JPS6243541B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6243541B2
JPS6243541B2 JP55073622A JP7362280A JPS6243541B2 JP S6243541 B2 JPS6243541 B2 JP S6243541B2 JP 55073622 A JP55073622 A JP 55073622A JP 7362280 A JP7362280 A JP 7362280A JP S6243541 B2 JPS6243541 B2 JP S6243541B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
wires
semiconductor devices
present
purity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP55073622A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS56169342A (en
Inventor
Norimasa Murakami
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tanaka Kikinzoku Kogyo KK filed Critical Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Priority to JP7362280A priority Critical patent/JPS56169342A/ja
Publication of JPS56169342A publication Critical patent/JPS56169342A/ja
Publication of JPS6243541B2 publication Critical patent/JPS6243541B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]

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  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子のチツプ電極と外部リー
ドとの電気的接続に用いるボンデイング線に関す
る。 従来、半導体素子のチツプ電極と外部リードに
連なるリードフレーム又はケースの接続部との電
気的接続には、高純度のAu線が用いられてき
た。これは、通常半導体素子のチツプ電極にAu
のボンデイングパツドが形成されており、一方リ
ードフレーム又はケースの方にもAu又はAgが用
いられていた為に、前記接続線を温度300℃程度
で熱圧着したり、電弧でAu線をボールアツプし
た後熱圧着したり、超音波エネルギーで圧着して
接続していた。 このように従来用いられてきた半導体素子用の
ボンデイング線は、高純度のAuを原料にして線
加工により製造されていたが、ボンデイング速度
が早くなると0.05mm以下の細線である為に切断
してしまうという欠点があつた。 この為従来は、Ca，Be，Ge，Ni，Fe，Co，
Ag等を極く僅かAuに含有させて成るボンデイン
グ線を用いていた。 然し乍ら、前記Ca，Be，Ge，Ni，Fe，Co，
Ag等を含有させたAuより成るボンデイング線は
ボンデイング性に優れているが、機械的性質とり
わけ破断強度については十分なものが得られず高
速自動ボンダーに適用すると断線を引き起こすと
いう欠点があつた。 本発明はかかる欠点を解消すべくなされたもの
であり、Pdの純度が重量比で99.97以上であるこ
とを特徴とする半導体素子用ボンデイング線を提
供せんとするものである。 本発明の半導体素子用ボンデイング線におい
て、Pdの純度が重量比で99.97％以上に限定した
理由は、99.97％未満では、一般にPd中に含まれ
ている酸化しやすいCu，Fe，Mg，Si，Al，
Ca，Ｂ，Cr，Zn，Sn，Pb等の卑金属や卑金属酸
化物の不純物によつてPdの特性を阻害し、ボン
デイング性が低下するからである。 以下本発明による半導体素子用ボンデイング線
の効果を明瞭ならしめる為にその具体的な実施
例，比較例及び従来例について説明する。 下表の左欄に示す実施例１及び２のボンデイン
グ線（25μｍ）と比較例及び従来例のボンデイ
ング線（25μｍ）の機械的性質、とりわけ破断
強度と伸び率を比較試験し、更に電弧使用のボン
デイング性について比較試験したところ、下記の
表の右欄に示すような結果を得た。
【表】 上記の表で明らかなように本発明の実施例のボ
ンデイング線は、従来例のボンデイング線に比
し、機械的性質即ち破断強度に優れていることが
判る。また実施例のボンデイング線は従来例のボ
ンデイング線と同等の優れた伸び率及び電弧使用
のボンデイング性を有し、更に比較例に比し電弧
使用のボンデイング性に優れていることが判る。 以上詳記した通り本発明による半導体素子用ボ
ンデイング線は、特に破断強度に優れ、伸び率、
電弧使用のボンデイング性も優れているので、従
来の半導体素子用ボンデイング線にとつて代わる
ことができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ Pdの純度が重量比で99.97％以上であること
    を特徴とする半導体素子用ボンデイング線。
JP7362280A 1980-05-31 1980-05-31 Bonding wire for semiconductor element Granted JPS56169342A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7362280A JPS56169342A (en) 1980-05-31 1980-05-31 Bonding wire for semiconductor element

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JP7362280A JPS56169342A (en) 1980-05-31 1980-05-31 Bonding wire for semiconductor element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS56169342A JPS56169342A (en) 1981-12-26
JPS6243541B2 true JPS6243541B2 (ja) 1987-09-14

Family

ID=13523596

Family Applications (1)

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JP7362280A Granted JPS56169342A (en) 1980-05-31 1980-05-31 Bonding wire for semiconductor element

Country Status (1)

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JP (1) JPS56169342A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59201454A (ja) * 1983-04-28 1984-11-15 Mitsubishi Metal Corp 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用Ｐｄ細線

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5424265A (en) * 1977-07-27 1979-02-23 Shii Bii Esu Yuugen Method of forming prefabbreinforcinggiron cage

Also Published As

Publication number Publication date
JPS56169342A (en) 1981-12-26

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