JPS6246143Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6246143Y2
JPS6246143Y2 JP153386U JP153386U JPS6246143Y2 JP S6246143 Y2 JPS6246143 Y2 JP S6246143Y2 JP 153386 U JP153386 U JP 153386U JP 153386 U JP153386 U JP 153386U JP S6246143 Y2 JPS6246143 Y2 JP S6246143Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
furnace
core tube
resistor
protrusions
furnace body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP153386U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62115095U (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP153386U priority Critical patent/JPS6246143Y2/ja
Publication of JPS62115095U publication Critical patent/JPS62115095U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS6246143Y2 publication Critical patent/JPS6246143Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本考案は、炭素皮膜抵抗器を製造する際、絶縁
基体に炭素皮膜に形成させるために使用する加熱
炉の炉心管に関する。
<従来の技術> 炭素皮膜抵抗器は、円筒セラミツクなどの絶縁
基体の表面に炭素皮膜を形成して作られるが、こ
の炭素皮膜は、高温の真空又は不活性ガス中に炭
化水素や四塩化炭素などを入れて熱分解させ、そ
こから析出させた炭素を基体表面に付着させて形
成される。
このような炭素皮膜は、従来、第5図に示すよ
うな加熱炉を使用して形成されている。この加熱
炉は炉本体20内に炉心管21を水平に通し、こ
の炉心管21の両端部を炉本体の外部で回転ロー
ル22,23により回転駆動可能に支持して構成
され、炉心管21は比較的小径のセラミツク管に
より形成され、両開口部をキヤツプ24により閉
鎖する構造であつた。
<考案が解決しようとする問題点> このように、比較的小径のセラミツク管で作ら
れた炉心管内に抵抗器の基体を入れて加熱するた
め、1度に炉心管内に投入し得る基体の数が少な
く、また炭素を析出する炭化水素などの量も少な
いため、抵抗器の基体表面に炭素皮膜を能率良く
形成できない問題があつた。
そこで、大径の管状セラミツクを使用すること
も考えられたが、大径の炉心管であると炉本体の
外部に突出する部分が多く、また炉本体3の両側
に貫通させる炉心管を通すための開口部も大きな
面積となり、熱の放出が著しく、熱効率が悪化す
る問題があつた。
<問題点を解決するための手段> 本考案は、上記の点にかんがみなされたもの
で、一度に多数の抵抗器の基体に炭素皮膜を形成
することができ、また炉の熱効率も良好に保つこ
とができる抵抗器製造用加熱路の炉心管を提供す
るものであり、以下のように構成される。
すなわち、本考案は、炉本体の両側壁に設けた
貫通孔に両端部を挿通させて炉本体内に水平に配
設され、内部に入れた抵抗器の基体に炭素皮膜を
形成する加熱炉の炉心管において、炉本体内に入
れる炉心管の中間部分に大径の膨出部を設け、炉
本体の両側壁を貫通する炉心管の両端部を小径と
し、大径の膨出部の内周面に多数の突起部が設け
られ、突起部は、前記基体が円周方向に蛇行して
移動する蛇行通路を内周面に形成するように、交
互に配置されて構成される。
<実施例> 以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明す
る。
第1図は炭素皮膜抵抗器を製造する際に使用す
る加熱炉の断面図を示している。1は炉本体であ
り、炉本体1の両側壁には貫通孔が設けられる。
2は炉本体1内に水平に挿入されたセラミツク製
の炉心管で、この炉心管2は中間部分に大径の膨
出部2aを設け、両端に小径の両端部2bを設け
て構成される。炉心管2はその両端部2bを炉本
体1の貫通孔から外側へ突出されるように配設さ
れ、その両端部2bは炉本体1の両側に設けた2
対の回転ロール3,4により回転駆動可能に支持
され、炉心管2は図示しない駆動機構によつて回
転する回転ロール3,4により低速で回転駆動さ
れる。
一方、炉心管2の膨出部2aの内周面に多数の
突起部2cが設けられる。これらの突起部2c
は、第4図の内周面展開図に示すように、円周方
向に向つて交互になるように配置される。すなわ
ち、炉心管2の回転時に抵抗器の基体が円周方向
を蛇行して移動する蛇行通路6(第4図)をその
内周面に形成するように、突起部2cは交互位置
に配設される。また、突起部2cは、炉心管2の
軸方向に沿つて長いフイン状に形成され、突起部
2cの相互の間隔は抵抗器の基体の大きさに比べ
かなり広いものとなつている。
このように構成された炉心管2内には、円筒セ
ラミツクなど多数の抵抗器の基体が入れられ、内
部を真空に引くか或は不活性ガスを充てんすると
共に、ベンゼン、メタンのような炭化水素や四塩
化炭素を入れ、両端部2bにキヤツプ5を嵌めて
密閉状態とする。
この状態で回転ロール3,4を回転駆動させて
炉心管2を低速で回転させながら、図示しない加
熱装置により炉内の温度を1000℃〜1200℃に加熱
すると、内部の炭化水素や四塩化炭素が熱分解を
起して炭素が析出し、これが抵抗器の基体表面に
付着して0.1〜1μ程度の厚さの炭素皮膜がそこ
に形成される。炉心管2の回転時、内部に入れら
れた基体は、内周面の突起部2cにのせられてあ
る程度の高さまで昇り、そして突起部2cの間を
通り蛇行しながら滑り落ることを繰り返す。これ
により炉心管2内の基体は良好に撹拌され、かな
り多数の基体を炉心管2内に入れた場合でも、基
体表面が均一にガス中に露出し、表面に均一な炭
素皮膜を付着させることができる。
また、炉心管2に膨出部2aがあるために一度
にかなりの量の基体を入れて処理することがで
き、少ない加熱エネルギーで多くの抵抗器の処理
を行なうことができ、処理能率が向上する。
<考案の効果> 以上説明したように、本考案の抵抗器製造用加
熱炉の炉心管によれば、炉本体内に入る中間部分
に大径の膨出部を設け、炉本体の両側壁を貫通す
る炉心管の両端部を小径としたから、1度に多数
の抵抗器の基体を入れて炭素皮膜を形成すること
ができ、また両端部は小径のため、炉本体の貫通
孔は小径でよく、炉の熱効率は良好に保たれる。
さらに、膨出部内周面に多数の突起部を交互に配
置して内部の基体が内周面の円周方向を蛇行して
滑り落るように構成したから、炉心管の回転時、
内部の基体はある程度の高さまで昇り、そこから
突起部の間を通り蛇行しながら滑り落ち、これに
よつて基体は良好に撹拌され、表面に均一な炭素
皮膜を付着させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例を示す加熱炉の断面
図、第2図は同右側面図、第3図は炉心管の断面
図、第4図は炉心管内周面の拡大展開図、第5図
は従来の加熱炉の断面図である。 1……炉本体、2……炉心管、2a……膨出
部、2b……両端部、2c……突起部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 炉本体の両側壁に設けた貫通孔に両端部を挿通
    させて炉本体内に水平に配設され、内部に入れた
    抵抗器の基体に炭素皮膜を形成する加熱炉の炉心
    管において、該炉本体内に入れる炉心管の中間部
    分に大径の膨出部を設け、炉本体の両側壁を貫通
    する炉心管の両端部を小径とし、大径の該膨出部
    内周面に多数の突起部が設けられ、該突起部は、
    前記基体が円周方向を蛇行して移動する蛇行通路
    を該内周面に形成するように、交互に配置された
    ことを特徴とする抵抗器製造用加熱炉の炉心管。
JP153386U 1986-01-09 1986-01-09 Expired JPS6246143Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP153386U JPS6246143Y2 (ja) 1986-01-09 1986-01-09

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP153386U JPS6246143Y2 (ja) 1986-01-09 1986-01-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62115095U JPS62115095U (ja) 1987-07-22
JPS6246143Y2 true JPS6246143Y2 (ja) 1987-12-11

Family

ID=30779529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP153386U Expired JPS6246143Y2 (ja) 1986-01-09 1986-01-09

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6246143Y2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62115095U (ja) 1987-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1560982A (en) Apparatus and method for chemical vapour deposition
CA2757187C (en) Augmented reactor for chemical vapor deposition of ultra-long carbon nanotubes
WO2024055732A1 (zh) 加热组件、气溶胶生成装置及气溶胶生成系统
JPS6246143Y2 (ja)
JP2001023759A (ja) 熱分解窒化ホウ素放射ヒーター
JP3595875B2 (ja) 半導体処理装置用電気ヒータ
US4891335A (en) Semiconductor substrate heater and reactor process and apparatus
JPH0520878B2 (ja)
US4600052A (en) Compact heat exchanger
WO2023121710A2 (en) Controlled nanomaterial manufacturing
JPS6327435Y2 (ja)
JP2551182B2 (ja) 半導体製造装置
US20250031281A1 (en) Substrate supporting member and substrate processing apparatus including the same
JPH05206044A (ja) 基板用熱処理装置
CN114349008B (zh) 用于多晶硅还原炉的底盘、底盘组件和还原炉
JPS59103375A (ja) シヨツトキ−接合を有する半導体装置の製造方法
JPS60200963A (ja) 薄膜形成装置
JPS6113551Y2 (ja)
JPH04101419A (ja) 基板の熱処理炉
JPS5824437Y2 (ja) 半導体熱処理容器
JPH0620969A (ja) 高周波誘導装置のサセプタホルダ
JPH03249177A (ja) Cvd装置
JPH07242488A (ja) 単結晶引上装置
JPH097955A (ja) 半導体熱処理用の電気抵抗式ガラス状カーボン製ヒータ
JPS606443Y2 (ja) 炭化けい素ウイスカ−の製造装置