JPS6245191A - レ−ザダイオ−ドの光出力制御回路 - Google Patents

レ−ザダイオ−ドの光出力制御回路

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JPS6245191A
JPS6245191A JP60184042A JP18404285A JPS6245191A JP S6245191 A JPS6245191 A JP S6245191A JP 60184042 A JP60184042 A JP 60184042A JP 18404285 A JP18404285 A JP 18404285A JP S6245191 A JPS6245191 A JP S6245191A
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Katsumi Nagano
克己 長野
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    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/126Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] この発明は、レーザダイオードの光出力のレベルを高速
で変調制御するレーザダイオードの光出力制御回路に関
する。
[発明の技術的背望とその問題点] レーザダイオードは、順方向電流が、あるしきい(lf
i Ti流に達すると発振してレーザ光を出力し、以後
その光出力は、順方向電流に比例して増大する。
このようなレーザダイオードの光出力を制御する制御回
路としては、例えば第9図に示すようなものがある。こ
の制御回路は、レーザダイオードデータブックに記載さ
れて公知となっているものである。同図中符号LDはレ
ーザダイオード、PDはレーザダイオードLDの光出力
をモニタゴするためのフォトダイオードで、レーザダイ
オードLDとフォトダイオードPDとは、1個のパッケ
ージ11中に内蔵され、パッケージ11からは、レーザ
ダイオードLDのアノードおよびフォトダイオードPD
のカソードを共通接続した共通接続端子11aと、レー
ザダイオードLDのカソード端子11bと、フォトダイ
オードPDのアノード端子11Cとの合計3本の端子ピ
ンが外部にとり出されている。レーザダイオードLDの
一方の出力面はフォトダイオードPDに向けられ、使方
の出力面から外部に光出力Poがとり出される。
12は電源入力端子で、この電源入力端子12に与えら
れる電源電圧+Vccが、第1のオペアンプ△1を備え
たバイアス点設定回路13により適宜電圧値に分圧設定
されて共通接続端子11aに供給される。
14はフォトダイオードPDの光起電流検出回路で、第
2のオペアンプ△2が備えられている。
15は次段に接続されたトランジスタQ9を駆動するた
めの演算回路で、光起電流検出回路14の出力信号を入
力して、これに所要の演算を庵こし、トランジスタQ9
の制御用電圧を出力するものである。演n回路15には
第3のオペアンプA3が備えられている。またトランジ
スタQ9はレーザダイオードLDの順方向電流回路16
に接続されている。
前記のようにレーザダイオードLDの光出力POは、そ
の順方向電流Ifに比例するので、バイアス点設定回路
13によるバイアス電圧の設定制御等′により、順方向
電流1fが所定の電流値に規定されて、レーザダイオー
ドLDの光出力Poが所定の出力レベルとなるように制
御される。
ところでレーザダイオードLDは光情報処理や光通信等
の光源として多用されるので、その光出力を制御する制
御回路は、安定で且つ高速制t2t+nを有するものが
求められる。
しかしながら上記のレーザダイオードの光出力制御回路
にあっては、3個のオペアンプA+、A2、A3のうち
2個のオペアンプA2 、A3が光出力のフィードバッ
クループ内に配設されているので、光出力POが変化し
たとぎ、これを所定の値に安定させるまでの応答時間が
比較的長くなり、高速制御性に欠けるという問題点があ
った。
またレーザダイオードLDの光出力poは、順方向電流
Ifを所定の電流値に規定することにより所定の出力レ
ベルとなるように制御しているので、順方向電流If対
光出力POの特性線が極めて急峻であるために、順方向
電流Ifの単位変化計に対する光出力Poの変化量がか
なり大きく、制御性が極めて不安定になり易いという問
題点があった。
[発明の目的] この発明は、上記事情に基づいてなされたもので、比較
的簡単な構成でありながら、レーザダイオードの光出力
を高速、且つ安定に変調制御することのできるレーザダ
イオードの光出力制御回路を提供することを目的とする
[発明の概要] この発明は、上記目的を達成するために、レーザダイオ
ードの光出力をフォトダイオードでモニターし、このフ
ォトダイオードで検出される光起電流の出力回路には、
lt¥=電流を異なった所要の電流値に可変設定できる
基準電流源を接続し、前記の光起電流と可変設定された
基準電流との差電流を反転増幅してその反転増幅出力を
レーザダイオードの順方向電流回路にフィードバックす
るフィードバック回路を配設し、レーザダイオードの光
出力を可変設定される基準電流値に応じた出力レベルに
フィードバック制御することにより、当該光出力の出力
レベルを安定に変調制御し、且つフィードバック回路に
は反転増幅手段を配設するという比較的簡単な回路構成
とすることにより高速制御性が得られるよ“うにしたも
のである。
[第1実施例] 以下この発明の第1実施例を第1図および第2図に基づ
いて説明する。
なお第1図において前記第9図における回路素子等と同
一ないし均等のものは、前記と同一符号を以って示し重
複した説明を省略する。
まず構成を説明すると、レーザダイオードLDのアノー
ドとフォトダイオードPDのノコソードとの共通接続端
子11aに、■電源線路1aから、駆動用トランジスタ
Q1を備えた順方向電流回路2が接続されている。3は
駆動用トランジスタQ1のバイアス電流回路で、後述の
制御用トランジスタQ2の出力回路も兼ねている。
そしてこの発明においては、上記の順方向電流回路2に
対して、レーザダイオードLDの光出力Poを、基tP
−電流1refに対応した出力レベルに制御するための
次のJ:うむ制御回路が配設されている。
即ら、まずフォトダイオードPDのアノード端子11G
と、θ電源線路1bとの間に、基準電流l refを、
2種の異なった基準電流値1ref+、Iref2に切
換設定できる基準電流源回路J+  (この発明で基準
電流源とは、この基t¥電源回路を指している)が接続
されている。4aは基準電流値がl refに設定され
た第1の基準電流源、4bは基準電流値がIref2に
設定された第2の基準電流源、5a、5bは第1、第2
の差動回路で、これら2組の差動回路5a、5bにより
、基準電流源4 a 、 ’4 bを切換えるための切
換スイッチが構成されている。
第1の差動回路58は、1対のトランジスタQ4、Q5
で構成され、第2の差動回路5bは他の1対のトランジ
スタQa 、Qyで構成されている。
第1の差動回路5aにお番プるトランジスタQ4と、第
2の差動回路5bにおけるトランジスタQ6とは、コレ
クタが共通接続されて、フォトダイオードPDのアノー
ド端子11Gに接続されている。
また第1の差動回路5aにおけるエミッタの共通接続点
が、第1のM単重流源4aに接続され、第2の差動回路
5bにおけるエミッタの共通接続点が、第2の基準電流
源4bに接続されている。
さらに第1の差動回路5aにおけるトランジスタQ4の
ベースと、第2の差動回路5bにおけるトランジスタQ
7のベースには、制御1ffi圧入力端子6から切換制
御用電圧VCが加えられる。一方、第1の差動回路5a
におけるトランジスタQ5のベースと、第2の差動回路
5bにおけるトランジスタQ6のベースには基準電圧(
図の例では接地電位)Vrefが加えられる。
切換制御用電圧VCと、基準電圧Vrefとの関係が、
VC>Vrefのとき、第1の差動回路5aにおけるト
ランジスタQ4がオンに転じて、基準電流1refは、
基準電流値1refl に設定され、VC<Vrefで
は、第2の差動回路5bにおけるl−ランジスタQeが
オンに転じて、基準電流は、基Q電流[ref2に切換
設定される。
差動回路5a、5bで構成された切換スイッチは、各ト
ランジスタ04〜Q7の遮断周波数に対応した高速切換
性を有している。
次いでフォトダイオードPDのアノード端子11Cと、
上記の基準電流源回路J1との接続点が、制御用トラン
ジスタQ2のベースに接続されている。制御用トランジ
スタQ2は、フォトダイオードPDの光起電流Isと、
基準電流源回路J1により切換設定される基準電流Jr
efとの差電流を反転増幅し、その反転増幅出力を順方
向電流回路2にフィードバックするためのもので、その
コレクタは、フィードバック回路7により駆動用トラン
ジスタQ1のベースに接続されている。
符号R5は、検出用抵抗、Q3は制限用トランジスタで
、これら検出用抵抗R9および制限用トランジスタQ3
により、レーザダイオードLDに最大定格電流(制限電
流)以上の順方向電流Ifが流れるのを制限する順方向
電流制限回路が構成されている。制限用トランジスタQ
3は、検出用抵抗1< Sによる最大定格電流に対応し
た検出電圧で作動して、レーザダイオードLDに1i(
I限電流値以、トの順方向電流1fの流れるのが制限さ
れる。
次に第2図の<A>、(B)を用いて作用を説明する。
第2図(A)はレーザダイオードLDの順方向電流If
と光出力poの関係を示ず特性−1第2図(B)はレー
ザダイオードL Dの光出力poとフォトダイオードP
Dに生じるモニター電流(光起電流)Isの関係を示す
特性図である。
第2図(△)からレーザダイオードLDは順方向電流I
fがある“しきい値雷流″に達するとレーザ発振して光
出力が得られ、以後光出力POは、順方向電流lfに比
例して増大する。この比例領域における順方向電流if
対光出力poの特性線は、通常の半導体素子の順方向特
性にみられるようにかなり急峻である。一方、フォトダ
イオードPDは、この光出力Poを受けて光起電流(S
が生じ、るが、第2図(B)に示すように、光起電流T
Sは光出力POに正比例して増大する。
このようにフォトダイオードPDで検出される光起電流
Isは、光出力Poに比例しているので、この発明では
検出された光起電流Isが、基t¥電[1refと等し
くなるように光出力POをフィードバック制御すること
により、順方向電流1fで、直接光出力poの出力レベ
ルを制御する場合の制御性の不安定性が避けられ、安定
した光出力の制御ができる。
即ち、光起電流Hsと基準電流■ret’との関係が、
is<(ref’の状態では、制御用トランジスタQ2
へのベース流入電流は無く、当該制御用トランジスタQ
2はオフ状態となる。このため駆動用トランジスタQ1
のベースには、バイアス電流回路3からのバイアス電流
1bが流入してオン状態となり、レーザダイオードLD
には順方向電流回路2で規定される最大上限電流が流れ
て光出力Poが増大される。
光出力POが増大し、これに伴なって光起電流Isが増
大して、Is>Irefの関係になると、光起電流rs
と基準電流Trefとの差電流に相当するベース電流が
制御用トランジスタQ2に流入し、制御用トランジスタ
Q2のコレクタには、この差電流の増幅電流が流れる。
このためバイアス電流回路3のバイアスTi)%t I
 bは、上記の増幅Ti流分だけ制御用トランジスタQ
2側に流れ、駆動用トランジスタQ1のベースバイアス
電流はその分たり減少する。而して駆動用トランジスタ
Q1は、制御用トランジスタQ2の反転増幅電流により
駆動され、その電流増幅率が低下してレーザダイオード
LDの順方向電流Tfの値が低下し、光出力poが低下
する。
このようなフィードバック作用により、シー1フ’ダイ
オードLDの光出力POは、フォトダイオードPDの光
起電流ISが、基準電流1refと等しくなるような出
力レベルに制御される。
而してレーザダイオードLDの光出力POは、基準電流
値に応じた出力レベルPO+ またはPO2に制御され
るので、基準電流回路J1における電圧入力端子6に印
加する切換制御用電圧VCの値を、Vc>Vre fま
たは、Vc<Vrefとなるにうに可変すると、レーザ
ダイオードLDの光出力POの出力レベルは、POI 
またはPO2に制御される。
これらの各値の関係を表記すると次の通りである。
■C→■C〉Vref   vC<vre「ls−>I
s+   −Ir8f+     IS2  =lre
f2I f−+    I f+         I
 f2PO−+   POI       PO2そし
て上記の制御作用において、この実施例ではフィードバ
ック回路7に制御用トランジスタQ2と駆動用トランジ
スタQ1の2個のトランジスタが接続されているのみで
、前記第9図に示した従来のものと較べると構成素子数
が極めて少なく、簡単な回路構成となっているので光出
力POの変化に対するフィードバック系の応答遅れは極
めて少なく、また差動回路5a、5bで構成された切換
スイッチも極めて高速切換性を有しているので、高速制
御性云い変えれば光出力POの出力レベルの高速変調性
が得られる。
次いで第3図〜第6図には、上記第1実施例の具体例を
示す。
第3図は前記第1図に対応した具体的回路を示す回路図
、第4図は基準電流回路J1における切換制御用電圧V
Cに対するレーザダイオードLDの順方向電流Ifの応
答特性を示1特性図、第5図はレーザダイオードの光出
力POを外部で検出(るための検出回路の回路図、第6
図は切換制御用電圧VCと、外部検出回路から出力され
る出力電圧VO間の応答特性を示す特性図である。
この具体例では、第1の基準電流m4aが抵抗値120
にΩの抵抗R+で構成されて、その基準電流1refl
は75μAに設定されている。また第2の基準電流源4
bは抵抗1m33にΩの、抵抗R2で構成されて、その
基準電流1ref2は280μAに設定されている。し
たがって両基準電流1ref+ と1ref2との比は
、1:4に設定され、この基準電流1 refの比に応
じて光出力POの出力レベルは1;4の比に切換制御さ
れるように設計されている。
第3図中、順方向電流回路2に接続された抵抗R4は、
順方向電流を最大定格((iに規定するための抵抗であ
る。
このような具体例において、電圧入力端子6に加える切
換制御用電圧Vcの値をVC>vreflおよびVCく
vrefにそれぞれ切換えたときの、当該切換制御用電
圧VCと、レーザダイオードLDの順方向電流1fとの
間の応答特性の測定結果を第4図に示す。同図の特性か
ら、切換制御用電圧VCをVC>vrefから、VCく
vrefに切換えて、基準電流1refを、Ireft
=75μAからl ref2 =280μ八に切換えた
とき、レーザダイオードLDの順方向電流Ifは、If
+=60mAから1.’I’2=70mAに切換えられ
、そのときの順方向電流Ifのライズタイムtrは、は
ぼ20nsecで極めて早い切換応答性が得られた。ま
た第2図(A)の順方向電流Ifに対する光出力Poの
特性曲線から、順方向電流1fが60mAおよび70m
Aのときの光出力Poは、それぞれ1mWおよび4mW
で、その比率は1:4に切換制御されることが確められ
た。
次いで第5図に示すような検出回路を外部に準備して、
切換制御用電圧Vcと、光出力POとの間の応答特性の
測定結果を述べる。検出回路には、フォトセン會すPS
、およびこのフォトセンザI) Sで検出した光起電流
IOを増幅して出力端子8から電圧出力■0を出力させ
るためのセンスアンプが備えられている。センスアンプ
はオペアンプA4およびフィードバック抵抗R5で構成
されている。
第6図(A>の特性から、切換制御用電圧VcをVC〉
vrefから、VCくvrefに切換えて基Q−雷電流
 ref′/j−Iref+からIref2に切換えた
とき、外部の検出回路で検出される出力電圧VOは、切
換時のライズタイムtr1およびフォールタイムtfが
それぞれ50nSeC程度であり、極めて高速の切換応
答性が得られることが確められた。
第6図(B)は、切換制御用電圧Vcをパルス幅が50
nsecの切換用パルス電圧として出ツノ電圧Voのパ
ルス応答性を測定したものである。
図示の特性から、この場合においても出力パルス電圧V
oのライズタイムtr、およびフォールタイムtfはそ
れぞれ50nsec程度で、パルス制御にJ3いても十
分高速の応答性が得られることが確認された。
なおL記のライズクイlXt rおJ:びフォールタイ
ムtf4ユ、外部検出回路におけるセンスアンプ自身刃
の応答遅れを含んだ値である。
[第2実施例コ 第7図には、この発明の第2実施例を示す。この実施例
は、琺準電流源回路J2に、n個の基準電流1lPi4
a〜4nを備えさせ、切換スイッチ9で、これらの基Q
、Ti流源48〜4nを切換えて、基準電流Hret’
を、Ireflから1refnまでn通りに切換設定で
きるようにしたものである。
なお切換スイッチ9は、機械的切換スイッチで図示され
ているが、前記第1実施例の場合と同様の着初回路をn
個並設することによっても構成することができる。基準
電流源回路J2以外の構成は、前記第1実施例のものと
同様である。
この実施例によれば、レーデダイオードLDの光出力p
oの出力レベルをn通りにデジタル的に変調制御するこ
とができる。
し第3実施例] 第8図には、この発明の第3実施例を示す。この実施例
は、基tV−電流源回路J3を可変電流源回路で構成し
て、基準電流1refをアナログ的に可変設定できるよ
うにしたものである。
基準電流源回路J3は、AベアンブA 5、エミッタホ
ロワ接続の出力トランジスタQB、およびエミッタ出力
抵抗R6で構成されている。
出力トランジスタQ8のエミッタと、エミッタ出力抵抗
R6との接続点には、オペアンプA5の両入力端子■O
の仮想短絡の原理から、切換制御用電圧Vcと同一値の
電圧が生じる。
したがって基準電流1refは Iref=[Vc−(−Vee)]/Reの式で規定り
−ることができる。
上式から、基*電流Irefは、切換制御用型f’EV
cの電圧値に応じてアナログ的に可変設定される。
L4準電流源回路J3以外の構成は、前記第1実施例の
ものど同様である。
この実施例にJ、れば、レーザダイオードL Dの光出
力POの出力レベルを、アナログ的に高速で変調fri
l制御することができる。
[発明の効果コ 以上説明したにうにこの発明ににれば、レーザダイオー
ドの光出力をモニターするフォトダイオードの出り回路
に、基準電流を異なった所要の電流値に可変設定する基
準電流源を接続し、この基準電流源で可変設定される基
準電流と74トダイオ°−ドの光起電流との差電流を反
転増幅し、その反転増幅出力をフィードバック回路によ
りレーザダイオードの順方向電流回路にフィードバック
して、当該レーザダイオードの光出力を、可変設定され
る基準電流に対応した出力レベルに制御するようにした
ので、レーザダイオードの光出力を極めて安定に変調制
御することができる。またフィードバック回路は比較的
簡単な回路構成として応答遅れを極めて少なくしたので
、高速制御性が得られるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に係わるレーザダイオードの光出力制
御回路の第1実施例を示す回路図、第2図は同上第1実
施例に使用されるレーザダイオードの順方向電流と光出
力との関係、および光出力とフォトダイオードの[ニタ
ー電流との関係を示1特性図、第3図はこの発明の具体
例を示ず回路図、第4図は同上具体例におけるレーIJ
”ダイオードの順方向電流の切換応答特性を示ず特性図
、第5図は同上具体例における光出力の外部検出回路を
示す回路図、第6図は同上外部検出回路から出力される
出力電圧の応答特性を示す特1生図、第7図はこの発明
の第2実施例を示す回路図、第8図はこの発明の第3実
施例を示す回路図、第9図は従来のレーザダイオードの
光出力制御回路の回路図で乃る。 2・・・順方向電流回路、 4a〜4n・・・基tv=電流源、 7・・・フィードバック回路、 J1〜J3・・・基準電流源回路、 LD・・・レーザダイオード、 P l)・・・フォトダイオード、 QI・・・駆動用1〜ランジスタ、 Q2・・・制御用トランジスタ(反転増幅手段)。 b 第1図 第4図 第7図 第8図 手続補正毎(自発) 昭和61年4 月2g日 持訂庁長官  宇 買 jd  部  殿1、事件の表
示 昭和60年特許願第184042号 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所(居所) 神奈川県用崎市幸区堀用町72番地氏名
(名称) 株式会社 東 芝 代表者  渡 里 杉 −部 4、代 理 人   郵便番号 105住 所    
東京都港区虎ノ門1丁目2番3号虎ノ門第−ビル5階 (発送日  昭和  年  月  日)/・’4−tI
・ 6、補正の対象 (1)  明細書の「特許請求の範囲」の欄(2)  
明細書の「発明の詳細な説明」の欄7、補正の内容 (1)  明a書の「特許請求の範囲」を別紙のように
補正する。 (2)  明細害第5頁第16行目乃至第6頁第10行
目に 「この発明は・・・・・・・・・したものである。」と
あるのを、 「この発明は、上記目的を達成するために、レーザダイ
オードの光出力を光検出手段で検出し、この光検出手段
から出力される光起電流の出力回路には、基準電流を異
なった所要の電流値に可変設定できる基準電流源を接続
し、前記の光起電流と可変設定された基準電流とが等し
くなるようにレーザダイオードの順方向電流を制御して
レーザダイオードの光出力を可変設定される基準電流値
に応じた出力レベルにフィードバック制御することによ
り、当該光出力の出ノルベルを安定に変調制御し、且つ
フィードバック回路には電流制御手段を配設するという
比較的簡単な回路構成とすることにより高速制御性がi
Jられるようにしたちのである。」 と補正する。 (3)明細書第14頁第5行目乃至同頁第6行目との間
に、 [なお、上述した実施例において、制御用1〜ランジス
タQ2をFETで代用することによって【ま、次に説明
7Jるように光出力POの制御m度を一層高めることが
できる。すなわち、基準電流(refは後述する如く1
00μA以下程度の電流値が適用され、光出力POは、
これによって生じるフォトダイオードPDの光起電流I
sが、この基準電流1rcfと等しくなる(IS=Ir
e「)ような出力値に制御される。フォトダイオードP
Dの光起電流fsは、上記のように低い電流値であるの
で、前記第1実施例におけるように制御用トランジスタ
としてnpn トランジスタQ2を用いると、これにμ
A程度のベース電流が流れ、このベース電流分が、光起
電流Isに含まれるため、[5=lrerとなるように
光起電流1sを制御する上で、ベース電流分だけの制御
誤差が生じる これを、制御用トランジスタとしてグー1〜入力インピ
ーダンスの高いFETを用いることにより、ゲート電流
をほぼゼロとして上記の制御誤差を解消びることができ
るのである。」という文章を追加挿入する。 (4)  明細間第19頁第14行目乃至第20回第8
行目に 1以上説明したように、・・・・・・利点がある。」と
あるのを、 「以上説明したようにこの発明によれば、レーザダイオ
ードの光出力を検出する光検出手段の出力回路に、基F
Ji−電流を異なった所要の電流値に可変設定する基準
電流源を接続し、この基準電流源で可変設定される基準
電流と光検出手段の光起電流とが等しくなるようにレー
ザダイオードの順方向電流を制御して、当該レーザダオ
ードの光出力を、可変設定される基準電流に対応した出
力レベルに制御20するようにしたので、レーザダイオ
ードの光出力を極めて安定に変調制御aすることができ
る。またレーザダイオードの順方向電流を制御するため
のフィードバック回路は比較的Ifi単な回路構成とし
て応答遅れを極めて少なくしたので、高速制御性が1!
7られるという利点がある。」と?11i工する。 8、添1寸古類の目録 (1)特許請求の範囲 以  上 特許請求の範囲 レーザダイオードと、このレーザダイオードから出力さ
れる光出力に対応した値の光起電流を出力する光検出手
段と、該光検出手段の出力回路に接続され、基tP=電
流を異なった所要の電流1直に可変設定する基準電流源
と、前記光検出手段の光起電流と前記基!1!電流源で
可変設定される基準電流とが等しくなるように前記レー
ザダイオードに供給される順方向電流を制御する電流制
御手段とを有することを特徴とするレーザダイオードの
光出力制御回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 レーザダイオードに順方向電流を供給する順方向電流回
    路と、 前記順方向電流によりレーザダイオードから出力される
    光出力をモニターし、該光出力のレベルに対応した値の
    光起電流を出力するフォトダイオードと、 該フォトダイオードの出力回路に接続され、基準電流を
    異なった所要の電流値に可変設定する基準電流源と、 前記フォトダイオードの光起電流と前記基準電流源に可
    変設定される基準電流との差電流を反転増幅する反転増
    幅手段と、 該反転増幅手段からの反転増幅出力を前記順方向電流回
    路にフィードバックし、前記光出力を可変設定される前
    記基準電流に対応した出力レベルに制御するフィードバ
    ック回路とを有することを特徴とするレーザダイオード
    の光出力制御回路。
JP60184042A 1985-08-16 1985-08-23 レ−ザダイオ−ドの光出力制御回路 Pending JPS6245191A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60184042A JPS6245191A (ja) 1985-08-23 1985-08-23 レ−ザダイオ−ドの光出力制御回路
US06/897,051 US4819241A (en) 1985-08-16 1986-08-15 Laser diode driving circuit
KR1019860006763A KR910002238B1 (ko) 1985-08-16 1986-08-16 레이저다이오드 구동회로
EP86111421A EP0215311A3 (en) 1985-08-16 1986-08-18 Laser diode driving circuit

Applications Claiming Priority (1)

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JP60184042A JPS6245191A (ja) 1985-08-23 1985-08-23 レ−ザダイオ−ドの光出力制御回路

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6447944B1 (en) 1999-08-30 2002-09-10 Nissan Motor Co., Ltd. Solid electrolyte, method of producing same and fuel cell using same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6447944B1 (en) 1999-08-30 2002-09-10 Nissan Motor Co., Ltd. Solid electrolyte, method of producing same and fuel cell using same

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