JPS6242527A - Ｘ線リソグラフイ用マスク構造 - Google Patents
Ｘ線リソグラフイ用マスク構造Info
- Publication number
- JPS6242527A JPS6242527A JP60182404A JP18240485A JPS6242527A JP S6242527 A JPS6242527 A JP S6242527A JP 60182404 A JP60182404 A JP 60182404A JP 18240485 A JP18240485 A JP 18240485A JP S6242527 A JPS6242527 A JP S6242527A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- patterns
- mask
- layer
- pattern
- thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ）産業上の利用分野
本発明はＸ線リングラフィ用のマスク構造（：関する。
口）従来の技術
現在果遺回路夷造区；用いられている転写技術としては
、光（二よる方式が大多数である。さらＣ二解像力を上
げるため、縮小投影形露光装置の開発が為されている。
、光（二よる方式が大多数である。さらＣ二解像力を上
げるため、縮小投影形露光装置の開発が為されている。
然し乍ら、本格的ＣＯＩμ程度以下のパターンが必要（
二なりてくれば転写技術としてＸ線を用いたものが必要
Ｃ二なりてくる。こうし次点はテブミクロン、リング２
フィ総合技術貴科集発行所、サイエンスフォーラム、発
行日昭和６０年６月２０日（；示されている。このよう
なＸ線リソグラフィー用マスク（：要求される条件とし
ては以下の点が挙げられる。
二なりてくれば転写技術としてＸ線を用いたものが必要
Ｃ二なりてくる。こうし次点はテブミクロン、リング２
フィ総合技術貴科集発行所、サイエンスフォーラム、発
行日昭和６０年６月２０日（；示されている。このよう
なＸ線リソグラフィー用マスク（：要求される条件とし
ては以下の点が挙げられる。
ａ）Ｘ線Ｃ；対して、マスク基板の透過率が高く吸収体
（パターン構成物質）の透過率が低いことｂ）アライメ
ントを行なう几めＣ；は光学的検出法を用いるので、マ
スク基板はＸ線のみならず検出光（可視光が望ましい）
に対しても透過率が高い Ｃ）機械的強度が高く、寸法安定性が良いｄ）基板の平
面度が良好であること ｅ）耐薬品性が良いこと このような、従来のＸ線リングラフィ用マスクは第２図
のようＩ：バイレックリング（１）の上６；中央部が開
設されｆｔ ０．５ ｔｍ厚のシリコンウェハ（２）
’ｔ−配し、この基板（２）上に、４声厚のチツ化ボロ
ン膚（３）、２．５μ厚の第１のポリイミド層ｍ （４
１ｋ ＆ノーし、このポリイミド上（二Ｘ線吸収材料で
ある金から成るマスクパターン（５）［６）ｔ−１μ厚
で形成し、このパターン（５Ｊ（５）上を含む第１のポ
リイミド層（４）上（二２μ厚の第２のポリイミド層（
６）を設け７’Ｃ傳遺番ニなっていたＯ ハ）発明が解決しようとする問題点 ところで、こうし九Ｘ組すングラフィ用マスクにおいて
、マスクパターン（５１（５）は金を全面Ｍ看した後エ
ツチングＣ：エリ所定形状響二したり、リットオフ法区
−より次定形状Ｃ１，たりして９る。とこロカ、厚さが
１μもあるマスクパターンの場合、サイドエッチや、リ
フトオフ時のレジストパターンの変形（：↓リマスクパ
ターン端部を垂直に形成することが難しく頑＊１有した
形状になる。この几めパターンの端部ではＸ線の透過が
生じ、このマスク？用いてレジスト上Ｃニパターン転写
ｋＴるとき、端部にぼけが生じると云う不部会があり九
。
（パターン構成物質）の透過率が低いことｂ）アライメ
ントを行なう几めＣ；は光学的検出法を用いるので、マ
スク基板はＸ線のみならず検出光（可視光が望ましい）
に対しても透過率が高い Ｃ）機械的強度が高く、寸法安定性が良いｄ）基板の平
面度が良好であること ｅ）耐薬品性が良いこと このような、従来のＸ線リングラフィ用マスクは第２図
のようＩ：バイレックリング（１）の上６；中央部が開
設されｆｔ ０．５ ｔｍ厚のシリコンウェハ（２）
’ｔ−配し、この基板（２）上に、４声厚のチツ化ボロ
ン膚（３）、２．５μ厚の第１のポリイミド層ｍ （４
１ｋ ＆ノーし、このポリイミド上（二Ｘ線吸収材料で
ある金から成るマスクパターン（５）［６）ｔ−１μ厚
で形成し、このパターン（５Ｊ（５）上を含む第１のポ
リイミド層（４）上（二２μ厚の第２のポリイミド層（
６）を設け７’Ｃ傳遺番ニなっていたＯ ハ）発明が解決しようとする問題点 ところで、こうし九Ｘ組すングラフィ用マスクにおいて
、マスクパターン（５１（５）は金を全面Ｍ看した後エ
ツチングＣ：エリ所定形状響二したり、リットオフ法区
−より次定形状Ｃ１，たりして９る。とこロカ、厚さが
１μもあるマスクパターンの場合、サイドエッチや、リ
フトオフ時のレジストパターンの変形（：↓リマスクパ
ターン端部を垂直に形成することが難しく頑＊１有した
形状になる。この几めパターンの端部ではＸ線の透過が
生じ、このマスク？用いてレジスト上Ｃニパターン転写
ｋＴるとき、端部にぼけが生じると云う不部会があり九
。
二）問題点を解決するための手段
本発明にこのような点（−鑑みて為されたちので、厚み
の薄い同一形状のマスクパターンを多層に設けている。
の薄い同一形状のマスクパターンを多層に設けている。
ホ）作 用
膜厚の薄いマスクパターン端部（すτいるので、パター
ン端部は垂直（；形成される。また、このマスクパター
ンは多層Ｃ；形成されているので、レジストへの転写時
（二Ｘ線が透過する惧れもない。
ン端部は垂直（；形成される。また、このマスクパター
ンは多層Ｃ；形成されているので、レジストへの転写時
（二Ｘ線が透過する惧れもない。
へ）実 施 例
第１図は不発４Ｘ線リングラフィ用マスク構造金示す断
面図、第３図乃至第６図はこうし念マスク構造を作るた
めの製造方法を示す断面図である。これ等の図を用いて
、本発明マスク構造を製造方法とともに説明する。まず
０．５ ｆｌ厚のシリコンウェハ（２）上ｃ ＣＶ Ｄ
法でチツ化ボロｙ層（３）？ｉ−４μ厚Ｉ：形成し、さ
ら【；、スピナ堕布で２．５μ厚の第１のポリイミド［
（４）’を設ける（第３図）。続いて、金層ｔ０．５μ
厚に蒸着した俊、フォトエツチング技術を用いて、所望
の第１のマスクパターン（７）（７１ｉ形成する（第４
図）。このとき、金層の膜厚は薄いので、第１のマスク
パターンｔ７）（刀の端部は傾斜することなく、垂＠Ｃ
二形成される。欠Ｃ；スピナ塗布覆二より、第１のマス
クパターン（７）（７）ｔ−含む第１のポリイミド膜（
４）上に１μ厚の第２のポリイミド膜（８）ヲ設ける（
第５図）０さらにこの上１；上記第１のマスクパターン
（７）（７）と同じ形状で同一の厚さく０．５μ）の第
２のマスクパターン（９）（９）”ｉｋ形成シ、この第
２のマスクパターＶ Ｃ９）（９） ｋ 含ｔｒ７Ｊ２
のポリイミド膜（８）上に１μ厚の第６のポリイミド膜
四ｔスピナ塗布Ｃ；より形成する（第６図）。
面図、第３図乃至第６図はこうし念マスク構造を作るた
めの製造方法を示す断面図である。これ等の図を用いて
、本発明マスク構造を製造方法とともに説明する。まず
０．５ ｆｌ厚のシリコンウェハ（２）上ｃ ＣＶ Ｄ
法でチツ化ボロｙ層（３）？ｉ−４μ厚Ｉ：形成し、さ
ら【；、スピナ堕布で２．５μ厚の第１のポリイミド［
（４）’を設ける（第３図）。続いて、金層ｔ０．５μ
厚に蒸着した俊、フォトエツチング技術を用いて、所望
の第１のマスクパターン（７）（７１ｉ形成する（第４
図）。このとき、金層の膜厚は薄いので、第１のマスク
パターンｔ７）（刀の端部は傾斜することなく、垂＠Ｃ
二形成される。欠Ｃ；スピナ塗布覆二より、第１のマス
クパターン（７）（７）ｔ−含む第１のポリイミド膜（
４）上に１μ厚の第２のポリイミド膜（８）ヲ設ける（
第５図）０さらにこの上１；上記第１のマスクパターン
（７）（７）と同じ形状で同一の厚さく０．５μ）の第
２のマスクパターン（９）（９）”ｉｋ形成シ、この第
２のマスクパターＶ Ｃ９）（９） ｋ 含ｔｒ７Ｊ２
のポリイミド膜（８）上に１μ厚の第６のポリイミド膜
四ｔスピナ塗布Ｃ；より形成する（第６図）。
その後、シリコンウェハ１（２）中央部ｔエツチング除
去し、残存したウニノー （２）（：補強用のパイレッ
クスリング（１）を接電して完成する（第１図）０この
ような、本笑施列マスク構造を用いて、αして： き第７図のよう５二溝α３上端部、下端部は正確（二〇
。
去し、残存したウニノー （２）（：補強用のパイレッ
クスリング（１）を接電して完成する（第１図）０この
ような、本笑施列マスク構造を用いて、αして： き第７図のよう５二溝α３上端部、下端部は正確（二〇
。
２μ幅鑑：形成された。これＣ；対し、ｊＩ２図で示し
た従来のマスク構造を用いて、幅０．２μの設定で基板
Ｉ上に形成したＰＭＭＡより成る４０００Ａ厚のレジス
）Ｃ１５１に溝（Ｌ６）を開設すると、第８図のようＣ
二連αｅ上端部はα２μ幅監：なったが、下端部は（１
１５２幅【；なり、正確に溝が形成されなかった。
た従来のマスク構造を用いて、幅０．２μの設定で基板
Ｉ上に形成したＰＭＭＡより成る４０００Ａ厚のレジス
）Ｃ１５１に溝（Ｌ６）を開設すると、第８図のようＣ
二連αｅ上端部はα２μ幅監：なったが、下端部は（１
１５２幅【；なり、正確に溝が形成されなかった。
尚、本実施例マスク構造ではマスクパターン上２重直二
形成し九ものｔ示し九が、これは３重、４重とさらＣ二
多重Ｃ；形成することも考えられる。
形成し九ものｔ示し九が、これは３重、４重とさらＣ二
多重Ｃ；形成することも考えられる。
ト）発明の効果
以上述ぺ几如く、本発明Ｘ線すングラフィ用マスク傳造
は厚みの薄い同一形状のマスクパターンを多層≦二形成
しているので、マスクパターン端部が垂直Ｃ二形成きれ
、転写時呪；マスクパターン端部でＸｌ！Ａが透過して
転写時に形成されるレジストパターンＣ二ぼけが生じる
ことなく、さらＣ二微細な加工をすることが出来る。
は厚みの薄い同一形状のマスクパターンを多層≦二形成
しているので、マスクパターン端部が垂直Ｃ二形成きれ
、転写時呪；マスクパターン端部でＸｌ！Ａが透過して
転写時に形成されるレジストパターンＣ二ぼけが生じる
ことなく、さらＣ二微細な加工をすることが出来る。
第１図は本発引Ｘ線すングラフィ用マスクｍ遺を示す断
面図、第２図は従来のＸ線リングラフィ用マスク構造を
示す断面図、第３図乃至第６図は不発明マスク構造の製
造方法を示す断面図、ｊｇ７図、第８図は夫々、本発明
マスク構造及び従来のマスク構造を用いて転写したレジ
ストパターンの断面図である。 （１）−・・パイレックスリング、 （２）・・・シリ
コンクエバ、（３）・・・テラ化ボロン層、 ｔ４）（
６）（８）（１Ｇ・・・ポリイミド膜、（５）（５Ｊ・
・・マスクパターン、（７１（７１・・・第１のマスク
パターン、 （９）（９）・・・第２のマスクパターン
。
面図、第２図は従来のＸ線リングラフィ用マスク構造を
示す断面図、第３図乃至第６図は不発明マスク構造の製
造方法を示す断面図、ｊｇ７図、第８図は夫々、本発明
マスク構造及び従来のマスク構造を用いて転写したレジ
ストパターンの断面図である。 （１）−・・パイレックスリング、 （２）・・・シリ
コンクエバ、（３）・・・テラ化ボロン層、 ｔ４）（
６）（８）（１Ｇ・・・ポリイミド膜、（５）（５Ｊ・
・・マスクパターン、（７１（７１・・・第１のマスク
パターン、 （９）（９）・・・第２のマスクパターン
。
Claims (1)
- １）マスク基板と、このマスク基板上に形成されたＸ線
吸収材よりなる第１のマスクパターンと、上記マスク基
板及びマスクパターンを複うＸ線透過材料より成る被覆
層と、この被覆層上に上記第１のマスクパターン同一形
状に形成されたＸ線吸収材料より成る第２のマスクパタ
ーンと、から成るマスク構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182404A JPS6242527A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | Ｘ線リソグラフイ用マスク構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60182404A JPS6242527A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | Ｘ線リソグラフイ用マスク構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242527A true JPS6242527A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16117712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60182404A Pending JPS6242527A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | Ｘ線リソグラフイ用マスク構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242527A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6446927A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of x-ray mask |
| JPH022515A (ja) * | 1988-06-16 | 1990-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶用配向膜の製法 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60182404A patent/JPS6242527A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6446927A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of x-ray mask |
| JPH022515A (ja) * | 1988-06-16 | 1990-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶用配向膜の製法 |
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