JPS6244366A - 半導体ウエハの研削方法 - Google Patents
半導体ウエハの研削方法Info
- Publication number
- JPS6244366A JPS6244366A JP60180521A JP18052185A JPS6244366A JP S6244366 A JPS6244366 A JP S6244366A JP 60180521 A JP60180521 A JP 60180521A JP 18052185 A JP18052185 A JP 18052185A JP S6244366 A JPS6244366 A JP S6244366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grinding
- wafer
- envelope
- ground
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウェハの表面研削、特にグラインダラッ
ピング方法に関するものである。
ピング方法に関するものである。
従来のグラインダラッピングの一例を図を用いて説明す
る。
る。
一般に、シリコン単結晶をスライス（輸切り）して得ら
れたシリコンウェハは６００μｍ程度の膜厚を有してい
る。このウェハを砥石により研削し２００μｍ程度にす
るのがグラインダラッピング工程である。
れたシリコンウェハは６００μｍ程度の膜厚を有してい
る。このウェハを砥石により研削し２００μｍ程度にす
るのがグラインダラッピング工程である。
従来は第３図に示すようにシリコンウェハ２上で砥石３
を一方向に回転させることにより研削していた。
を一方向に回転させることにより研削していた。
そしてこの研削されたウェハ２は複数の素子に分割され
、各素子は半導体装置の外囲器に固着用ロウ材で固定さ
れる。
、各素子は半導体装置の外囲器に固着用ロウ材で固定さ
れる。
従来、上記のようにウェハ２の研削を砥石３の一方向の
回転のみにより行なっているため、このウェハ２の研削
面は第３図（ｂ）に示すような一方向の研削溝が形成さ
れる。
回転のみにより行なっているため、このウェハ２の研削
面は第３図（ｂ）に示すような一方向の研削溝が形成さ
れる。
そして、このような一方向の研削溝の形成された素子を
外囲器にろう材で固着すると、外囲器との接触面積が小
さいため、この固着部での接触抵抗が太くなる。
外囲器にろう材で固着すると、外囲器との接触面積が小
さいため、この固着部での接触抵抗が太くなる。
ところでＰＮアイソレーションによる集積回路では半導
体基板を通じての、寄生ＰＮＰなどによる漏れ電流が完
全には防止できない。このため上記のように素子と外囲
器との接触抵抗が大きい場合、漏れ電流により電圧降下
が大きくなる。そして、漏れ電流の生じた部分における
素子内部電位が不必要に高くなり近くの態動領域へ不所
望なバイアスを与え誤動作させる。
体基板を通じての、寄生ＰＮＰなどによる漏れ電流が完
全には防止できない。このため上記のように素子と外囲
器との接触抵抗が大きい場合、漏れ電流により電圧降下
が大きくなる。そして、漏れ電流の生じた部分における
素子内部電位が不必要に高くなり近くの態動領域へ不所
望なバイアスを与え誤動作させる。
また、上記素子への電気信号、例えばコレクタ電流を上
記外囲器の固着部から入出力する場合、ここで接触抵抗
が大きいと消費電力が大きくなってしまう。
記外囲器の固着部から入出力する場合、ここで接触抵抗
が大きいと消費電力が大きくなってしまう。
このような問題を解決する方法として、例えばウェハ２
の研削終了後、ダイヤモンドカッタなど研削面に複数の
引っかき傷を形成することも考えられるが、この場合工
程数が増えて生産効率が悪くなる。
の研削終了後、ダイヤモンドカッタなど研削面に複数の
引っかき傷を形成することも考えられるが、この場合工
程数が増えて生産効率が悪くなる。
本発明は上記従来の問題点を解決し、半導体素子の外囲
器へのろう材による固着に際し、この外囲器との接触抵
抗が小さい素子をラッピング工程で簡単に形成すること
ができる半導体ウェハの研削方法を提供することを目的
とする。
器へのろう材による固着に際し、この外囲器との接触抵
抗が小さい素子をラッピング工程で簡単に形成すること
ができる半導体ウェハの研削方法を提供することを目的
とする。
本発明は上記目的を達成するための、研削砥石を用いて
半導体ウェハを研削するにあたりこの研削面に少なくと
も２方間以上の研削溝を形成することを特徴とする半導
体ウェハの研削方法である。
半導体ウェハを研削するにあたりこの研削面に少なくと
も２方間以上の研削溝を形成することを特徴とする半導
体ウェハの研削方法である。
本発明方法を用いて半導体ウェハの裏面（外囲器との接
合面）を研削する一実施例を図を用いて説明する。
合面）を研削する一実施例を図を用いて説明する。
第１工程 第１図（ａ）に示されるように、固定台１に
膜厚的６００μｍの半導体ウェハ２を固定し、第１の砥
石３ａを矢印×で示される方向に回転させる。そして固
定台１を矢印Ｙで示される方向へ移動させウェハ２を第
１の砥石３ａにより膜厚的３００μｍになるよう研削す
る。（荒研削工程）第２工程 第１図（ｂ）に示される
ように、荒研削工程により膜厚的３００μｍとなったウ
ェハ２をさらに第２の砥石３ｂにより、膜厚的２００μ
ｍとなるよう研削する。この工程によりウェハ２には深
き数μｍの一方向の研削溝が形成される。（中仕上工程
） 第３工程 第１図（ｃ）Ｋ示されるように、ウェハ２の
位置を９０°回転移動し第３砥石３ｃにより表面を軽ろ
く削る。これによりウェハ２の表面には第１図（ｄ）に
示すように網目状の研削溝が形成される。
膜厚的６００μｍの半導体ウェハ２を固定し、第１の砥
石３ａを矢印×で示される方向に回転させる。そして固
定台１を矢印Ｙで示される方向へ移動させウェハ２を第
１の砥石３ａにより膜厚的３００μｍになるよう研削す
る。（荒研削工程）第２工程 第１図（ｂ）に示される
ように、荒研削工程により膜厚的３００μｍとなったウ
ェハ２をさらに第２の砥石３ｂにより、膜厚的２００μ
ｍとなるよう研削する。この工程によりウェハ２には深
き数μｍの一方向の研削溝が形成される。（中仕上工程
） 第３工程 第１図（ｃ）Ｋ示されるように、ウェハ２の
位置を９０°回転移動し第３砥石３ｃにより表面を軽ろ
く削る。これによりウェハ２の表面には第１図（ｄ）に
示すように網目状の研削溝が形成される。
（最終仕上げ工程）
上記のようにして、網目状の研削溝の形成されたウェハ
２は複数の素子に分割され、個々の素子は第２図に示す
ように前述した研削面を、ろう材４を介して外囲器５Ｖ
こ接着・固定される。そしてこの素子２ｂの上面のｔ極
はポンディングワイヤ５への接着面をグラインダラッピ
ング工程で網目状にすることにより外囲器５との接触抵
抗を小さくすることができる。
２は複数の素子に分割され、個々の素子は第２図に示す
ように前述した研削面を、ろう材４を介して外囲器５Ｖ
こ接着・固定される。そしてこの素子２ｂの上面のｔ極
はポンディングワイヤ５への接着面をグラインダラッピ
ング工程で網目状にすることにより外囲器５との接触抵
抗を小さくすることができる。
そしてこのようにゲラインダニ程で網目状の研削溝の形
成されたウェハ２は一方向の研削溝の形成されたウェハ
よりも表面積が大きくなる。このためこのウェハ２を分
割して形成される素子２ｂはろう材４との接合面積が大
きくなり、外囲器５との接触抵抗が低減する。
成されたウェハ２は一方向の研削溝の形成されたウェハ
よりも表面積が大きくなる。このためこのウェハ２を分
割して形成される素子２ｂはろう材４との接合面積が大
きくなり、外囲器５との接触抵抗が低減する。
従って、漏れ電流による不所望な高電位は低減され、誤
動作が防止される。そし７て消費電力も低減される。
動作が防止される。そし７て消費電力も低減される。
また、従来はろう材４として導電性の良いＳｎ −ｐｂ
などの半田を用いていたが、多少半田より導電性は小さ
いが、安価な銀含有樹脂基等の接着剤を用いることが可
能となる。
などの半田を用いていたが、多少半田より導電性は小さ
いが、安価な銀含有樹脂基等の接着剤を用いることが可
能となる。
加えてろう材４との接触面積が太きいため外囲器５の接
着強度が向上する。
着強度が向上する。
本発明は上記一実施例に限定されるものではなく、例え
ば半導体ウェハの膜厚は２００μｍでなくともよい。ま
た砥石は３種類以上用いてより細かな網目状の研削溝を
形成してもよい。
ば半導体ウェハの膜厚は２００μｍでなくともよい。ま
た砥石は３種類以上用いてより細かな網目状の研削溝を
形成してもよい。
本発明方法によると、研削砥石により半導体ウェハに網
目状の研削溝を形成することにより、外囲器との接触抵
抗の小さい素子を簡単に形成することができるという効
果がある。
目状の研削溝を形成することにより、外囲器との接触抵
抗の小さい素子を簡単に形成することができるという効
果がある。
第１図（ａ）乃至（ｃ）は本発明の一実施例方法を示す
工程図同図（ａ）はこの実施例により形成さ′れたウエ
ハ上の網目状の研削溝を示すウェハ斜視図、第一２図は
本発明の一実施例方法により研削されたウェハを分割形
成した素子を外囲器に接着・固定した状態を示す側面図
、第３図（ａ）は従来の研削方法を示す斜視図、同図（
ｂ）は従来の一方向の研削溝の形成されたウェハを示す
斜視図である。 回 尺即 荊天 第１囚 （ａ） 第１図 （Ｃ） （ｄ） 第２図 第 ３ ｒＡ
工程図同図（ａ）はこの実施例により形成さ′れたウエ
ハ上の網目状の研削溝を示すウェハ斜視図、第一２図は
本発明の一実施例方法により研削されたウェハを分割形
成した素子を外囲器に接着・固定した状態を示す側面図
、第３図（ａ）は従来の研削方法を示す斜視図、同図（
ｂ）は従来の一方向の研削溝の形成されたウェハを示す
斜視図である。 回 尺即 荊天 第１囚 （ａ） 第１図 （Ｃ） （ｄ） 第２図 第 ３ ｒＡ
Claims (1)
- 研削砥石を用いて、半導体ウェハを研削するにあたりこ
の研削面に少なくとも２方向以上の研削溝を形成するこ
とを特徴とする半導体ウェハの研削方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60180521A JPS6244366A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 半導体ウエハの研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60180521A JPS6244366A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 半導体ウエハの研削方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6244366A true JPS6244366A (ja) | 1987-02-26 |
Family
ID=16084718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60180521A Pending JPS6244366A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 半導体ウエハの研削方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6244366A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7098108B1 (en) * | 1998-06-30 | 2006-08-29 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor device having reduced effective substrate resistivity and associated methods |
| JP2018182129A (ja) * | 2017-04-17 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
-
1985
- 1985-08-19 JP JP60180521A patent/JPS6244366A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7098108B1 (en) * | 1998-06-30 | 2006-08-29 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor device having reduced effective substrate resistivity and associated methods |
| JP2018182129A (ja) * | 2017-04-17 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6448151B2 (en) | Process for producing a large number of semiconductor chips from a semiconductor wafer | |
| JPH05335411A (ja) | ペレットの製造方法 | |
| TWI805872B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
| TWI759401B (zh) | 研磨輪 | |
| KR20170008672A (ko) | 드레서 툴 및 이 드레서 툴을 사용한 절삭 블레이드의 선단 형상 성형 방법 | |
| JP2019220632A (ja) | 被加工物の加工方法 | |
| JP2000031099A (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
| CN109427631A (zh) | 多刀刀具和被加工物的加工方法 | |
| CN110977754A (zh) | 矩形基板的磨削方法 | |
| JP2658135B2 (ja) | 半導体基板 | |
| JPH10209408A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JP4471801B2 (ja) | 半導体ウェハの研削装置及びその研削方法 | |
| JP2005501420A (ja) | 透過性基板上のカラー画像センサ及びその製造方法 | |
| JP7687851B2 (ja) | 積層デバイスチップの製造方法 | |
| JPS61256621A (ja) | 接着型半導体基板の製造方法 | |
| JP7841906B2 (ja) | 加工方法 | |
| JP3175619B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP2014053357A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| US20230234183A1 (en) | Method of processing workpiece | |
| JP2018056459A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP2001176830A (ja) | 半導体装置の裏面研削方法 | |
| JPS62243332A (ja) | 半導体ウエハの加工方法 | |
| DE60123709D1 (de) | Herstellungsverfahren einer hybriden integrierten schaltung mit einem halbleiterbauelement und einem piezoelektrischen filter | |
| JP3573237B2 (ja) | 張り合わせ用支持基板およびその作製方法 | |
| JPH1116861A (ja) | 半導体装置の製造方法 |