JPS6246272Y2 - - Google Patents
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- JPS6246272Y2 JPS6246272Y2 JP8774582U JP8774582U JPS6246272Y2 JP S6246272 Y2 JPS6246272 Y2 JP S6246272Y2 JP 8774582 U JP8774582 U JP 8774582U JP 8774582 U JP8774582 U JP 8774582U JP S6246272 Y2 JPS6246272 Y2 JP S6246272Y2
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- heat sink
- frame
- metal heat
- semiconductor device
- molded
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- Expired
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、例えばモールド型放熱板付きパワー
トランジスタに適用して好適なモールド型半導体
装置に関する。
トランジスタに適用して好適なモールド型半導体
装置に関する。
従来のパワートランジスタは、電力使用限界を
引上げるため、トランジスタ素子を金属放熱板に
鑞付けし、トランジスタ素子の各電極と外部端子
とをアルミニウム又は金のワイヤによつて配線
し、樹脂モールドによる封止をして製造されてい
る。例えば第１図に示す如く、トランジスタ素子
１は放熱体２が鑞付けされ、放熱体２の端部に取
付け用孔３が穿設され、トランジスタ素子１の上
部が樹脂４でモールドされている。そして実装す
るには、第２図Ａ，Ｂに示す如く、フインの付い
た外部冷却体５に取付孔３を利用してねじ止めさ
れている。この場合、第３図に示す如く、冷却体
５の取付面の平担の精度が悪いと、パワートラン
ジスタ素子１に曲げ歪が生じる虞れがある。パワ
ートランジスタ素子１はシリコン等の非常に割れ
易い材料で形成されているため、素子片が割れて
しまうか、クラツクが生ずる問題がある。
引上げるため、トランジスタ素子を金属放熱板に
鑞付けし、トランジスタ素子の各電極と外部端子
とをアルミニウム又は金のワイヤによつて配線
し、樹脂モールドによる封止をして製造されてい
る。例えば第１図に示す如く、トランジスタ素子
１は放熱体２が鑞付けされ、放熱体２の端部に取
付け用孔３が穿設され、トランジスタ素子１の上
部が樹脂４でモールドされている。そして実装す
るには、第２図Ａ，Ｂに示す如く、フインの付い
た外部冷却体５に取付孔３を利用してねじ止めさ
れている。この場合、第３図に示す如く、冷却体
５の取付面の平担の精度が悪いと、パワートラン
ジスタ素子１に曲げ歪が生じる虞れがある。パワ
ートランジスタ素子１はシリコン等の非常に割れ
易い材料で形成されているため、素子片が割れて
しまうか、クラツクが生ずる問題がある。
一方、この種半導体装置の製造に際し、放熱板
２の材料に比較的高価な銅材が使用されている。
すなわち第４図に示す如く、冷却体５の取付用孔
３を含む横長の放熱板２を銅材で加工しているた
め、材料利用効率が悪く、トランジスタ素子１の
組立に際しては素子相互の間隔が開き過ぎてしま
い、高密度組立が困難となる欠点がある。
２の材料に比較的高価な銅材が使用されている。
すなわち第４図に示す如く、冷却体５の取付用孔
３を含む横長の放熱板２を銅材で加工しているた
め、材料利用効率が悪く、トランジスタ素子１の
組立に際しては素子相互の間隔が開き過ぎてしま
い、高密度組立が困難となる欠点がある。
本考案はかかる点に鑑み、取付面の平担度が悪
く、しかも凹凸状面への取付けの際半導体素子へ
の機能を害することなく、材料歩留りを向上し、
高密度組立を可能とした半導体装置を提案するこ
とを主たる目的とする。
く、しかも凹凸状面への取付けの際半導体素子へ
の機能を害することなく、材料歩留りを向上し、
高密度組立を可能とした半導体装置を提案するこ
とを主たる目的とする。
以下本考案の一実施例について図面を参照しな
がら詳細に説明する。
がら詳細に説明する。
第５図Ａ，Ｂは金属放熱体８に取り付けたトラ
ンジスタ素子９の上部を樹脂１０にてモールドし
た構成を示す平面図及び側面図、第６図Ａ，Ｂは
中央に放熱体８に係合する孔１１が穿設された取
付枠体１２の一例を示す平面図及び断面図であ
る。放熱体８は樹脂１０によるモールド部分より
一廻り大き目とし、枠体１２と係合するための縁
が形成される。８ａは縁、１３は取付用孔を示
す。尚、枠体１２は、放熱体８の厚さに相当する
逃げ１２ａを形成して、第７図に示す如く、モー
ルドした半導体素子を枠体１２に係合するとき取
付面が同一の面となるように考慮する。
ンジスタ素子９の上部を樹脂１０にてモールドし
た構成を示す平面図及び側面図、第６図Ａ，Ｂは
中央に放熱体８に係合する孔１１が穿設された取
付枠体１２の一例を示す平面図及び断面図であ
る。放熱体８は樹脂１０によるモールド部分より
一廻り大き目とし、枠体１２と係合するための縁
が形成される。８ａは縁、１３は取付用孔を示
す。尚、枠体１２は、放熱体８の厚さに相当する
逃げ１２ａを形成して、第７図に示す如く、モー
ルドした半導体素子を枠体１２に係合するとき取
付面が同一の面となるように考慮する。
金属放熱体８は、モールド部分より一廻り大き
く形成するだけでよいため、第８図に示す如く、
半導体素子９相互の間隔が狭められ、高密度組立
が可能となる。尚、第４図例の構成と比較してほ
ぼ1/2の材料占有率を示し、歩留りの向上に寄与
している。一方、枠体１２は高価な銅材を用いる
必要がなく、低廉な鉄材を第６図に示す如くにプ
レス抜きして得ることができる。
く形成するだけでよいため、第８図に示す如く、
半導体素子９相互の間隔が狭められ、高密度組立
が可能となる。尚、第４図例の構成と比較してほ
ぼ1/2の材料占有率を示し、歩留りの向上に寄与
している。一方、枠体１２は高価な銅材を用いる
必要がなく、低廉な鉄材を第６図に示す如くにプ
レス抜きして得ることができる。
従つて、第９図に示す如く、取付面に凸状箇所
があつた場合、第７図に示す如く組立てた半導体
装置１４をねじ止めしたとき、枠体１２のねじ孔
１３の部分が曲げ変形するものの放熱体８には曲
げ応力が伝わらないため、半導体素子９への曲げ
歪を回避することができる。
があつた場合、第７図に示す如く組立てた半導体
装置１４をねじ止めしたとき、枠体１２のねじ孔
１３の部分が曲げ変形するものの放熱体８には曲
げ応力が伝わらないため、半導体素子９への曲げ
歪を回避することができる。
以上述べた如く本考案によれば、金属放熱体に
半導体素子を取り付けモールド樹脂で固めたモー
ルド型半導体装置において、上記金属放熱体は枠
体と係合する縁が形成され、該枠体は放熱体の厚
みに相当する逃げ部が設けられ、かつ上記金属放
熱板と係合する孔及び冷却部に取付ける孔が穿設
されたので、 冷却部に取り付けられる際に平坦精度が悪いと
きでも上記枠体の取付孔の部分で変形するため、
直接モールド部分には歪みが影響しないことにな
り、よつて半導体素子の割れやクラツクの発生が
ほとんどなくなり、放熱板と樹脂との密着性も破
壊されることなく気密性を保持することができ
る。また上記金属放熱板はモールド部分より僅か
に大きめにするだけでよいので、高価な銅材の歩
留りを向上せしめ、この種半導体装置を低廉に提
供することができる。
半導体素子を取り付けモールド樹脂で固めたモー
ルド型半導体装置において、上記金属放熱体は枠
体と係合する縁が形成され、該枠体は放熱体の厚
みに相当する逃げ部が設けられ、かつ上記金属放
熱板と係合する孔及び冷却部に取付ける孔が穿設
されたので、 冷却部に取り付けられる際に平坦精度が悪いと
きでも上記枠体の取付孔の部分で変形するため、
直接モールド部分には歪みが影響しないことにな
り、よつて半導体素子の割れやクラツクの発生が
ほとんどなくなり、放熱板と樹脂との密着性も破
壊されることなく気密性を保持することができ
る。また上記金属放熱板はモールド部分より僅か
に大きめにするだけでよいので、高価な銅材の歩
留りを向上せしめ、この種半導体装置を低廉に提
供することができる。
第１図Ａ，Ｂは従来の半導体装置の例を示す平
面図及び側面図、第２図Ａ，Ｂは第１図例の半導
体装置を実装した状態を示す平面図及び側面図、
第３図は従来装置の取付状態の説明に供する図、
第４図は従来の放熱板の例を示す平面図、第５図
Ａ，Ｂは本考案装置の要部を示す平面図及び側面
図、第６図Ａ，Ｂは枠体の一例を示す平面図及び
断面図、第７図は本考案装置の実装状態を示す
図、第８図は本案の一例を示す放熱板の平面図、
第９図は本案装置の取付状態を示す図である。 ８……金属放熱板、９……半導体素子、１０…
…モールド樹脂、１２……枠体。
面図及び側面図、第２図Ａ，Ｂは第１図例の半導
体装置を実装した状態を示す平面図及び側面図、
第３図は従来装置の取付状態の説明に供する図、
第４図は従来の放熱板の例を示す平面図、第５図
Ａ，Ｂは本考案装置の要部を示す平面図及び側面
図、第６図Ａ，Ｂは枠体の一例を示す平面図及び
断面図、第７図は本考案装置の実装状態を示す
図、第８図は本案の一例を示す放熱板の平面図、
第９図は本案装置の取付状態を示す図である。 ８……金属放熱板、９……半導体素子、１０…
…モールド樹脂、１２……枠体。
Claims (1)
- 金属放熱体に半導体素子を取り付けモールド樹
脂で固めたモールド型半導体装置において、上記
金属放熱体は枠体と係合する縁が形成され、該枠
体は放熱体の厚みに相当する逃げ部が設けられ、
かつ上記金属放熱板と係合する孔及び冷却部に取
付ける孔が穿設されたことを特徴とするモールド
型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8774582U JPS58189543U (ja) | 1982-06-12 | 1982-06-12 | モ−ルド型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8774582U JPS58189543U (ja) | 1982-06-12 | 1982-06-12 | モ−ルド型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58189543U JPS58189543U (ja) | 1983-12-16 |
| JPS6246272Y2 true JPS6246272Y2 (ja) | 1987-12-12 |
Family
ID=30096444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8774582U Granted JPS58189543U (ja) | 1982-06-12 | 1982-06-12 | モ−ルド型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58189543U (ja) |
-
1982
- 1982-06-12 JP JP8774582U patent/JPS58189543U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58189543U (ja) | 1983-12-16 |
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