JPS6244636A - 温度測定装置 - Google Patents
温度測定装置Info
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- JPS6244636A JPS6244636A JP18626785A JP18626785A JPS6244636A JP S6244636 A JPS6244636 A JP S6244636A JP 18626785 A JP18626785 A JP 18626785A JP 18626785 A JP18626785 A JP 18626785A JP S6244636 A JPS6244636 A JP S6244636A
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- optical fiber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は光ファイバを伝送路として用い被測定温度を
光学的に測定する温度測定装置に関するものである。
光学的に測定する温度測定装置に関するものである。
［従来の技術］
第３図は例えば特開昭５７−７９４１７号公報に示され
たこの種従来の温度測定装置を示すブロック図゛ で
、図中（ｌａ）、（ｌｂ）は発光素子（Ｅｉａ） 、
（８ｂ）をそれぞれ駆動する発光素子駆動回路、（２）
及び（４）はそれぞれ第１及び第２の光ファイバ、（７
）は光結合器、（８ａ） 、 （８ｂ）はそれぞれ光フ
ァイバ、（８）は温度センサで、第４図の拡大図に示す
ように、温度によって光の透過率が変化する材料（３）
（例えばＧａＡｓ等の半導体結晶あるいは非晶質体）を
光ファイバ（２）と（４）との間に嵌挿させて接着剤（
８ａ）で取付けたものである。 （１０）は受光素子で
。
たこの種従来の温度測定装置を示すブロック図゛ で
、図中（ｌａ）、（ｌｂ）は発光素子（Ｅｉａ） 、
（８ｂ）をそれぞれ駆動する発光素子駆動回路、（２）
及び（４）はそれぞれ第１及び第２の光ファイバ、（７
）は光結合器、（８ａ） 、 （８ｂ）はそれぞれ光フ
ァイバ、（８）は温度センサで、第４図の拡大図に示す
ように、温度によって光の透過率が変化する材料（３）
（例えばＧａＡｓ等の半導体結晶あるいは非晶質体）を
光ファイバ（２）と（４）との間に嵌挿させて接着剤（
８ａ）で取付けたものである。 （１０）は受光素子で
。
光電変換装置（５）の入力部を取り出したものを示した
ものである。また、 （ｌｌａ）、（ｌｌｂ）はスイッ
チ回路、（１２ａ） 、（１２ｂ）は平滑回路、 （１
４）は演算器、（１３ａ）、（１３ｂ）はパルス発生器
テアル。
ものである。また、 （ｌｌａ）、（ｌｌｂ）はスイッ
チ回路、（１２ａ） 、（１２ｂ）は平滑回路、 （１
４）は演算器、（１３ａ）、（１３ｂ）はパルス発生器
テアル。
第５図は上記パルス発生器（１３ａ） 、 （１３ｂ）
の出力を示す波形図であって、第５図（ａ）はパルス発
生器（１３ａ）の出力電圧、第５図（ｂ）はパルス発生
器（１３ｂ）の出力電圧を示す、また第６図は上記温度
センサ（８）の波長依存性と温度との関係の一例を示す
特性図で、この第６図から明らかなように、波長入２の
光は温度Ｔ１〜Ｔ３の範囲で変化するときに温度センサ
（９）の透過率が変化するが、波長入４の光は温度が変
化しても温度センサ（９）の透過率は変化しなく、第３
図に示す発光素子（６ａ）は、波長入２の光を発光し、
発光素子（６ｂ）は波長入４の光を発光するように選定
してあり、入４を第１の波長、入２を第２の波長とし、
また発光素子駆動回路（１ａ）には第５図（ａ）に示す
電圧を加えて発光素子（６ａ）を発光させ、発光素子駆
動回路（ｌｂ）には第５図（ｂ）に示す電圧を加えて発
光素子（８ｂ）を発光させるようになっている。
の出力を示す波形図であって、第５図（ａ）はパルス発
生器（１３ａ）の出力電圧、第５図（ｂ）はパルス発生
器（１３ｂ）の出力電圧を示す、また第６図は上記温度
センサ（８）の波長依存性と温度との関係の一例を示す
特性図で、この第６図から明らかなように、波長入２の
光は温度Ｔ１〜Ｔ３の範囲で変化するときに温度センサ
（９）の透過率が変化するが、波長入４の光は温度が変
化しても温度センサ（９）の透過率は変化しなく、第３
図に示す発光素子（６ａ）は、波長入２の光を発光し、
発光素子（６ｂ）は波長入４の光を発光するように選定
してあり、入４を第１の波長、入２を第２の波長とし、
また発光素子駆動回路（１ａ）には第５図（ａ）に示す
電圧を加えて発光素子（６ａ）を発光させ、発光素子駆
動回路（ｌｂ）には第５図（ｂ）に示す電圧を加えて発
光素子（８ｂ）を発光させるようになっている。
このような第３図構成において、発光素子（８ａ）から
の波長入２の光は光ファイバ（８ａ）を経て、また発光
素子（６ｂ）からの波長入４の光は光ファイバ（８ｂ）
を経七光結合器（７）で加え合されて第１の光ファイバ
（２）に入射される０発光素子駆動回路（Ｉａ）、（ｌ
ｂ） 、発光素子（８ａ）、（８ｂ） 、光７フイバ（
８ａ） 、 （８ｂ）及び光結合器（７）を総合して光
源とすれば、この光源は第１の波長の光と第２の波長の
光とを時分割的に発生して第１の光ファイバ（２）に入
射させることができる。この入射された光が第１の光フ
ァイバ（２）、温度センサ（８）、第２光ファイバ（４
）を経て受光素子（１０）に入射し電圧信号に変換され
光電変換装置（５）で増幅されてスイッチ回路（ｌｌａ
）、（ｌｌｂ）に入力する。しかして、このスイッチ回
路（ｌｌａ）、（ｌｌｂ）はそれぞれ第５図（ａ）及び
（ｂ）に示すパルスで発光素子駆動回路（８ａ） 、
（８ｂ）と同期して制御されるので、スイッチ回路（ｌ
ｌａ）からは波長λ２の光が変換された電圧信号だけが
出力し、スイッチ回路（ｌｌｂ）からは波長入４の光が
変換された電圧信号だけが出力する。これらの出力をそ
れぞれ平滑回路（１２ａ）。
の波長入２の光は光ファイバ（８ａ）を経て、また発光
素子（６ｂ）からの波長入４の光は光ファイバ（８ｂ）
を経七光結合器（７）で加え合されて第１の光ファイバ
（２）に入射される０発光素子駆動回路（Ｉａ）、（ｌ
ｂ） 、発光素子（８ａ）、（８ｂ） 、光７フイバ（
８ａ） 、 （８ｂ）及び光結合器（７）を総合して光
源とすれば、この光源は第１の波長の光と第２の波長の
光とを時分割的に発生して第１の光ファイバ（２）に入
射させることができる。この入射された光が第１の光フ
ァイバ（２）、温度センサ（８）、第２光ファイバ（４
）を経て受光素子（１０）に入射し電圧信号に変換され
光電変換装置（５）で増幅されてスイッチ回路（ｌｌａ
）、（ｌｌｂ）に入力する。しかして、このスイッチ回
路（ｌｌａ）、（ｌｌｂ）はそれぞれ第５図（ａ）及び
（ｂ）に示すパルスで発光素子駆動回路（８ａ） 、
（８ｂ）と同期して制御されるので、スイッチ回路（ｌ
ｌａ）からは波長λ２の光が変換された電圧信号だけが
出力し、スイッチ回路（ｌｌｂ）からは波長入４の光が
変換された電圧信号だけが出力する。これらの出力をそ
れぞれ平滑回路（１２ａ）。
（１２ｂ）により平滑化した直流電圧をそれぞれＶ（λ
２） 、Ｖ（λ４）とすれば、演算器（１４）ｊｉＶ、
＝Ｖ（入２）／Ｖ（入４）に比例する電圧を出力する。
２） 、Ｖ（λ４）とすれば、演算器（１４）ｊｉＶ、
＝Ｖ（入２）／Ｖ（入４）に比例する電圧を出力する。
仮に、Ｖ（入４）を第１の電圧信号、■（入２）を第２
の電圧信号とすると、先に説明したように、波長入４の
光は温度センサ（８）を通過しても温度によって強度の
変化は無く、波長入２の光は温度センサ（８）の温度に
よってその強度が変化する。また温度センサ（８）の光
ファイバ（２）、（４）と透過率変化材料（３）との結
合効率が変化すると、波長入２の光も波長入４の光もそ
の強度が同じように変化すルタメ、演算器（１４） テ
Ｖｏ＝ Ｖ（入２）／ Ｖ（入ａ）（７）演算をして信
号ＶＯを出力すれば、この信号Ｖｏには温度センサの結
合効率の変化による出力の変動が除去されることになる
。
の電圧信号とすると、先に説明したように、波長入４の
光は温度センサ（８）を通過しても温度によって強度の
変化は無く、波長入２の光は温度センサ（８）の温度に
よってその強度が変化する。また温度センサ（８）の光
ファイバ（２）、（４）と透過率変化材料（３）との結
合効率が変化すると、波長入２の光も波長入４の光もそ
の強度が同じように変化すルタメ、演算器（１４） テ
Ｖｏ＝ Ｖ（入２）／ Ｖ（入ａ）（７）演算をして信
号ＶＯを出力すれば、この信号Ｖｏには温度センサの結
合効率の変化による出力の変動が除去されることになる
。
［発明が解決しようとする問題点１
以上のように従来の温度測定装置は構成されているので
、２つの光源の波長とその強度を一定に保つ必要があり
、このため、恒温器の中に光源を入れるなど一定に保つ
ための制御が必要で装置が高価、かつ大形になる欠点が
あった。
、２つの光源の波長とその強度を一定に保つ必要があり
、このため、恒温器の中に光源を入れるなど一定に保つ
ための制御が必要で装置が高価、かつ大形になる欠点が
あった。
この発明は上記のような従来のもの欠点を除去するため
になされたもので、光源の波長変動やその強度変動の影
響を受けることなく温度を正確に測定できる温度測定装
置を提供することを目的とする。
になされたもので、光源の波長変動やその強度変動の影
響を受けることなく温度を正確に測定できる温度測定装
置を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係る温度測定装置は、被測定温度に応じて変
位する半導体片を光ファイバ通路に設け、この半導体片
の吸収端波長より短い波長の光と長い波長の光の２つの
波長の光を単一の光ファイバに入射させ、出射光の波長
間の比を求めるものである。
位する半導体片を光ファイバ通路に設け、この半導体片
の吸収端波長より短い波長の光と長い波長の光の２つの
波長の光を単一の光ファイバに入射させ、出射光の波長
間の比を求めるものである。
［作用］
この発明による温度測定装置においては、単一の光ファ
イバで２波長の光を送受するようにすれば被測定温度に
よりその内の１波長の光だけが変化するので２波長の比
をとることで光伝送路でのロス変化の影響を受けずに安
定した測定ができる。
イバで２波長の光を送受するようにすれば被測定温度に
よりその内の１波長の光だけが変化するので２波長の比
をとることで光伝送路でのロス変化の影響を受けずに安
定した測定ができる。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を第１図に基づいて１ 説
明する。図において、（１７）は後述する第２図に示す
光の吸収端波長特性を有する半導体片、（１８）は被測
定温度により該半導体片（１７）を変位させる変位機構
、この変位機構は両端が固定されたバイメタルでなり、
該バイメタルは温度による膨張係数の異なる２種の材料
を貼り合せられて両端が固定されていて、温度により撓
みこれに取付られる半導体片（１７）を変位させるよう
になっている。
明する。図において、（１７）は後述する第２図に示す
光の吸収端波長特性を有する半導体片、（１８）は被測
定温度により該半導体片（１７）を変位させる変位機構
、この変位機構は両端が固定されたバイメタルでなり、
該バイメタルは温度による膨張係数の異なる２種の材料
を貼り合せられて両端が固定されていて、温度により撓
みこれに取付られる半導体片（１７）を変位させるよう
になっている。
（１９ａ） 、 （１９ｂ）はレンズ、（２０ａ） 、
（２０ｂ）は光７フイバを示し、上記半導体片（１７
）は変位機構（１８）の中央部下面に固着されて光ファ
イバ（２０ａ） 、 レンズ（１９ａ）と光７フイバ（
２０ｂ） 、 Ｌ／ ７ズ（１９ｂ） ノ光ファイバ
通路間に設けられて常時はその間を通る平行ビームをし
ヤ断するように配置され、被測定温度に応じて変位する
変位機構（１８）の動作にしたがって上記光ファイバ通
路の光路に対して直角方向に変位するように、なされて
いる。
（２０ｂ）は光７フイバを示し、上記半導体片（１７
）は変位機構（１８）の中央部下面に固着されて光ファ
イバ（２０ａ） 、 レンズ（１９ａ）と光７フイバ（
２０ｂ） 、 Ｌ／ ７ズ（１９ｂ） ノ光ファイバ
通路間に設けられて常時はその間を通る平行ビームをし
ヤ断するように配置され、被測定温度に応じて変位する
変位機構（１８）の動作にしたがって上記光ファイバ通
路の光路に対して直角方向に変位するように、なされて
いる。
しかして、（２１）は合波器、（２２） 、（２３）は
各々互いに異なる波長の発光ダイオード（以下、 ＬＥ
Ｄと称す） 、 （２４）、（２５）は受光器、（２１
３） 、（２７）はそれぞれＬＥＤ（２２） 、（２３
）を互いに異なる周波数で点灯させるための駆動回路、
（２８）、（２９）はそれぞれ上記具なる周波数に対応
した信号だけを通すフィルタ、（３０）、（３１）は割
算器を示し、上記ＬＥＤ（２２）及び（２３）の光は合
波器（２１）で合波されて、光ファイバ（２０ａ）に入
射するとともに、一部の光は受光器（２４）に受光され
、上記光ファイバ（２０ａ）に入射した光はレンズ（１
９ａ）で平行ビームにされてその平行ビーム光はレンズ
（１９ｂ）で集光され光ファイバ（２０ｂ）を通って受
光器（２５）に受光されるようになっている。
各々互いに異なる波長の発光ダイオード（以下、 ＬＥ
Ｄと称す） 、 （２４）、（２５）は受光器、（２１
３） 、（２７）はそれぞれＬＥＤ（２２） 、（２３
）を互いに異なる周波数で点灯させるための駆動回路、
（２８）、（２９）はそれぞれ上記具なる周波数に対応
した信号だけを通すフィルタ、（３０）、（３１）は割
算器を示し、上記ＬＥＤ（２２）及び（２３）の光は合
波器（２１）で合波されて、光ファイバ（２０ａ）に入
射するとともに、一部の光は受光器（２４）に受光され
、上記光ファイバ（２０ａ）に入射した光はレンズ（１
９ａ）で平行ビームにされてその平行ビーム光はレンズ
（１９ｂ）で集光され光ファイバ（２０ｂ）を通って受
光器（２５）に受光されるようになっている。
ところで、上記構成において、半導体片（１７）の光の
吸収端波長特性は第２図の実線（ａ）に示すように急峻
な特性を有し、その吸収端波長より短い波長の光は透過
せず、長い波長の光は略１００％透過するようになって
いる。該特性を利用して一方の光源であるＬＥＤ（２２
）を第２図の実線（ｂ）に示すように上記吸収端波長よ
り短い波長に、他方の光源であるＬＥＤ（２３）を第２
図の実線（Ｃ）に示すように吸収端波長より長い波長に
選定することにより、長波長の光であるＬＥＤ（２３）
の光は半導体片（１７）の位ＰＬ（変位）に関係なく一
定となるが、短波長の光であるＬＥＤ（２２）の光は半
導体片（１７）の位置に応じてその光量が変化する。
吸収端波長特性は第２図の実線（ａ）に示すように急峻
な特性を有し、その吸収端波長より短い波長の光は透過
せず、長い波長の光は略１００％透過するようになって
いる。該特性を利用して一方の光源であるＬＥＤ（２２
）を第２図の実線（ｂ）に示すように上記吸収端波長よ
り短い波長に、他方の光源であるＬＥＤ（２３）を第２
図の実線（Ｃ）に示すように吸収端波長より長い波長に
選定することにより、長波長の光であるＬＥＤ（２３）
の光は半導体片（１７）の位ＰＬ（変位）に関係なく一
定となるが、短波長の光であるＬＥＤ（２２）の光は半
導体片（１７）の位置に応じてその光量が変化する。
従って、受光器（２４）、（２５）の出力をそれぞれフ
ィルタ（２８） 、 （２９）を介して受け、このとき
ＬＥＤ（２２） 、 （２３）は各々異なる周波数で点
灯するようにそれぞれ駆動回路（２Ｂ） 、 （２７）
でパルス駆動してフィルタ（２８）の出力はＬＥＤ （
２２）の出力を、フィルタ（２９）の出力はＬＥＤ （
２３）の出力を出すようにして、受光器（２４）及び（
２５）の出力において両フィルタ間の割算を割算器（３
０）でそれぞれ行ない、さらにこれら再出力の割算を割
算器（３１）で行なうことにより、このようにすること
で受光器の暗電流の影響を受けず、しかも光伝送路のロ
ス変化や光源の、変動の影響も受けずに正確に半導体片
（１７）の変位が測定できるので、この変位を被測定温
度により生じせしめれば被測定温度が正確に測定するこ
とができる。測定温度に応じてその撓み量が変化するバ
イメタルすなわち変位機構の動作にしたがって変位する
半導体片（１７）により温度が測定できる。
ィルタ（２８） 、 （２９）を介して受け、このとき
ＬＥＤ（２２） 、 （２３）は各々異なる周波数で点
灯するようにそれぞれ駆動回路（２Ｂ） 、 （２７）
でパルス駆動してフィルタ（２８）の出力はＬＥＤ （
２２）の出力を、フィルタ（２９）の出力はＬＥＤ （
２３）の出力を出すようにして、受光器（２４）及び（
２５）の出力において両フィルタ間の割算を割算器（３
０）でそれぞれ行ない、さらにこれら再出力の割算を割
算器（３１）で行なうことにより、このようにすること
で受光器の暗電流の影響を受けず、しかも光伝送路のロ
ス変化や光源の、変動の影響も受けずに正確に半導体片
（１７）の変位が測定できるので、この変位を被測定温
度により生じせしめれば被測定温度が正確に測定するこ
とができる。測定温度に応じてその撓み量が変化するバ
イメタルすなわち変位機構の動作にしたがって変位する
半導体片（１７）により温度が測定できる。
なお、上記実施例において、半導体片（１７）及びＬＥ
Ｄ（２２） 、（２３）は周囲温度の変化により第２図
の実線がそれぞれ破線と一点鎖線の範囲で波長がシフト
するが、これらがシフトしてもＬＥＤのスペクトルが半
導体片（１７）の吸収端にひっかからないように離して
置けば、温度変化の影響を受けなくすることができる。
Ｄ（２２） 、（２３）は周囲温度の変化により第２図
の実線がそれぞれ破線と一点鎖線の範囲で波長がシフト
するが、これらがシフトしてもＬＥＤのスペクトルが半
導体片（１７）の吸収端にひっかからないように離して
置けば、温度変化の影響を受けなくすることができる。
また半導体片（１７）としては、非晶質のものを用いる
こともできるが、結晶体のものを用いれば非晶質のもの
より吸収端波長特性をさらに優れたものとすることがで
きる。
こともできるが、結晶体のものを用いれば非晶質のもの
より吸収端波長特性をさらに優れたものとすることがで
きる。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、光伝送路のロス変動
や光源の光パワー及び波長変動の影響を受けずに、被測
定温度を正確に測定することができる。
や光源の光パワー及び波長変動の影響を受けずに、被測
定温度を正確に測定することができる。
第１図はこの発明の一実施例による温度測定装置の構成
図、第２図は半導体片の吸収端波長特性としＥＤのスペ
クトル特性の関係を示す特性図、第３Ｉｊ４は従来の温
度測定装置の構成図、第４図はその中の温度センサ部の
拡大図、第５図（ａ）、（ｂ）はパルス発生器の出力波
形図、第６図は温度センサの波長依存性特性曲線図であ
る。 図において、 −（１７）は半導体片、 （１８）は変位機構（バイメタル）、 （１９ａ） 、（１９ｂ）はレンズ、 （２０ａ）、（２０ｂ）は光７フイバ。 （２１）は合波器、 （２２）、（２３）は発光ダイオード（光源）、（２４
） 、 （２５）は受光器、（２８）、（２９）はフィ
ルタ、（３０）、（３１）は割算器である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第４図
第５図 第６図 手続補正書（自発） 口召和 ６＋ １２月 ６日 持許庁長宮殿 ２、発明の名称 温度測定装置 ３、補正をする者 ６、補正の内容 明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 ７、添付書類の目録 補正後の特許請求の範囲を記載した書面 １道具 上 補正後の特許請求の範囲を記載した書面（１）両端が固
定されたバイメタルでなり、被測定温度に応じてその変
位量の異なる変位機構と、この変位機構の中央部下面に
固着してなり所定の吸収端波長特性を有する半導体片と
、該半導体片の吸収端波長より短い波長の光源及び長い
波長の光源と、これら２つの波長の光を合波して単一の
光ファイバに入射させる合波器とを備え、上記光ファイ
バの通路に、常時は該光ファイバ通路を通る光を］シキ
断するよう配設され、上記変位機構の動作にしたがって
該光ファイバ通路の光路に対して直角方向に変位するよ
う上記半導体片を配設するとともに、上記変位機構によ
って変位する半導体片を通過した光を受光する第１の受
光器と、上記合波した２つの波長の光を直接受光する第
２の受光器と、第１、第２の受光器出力をそれぞれフィ
ルタで分離して２波長の出力を取出し各々受光器間で比
をとったものを割算処理する割算器とを備えたことを特
徴とする温度測定装置。 （２）半導体片は結晶あるいは非晶質でなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の温度測定装置。 （３）半導体片の置かれる温度範囲でその吸収端波長が
シフトする波長より短い波長の光源及び長い波長の光源
で駆動することを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の温度測定装置。 （４）半導体片は、光ファイバ端にそれぞれ設けたレン
ズ間を通る平行ビームをしめ断するよう光ファイバの通
路に配設されてなることを特徴とする特許請求の範囲第
１項ないし第３項のいずれかに記載の温度測定装置。
図、第２図は半導体片の吸収端波長特性としＥＤのスペ
クトル特性の関係を示す特性図、第３Ｉｊ４は従来の温
度測定装置の構成図、第４図はその中の温度センサ部の
拡大図、第５図（ａ）、（ｂ）はパルス発生器の出力波
形図、第６図は温度センサの波長依存性特性曲線図であ
る。 図において、 −（１７）は半導体片、 （１８）は変位機構（バイメタル）、 （１９ａ） 、（１９ｂ）はレンズ、 （２０ａ）、（２０ｂ）は光７フイバ。 （２１）は合波器、 （２２）、（２３）は発光ダイオード（光源）、（２４
） 、 （２５）は受光器、（２８）、（２９）はフィ
ルタ、（３０）、（３１）は割算器である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第４図
第５図 第６図 手続補正書（自発） 口召和 ６＋ １２月 ６日 持許庁長宮殿 ２、発明の名称 温度測定装置 ３、補正をする者 ６、補正の内容 明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正する。 ７、添付書類の目録 補正後の特許請求の範囲を記載した書面 １道具 上 補正後の特許請求の範囲を記載した書面（１）両端が固
定されたバイメタルでなり、被測定温度に応じてその変
位量の異なる変位機構と、この変位機構の中央部下面に
固着してなり所定の吸収端波長特性を有する半導体片と
、該半導体片の吸収端波長より短い波長の光源及び長い
波長の光源と、これら２つの波長の光を合波して単一の
光ファイバに入射させる合波器とを備え、上記光ファイ
バの通路に、常時は該光ファイバ通路を通る光を］シキ
断するよう配設され、上記変位機構の動作にしたがって
該光ファイバ通路の光路に対して直角方向に変位するよ
う上記半導体片を配設するとともに、上記変位機構によ
って変位する半導体片を通過した光を受光する第１の受
光器と、上記合波した２つの波長の光を直接受光する第
２の受光器と、第１、第２の受光器出力をそれぞれフィ
ルタで分離して２波長の出力を取出し各々受光器間で比
をとったものを割算処理する割算器とを備えたことを特
徴とする温度測定装置。 （２）半導体片は結晶あるいは非晶質でなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の温度測定装置。 （３）半導体片の置かれる温度範囲でその吸収端波長が
シフトする波長より短い波長の光源及び長い波長の光源
で駆動することを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の温度測定装置。 （４）半導体片は、光ファイバ端にそれぞれ設けたレン
ズ間を通る平行ビームをしめ断するよう光ファイバの通
路に配設されてなることを特徴とする特許請求の範囲第
１項ないし第３項のいずれかに記載の温度測定装置。
Claims (4)
- （１）両端が固定されたバイメタルでなり、被測定温度
に応じてその変位量の異なる変位機構と、この変位機構
の中央部下面に固着してなり所定の吸収端波長特性を有
する半導体片と、該半導体片の吸収端波長より短い波長
の光源及び長い波長の光源と、これら２つの波長の光を
合波して単一の光ファイバに入射させる合波器とを備え
、上記光ファイバの通路に、常時は該光ファイバ通路を
通る光をしゃ断するよう配設され、上記変位機構の動作
にしたがって該光ファイバ通路の光路に対して直角方向
に変位するよう上記半導体片を配設するとともに、上記
変位機構によって変位する半導体片を通過した光を受光
する第１の受光器と、上記合波した２つの波長の光を直
接受光する第２の受光器と、第１、第２の受光器出力を
それぞれフィルタで分離して２波長の出力を取出し各々
受光器間で比をとったものを割算処理する割算器とを備
えたことを特徴とする温度測定装置。 - （２）半導体片は結晶あるいは非晶質でなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の温度測定装置。 - （３）半導体片の置かれる温度範囲でその吸収端波長が
シフトする波長より短い波長の光源及び長い波長の光源
で駆動することを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の温度測定装置。 - （４）半導体片は、光ファイバ端にそれぞれ設けたレン
ズ間を通る平行ビームをしゃ断するよう光ファイバの通
路に配設されてなることを特徴とする特許請求の範囲第
１項ないし第３項のいずれかに記載の温度測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18626785A JPS6244636A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 温度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18626785A JPS6244636A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 温度測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6244636A true JPS6244636A (ja) | 1987-02-26 |
Family
ID=16185294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18626785A Pending JPS6244636A (ja) | 1985-08-22 | 1985-08-22 | 温度測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6244636A (ja) |
-
1985
- 1985-08-22 JP JP18626785A patent/JPS6244636A/ja active Pending
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