚
染を一段と減少させる事ができる。又壁面に付着
した砒素を除去する場合も、補助真空室３１のみ
を取外して簡単に行なう事ができる。 実施例 ３ 第４図に示すごとく実施例２における補助真空
室を石英製真空室４０とし、外部から紫外線を照
射した。本方法によつても、実施例２と同様の効
果が得られた。第４図において、第３図と同一の
ものには同一番号を付している。この実施例では
単に外部から紫外線を照射するだけで、効果的に
As4を安定な物質に変化できる。なお、実施例
２、３では結晶成長室内壁に沿つて液体窒素冷却
シユラウド３３を設けたが、これがない場合でも
結晶成長中に補助真空室３１，４０に紫外線を照
射する事により、成長中の背圧制御が可能であ
り、又両者を同時に用いる事も勿論可能である。 以上説明した薄膜成長によれば、 (1) 分子線法による−族半導体の薄膜成長に
おいて真空度の壁面に付着した族元素が、系
を大気に曝した際に大気中の水や酸素と反応し
て汚染性物質を系内に導入する割合を激滅さ
せ、従つて、 (2) 良質の結晶を再現性よく作製する事が可能と
なる。 更に加えて、 (3) 大気圧から超高真空に排気する過程でのベー
キング時間を大幅に短縮することができる。又 (4) 結晶成長中の圧力を低く保つことができるの
で、族間混晶の作製において混晶比の制御性
が高まる。 (5) イオンポンプの内面にそれらの蒸気が付着す
る事も少なくなり、ベーキング時間も短縮され
るので、ポンプの寿命が長くなる。 (6) 液体窒素冷却面に、族分子が厚く付着する
ことによつて冷却面の熱伝導が悪くなり、従つ
て他の汚染性ガスH2O、O2、CO、CO2に対す
るチタンゲツターポンプの排気速度が低下する
のを防止でき系の真空を清浄に保ちうる。 実施例２に示した様に、紫外線照射を主真空
室と分離可能な補助真空室で集中的に行なわせ
る事によつて、 (7) 壁面に付着した族元素を洗浄除去する際に
も主真空室を真空に保つたまま行なえるので、
真空室を大気に曝す機会が更に少くなる。 又これら有毒な物質を固体として局所に集め
る為、 (8) 有毒物の回収も簡単かつ完全に行なうことが
でき、作業者の安全性も高まると言う点で、公
害防止の意味でも大きな効果を持つ。 以上の実施例ではGaAsの場合に限つて説明し
たが、本発明の原理から考えれば、本発明は従来
最も困難の大きかつた燐を用いた結晶成長につい
て最大の効果を発揮する。即ち第１に例えば
GaAsとGaPの結晶成長の場合を比較すれば、一
定のGa分子線到達量に対し、P4分子線はAs4分子
線よりも過剰に供給しなければならない。従つて
同一膜厚の成長に対し、真空系内部に分子線とし
て放出される分子量はAs4よりもP4がより多い。
第２に燐は準安定型から常温安定型に変化する速
度が、砒素やアンモチンに比べて極めて遅く且つ
蒸気圧が高い。 このため前記実施例２、３のような方法を用い
るならば、真空室内部に残留するP4分子が赤燐に
変化して主真空室内壁に付着する前に前記ゲツタ
ー面に集中的に捕集することができる。又P4は
As4やSb4に比べて蒸気圧が高いため、真空室内
壁が常温であつてもより早く且つほとんど完全に
ゲツター面に捕集できる。 こうして圧力が十分に下つた後であれば、真空
室内部を大気に曝したとしても、もはや活性なP4
は存在せず、燐酸の形成もなく、真空室内壁の汚
染も最少限にとどめられる。従つてその後の排気
過程でのベーキング時間も短縮され、更にイオン
ポンプ等の排気装置の寿命も大巾に増加する。 以上は主として−族半導体の結晶成長にお
ける効果であるが、本発明の原理によれば、その
効果は、−族半導体に限らず、−族半導
体の結晶成長においても同様に族分子に対する
排気作用と同等の効果を持たせることができる。
温安定型及び準安定型（常温不安定型、もしくは
分子状同素体）の２種の同素体が存在する。真空
中で、これら常温安定型の物質を加熱蒸発させる
と、準安定型の分子となつて放出される。準安定
型同素体は常温安定型の物質が同温度で示すより
も、遥かに高い蒸気圧を示し、化学的にも活性で
毒性も強い。 第１図に常温安定型物質である赤燐、砒素（金
属砒素）、アンチモン及び準安定型物質である黄
燐の蒸気圧を示す。第１図から明らかな様に、黄
燐の蒸気圧は、赤燐に比べ極めて高い。 なお、準安定型の物質は、常温で徐々に常温安
定型の物質に変化して行くが、その変化速度が遅
い為、真空中で常温安定型のＶ族元素を加熱蒸発
させると、長時間分子状の準安定型の物質のまま
残留し、真空室の圧力が蒸発停止後も容易に下が
らない原因となつている。又Ｖ族分子を−族
化合物から蒸発させた場合にも、準安定型の物質
として残留する。 以上述べた様にMBE法を用いて−族化合
物結晶を成長させる場合には、成長終了後も真空
室中に蒸気圧の高く活性な準安定型Ｖ族分子が充
満する。これらは一度真空室を大気に曝した時に
は、空気中の汚染性物質（H2O、CO、CO2等）
と容易に化合し、大量の汚染性物質を、液体や固
体の様ないわゆる凝縮された状態で真空室内壁に
導入する結果となり、MBE法となつて決定的な
欠陥をもたらす。そればかりか、化合物として真
空室内壁に付着した大量の汚染性物質を除去する
為には、極めて長時間のベーキングとポンピング
を必要とし、結晶成長を行なう上での時間的無駄
が大きく、且つ排気ポンプの寿命を著るしく短か
くしていた。 本発明はこのような問題に鑑みてなされたもの
で、汚染性物質を有効に除去することを可能とす
るものである。 ところで準安定型族元素が常温安定型に変化
する速度は、光や紫外線を照射する事によつて加
速する事が可能であり、特に砒素やアンチモンに
おいては容易に常温安定型に変化する。本発明は
この性質を用いて、薄膜成長中の雰囲気真空の圧
力を制御し、又真空系の汚染を防止する事によつ
て良質の薄膜を成長させる方法及び装置を提供す
るものである。 実施例 １ 第２図に本発明に用いるMBE装置の基本構成
を示す。１１は５×10-10Torr以下に排気可能な
結晶成長室で、液体窒素冷却のシユラウド１２、
Ga線源１３、As4線源１４、基板１９及び紫外線
ランプ２０が設置されており、線源１３，１４を
所定の温度に加熱した後、シヤツタ１７，１８の
操作によつて、開口１５，１６を通して、基板１
９上に分子線を供給して結晶成長を行なわせるも
のである。シユラウド１２には不安なGa、As4を
付着させるためのものである。紫外線ランプを点
灯する事により、結晶成長中のAs4の背圧は、紫
外線非照射時に比べ低く保つ事ができ、結晶成長
終了後も速かに背圧を減少させる事ができた。又
紫外線ランプの表面は、温度上昇の為、常温安定
型の砒素で覆われる事もなく、紫外線の照射効率
の低下もなかつた。 実施例 ２ 第３図の装置は、ゲートバルブ３０によつて結
晶成長室２１と気密的に分離可能な補助真空室３
１を取付け、紫外線ランプ３２を設置する。さら
に結晶成長室２１の内壁に沿つて、As4を付着さ
せる液体窒素冷却シユラウド３３を設けた。他は
第２図の装置と同様である。準安定型のAs4分子
は、液体窒素冷却壁面３３には付着係数が１に近
いので大部分付着され、結晶成長中は紫外線を照
射する事なく、系内の圧力を十分低く保つ事がで
きる。結晶成長終了後ゲートバルブ３０を開き紫
外線ランプ３２を点灯し、冷却面３３の温度上昇
によつて壁面から離脱してくるAs4分子を速かに
常温安定型に変え補助真空室３１の内壁面に付着
させた。 常温安定型のＶ族元素は、準安定型に比べれば
蒸気圧も、はるかに低く、活性も弱いが、それで
も真空室壁面を構成するステンレスに比べればは
るかに活性で、系を大気に曝した時には比較的容
易に大気中の汚染性不純物と化合して系内に汚染
物質を導入する原因となる。本実施例では、実施
例１の様に結晶成長室の内壁で常温安定型に変え
るのでなく、結晶成長室と分離可能な補助真空室
３１中で変える為、系を大気に曝した際の系の汚
染を一段と減少させる事ができる。又壁面に付着
した砒素を除去する場合も、補助真空室３１のみ
を取外して簡単に行なう事ができる。 実施例 ３ 第４図に示すごとく実施例２における補助真空
室を石英製真空室４０とし、外部から紫外線を照
射した。本方法によつても、実施例２と同様の効
果が得られた。第４図において、第３図と同一の
ものには同一番号を付している。この実施例では
単に外部から紫外線を照射するだけで、効果的に
As4を安定な物質に変化できる。なお、実施例
２、３では結晶成長室内壁に沿つて液体窒素冷却
シユラウド３３を設けたが、これがない場合でも
結晶成長中に補助真空室３１，４０に紫外線を照
射する事により、成長中の背圧制御が可能であ
り、又両者を同時に用いる事も勿論可能である。 以上説明した薄膜成長によれば、 (1) 分子線法による−族半導体の薄膜成長に
おいて真空度の壁面に付着した族元素が、系
を大気に曝した際に大気中の水や酸素と反応し
て汚染性物質を系内に導入する割合を激滅さ
せ、従つて、 (2) 良質の結晶を再現性よく作製する事が可能と
なる。 更に加えて、 (3) 大気圧から超高真空に排気する過程でのベー
キング時間を大幅に短縮することができる。又 (4) 結晶成長中の圧力を低く保つことができるの
で、族間混晶の作製において混晶比の制御性
が高まる。 (5) イオンポンプの内面にそれらの蒸気が付着す
る事も少なくなり、ベーキング時間も短縮され
るので、ポンプの寿命が長くなる。 (6) 液体窒素冷却面に、族分子が厚く付着する
ことによつて冷却面の熱伝導が悪くなり、従つ
て他の汚染性ガスH2O、O2、CO、CO2に対す
るチタンゲツターポンプの排気速度が低下する
のを防止でき系の真空を清浄に保ちうる。 実施例２に示した様に、紫外線照射を主真空
室と分離可能な補助真空室で集中的に行なわせ
る事によつて、 (7) 壁面に付着した族元素を洗浄除去する際に
も主真空室を真空に保つたまま行なえるので、
真空室を大気に曝す機会が更に少くなる。 又これら有毒な物質を固体として局所に集め
る為、 (8) 有毒物の回収も簡単かつ完全に行なうことが
でき、作業者の安全性も高まると言う点で、公
害防止の意味でも大きな効果を持つ。 以上の実施例ではGaAsの場合に限つて説明し
たが、本発明の原理から考えれば、本発明は従来
最も困難の大きかつた燐を用いた結晶成長につい
て最大の効果を発揮する。即ち第１に例えば
GaAsとGaPの結晶成長の場合を比較すれば、一
定のGa分子線到達量に対し、P4分子線はAs4分子
線よりも過剰に供給しなければならない。従つて
同一膜厚の成長に対し、真空系内部に分子線とし
て放出される分子量はAs4よりもP4がより多い。
第２に燐は準安定型から常温安定型に変化する速
度が、砒素やアンモチンに比べて極めて遅く且つ
蒸気圧が高い。 このため前記実施例２、３のような方法を用い
るならば、真空室内部に残留するP4分子が赤燐に
変化して主真空室内壁に付着する前に前記ゲツタ
ー面に集中的に捕集することができる。又P4は
As4やSb4に比べて蒸気圧が高いため、真空室内
壁が常温であつてもより早く且つほとんど完全に
ゲツター面に捕集できる。 こうして圧力が十分に下つた後であれば、真空
室内部を大気に曝したとしても、もはや活性なP4
は存在せず、燐酸の形成もなく、真空室内壁の汚
染も最少限にとどめられる。従つてその後の排気
過程でのベーキング時間も短縮され、更にイオン
ポンプ等の排気装置の寿命も大巾に増加する。 以上は主として−族半導体の結晶成長にお
ける効果であるが、本発明の原理によれば、その
効果は、−族半導体に限らず、−族半導
体の結晶成長においても同様に族分子に対する
排気作用と同等の効果を持たせることができる。
第１図は族元素同素体の蒸気圧を示した図、
第２図は本発明の実施例１に用いたMBE装置の
概略図、第３図は本発明の実施例２における装置
の概略図、第４図は同実施例３における装置の概
略図である。 １１，２１……結晶成長室、１２，３３……液
体窒素冷却シユラウド、１３……Ga線源、１４
……As4線源、１５……Ga分子線開口、As4分子
線開口、１７，１８……シヤツタ、１９……基
板、２０，３３……紫外線ランプ、３１，４０…
…補助真空室、３０……ゲートバルブ。
第２図は本発明の実施例１に用いたMBE装置の
概略図、第３図は本発明の実施例２における装置
の概略図、第４図は同実施例３における装置の概
略図である。 １１，２１……結晶成長室、１２，３３……液
体窒素冷却シユラウド、１３……Ga線源、１４
……As4線源、１５……Ga分子線開口、As4分子
線開口、１７，１８……シヤツタ、１９……基
板、２０，３３……紫外線ランプ、３１，４０…
…補助真空室、３０……ゲートバルブ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空室中に設置された基板上に、成長させよ
うとする薄膜構成元素の同素体の単体或はこの構
成元素を含む化合物からなる材料物質を加熱蒸発
させるとともに上記材料物質を上記基板上に堆積
させて薄膜成長を行うに際し、上記真空室内面を
少なくとも紫外線を含む光で照射し上記材料物質
の蒸発により上記真空中に背圧として発生する上
記材料物質の分子をより蒸気圧の低い化学的に安
定な固体として上記真空室内の上記光照射面に付
着させることを特徴とする薄膜成長方法。 ２ 光照射面が真空室中に設けられ冷却された面
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の薄膜成長方法。 ３ 真空室内への光の照射を上記真空室の外部か
ら行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の薄膜成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1168378A JPS54104772A (en) | 1978-02-03 | 1978-02-03 | Thin film growth method and its unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1168378A JPS54104772A (en) | 1978-02-03 | 1978-02-03 | Thin film growth method and its unit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54104772A JPS54104772A (en) | 1979-08-17 |
| JPS6240845B2 true JPS6240845B2 (ja) | 1987-08-31 |
Family
ID=11784797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1168378A Granted JPS54104772A (en) | 1978-02-03 | 1978-02-03 | Thin film growth method and its unit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54104772A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05190473A (ja) * | 1992-06-03 | 1993-07-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光ｃｖｄ装置 |
| JP2842269B2 (ja) * | 1995-01-25 | 1998-12-24 | 日本電気株式会社 | 化合物半導体結晶成長装置 |
-
1978
- 1978-02-03 JP JP1168378A patent/JPS54104772A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54104772A (en) | 1979-08-17 |
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