JPS624359A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS624359A JPS624359A JP60142528A JP14252885A JPS624359A JP S624359 A JPS624359 A JP S624359A JP 60142528 A JP60142528 A JP 60142528A JP 14252885 A JP14252885 A JP 14252885A JP S624359 A JPS624359 A JP S624359A
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- JP
- Japan
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- register
- transfer
- vertical
- registers
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- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は固体撮像装置ζ二関する。
高解像度化またはカラ=化の行なわれた例えばCOD固
体撮像装置(=おいて、aIN比の向上、水平CODレ
ジスター駆動及び信号処理の容易化を計るには、水平C
ODレジスターを2線または3線にすることが有効であ
る。
体撮像装置(=おいて、aIN比の向上、水平CODレ
ジスター駆動及び信号処理の容易化を計るには、水平C
ODレジスターを2線または3線にすることが有効であ
る。
第4図は2線水平レジスター41を有するCOD固体撮
像装置の構成例を示す。奇数列および偶数列の垂直レジ
スター42.43から転送された信号電荷は、それぞれ
第1および第2水平レジスタ744゜45:;転送され
た後、信号として読み出される。ここで、第2水平レジ
スター45に転送される信号電荷は一旦第1水平レジス
ター44に蓄積された後、水平シフトゲート46によっ
て転送されている。しかし、この転送は、転送経路であ
るチャネルの幅の変化1:起因した狭デャネル効果によ
り、不完全転送モード(:なり易い。この場合、撮像画
面上に綾状の黒線が発生し、画質が劣化する。
像装置の構成例を示す。奇数列および偶数列の垂直レジ
スター42.43から転送された信号電荷は、それぞれ
第1および第2水平レジスタ744゜45:;転送され
た後、信号として読み出される。ここで、第2水平レジ
スター45に転送される信号電荷は一旦第1水平レジス
ター44に蓄積された後、水平シフトゲート46によっ
て転送されている。しかし、この転送は、転送経路であ
るチャネルの幅の変化1:起因した狭デャネル効果によ
り、不完全転送モード(:なり易い。この場合、撮像画
面上に綾状の黒線が発生し、画質が劣化する。
本発明は1述の問題に対処したものであり、水平シフト
ゲート46部における転送を良好に行ない、前述の黒線
の発生を抑えることのできる固体撮像装置を提供するも
のである。
ゲート46部における転送を良好に行ない、前述の黒線
の発生を抑えることのできる固体撮像装置を提供するも
のである。
本発明は、垂直レジスタから離れる方向に、電荷の注入
方向に沿って水平レジスター役のチャネル幅を順次大と
する事を骨子とする。
方向に沿って水平レジスター役のチャネル幅を順次大と
する事を骨子とする。
本発明によれば狭チャネル効果の影響が小さくなり、良
好な転送のもとに黒線のない高画質の画面が得られる。
好な転送のもとに黒線のない高画質の画面が得られる。
第1図はストレ・「ブタイブカラー固体撮像装置の実施
例の半導体基板の平面図、第2図(、)(b)はその断
面図である。
例の半導体基板の平面図、第2図(、)(b)はその断
面図である。
詳述すれば、撮像領域の奇数列の垂直CODレジスター
42.偶数列の垂直CODレジスター43がWIJ1段
の水平CODレジスターI、水平シフトゲート電極5.
第2段の水平CCDレジスター45から成る2線水平C
ODレジスターに接続されている。撮像領′域では、垂
直CODレジスター42.43は2又構成となっており
、夫々垂直CODレジスター(;1]で示す画素が付属
している。R−G−B−Gを単位とする繰り返しでアレ
イが形成されている。画素上の垂直CCDレジスターの
垂直最終転層電極3.(pV)に続いて切り換え転送電
極17 (OGI) 、 18 (OG2 )を有する
。lotのON期間では赤色〔几〕画素。
42.偶数列の垂直CODレジスター43がWIJ1段
の水平CODレジスターI、水平シフトゲート電極5.
第2段の水平CCDレジスター45から成る2線水平C
ODレジスターに接続されている。撮像領′域では、垂
直CODレジスター42.43は2又構成となっており
、夫々垂直CODレジスター(;1]で示す画素が付属
している。R−G−B−Gを単位とする繰り返しでアレ
イが形成されている。画素上の垂直CCDレジスターの
垂直最終転層電極3.(pV)に続いて切り換え転送電
極17 (OGI) 、 18 (OG2 )を有する
。lotのON期間では赤色〔几〕画素。
青色CB)画素の信号が通過し、ダG、のON期間では
緑色CG)画素の信号が通過することになる。
緑色CG)画素の信号が通過することになる。
従ってその先は2本のチャネルが1本とされ第1層ポリ
別よりなる水平転送ストレージ電極4(二人る。
別よりなる水平転送ストレージ電極4(二人る。
水平レジスタ一部では、基本的には2層の転送電極構成
である。、第1段水平CCDレジスターでは上記水平転
送ストレージ電極4の延在部、水平転送ストレージ電極
7−1.7−2.7−3 (1”t )が第1層ポリS
t 、水平転層バリアー電極8−1.8−3 (、mH
鵞)が第3層ボ981で形成されている。そして、下側
に水平シフトゲート46が形成される。ここでは基板よ
り高濃度のチャネルストッパー10が選択的に拡散(又
はイオン注入)形成され、その窓部より第1段水平レジ
スターのストレージ電極4の延在部を通過したa又はB
信号が第2段水平シフトゲート:二転送される。この転
送は第2層ポリSiよりなる水平シフトゲート電極5(
HG)がONの時なされる。従ってこれがOFFの時は
G信号が第1段レジスターで止められる。几、B信号は
フィルター(二より低レベルの信号である事を考慮して
d、−が大きい2段目とした。第2Rレジスターは、第
1段における前記水平転送ストレージ電a4の延在部C
:対応した第1層ポリ8+よりなる水平転送ストレージ
電極6−1.6−2 (OH*) 、及び前記水平転送
バリアー電極8−1.8−2、水平転送ストレージ電8
i?−1,7−2,7−3より成る。
4上述のように第1段水平CCDレジスターの水平転送
ストレージ電極4のチャネル幅d、に比べて、第2段の
水平転送ストレージ電極6−1.6−2のチャネル幅d
、が拡げられ、狭チャネル効果による転送不良が防止さ
れ、高画質化が図られている。第2図は人−゛A′、B
−B′断面を示す。又ム−にと構造は同じであるためC
−σ断面は省略する。
である。、第1段水平CCDレジスターでは上記水平転
送ストレージ電極4の延在部、水平転送ストレージ電極
7−1.7−2.7−3 (1”t )が第1層ポリS
t 、水平転層バリアー電極8−1.8−3 (、mH
鵞)が第3層ボ981で形成されている。そして、下側
に水平シフトゲート46が形成される。ここでは基板よ
り高濃度のチャネルストッパー10が選択的に拡散(又
はイオン注入)形成され、その窓部より第1段水平レジ
スターのストレージ電極4の延在部を通過したa又はB
信号が第2段水平シフトゲート:二転送される。この転
送は第2層ポリSiよりなる水平シフトゲート電極5(
HG)がONの時なされる。従ってこれがOFFの時は
G信号が第1段レジスターで止められる。几、B信号は
フィルター(二より低レベルの信号である事を考慮して
d、−が大きい2段目とした。第2Rレジスターは、第
1段における前記水平転送ストレージ電a4の延在部C
:対応した第1層ポリ8+よりなる水平転送ストレージ
電極6−1.6−2 (OH*) 、及び前記水平転送
バリアー電極8−1.8−2、水平転送ストレージ電8
i?−1,7−2,7−3より成る。
4上述のように第1段水平CCDレジスターの水平転送
ストレージ電極4のチャネル幅d、に比べて、第2段の
水平転送ストレージ電極6−1.6−2のチャネル幅d
、が拡げられ、狭チャネル効果による転送不良が防止さ
れ、高画質化が図られている。第2図は人−゛A′、B
−B′断面を示す。又ム−にと構造は同じであるためC
−σ断面は省略する。
第3図は、各電極のタイミング図である。図は水平レジ
スターへ、JB倍信号びG信号を注入するlナイクル及
び、それ口続く水平転送期間を示す。
スターへ、JB倍信号びG信号を注入するlナイクル及
び、それ口続く水平転送期間を示す。
即ち、この例では、画素アレーfの最下段から1段ずつ
水平レジスターを通して読み出される。
水平レジスターを通して読み出される。
尚、水平レジスターの段を追う毎に注入用のストレージ
電極のチャネル幅を大とすればよいが、第1図に示す様
にs ’l 24m * ’l =’4として水平レジ
スタの電極対の面積を等しくすると効率上都合が良い。
電極のチャネル幅を大とすればよいが、第1図に示す様
にs ’l 24m * ’l =’4として水平レジ
スタの電極対の面積を等しくすると効率上都合が良い。
上記例では2段構成の場合を示したが、3段するような
場合も有効である。
場合も有効である。
第1図は本発明の実施例の平面図、第2図はその断面図
、第3図はタイミング図、?J&4図は従来例の平面図
である。 図において。 l・・・垂直CCDチャネル 2・・・フィールド部(S;0□) 3・・・垂直最終転送電極(第2層ボ!J81)4・・
・水平転送ストレーレ電極(第1層ポリ旧)5・・・水
平シフトゲート電極(第1層ポリ8+ )6−1.6−
2・・・水平転送ストレージ1!橋(第1層ポリ8+)
?−1.7−2.7−3・・・水平転送ストレージ電極
(第1層ポリSt ) 8−1.8−2・・・水平転送バリアー電j(第3層ポ
98+)9−1.9−2・・・水平転送バリアー電極(
第3層ボ!J 81)10・・・チャネルストッパ一層 11・・・シリコン酸化膜 12・・・保、1i膜 13・・・P型シリコン基板 14.16・・・ストレージチャネル層15・・・バリ
アーチャネル層 17・・・切り換え転送電極(第2層ボ98i )18
・・・切り換え転送電極(第3層ポ98i )代理人弁
理士 則近憲佑・同竹花喜久男第 1 図 ρ− 第 2 図 第 3 図
、第3図はタイミング図、?J&4図は従来例の平面図
である。 図において。 l・・・垂直CCDチャネル 2・・・フィールド部(S;0□) 3・・・垂直最終転送電極(第2層ボ!J81)4・・
・水平転送ストレーレ電極(第1層ポリ旧)5・・・水
平シフトゲート電極(第1層ポリ8+ )6−1.6−
2・・・水平転送ストレージ1!橋(第1層ポリ8+)
?−1.7−2.7−3・・・水平転送ストレージ電極
(第1層ポリSt ) 8−1.8−2・・・水平転送バリアー電j(第3層ポ
98+)9−1.9−2・・・水平転送バリアー電極(
第3層ボ!J 81)10・・・チャネルストッパ一層 11・・・シリコン酸化膜 12・・・保、1i膜 13・・・P型シリコン基板 14.16・・・ストレージチャネル層15・・・バリ
アーチャネル層 17・・・切り換え転送電極(第2層ボ98i )18
・・・切り換え転送電極(第3層ポ98i )代理人弁
理士 則近憲佑・同竹花喜久男第 1 図 ρ− 第 2 図 第 3 図
Claims (1)
- 複線水平レジスターを備えた固体撮像装置において、水
平レジスター間で、電荷注入部の転送チャネルの幅を垂
直レジスターからの信号電荷の転送方向に順次大と為し
た事を特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142528A JPS624359A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60142528A JPS624359A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS624359A true JPS624359A (ja) | 1987-01-10 |
Family
ID=15317452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60142528A Pending JPS624359A (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS624359A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01268052A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPH01308072A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-12 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPH025474A (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-10 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| US5182622A (en) * | 1989-02-14 | 1993-01-26 | Sony Corporation | Charge coupled device imager having multichannel readout structure |
| US5532503A (en) * | 1992-09-11 | 1996-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charge transfer device with multi-line read structure |
-
1985
- 1985-07-01 JP JP60142528A patent/JPS624359A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01268052A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPH01308072A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-12 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPH025474A (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-10 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| US5182622A (en) * | 1989-02-14 | 1993-01-26 | Sony Corporation | Charge coupled device imager having multichannel readout structure |
| US5532503A (en) * | 1992-09-11 | 1996-07-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charge transfer device with multi-line read structure |
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