JPS5812455Y2 - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、大電力用半導体装置の樹脂封止化するにあた
り使用するリードフレームに関し、半導体装置の組みた
て工程あるいは完成した半導体装置を機器に取りつける
工程で、半導体装置に加わる機械的な応力により、リー
ドフレームの半導体基板接着部に接着された半導体基板
にクラックが□″発生る不都合を排除でき、また、動作
中に発生する熱を効果的に外部へ放散することができ、
さらに、組み立て工程において、リードフレームの半導
体基板接着部の相対的な位置関係を正しく保持すること
もできるリードフレームを□提供するものである。

樹脂封止型の大電力用半導体装置の製作に際して従来使
用されていたリードフレームは、放熱板を兼ねる半導体
基板接着部の一部が樹脂封止外殻の外部へ導出され、こ
の部分に半導体装置取り付は用のビス孔が穿設されしが
も、半導体基板接着部の厚みが全域に・わたって均一な
ものとさ九ていた。

また、半導体基板接着部を放熱板としても作用させるた
め、その厚みはすこぶる大である。

ところで、かかる半導体基板接着部の相対的な位置関係
を組み立て工程中も正しく保持するべく、半導体基板接
着部間を連結細条で連結する構成とした場合には、その
目的は確実に達成されるものの、樹脂封止がなされた後
に、個々の半導体装置に分離するにあたり、連結細条の
厚みが半導体基板接着部の厚みと同じ厚みとなるために
、連結細条の切断が困難に゛なる。

たとえば、り一部フレームを銅製とした場合、上記の切
断に支障をきたすことのない厚みは約２ｍｍ程度であり
、この厚みを超えると、切断面め形状が変化し、商品価
値が損われること、また、切断時の応力が半導体素子に
までおよび半導体装置の特性が劣化することなどの不都
合を招く。

したがって、連結細条を設ける構造を採用するためには
、リードフレームの厚みの最大値に制限が課せられると
ころとなり、場合によっては十分な放熱特性を犠牲にし
なければならなくなる。

さらに、半導体基板接着部兼放熱板の厚みが均一である
従来のリードフレームでは、組み立て工程時における機
械的な応力あるいは完成した半導体装置をビス止めによ
り機器へとりつける際に生じる機械的応力がそのまま半
導体基板に作用するところとなり、半導体基板にクラッ
クが生じ、特性が劣化する不都合も招く。

本考案は、従来のリードフレームに存在した上記の不都
合をことごとく排除することのできるリードフレームの
構造を提案するものであり、複数個の並設された半導体
基板接着部兼放熱板のそれぞれを、基板接着部とビス孔
を有する外部導出取り付は部の２部分となし、前者の厚
みを後者の厚みより大となし、両者の上面間に段差が形
成されるとともに、外部導出取り付は部分間がこれらと
同じ厚さの連結細条で連結され、さらに、前記基板接着
部の外部導出取り付は部に繋る側とは反対の側が、前記
外部導出取り付は部よりも薄く、上面が基板接着部の上
面と同一の平面上に位置する共通接続細条からのびる外
部リード線に連結された一体構成物であることに特徴が
存在する。

以下に、図面を参照して本考案の半導体装置用リードフ
レームについて詳しく説明する。

第１図は、本考案の一実施例にかかるトランジスタ用リ
ードフレームの構造を示す斜視図である。

図示するように、半導体基板接着部兼放熱板は、厚さｔ
ｌの基板接着部１と、ビス孔２が形成され、基板接着部
の厚さｔ□よりも薄い厚さｔ２の外部導出取り付は部３
とで構成されており、また、両部分間には高さｈの段差
が存在している。

さらに、基板接着部１は、ｔｌ、ｔ２よりもさらに薄い
厚さｔ３の共通接続細条４からのびるコレクタ用外部リ
ード線５に連結されている。

コレクタ用外部ノード線５の両側に位置する外部リード
線６と７は、ベースならびにエミッタ用の外部リード線
である。

なお、リードフレームは、これらの要素で構成されるト
ランジスタ組立部材が多数個連続的に形成されたもので
あり、本考案では、さらに外部導出取り付は部３，３１
．３２ならびに３３間が、これらと同じ厚さの連結細条
８によって連結されている。

ところで、以上の構成からなる本考案のリードフレーム
は、たとえば厚さがｔｌの銅板の両側を圧延加工するこ
とにより、厚さがｔｌの部分の両側に、厚さｔ２とｔ３
の部分を形成してなる原板に、打ち抜き加工を施して形
成される。

第２図は、第１図で示すトランジスタ用リードフレーム
を用いて形成した樹脂封止型大電力用トランジスタを示
し、第２図ａは平面図、第２図すは第２図ａ（７）Ｂ−
Ｂ線に沿った断面図である。

図示するように、半導体基板１０が接着された基板接着
部１と外部リード線の一部が樹脂１１によって覆われて
おり、外部導出取り付は部３は樹方旨１１で覆われるこ
となく露呈している。

かかる構造のトランジスタでは、半導体基板１０の接着
工程で、厚みがそれ程大きくはない外部導出取りつけ部
３あるいは、共通接続細条などに押圧力が加わり機械的
な応力が生じても、これらの応力発生点となる部分にく
らべて厚さが十分に厚く選定されている基板接着部１で
応力の伝播が吸収されてしまい、半導体基板１０にはク
ラックを発生させるほどの機械的な応力が作用すること
はない また、連結細条８の厚みは、基板接着部１の厚みにくら
べて薄い外部導出取り付部３の厚みと同じであり、この
厚みを、切断が容易な厚みに選定しておくならば、樹脂
封止が終了したのち、個々のトランジスタに分離するに
あたり支障をきたすことはない。

なお、連結細条８は、トランジスタの組み立て工程中に
、半導体基板接着部兼放熱板の相対的な位置関係を正し
く保持するべく作用する。

したがって、トランジスタの組み立て精度を高めること
ができる。

さらに、本考案のリードフレームでは、基板接着部１の
厚みの選定は、他部分とは無関係に独立になしうるもの
であるため、十分な厚さに選定して放熱効果を高めるこ
ともできる。

以上の説明から明らかなように、本考案の半導体装置用
リードフレームは、大電力用の樹脂封止型半導体装置用
リードフレームとして従来用いられていたものに存在し
た不都合をことごとく排除しうるものであり、本考案の
半導体装置用リードフレームの使用により、大電力用樹
脂封止型半導体装置の総合的な特性を高めることができ
る。

なお、以上の説明は、トランジスタ用リードフレームを
例示してなされたが、この例に限られるものではなく、
他の大電力用半導体装置用リードフレームとして広く使
用できること勿論である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の半導体装置用リードフレームを示す斜
視図、第２図ａおよびｂは同半導体装置用リードフレー
ムを用いて形成された大電力用樹脂封止型トランジスタ
を示す平面図ならびに断面図である。 １・・・・・・基板接着部、２・・・・・・ビス孔、３
，３１．３２．３３・・・・・・外部導出取り付は部、
４・・・・・・共通接続細条、５，６゜７・・・・・・
外部リード線、８・・・・・・連結細条、１０・・・・
・・半導体基板、１１・・・・・・樹脂。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 複数個の並設された半導体基板接着部兼放熱板が、基板
   接着部と、同基板接着部に繋り、これよりも薄く、さら
   にビス孔の形成された外部導出取り付は部との２部分で
   形成されるとともに、前記並設された半導体基板接着部
   兼放熱板の外部導出取り付は部間が、これらと同じ厚さ
   の連結細条で連結され、さらに、前記基板接着部の外部
   導出取り付は部と繋る側とは反対の側が、前記基板接着
   部の上面と同一平面上に位置し、前記外部導出取り付は
   部よりも薄い厚みの共通接続細条がらのびる外部リード
   線に連結されてなるリードフレームが一体物として形成
   されてなることを特徴とする半導体装置用リードフレー
   ム。