JPS6242865B2 - - Google Patents
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- JPS6242865B2 JPS6242865B2 JP19193984A JP19193984A JPS6242865B2 JP S6242865 B2 JPS6242865 B2 JP S6242865B2 JP 19193984 A JP19193984 A JP 19193984A JP 19193984 A JP19193984 A JP 19193984A JP S6242865 B2 JPS6242865 B2 JP S6242865B2
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- Japan
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- gas
- base material
- hydrogen
- flow rate
- burner
- Prior art date
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/04—Multi-nested ports
- C03B2207/06—Concentric circular ports
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/20—Specific substances in specified ports, e.g. all gas flows specified
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/20—Specific substances in specified ports, e.g. all gas flows specified
- C03B2207/24—Multiple flame type, e.g. double-concentric flame
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/36—Fuel or oxidant details, e.g. flow rate, flow rate ratio, fuel additives
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は気相軸付法（VAD法）により光フア
イバ用母材を製造する方法に関し、とくに燃焼バ
ーナに送り込まれるガラス原料の反応効率を向上
させ、多孔質ガラス母材の合成速度を上げるとと
もに多孔質ガラス母材へのガラス微粒子付着効率
を向上させる光フアイバ用母材の製造方法に関す
るものである。
イバ用母材を製造する方法に関し、とくに燃焼バ
ーナに送り込まれるガラス原料の反応効率を向上
させ、多孔質ガラス母材の合成速度を上げるとと
もに多孔質ガラス母材へのガラス微粒子付着効率
を向上させる光フアイバ用母材の製造方法に関す
るものである。
一般にVAD法により光フアイバ用母材を製造
する場合、バーナから燃焼ガス、ガラス原料およ
びドーパント原料を混合噴出し、酸水素火炎中に
おいてガラス原料およびドーパント原料の加水分
解反応により生じたガラス微粒子を回転する出発
部材の表面に堆積させ、多孔質ガラス母材を製造
する方法が用いられている。
する場合、バーナから燃焼ガス、ガラス原料およ
びドーパント原料を混合噴出し、酸水素火炎中に
おいてガラス原料およびドーパント原料の加水分
解反応により生じたガラス微粒子を回転する出発
部材の表面に堆積させ、多孔質ガラス母材を製造
する方法が用いられている。
通常燃焼バーナとしては、複数のノズルを有す
る同心円状多重管バーナが用いられ、ガラス原料
としてSiCl4、ドーパント原料としてGeCl4、燃焼
ガスとしてH2，O2が用いられる。ガラス原料お
よびドーパント原料であるSiCl4およびGeCl4は火
炎中で次に示す(1)式および(2)式により加水分解反
応をおこし、ガラス微粒子を生成する。
る同心円状多重管バーナが用いられ、ガラス原料
としてSiCl4、ドーパント原料としてGeCl4、燃焼
ガスとしてH2，O2が用いられる。ガラス原料お
よびドーパント原料であるSiCl4およびGeCl4は火
炎中で次に示す(1)式および(2)式により加水分解反
応をおこし、ガラス微粒子を生成する。
SiCl4＋H2O→SiO2＋HCl …(1)
GeCl4＋H2O→GeO2＋HCl …(2)
このガラス微粒子が多孔質ガラス母材の堆積面
上に付着し、堆積していく。このとき、多孔質ガ
ラス母材の硬さおよびドーパントの固溶分布は、
ガラス微粒子の温度および火炎温度分布に依存し
ている。すなわち合成用バーナにより形成される
火炎の状態が重要な役割をはたす。とくに合成速
度を上げ、大形の母材を製造する場合には、火炎
内温度分布の制御がさらに重要となる。そこで火
炎内温度分布を制御する一つの手段として多重管
バーナを用い、燃焼ガスとしての酸素ガスと水素
ガスにより形成される火炎面を２個以上形成する
方法がある（たとえば、昭和59年度電子通信学会
総合全国大会、No.1138、Ｉ−ECL、須田他：
VAD法による母材高速合成）。この方法による
と、合成バーナの中心部に形成される火炎により
前述した加水分解反応の(1)，(2)式が支持され、さ
らに合成バーナの外側に形成される火炎により火
炎内温度分布の制御がなされることになる。
上に付着し、堆積していく。このとき、多孔質ガ
ラス母材の硬さおよびドーパントの固溶分布は、
ガラス微粒子の温度および火炎温度分布に依存し
ている。すなわち合成用バーナにより形成される
火炎の状態が重要な役割をはたす。とくに合成速
度を上げ、大形の母材を製造する場合には、火炎
内温度分布の制御がさらに重要となる。そこで火
炎内温度分布を制御する一つの手段として多重管
バーナを用い、燃焼ガスとしての酸素ガスと水素
ガスにより形成される火炎面を２個以上形成する
方法がある（たとえば、昭和59年度電子通信学会
総合全国大会、No.1138、Ｉ−ECL、須田他：
VAD法による母材高速合成）。この方法による
と、合成バーナの中心部に形成される火炎により
前述した加水分解反応の(1)，(2)式が支持され、さ
らに合成バーナの外側に形成される火炎により火
炎内温度分布の制御がなされることになる。
合成用バーナにより形成される火炎面を２個以
上つくるためには、燃焼ガスとしての酸素ガスお
よび水素ガスの配置をたとえば第１図に示す構成
とする必要がある。この場合、第１図に示すよう
に、ガラス原料噴出ポート１０を中心に内側から
燃焼ガスとしての水素ガスおよび酸素ガスを噴出
するポートを不活性ガス、たとえばArガスをは
さんで２１−３１−４１−３２−２２−３３−４
２のように複数の火炎面、この例では３個の火炎
面を形成するよう配置する。このように火炎面を
２個以上つくる方法により多孔質ガラス母材の製
造を検討したところ、酸素ガスの噴出ポートをは
さんで内側および外側に配置した水素ガスの噴出
ポートから流出する水素ガスの流量がとくに重要
なパラメータとなつていることが判明した。すな
わち酸素ガスの外側に流出する水素ガスの流量が
少なく、したがつて外側の火炎が小さい場合に
は、中心部で生成したガラス原料のSiO2のガラ
ス微粒子が、流出路の外周部に拡散しやすく、収
率の著しい劣化をまねくことがわかつた。第２図
に検討の結果判明した酸素ガスに対して内側の水
素流量ＱH2１と外側の水素流量ＱH2２との比、す
なわちＱH2２／ＱH2１に対するガラス原料の母材
表面への収率の関係を示す。一般に気体中に存在
する粒子は、気体中の温度勾配に比例して温度の
低い方に力を受ける現象の起ることが知られてい
る（サーモホレシス効果）。外側の火炎が小さい
場合には、この現象および火炎が外乱の影響を受
けやすいことが収率の劣化に原因しているものと
考えられる。また水素流量が少ない場合には、合
成される多孔質ガラス母材の硬さ、すなわち密度
（嵩密度）が小さく、軟かい母材となり割れやす
くなる。これを補うために酸素ガス内側の水素流
量を増加すると、第３図に示すようにガラス原料
の煤粒子流５０の中心部に形成される内側炎５２
で加熱される多孔質ガラス母材の部分は硬くな
り、硬部を形成するが、外側炎５１で加熱され
る部分は軟かいガラス微粒子が堆積することとな
り軟部を形成する。なお第３図で１は多孔質ガ
ラス母材、２はバーナである。第３図に示す方法
で得られた多孔質ガラス母材は、第４図に示すよ
うなかさ密度分布が形成され、割れの原因とな
る。
上つくるためには、燃焼ガスとしての酸素ガスお
よび水素ガスの配置をたとえば第１図に示す構成
とする必要がある。この場合、第１図に示すよう
に、ガラス原料噴出ポート１０を中心に内側から
燃焼ガスとしての水素ガスおよび酸素ガスを噴出
するポートを不活性ガス、たとえばArガスをは
さんで２１−３１−４１−３２−２２−３３−４
２のように複数の火炎面、この例では３個の火炎
面を形成するよう配置する。このように火炎面を
２個以上つくる方法により多孔質ガラス母材の製
造を検討したところ、酸素ガスの噴出ポートをは
さんで内側および外側に配置した水素ガスの噴出
ポートから流出する水素ガスの流量がとくに重要
なパラメータとなつていることが判明した。すな
わち酸素ガスの外側に流出する水素ガスの流量が
少なく、したがつて外側の火炎が小さい場合に
は、中心部で生成したガラス原料のSiO2のガラ
ス微粒子が、流出路の外周部に拡散しやすく、収
率の著しい劣化をまねくことがわかつた。第２図
に検討の結果判明した酸素ガスに対して内側の水
素流量ＱH2１と外側の水素流量ＱH2２との比、す
なわちＱH2２／ＱH2１に対するガラス原料の母材
表面への収率の関係を示す。一般に気体中に存在
する粒子は、気体中の温度勾配に比例して温度の
低い方に力を受ける現象の起ることが知られてい
る（サーモホレシス効果）。外側の火炎が小さい
場合には、この現象および火炎が外乱の影響を受
けやすいことが収率の劣化に原因しているものと
考えられる。また水素流量が少ない場合には、合
成される多孔質ガラス母材の硬さ、すなわち密度
（嵩密度）が小さく、軟かい母材となり割れやす
くなる。これを補うために酸素ガス内側の水素流
量を増加すると、第３図に示すようにガラス原料
の煤粒子流５０の中心部に形成される内側炎５２
で加熱される多孔質ガラス母材の部分は硬くな
り、硬部を形成するが、外側炎５１で加熱され
る部分は軟かいガラス微粒子が堆積することとな
り軟部を形成する。なお第３図で１は多孔質ガ
ラス母材、２はバーナである。第３図に示す方法
で得られた多孔質ガラス母材は、第４図に示すよ
うなかさ密度分布が形成され、割れの原因とな
る。
逆に酸素ガスの外側に位置する水素流量を増加
させていくと、火炎の温度が高くなり過ぎ、多孔
質ガラス母材の堆積面の先端部が過熱され、安定
な成長が得られなくなつてくる。すなわち第５図
に示すように、多孔質ガラス母材１の先端形状は
中心部に凹み３の形成された形となりやすい。ま
た、たとえ安定な成長が得られた場合でも、母材
先端部の温度が高くなり過ぎるため、母材中に形
成する屈折率分布を制御しにくくなる。
させていくと、火炎の温度が高くなり過ぎ、多孔
質ガラス母材の堆積面の先端部が過熱され、安定
な成長が得られなくなつてくる。すなわち第５図
に示すように、多孔質ガラス母材１の先端形状は
中心部に凹み３の形成された形となりやすい。ま
た、たとえ安定な成長が得られた場合でも、母材
先端部の温度が高くなり過ぎるため、母材中に形
成する屈折率分布を制御しにくくなる。
〔問題点を解決するための手段）
本発明は以上述べた問題点を解決するため、燃
焼バーナに同心円状で複数の噴出ノズルを有する
多重管バーナを用い、中心部のノズルからガラス
原料を噴出させ、中心部から外周に燃焼ガスとし
ての水素ガス、酸素ガスを順次層状に噴出させて
多層の火炎面を形成させ、酸素ガスをはさんだ内
側および外側の水素ガスの水素流量ＱH2１および
ＱH2２の比、ＱH2２／ＱH2１を１≦ＱH2２／ＱH2
１≦５と設定することを特徴としている。
焼バーナに同心円状で複数の噴出ノズルを有する
多重管バーナを用い、中心部のノズルからガラス
原料を噴出させ、中心部から外周に燃焼ガスとし
ての水素ガス、酸素ガスを順次層状に噴出させて
多層の火炎面を形成させ、酸素ガスをはさんだ内
側および外側の水素ガスの水素流量ＱH2１および
ＱH2２の比、ＱH2２／ＱH2１を１≦ＱH2２／ＱH2
１≦５と設定することを特徴としている。
本発明により、多孔質ガラス母材の合成収率を
向上させ、安定に大形母材の合成を行うと同時
に、屈折率分布の制御が容易に行える。
向上させ、安定に大形母材の合成を行うと同時
に、屈折率分布の制御が容易に行える。
本発明の燃焼ガスとしての酸素ガスの内側およ
び外側の水素流量比ＱH2２／ＱH2１を、１≦
2QH22／ＱH2１≦５に設定することにより、安定
した母材成長が実現できる。すなわち、第６図に
水素流量比ＱH2２／ＱH2１に対する収率をプロツ
トした結果を示す。第６図からＱH2２／ＱH2１＜
１となると収率が急激に劣化することが解る。ま
た第７図に水素流量比ＱH2２／ＱH2１に対し製造
した母材の歩留りを示す。第７図からＱH2２／Ｑ
H2１＞５の領域では、歩留りが急激に悪くなるこ
とが解つた。以下実施例について説明する。
び外側の水素流量比ＱH2２／ＱH2１を、１≦
2QH22／ＱH2１≦５に設定することにより、安定
した母材成長が実現できる。すなわち、第６図に
水素流量比ＱH2２／ＱH2１に対する収率をプロツ
トした結果を示す。第６図からＱH2２／ＱH2１＜
１となると収率が急激に劣化することが解る。ま
た第７図に水素流量比ＱH2２／ＱH2１に対し製造
した母材の歩留りを示す。第７図からＱH2２／Ｑ
H2１＞５の領域では、歩留りが急激に悪くなるこ
とが解つた。以下実施例について説明する。
実施例 １：
第１図に示す構成の同心円状８重管バーナを用
い、各ガス流の配置は第１図と同様の方法によ
り、第４ポート４１の酸素の内側の第２ポート２
１および外側の第６ポート２２からの水素流量Ｑ
H2２およびＱH2６の比、ＱH2６／ＱH2２＝0.8とし
て多孔質ガラス母材の製造を行つた。ガスの流量
条件は、それぞれの各ガス全体量として、燃焼ガ
スとしてはH2＝24l／min，O2＝41l／min，Ar＝
17l／min、ガラス原料およびドーパント原料とし
てはSiCl4＝1500cc／min，GeCl4＝230cc／minと
した。この結果、多孔質ガラス母材の製造はでき
たものの、収率は40％と非常に低い値であつた。
またかさ密度は第４図に示すようなものであつ
た。
い、各ガス流の配置は第１図と同様の方法によ
り、第４ポート４１の酸素の内側の第２ポート２
１および外側の第６ポート２２からの水素流量Ｑ
H2２およびＱH2６の比、ＱH2６／ＱH2２＝0.8とし
て多孔質ガラス母材の製造を行つた。ガスの流量
条件は、それぞれの各ガス全体量として、燃焼ガ
スとしてはH2＝24l／min，O2＝41l／min，Ar＝
17l／min、ガラス原料およびドーパント原料とし
てはSiCl4＝1500cc／min，GeCl4＝230cc／minと
した。この結果、多孔質ガラス母材の製造はでき
たものの、収率は40％と非常に低い値であつた。
またかさ密度は第４図に示すようなものであつ
た。
実施例 ２：
実施例１と同じ８重管構造のバーナで、各ガス
の流出配置およびガスの流量条件も同じとし、水
素流量比は、ＱH2６／ＱH2２＝3.3として多孔質
ガラス母材の製造を行つた。この結果、ガラス微
粒子の付着収率は72％と高い値が得られた。この
得られた多孔質ガラス母材を抵抗炉で脱水し、次
いで透明ガラス化して内部の屈折率を測定したと
ころ第８図に示すなめらかな分布を得ることがで
きた。
の流出配置およびガスの流量条件も同じとし、水
素流量比は、ＱH2６／ＱH2２＝3.3として多孔質
ガラス母材の製造を行つた。この結果、ガラス微
粒子の付着収率は72％と高い値が得られた。この
得られた多孔質ガラス母材を抵抗炉で脱水し、次
いで透明ガラス化して内部の屈折率を測定したと
ころ第８図に示すなめらかな分布を得ることがで
きた。
実施例 ３：
実施例１と同じ８重管構造のバーナで、各ガス
の流出配置も同じとし、水素流量比は、ＱH2６／
ＱH2２＝6.5として多孔質ガラス母材の製造を行
つた。なおガスの流量条件は、H2＝35l／min，
O2＝50l＝min，Ar＝20l／minとし、ガラス原料
およびドーパント原料のガス流量は実施例１と同
様とした。この結果、得られた多孔質ガラス母材
の先端形状は、第５図に示すような中心部に凹み
が生じ、安定な製造を行うことができなかつた。
の流出配置も同じとし、水素流量比は、ＱH2６／
ＱH2２＝6.5として多孔質ガラス母材の製造を行
つた。なおガスの流量条件は、H2＝35l／min，
O2＝50l＝min，Ar＝20l／minとし、ガラス原料
およびドーパント原料のガス流量は実施例１と同
様とした。この結果、得られた多孔質ガラス母材
の先端形状は、第５図に示すような中心部に凹み
が生じ、安定な製造を行うことができなかつた。
実施例 ４：
実施例１と同じ８重管構造のバーナで、各ガス
の流出配置およびガラス原料とドーパント原料の
ガス流量条件も実施例１と同じとし、水素流量比
はＱH2６／ＱH2２＝6.0、燃焼ガス流量条件はH2
＝30l＝min，O2＝45l／min，Ar＝18l／minとし
て多孔質ガラス母材の製造を行つたところ、得ら
れた母材のガラス微粒子の付着収率は約65％で合
成できたが、屈折率分布は第９図のようになつ
た。
の流出配置およびガラス原料とドーパント原料の
ガス流量条件も実施例１と同じとし、水素流量比
はＱH2６／ＱH2２＝6.0、燃焼ガス流量条件はH2
＝30l＝min，O2＝45l／min，Ar＝18l／minとし
て多孔質ガラス母材の製造を行つたところ、得ら
れた母材のガラス微粒子の付着収率は約65％で合
成できたが、屈折率分布は第９図のようになつ
た。
実施例 ５：
第１０図に示す10重管構造のバーナで、各ガス
の流出配置は図示の如く１１，４３，３４，２
３，３５，４４，３６，２４，３７，４５の各ガ
ス噴出ポートからなる４層火炎面構成として多孔
質ガラス母材の合成を行つた。各ガスの流量条件
は、燃焼ガスとして、H2＝32l／min，O2＝40l／
min，Ar＝16l／min、ガラス原料およびドーパン
ト原料として、SiCl4＝1600cc／min，GeCl4＝
200cc／minとした。また、第６ポート44の酸素
の内側の第４ポート２３および外側の第８ポート
２４からの水素流量ＱH2４およびＱH2８の比は、
ＱH2８／ＱH2４＝2.2とした。この結果、ガラス
微粒子の付着収率は65％で多孔質ガラス母材の合
成を行うことができた。
の流出配置は図示の如く１１，４３，３４，２
３，３５，４４，３６，２４，３７，４５の各ガ
ス噴出ポートからなる４層火炎面構成として多孔
質ガラス母材の合成を行つた。各ガスの流量条件
は、燃焼ガスとして、H2＝32l／min，O2＝40l／
min，Ar＝16l／min、ガラス原料およびドーパン
ト原料として、SiCl4＝1600cc／min，GeCl4＝
200cc／minとした。また、第６ポート44の酸素
の内側の第４ポート２３および外側の第８ポート
２４からの水素流量ＱH2４およびＱH2８の比は、
ＱH2８／ＱH2４＝2.2とした。この結果、ガラス
微粒子の付着収率は65％で多孔質ガラス母材の合
成を行うことができた。
以上各実施例においては、バーナおよび各ガス
の流出配置として２例を示したのみであるが、ガ
スの流出配置は、火炎面が２個以上形成できれ
ば、どのような流出配置でもよい。また水素の流
量比の設定は、酸素の噴出ポートの内側および外
側に位置する水素の噴出ポートからの水素の流量
比であれば適用できる。
の流出配置として２例を示したのみであるが、ガ
スの流出配置は、火炎面が２個以上形成できれ
ば、どのような流出配置でもよい。また水素の流
量比の設定は、酸素の噴出ポートの内側および外
側に位置する水素の噴出ポートからの水素の流量
比であれば適用できる。
以上詳述したように、本発明によれば、多重管
構造のバーナを適用し、燃焼ガスとしての酸素ガ
スをはさむ内側および外側に位置する噴出ポート
からの水素の流量比を１および５の間に設定する
ことにより、多孔質母材の合成速度を上げる際に
ガラス微粒子を収率よく、かつ安定に多孔質ガラ
ス母材の合成を行うことができ、また屈折率分布
の制御性も良くすることができ、その効果大であ
る。
構造のバーナを適用し、燃焼ガスとしての酸素ガ
スをはさむ内側および外側に位置する噴出ポート
からの水素の流量比を１および５の間に設定する
ことにより、多孔質母材の合成速度を上げる際に
ガラス微粒子を収率よく、かつ安定に多孔質ガラ
ス母材の合成を行うことができ、また屈折率分布
の制御性も良くすることができ、その効果大であ
る。
第１図は本発明に適用する火炎面を２個以上形
成する多重管構造のバーナと原料ガスおよび燃焼
ガス配置の一実施例、第２図は燃焼ガスとしての
酸素ガスをはさむ内側および外側に位置する水素
ガスの流量比と収率の関係を示す図、第３図は外
側の水素流量が少ない場合の多孔質ガラス母材の
硬さ形成を示す模式図、第４図は第３図で得られ
た多孔質ガラス母材のかさ密度分布、第５図は外
側の水素流量が多い場合の多孔質ガラス母材の先
端形状、第６図は酸素をはさむ内側および外側の
水素流量比に対する収率の関係、第７図は酸素を
はさむ内側および外側の水素流量比に対する歩留
りの関係、第８図は本発明の実施例２により得ら
れた母材の屈折率分布、第９図は本発明の実施例
４により得られた母材の屈折率分布、第１０図は
本発明の実施例５に用いた多重管バーナと原料ガ
スおよび燃焼ガス配置の他の実施例である。 １……母材、２……バーナ、３……凹み、１
０，１１，２１〜２４，３１〜３７，４１〜４５
……ガス噴出ポート、５０……煤粒子流、５１…
…外側炎、５２……内側炎。
成する多重管構造のバーナと原料ガスおよび燃焼
ガス配置の一実施例、第２図は燃焼ガスとしての
酸素ガスをはさむ内側および外側に位置する水素
ガスの流量比と収率の関係を示す図、第３図は外
側の水素流量が少ない場合の多孔質ガラス母材の
硬さ形成を示す模式図、第４図は第３図で得られ
た多孔質ガラス母材のかさ密度分布、第５図は外
側の水素流量が多い場合の多孔質ガラス母材の先
端形状、第６図は酸素をはさむ内側および外側の
水素流量比に対する収率の関係、第７図は酸素を
はさむ内側および外側の水素流量比に対する歩留
りの関係、第８図は本発明の実施例２により得ら
れた母材の屈折率分布、第９図は本発明の実施例
４により得られた母材の屈折率分布、第１０図は
本発明の実施例５に用いた多重管バーナと原料ガ
スおよび燃焼ガス配置の他の実施例である。 １……母材、２……バーナ、３……凹み、１
０，１１，２１〜２４，３１〜３７，４１〜４５
……ガス噴出ポート、５０……煤粒子流、５１…
…外側炎、５２……内側炎。
Claims (1)
- １ 気体のガラス原料を燃焼バーナから噴出させ
て火炎加水分解することにより生成する粒状ガラ
スを回転する出発部材に堆積させ、該出発部材の
回転軸方向に成長させる多孔質ガラス母材の製造
方法において、前記燃焼バーナは同心円状で複数
の噴出ノズルを有する多重管バーナからなり、該
多重管バーナの内側から外側へ燃焼ガスとして水
素ガス、酸素ガス、水素ガスと層状に流出する配
置とし、該酸素ガスをはさんで内側から流出する
水素ガスの水素流量ＱH2１と外側から流出する水
素ガスの水素流量ＱH2２の比を１≦ＱH2２／ＱH2
１≦５とすることを特徴とする光フアイバ用母材
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19193984A JPS6168342A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 光フアイバ用母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19193984A JPS6168342A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 光フアイバ用母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6168342A JPS6168342A (ja) | 1986-04-08 |
| JPS6242865B2 true JPS6242865B2 (ja) | 1987-09-10 |
Family
ID=16282967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19193984A Granted JPS6168342A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 光フアイバ用母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6168342A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6173627U (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-19 | ||
| KR100724924B1 (ko) | 2006-02-20 | 2007-06-04 | 삼성전자주식회사 | 수트 모재의 제조 장치 |
-
1984
- 1984-09-13 JP JP19193984A patent/JPS6168342A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6168342A (ja) | 1986-04-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |