JPS624149U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS624149U JPS624149U JP1986088750U JP8875086U JPS624149U JP S624149 U JPS624149 U JP S624149U JP 1986088750 U JP1986088750 U JP 1986088750U JP 8875086 U JP8875086 U JP 8875086U JP S624149 U JPS624149 U JP S624149U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- switching
- load
- junction capacitance
- memory device
- Prior art date
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- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
第１図は本考案に依る半導体記憶装置を説明す
る上面図、第２図は周知のＲＯＭを説明する等価
回路図である。 １は負荷ＩＧ ＦＥＴ、２はスイツチングＩＧ
ＦＥＴ、５はソースドレイン領域、６は本発明
の特徴とする拡散領域、７はＲＯＭの出力取り出
しのための拡散領域である。
る上面図、第２図は周知のＲＯＭを説明する等価
回路図である。 １は負荷ＩＧ ＦＥＴ、２はスイツチングＩＧ
ＦＥＴ、５はソースドレイン領域、６は本発明
の特徴とする拡散領域、７はＲＯＭの出力取り出
しのための拡散領域である。
Claims (1)
- 負荷絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（以下
ＩＧ ＦＥＴという。）に直列に接続される複数
のスイツチングＩＧ ＦＥＴで形成される行と前
記スイツチングＩＧ ＦＥＴのゲート電極として
働く複数の導電層の列で構成されるマトリツクス
状半導体記憶装置において、前記負荷ＩＧ ＦＥ
Ｔと前記スイツチングＩＧ ＦＥＴとの接続点に
ある前記負荷ＩＧ ＦＥＴのソースあるいはドレ
イン領域を前記行間に延在させて前記スイツチン
グＩＧ ＦＥＴの寄生容量より大きい接合容量を
形成し、前記接合容量の電荷で前記スイツチング
ＩＧ ＦＥＴの接合容量へ充電することを特徴と
半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986088750U JPH037964Y2 (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986088750U JPH037964Y2 (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS624149U true JPS624149U (ja) | 1987-01-12 |
| JPH037964Y2 JPH037964Y2 (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=30642189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986088750U Expired JPH037964Y2 (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH037964Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-06-11 JP JP1986088750U patent/JPH037964Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH037964Y2 (ja) | 1991-02-27 |