JPS6243540B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6243540B2 JPS6243540B2 JP55073620A JP7362080A JPS6243540B2 JP S6243540 B2 JPS6243540 B2 JP S6243540B2 JP 55073620 A JP55073620 A JP 55073620A JP 7362080 A JP7362080 A JP 7362080A JP S6243540 B2 JPS6243540 B2 JP S6243540B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- purity
- semiconductor devices
- wires
- bonding wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01551—Changing the shapes of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07511—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
本発明は、半導体素子のチツプ電極と外部リー
ドとの電気的接続に用いるボンデイング線に関す
る。 従来、半導体素子のチツプ電極と外部リードに
連なるリードフレーム又はケースの接続部との電
気的接続には、高純度のAu線が用いられてき
た。これは、通常半導体素子のチツプ電極にAu
のボンデイングパツドが形成されており、一方リ
ードフレーム又はケースの方にもAu又はAgが用
いられていた為に、前記接続線を温度300℃程度
で熱圧着したり、H2トーチでAu線をボールアツ
プした後熱圧着したり、超音波エネルギーで圧着
して接続していた。 このように従来用いられてきた半導体素子用の
ボンデイング線は、高純度のAuを原料にして線
加工により製造されていたが、ボンデイング速度
が早くなると0.05mm以下の細線である為に切断
してしまうという欠点があつた。 この為従来は、Ca,Be,Ge,Ni,Fe,Co,
Ag等を極く僅かAuに含有させて成るボンデイン
グ線を用いていた。 然し乍ら、前記Ca,Be,Ge,Ni,Fe,Co,
Ag等を含有させたAuより成るボンデイング線は
ボンデイング性に優れているが、機械的性質とり
わけ破断強度については十分なものが得られず高
速自動ボンダーに適用すると断線を引き起きすと
いう欠点があつた。 本発明はかかる欠点を解消すべくなされたもの
であり、Ptの純度が重量比で99.96%以上である
ことを特徴とする新規な半導体素子用ボンデイン
グ線を提供せんとするものである。 本発明の半導体素子用ボンデイング線におい
て、Ptの純度が重量比で99.96%以上に限定した
理由は、99.96%未満では、一般はPt中に含まれ
てにる酸化しやすいCu,Fe,Mg,Si,Ca,
Al,B,Cr,Ti,Mn等の卑金属や卑金属酸化物
等の不純物によつてPtの特性を阻害し、ボンデイ
ング性が低下するからである。 以下本発明による半導体素子用ボンデイング線
の効果を明瞭ならしめる為にその具体的な実施
例,比較例及び従来例について説明する。 下表の左欄に示す実施例1及び2のボンデイン
グ線(25μm)と比較例及び従来例のボンデイ
ング線(25μm)の機械的性質、とりわけ破断
強度と伸び率を比較試験し、更にH2炎使用のボ
ンデイング性について比較試験したところ、下記
の表の右欄に示すような結果を得た。
ドとの電気的接続に用いるボンデイング線に関す
る。 従来、半導体素子のチツプ電極と外部リードに
連なるリードフレーム又はケースの接続部との電
気的接続には、高純度のAu線が用いられてき
た。これは、通常半導体素子のチツプ電極にAu
のボンデイングパツドが形成されており、一方リ
ードフレーム又はケースの方にもAu又はAgが用
いられていた為に、前記接続線を温度300℃程度
で熱圧着したり、H2トーチでAu線をボールアツ
プした後熱圧着したり、超音波エネルギーで圧着
して接続していた。 このように従来用いられてきた半導体素子用の
ボンデイング線は、高純度のAuを原料にして線
加工により製造されていたが、ボンデイング速度
が早くなると0.05mm以下の細線である為に切断
してしまうという欠点があつた。 この為従来は、Ca,Be,Ge,Ni,Fe,Co,
Ag等を極く僅かAuに含有させて成るボンデイン
グ線を用いていた。 然し乍ら、前記Ca,Be,Ge,Ni,Fe,Co,
Ag等を含有させたAuより成るボンデイング線は
ボンデイング性に優れているが、機械的性質とり
わけ破断強度については十分なものが得られず高
速自動ボンダーに適用すると断線を引き起きすと
いう欠点があつた。 本発明はかかる欠点を解消すべくなされたもの
であり、Ptの純度が重量比で99.96%以上である
ことを特徴とする新規な半導体素子用ボンデイン
グ線を提供せんとするものである。 本発明の半導体素子用ボンデイング線におい
て、Ptの純度が重量比で99.96%以上に限定した
理由は、99.96%未満では、一般はPt中に含まれ
てにる酸化しやすいCu,Fe,Mg,Si,Ca,
Al,B,Cr,Ti,Mn等の卑金属や卑金属酸化物
等の不純物によつてPtの特性を阻害し、ボンデイ
ング性が低下するからである。 以下本発明による半導体素子用ボンデイング線
の効果を明瞭ならしめる為にその具体的な実施
例,比較例及び従来例について説明する。 下表の左欄に示す実施例1及び2のボンデイン
グ線(25μm)と比較例及び従来例のボンデイ
ング線(25μm)の機械的性質、とりわけ破断
強度と伸び率を比較試験し、更にH2炎使用のボ
ンデイング性について比較試験したところ、下記
の表の右欄に示すような結果を得た。
【表】
上記の表で明らかなように本発明の実施例のボ
ンデイング線は、従来例のボンデイング線に比
し、機械的性質即ち破断強度に優れていることが
判る。また実施例のボンデイング線は従来例のボ
ンデイング線と同等の優れた伸び率及びH2炎使
用のボンデイング性を有し、更に比較例に比し
H2炎使用のボンデイング性に優れていることが
判る。 以上詳記した通り本発明による半導体素子用ボ
ンデイング線は、特に破断強度に優れ、伸び率、
H2炎使用のボンデイング性も優れているので、
従来の半導体素子用ボンデイング線にとつて代わ
ることができる。
ンデイング線は、従来例のボンデイング線に比
し、機械的性質即ち破断強度に優れていることが
判る。また実施例のボンデイング線は従来例のボ
ンデイング線と同等の優れた伸び率及びH2炎使
用のボンデイング性を有し、更に比較例に比し
H2炎使用のボンデイング性に優れていることが
判る。 以上詳記した通り本発明による半導体素子用ボ
ンデイング線は、特に破断強度に優れ、伸び率、
H2炎使用のボンデイング性も優れているので、
従来の半導体素子用ボンデイング線にとつて代わ
ることができる。
Claims (1)
- 1 Ptの純度が重量比で99.96%以上であること
を特徴とする半導体素子用ボンデイング線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7362080A JPS56169340A (en) | 1980-05-31 | 1980-05-31 | Bonding wire for semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7362080A JPS56169340A (en) | 1980-05-31 | 1980-05-31 | Bonding wire for semiconductor element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56169340A JPS56169340A (en) | 1981-12-26 |
| JPS6243540B2 true JPS6243540B2 (ja) | 1987-09-14 |
Family
ID=13523546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7362080A Granted JPS56169340A (en) | 1980-05-31 | 1980-05-31 | Bonding wire for semiconductor element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56169340A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113241303A (zh) * | 2021-05-19 | 2021-08-10 | 合肥矽格玛应用材料有限公司 | 封装键合铂金丝及其制备方法 |
-
1980
- 1980-05-31 JP JP7362080A patent/JPS56169340A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56169340A (en) | 1981-12-26 |
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