JPS6246510A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6246510A JPS6246510A JP18612385A JP18612385A JPS6246510A JP S6246510 A JPS6246510 A JP S6246510A JP 18612385 A JP18612385 A JP 18612385A JP 18612385 A JP18612385 A JP 18612385A JP S6246510 A JPS6246510 A JP S6246510A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- silicon
- single crystal
- silicon oxide
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 210000001835 viscera Anatomy 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造方法、特に絶縁膜上に結晶性
の良い半導体膜を形成する方法に関するものである。
の良い半導体膜を形成する方法に関するものである。
従来の技術
近年、絶縁膜上に堆積された非晶質あるいは多結晶のシ
リコンに、エネルギービームの照射、あるいはストリッ
プヒーター等による加熱を施して単結晶化を行い、絶縁
性基板上にシリコン単結晶膜が設けられた構造（以後Ｓ
ＯＩとよぶ）を形成する技術は、三次元的集積回路の実
現には、必要不可欠な技術となっている。
リコンに、エネルギービームの照射、あるいはストリッ
プヒーター等による加熱を施して単結晶化を行い、絶縁
性基板上にシリコン単結晶膜が設けられた構造（以後Ｓ
ＯＩとよぶ）を形成する技術は、三次元的集積回路の実
現には、必要不可欠な技術となっている。
しかし、ＳＯＩ上に集積回路を形成するためＫは、ＳＯ
Ｉの大面積化、結晶性の良さが要求されるＯ そこで従来は、第５図に示されているように、単結晶シ
リコン５１上のシリコン酸化膜５２の一部を開口し、そ
の上に非晶質あるいは多結晶シリコン５３を堆積して、
シリコン基板５１と直接接触させた種部６４を種結晶と
して横方向に結晶成長を行なうラテラルシーディングエ
ビタキシーがよく用いられていた。
Ｉの大面積化、結晶性の良さが要求されるＯ そこで従来は、第５図に示されているように、単結晶シ
リコン５１上のシリコン酸化膜５２の一部を開口し、そ
の上に非晶質あるいは多結晶シリコン５３を堆積して、
シリコン基板５１と直接接触させた種部６４を種結晶と
して横方向に結晶成長を行なうラテラルシーディングエ
ビタキシーがよく用いられていた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような構成では、種部５４におけ
る単結晶シリコン５１の熱伝導度とシリコ／酸化膜５２
の熱伝導度との間の大きな差のために、エネルギービー
ム照射時、あるいはヒーターによる加熱時に種部と８０
１層とに温度差が生じるので、ＳＯＩ層のばぐりの発生
や、形成される結晶膜の不均一などの問題があった。
る単結晶シリコン５１の熱伝導度とシリコ／酸化膜５２
の熱伝導度との間の大きな差のために、エネルギービー
ム照射時、あるいはヒーターによる加熱時に種部と８０
１層とに温度差が生じるので、ＳＯＩ層のばぐりの発生
や、形成される結晶膜の不均一などの問題があった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、エネルギー
ビーム照射時、あるいはヒーターによる加熱時の種部と
ＳＯＩ層との間の温度差を低減することができる半導体
装置の製造方法を提供するものである。
ビーム照射時、あるいはヒーターによる加熱時の種部と
ＳＯＩ層との間の温度差を低減することができる半導体
装置の製造方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、シリコン酸化膜上
に高融点金属膜を形成した後、種部領域膜上に形成し、
その後、非晶質あるいは多結晶シリコンを堆積すること
から構成されている。
に高融点金属膜を形成した後、種部領域膜上に形成し、
その後、非晶質あるいは多結晶シリコンを堆積すること
から構成されている。
作 用
本発明は上記した構成によシ、高融点金属の高い熱伝導
率によって、種部とＳＯＩ層の間の温度差を低減するこ
とができ、結晶性の良いＳＯＩ層を形成することができ
る。
率によって、種部とＳＯＩ層の間の温度差を低減するこ
とができ、結晶性の良いＳＯＩ層を形成することができ
る。
実施例
第１図は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施例に
おいて形成されたＳＯＩの断面図である。
おいて形成されたＳＯＩの断面図である。
１１は単結晶シリコン基板、１２．１５はシリコン酸化
膜、１３はＭｏ膜、１４は多結晶シリコン膜である。
膜、１３はＭｏ膜、１４は多結晶シリコン膜である。
第１図に示すＳＯＩを形成するまでのプロセス７０−を
第２図〜第４図を用いて以下に説明する。
第２図〜第４図を用いて以下に説明する。
まず単結晶シリコン１イに厚さ５０００人の熱酸化膜１
２を形成し、その一部を深さ４０００人はどウェットエ
ツチングする（第２図）。その上に厚さ２０００人のＭ
Ｏ膜１３をＣＶＤ法によって堆積し、ドライエッチによ
ってＭｏ膜１３とシリコン酸化膜１２をエツチングし、
単結晶シリコン１１の一部を露呈する（第３図）。次に
、ＣＶＤ法によシ、厚さ１０００人のシリコン酸化膜１
５を形成し、ドライエッチによりＭｏ膜１３の一部と単
結晶シリコン基板１１を露呈する（第４図）。
２を形成し、その一部を深さ４０００人はどウェットエ
ツチングする（第２図）。その上に厚さ２０００人のＭ
Ｏ膜１３をＣＶＤ法によって堆積し、ドライエッチによ
ってＭｏ膜１３とシリコン酸化膜１２をエツチングし、
単結晶シリコン１１の一部を露呈する（第３図）。次に
、ＣＶＤ法によシ、厚さ１０００人のシリコン酸化膜１
５を形成し、ドライエッチによりＭｏ膜１３の一部と単
結晶シリコン基板１１を露呈する（第４図）。
最後に厚さ４０Ｑ〇への多結晶シリコン１４をＣＶＤ法
により形成する。
により形成する。
第１図のような構成にすれば、Ｍｏ膜１３の高い熱伝導
率のために、種部での熱の逃げ口は、シリコン基板１１
とＭｏ膜１３の両方に存在するので、種部へのエネルギ
ービーム照射時に、Ｍｏ膜１３の温度は上昇する。従っ
て、シリコン酸化膜１５上の多結晶シリコン１４は、Ｍ
ｏ膜１３からの熱伝導によって温度が上昇するので、種
部とＳＯＩ層の間の温度差を低減することができる。
率のために、種部での熱の逃げ口は、シリコン基板１１
とＭｏ膜１３の両方に存在するので、種部へのエネルギ
ービーム照射時に、Ｍｏ膜１３の温度は上昇する。従っ
て、シリコン酸化膜１５上の多結晶シリコン１４は、Ｍ
ｏ膜１３からの熱伝導によって温度が上昇するので、種
部とＳＯＩ層の間の温度差を低減することができる。
即ち、きわめて均一な結晶膜を形成することかできる。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、きわめて簡単
な方法で、種部と絶縁性膜上の非晶質あるいは多結晶膜
の温度差を低減することができ、均一な結晶膜を形成す
ることができるので、実用的にきわめて有効な方法であ
る。
な方法で、種部と絶縁性膜上の非晶質あるいは多結晶膜
の温度差を低減することができ、均一な結晶膜を形成す
ることができるので、実用的にきわめて有効な方法であ
る。
第１図は本発明の一実施例において形成されたＳＯＩ断
面図、第２図、第３図、第４図は本発明の一実施例のプ
ロセス７０−を表わす断面図、第５図は従来の製造方法
を説明するためのＳＯＩ断面図である。 １１・・・・・・単結晶シリコン、１２，１ｆ５・・・
・・シリコン酸化膜、１３・・・・・・Ｍｏ膜、１４・
・・・・・多結晶シリコン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＠
１ 図 ／３−−−ｈｏ臓 ｔ４−一一夕麿吉品シリコン 第２図
面図、第２図、第３図、第４図は本発明の一実施例のプ
ロセス７０−を表わす断面図、第５図は従来の製造方法
を説明するためのＳＯＩ断面図である。 １１・・・・・・単結晶シリコン、１２，１ｆ５・・・
・・シリコン酸化膜、１３・・・・・・Ｍｏ膜、１４・
・・・・・多結晶シリコン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名＠
１ 図 ／３−−−ｈｏ臓 ｔ４−一一夕麿吉品シリコン 第２図
Claims (1)
- 単結晶半導体基板の表面上に基板表面の一部を露呈する
ように開口部を有し、表面に高融点金属膜が載置された
絶縁膜を形成する工程と、前記高融点金属膜上に前記基
板表面と前記高融点金属膜の一部を露呈するように第２
の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜上に、前
記基板表面の露呈部と接触するように非晶質あるいは多
結晶の半導体膜を堆積する工程と、エネルギービーム照
射あるいは加熱を施して、前記半導体膜を単結晶半導体
膜に変換する工程とを含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18612385A JPS6246510A (ja) | 1985-08-24 | 1985-08-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18612385A JPS6246510A (ja) | 1985-08-24 | 1985-08-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6246510A true JPS6246510A (ja) | 1987-02-28 |
Family
ID=16182763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18612385A Pending JPS6246510A (ja) | 1985-08-24 | 1985-08-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6246510A (ja) |
-
1985
- 1985-08-24 JP JP18612385A patent/JPS6246510A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6163017A (ja) | 半導体薄膜結晶層の製造方法 | |
| JPS61251115A (ja) | 絶縁膜上の半導体単結晶成長方法 | |
| JPS6246510A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6265317A (ja) | 半導体単結晶膜形成のためのウエハ構造 | |
| JPS5885520A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58175844A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0810669B2 (ja) | Ｓｏｉ膜の形成方法 | |
| JPS61117821A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58180019A (ja) | 半導体基体およびその製造方法 | |
| JP2745055B2 (ja) | 単結晶半導体薄膜の製造方法 | |
| JPS5893224A (ja) | 半導体単結晶膜の製造方法 | |
| JPS63265464A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2857480B2 (ja) | 半導体膜の製造方法 | |
| JPS6321819A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5837916A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0722120B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5885519A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6219046B2 (ja) | ||
| JPH027416A (ja) | Ｓｏｉ薄膜形成方法 | |
| JPS5893218A (ja) | 半導体薄膜構造の製造方法 | |
| JPS62134922A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63300510A (ja) | 積層型半導体装置 | |
| JPS6236381B2 (ja) | ||
| JPS61212012A (ja) | Ｓｏｉ構造形成方法 | |
| JPS6015916A (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 |