JPS6247106A - セラミツク電子部品 - Google Patents
セラミツク電子部品Info
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- JPS6247106A JPS6247106A JP18797585A JP18797585A JPS6247106A JP S6247106 A JPS6247106 A JP S6247106A JP 18797585 A JP18797585 A JP 18797585A JP 18797585 A JP18797585 A JP 18797585A JP S6247106 A JPS6247106 A JP S6247106A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、けラミック焼結体内に・端面から延びる空
隙部が形成されており、かつ該空隙部に金属を8人・固
化することにより内部電極が形成i′Sれている形式の
セラミック電子部品に関りる。
隙部が形成されており、かつ該空隙部に金属を8人・固
化することにより内部電極が形成i′Sれている形式の
セラミック電子部品に関りる。
[従来の技術]
セラミック焼結体内に端1mから延びる空隙層が形成さ
れており、該空隙層に卑金属を注入することにより内部
電極が形成され−11,I−る【!ラミック]ンデンリ
が、特公昭53−350 B 5号に開示されている。
れており、該空隙層に卑金属を注入することにより内部
電極が形成され−11,I−る【!ラミック]ンデンリ
が、特公昭53−350 B 5号に開示されている。
このI了うミツクコンデンリ−は、第4図に示Jように
、しラミック焼結t41において相77に対向づる端面
から内部に向っC延ばされた空隙層に、たどえぼPi
、Ph−8nまたは7nイfどの卑金属が11人され(
内部電極2a・・・2dが形成されている。第1の端面
から延ばされている内部電極2a、2bは一方の外部電
極3に電気的に接続されており、第2の端面から延ばさ
れ−Cいる内部用i2c、2dは他方の外部電極4に電
気的に接続されている。
、しラミック焼結t41において相77に対向づる端面
から内部に向っC延ばされた空隙層に、たどえぼPi
、Ph−8nまたは7nイfどの卑金属が11人され(
内部電極2a・・・2dが形成されている。第1の端面
から延ばされている内部電極2a、2bは一方の外部電
極3に電気的に接続されており、第2の端面から延ばさ
れ−Cいる内部用i2c、2dは他方の外部電極4に電
気的に接続されている。
上記のような卑金属t、I入により内部電極が形成され
る積層コンデンリは、lス下の二[稈を経て製作される
。まず、内部電極2a・・・2(1が形成される部分に
空隙層を有するセラミック焼結体1を準備Jる。次に、
溶融卑金属浴を内部にイjづる真空槽内にセラミック焼
結体を入れ、卑金属浴にセラミック焼結体を浸漬するに
先立ら真空槽内を脱気し真空状態とする。次に、セラミ
ック焼結体を卑金属浴に浸漬し、その状態−C゛不活竹
ガス等を真空槽内に導入することに」、す7J1ロFし
、空隙層に卑金属を注入づる。ざらに、しラミック焼結
体を卑金属浴から引l−げ、冷2J+・固化した後、人
気F「に戻り。
る積層コンデンリは、lス下の二[稈を経て製作される
。まず、内部電極2a・・・2(1が形成される部分に
空隙層を有するセラミック焼結体1を準備Jる。次に、
溶融卑金属浴を内部にイjづる真空槽内にセラミック焼
結体を入れ、卑金属浴にセラミック焼結体を浸漬するに
先立ら真空槽内を脱気し真空状態とする。次に、セラミ
ック焼結体を卑金属浴に浸漬し、その状態−C゛不活竹
ガス等を真空槽内に導入することに」、す7J1ロFし
、空隙層に卑金属を注入づる。ざらに、しラミック焼結
体を卑金属浴から引l−げ、冷2J+・固化した後、人
気F「に戻り。
[記1稈を軽ることにより、しラミック焼結体の焼結温
度に耐え得4I−い卑金属により内部電極を構成するこ
とができる。
度に耐え得4I−い卑金属により内部電極を構成するこ
とができる。
[発明が解決しようとする問題貞]
しかしながら、第4図に示したセラミック′ニー1ンデ
ンサでは、たとえば内部電極28の部分を第5図に拡大
して示すように、内部電極2aどセラミック焼結体1と
の間にすき間5が形成さね、その結束静電容量が低下−
4るという問題があった。これは、内部電極を構成する
卑金属が、凝固りる際に収縮づるためと考えられる。
ンサでは、たとえば内部電極28の部分を第5図に拡大
して示すように、内部電極2aどセラミック焼結体1と
の間にすき間5が形成さね、その結束静電容量が低下−
4るという問題があった。これは、内部電極を構成する
卑金属が、凝固りる際に収縮づるためと考えられる。
そこて゛、この発明のr1的は、内部電極とセラミック
焼結体との間にづき間が形成されず、したがって静電容
量の低下が牛じ4fい、卑金属?1人型上しミック電子
部品を提供Jることにある。
焼結体との間にづき間が形成されず、したがって静電容
量の低下が牛じ4fい、卑金属?1人型上しミック電子
部品を提供Jることにある。
[問題貞を解決づるための手段]
この発明では、セラミック焼結体と、Pラミック焼結体
内に形成された内部電極と、内部N極に電気的に接続さ
れる外部電極とを備え、内部゛N極が卑金属注入により
形成される形式のセラミック電子部品が提供される。
内に形成された内部電極と、内部N極に電気的に接続さ
れる外部電極とを備え、内部゛N極が卑金属注入により
形成される形式のセラミック電子部品が提供される。
ここeは、セラミック焼結体は、端面がら内部に向って
延ばされた空隙部を有し、この空隙部を囲むセラミック
焼結体面に導電11金属層または導電性金属酸化物層が
形成されている。外部電極は、周囲に導電11金属層ま
たは導電性金属酸化物層をtiする空隙部にI金属を注
入・固化することにより形成されている。
延ばされた空隙部を有し、この空隙部を囲むセラミック
焼結体面に導電11金属層または導電性金属酸化物層が
形成されている。外部電極は、周囲に導電11金属層ま
たは導電性金属酸化物層をtiする空隙部にI金属を注
入・固化することにより形成されている。
1作用1
この発明では、けラミック焼結体の空隙部の周囲に導電
性金属層または導電性金属酸化物層が形成されており、
卑金属は該導′#i竹金属層または導電性金属酸化物層
の内側に配置されている。したがって、内部電極を構成
覆る卑金属の大部分は、直接セラミック焼結体に接して
おらず、導電性金属屑または1jj性金属酸化物層に接
触した状態で固化されている。導電性金属層または導電
11金属酸化物層と卑金属との間の接合強度は、セラミ
ック焼結体と卑金属との接合強度に比べてはるかfJ高
く、したがって同化に際し卑金属は収縮するJiのの、
導電性金属層または導電性金属酸化物層と卑金属との間
にはづき間はノ1じない。J<Cわら、導電性金属層ま
たlj導導電金金属酸化物層、))人される卑金属の下
地層となり、ぞの結果卑金属は1き間を発生さ口ずに充
填・固化される。
性金属層または導電性金属酸化物層が形成されており、
卑金属は該導′#i竹金属層または導電性金属酸化物層
の内側に配置されている。したがって、内部電極を構成
覆る卑金属の大部分は、直接セラミック焼結体に接して
おらず、導電性金属屑または1jj性金属酸化物層に接
触した状態で固化されている。導電性金属層または導電
11金属酸化物層と卑金属との間の接合強度は、セラミ
ック焼結体と卑金属との接合強度に比べてはるかfJ高
く、したがって同化に際し卑金属は収縮するJiのの、
導電性金属層または導電性金属酸化物層と卑金属との間
にはづき間はノ1じない。J<Cわら、導電性金属層ま
たlj導導電金金属酸化物層、))人される卑金属の下
地層となり、ぞの結果卑金属は1き間を発生さ口ずに充
填・固化される。
[実施例の説明1
第1図は、この発明の一実施例の断面図を示し、第2図
は第1図の要部を拡大して示づ一部である。
は第1図の要部を拡大して示づ一部である。
この実施例は、積層型セラミツクコンデンリ−に適用さ
れた例を示1ものである。
れた例を示1ものである。
セラミック焼結体11内に複数の内部電極12a・・・
12dが、セラミック焼結体の一部を介して相互に積層
されている。また、セラミック焼結体110対向する1
対の端面には、静°眉容邑を取出1 /こめの1対の外
部電極13.14が設けられている。
12dが、セラミック焼結体の一部を介して相互に積層
されている。また、セラミック焼結体110対向する1
対の端面には、静°眉容邑を取出1 /こめの1対の外
部電極13.14が設けられている。
一方の外部電極13には、第1の端面から内部に向っ−
C延びる内部電極12a、12hが形成されている。第
2の端面に形成された他方の外部電極14には、内部゛
上極12c、12dが接続されている。
C延びる内部電極12a、12hが形成されている。第
2の端面に形成された他方の外部電極14には、内部゛
上極12c、12dが接続されている。
ところで、各内部゛電極12a・・・12dは、セラミ
ツ′ノグリーンシーi・トにカーボン粉末またはカーボ
ン粉末と1?ラミツク粉末の混合粉末からなるベース1
〜を印刷し、セラミック焼結体11を構成りる他のレラ
ミックグリーンシーI〜と積層し、同0)に焼成するこ
とに」;す、内部電極12a・・・12(1のイ1″装
置する部分に空隙層を形成1)、しがる後該空隙層に卑
金属を71人することにより形成されている。この卑金
属24人にJ、る内部電極12a・・・12dの形成は
、特公昭53−35085号に開示されているtit人
により行ない19る。
ツ′ノグリーンシーi・トにカーボン粉末またはカーボ
ン粉末と1?ラミツク粉末の混合粉末からなるベース1
〜を印刷し、セラミック焼結体11を構成りる他のレラ
ミックグリーンシーI〜と積層し、同0)に焼成するこ
とに」;す、内部電極12a・・・12(1のイ1″装
置する部分に空隙層を形成1)、しがる後該空隙層に卑
金属を71人することにより形成されている。この卑金
属24人にJ、る内部電極12a・・・12dの形成は
、特公昭53−35085号に開示されているtit人
により行ない19る。
しかしながら、−1−述のようにしC外部電極12a・
・・12dを卑金属11人に」−り形成した場合には、
前jホしたずき間の形成に伴なって静電容量が11(下
りる。イこて、この実施例では、各内部電極128・・
・1?(1の周囲に、?Iなわち空隙層の周囲に導電性
金属層または導電性金属酸化物層16a・・・16(1
が形成され′(いる。
・・12dを卑金属11人に」−り形成した場合には、
前jホしたずき間の形成に伴なって静電容量が11(下
りる。イこて、この実施例では、各内部電極128・・
・1?(1の周囲に、?Iなわち空隙層の周囲に導電性
金属層または導電性金属酸化物層16a・・・16(1
が形成され′(いる。
この導電性金属層または導電11金属酸化物層16a・
・・16dは、内部電極12a・・・12dを構成Jる
卑金属のFJ人に先立6形成され、卑金属の下地層とな
るものである。、ここでは、予め導電性金属層または導
電性金属酸化物層16a・・・16dが空隙層の周囲に
形成されているので、卑金属を11人・固化した場合、
該卑金属は導電性金属層または導電性金属酸化物層16
a・・・1611ど密着した状態で同化する。したがっ
て、固化に伴ない収縮したとしくも、卑金属と導電性金
属層J:たは導電1q金属酸化物層16a・・・16(
lどの間には、づさ間は発生しない。
・・16dは、内部電極12a・・・12dを構成Jる
卑金属のFJ人に先立6形成され、卑金属の下地層とな
るものである。、ここでは、予め導電性金属層または導
電性金属酸化物層16a・・・16dが空隙層の周囲に
形成されているので、卑金属を11人・固化した場合、
該卑金属は導電性金属層または導電性金属酸化物層16
a・・・1611ど密着した状態で同化する。したがっ
て、固化に伴ない収縮したとしくも、卑金属と導電性金
属層J:たは導電1q金属酸化物層16a・・・16(
lどの間には、づさ間は発生しない。
なお、導電性金属または導電性金属酸化物層16a・・
・16dは、以下のようにして形成される。
・16dは、以下のようにして形成される。
導電性金属層の場合には、たとえば銀、銀−パラジウム
およびビスマスの少/r <とb1種からなるペース1
〜または溶液を、空隙層にと1人し、乾燥し、さらに焼
付番フることにより形成される。また、NiあるいはC
LI(?どの無電解メツ−(−を行ない、イの後焼イ・
Hノによっ′Cも導電性金属層が形成され得る。同様に
、導電性金属酸化物層の場合にL友、Sn□、、、Ir
e203、In20a−8nOz(インジウム錫酸化物
層、いわゆるITO)およびRIf 02 <’にどの
溶液を空隙層に注入し、乾燥・焼付けにより形成され得
る。
およびビスマスの少/r <とb1種からなるペース1
〜または溶液を、空隙層にと1人し、乾燥し、さらに焼
付番フることにより形成される。また、NiあるいはC
LI(?どの無電解メツ−(−を行ない、イの後焼イ・
Hノによっ′Cも導電性金属層が形成され得る。同様に
、導電性金属酸化物層の場合にL友、Sn□、、、Ir
e203、In20a−8nOz(インジウム錫酸化物
層、いわゆるITO)およびRIf 02 <’にどの
溶液を空隙層に注入し、乾燥・焼付けにより形成され得
る。
う#電11金属層または導電11金属酸化物F1!16
a・・・16dlよ、ト述のようにセラミック焼結体に
焼(J fJられるため、セラミック焼結(411に強
固に被着されている。さらに、この導電性金属層または
導電性金属酸化物層16a・・・16dは、極めて簿く
形成されており、かつセラミック焼結体11を確実に覆
い得るようには形成されていない。よって、たとえ卑金
属の同化の際の収縮力を受けたとしても、該導電性金属
層または導電性金属酸化物WJ16a・・・16(lと
セラミック焼結体11との間に1き間が発生することは
4Tい。
a・・・16dlよ、ト述のようにセラミック焼結体に
焼(J fJられるため、セラミック焼結(411に強
固に被着されている。さらに、この導電性金属層または
導電性金属酸化物層16a・・・16dは、極めて簿く
形成されており、かつセラミック焼結体11を確実に覆
い得るようには形成されていない。よって、たとえ卑金
属の同化の際の収縮力を受けたとしても、該導電性金属
層または導電性金属酸化物WJ16a・・・16(lと
セラミック焼結体11との間に1き間が発生することは
4Tい。
なお、外部電極13.14については、内部電極12a
・・・12(1を形成した後にセラミック焼結9一 体11の両端面に形成してもに<、あるいは卑金属の注
入に先X′lIう形成することb ’C″きる。卑金属
の11人に先立ら外部電極i3.iiを形成する場合に
は、卑金属を透過させ得るよう<K44籾で、外部電極
13.14が形成される。また、好ましくは、外部電極
13.14を、ニツノフルを一1成分と覆る第1の層、
錫または鉛−錫を1人分どし、第1の層の外側に形成さ
れる第2の層を構成してりよい。この場合には、ニッケ
ルを主成分どする第1の層が卑金属の汀入内りに形成さ
れ、第2の層が卑金属の注入後に形成される。このよう
に2N4構造の外部電極とJることにより、外部電極の
溶融鉛による消失あるいは食われを防出することがC゛
きるどともに、第2の層を錫または鉛−錫を[成分と1
6材利により形成覆ることにより、はんだとの付着性を
も改善することができる。
・・・12(1を形成した後にセラミック焼結9一 体11の両端面に形成してもに<、あるいは卑金属の注
入に先X′lIう形成することb ’C″きる。卑金属
の11人に先立ら外部電極i3.iiを形成する場合に
は、卑金属を透過させ得るよう<K44籾で、外部電極
13.14が形成される。また、好ましくは、外部電極
13.14を、ニツノフルを一1成分と覆る第1の層、
錫または鉛−錫を1人分どし、第1の層の外側に形成さ
れる第2の層を構成してりよい。この場合には、ニッケ
ルを主成分どする第1の層が卑金属の汀入内りに形成さ
れ、第2の層が卑金属の注入後に形成される。このよう
に2N4構造の外部電極とJることにより、外部電極の
溶融鉛による消失あるいは食われを防出することがC゛
きるどともに、第2の層を錫または鉛−錫を[成分と1
6材利により形成覆ることにより、はんだとの付着性を
も改善することができる。
第3Nは、この発明の他の実施例を示し、ここでは筒形
コンデンサ20に応用された例が示されている。筒形コ
ンデンサ20は、セラミック焼結体21の中心に該セラ
ミック焼結体21の端面から延びる空隙部に卑金属を注
入することにより形成された内部電極22ど、外周面に
形成された他方の電極23どを有する。この内部電極2
2と、電極233との間の容品が、外部電極24.2F
5により取出される。ここでも、外部電極22の外周に
は、導電性金属層まIこは導電tII金属酸化物−26
が卑金属0入に先立ち形成されている。よって、内部電
極22を形成するに際し、11人され!、:IJF!金
属22が収縮したとしても、該収縮に伴ない内部電極2
2の周囲にMき間が11じることはない。
コンデンサ20に応用された例が示されている。筒形コ
ンデンサ20は、セラミック焼結体21の中心に該セラ
ミック焼結体21の端面から延びる空隙部に卑金属を注
入することにより形成された内部電極22ど、外周面に
形成された他方の電極23どを有する。この内部電極2
2と、電極233との間の容品が、外部電極24.2F
5により取出される。ここでも、外部電極22の外周に
は、導電性金属層まIこは導電tII金属酸化物−26
が卑金属0入に先立ち形成されている。よって、内部電
極22を形成するに際し、11人され!、:IJF!金
属22が収縮したとしても、該収縮に伴ない内部電極2
2の周囲にMき間が11じることはない。
同様に、第3図において内部電極22が他り端面まて゛
貫通して形成されている貫通形1ピラミック]ンデン1
Jにおいても中心に位百する電極を卑金属tJ人により
形成゛づるに際し、その周囲に予め導電性金属層まlJ
は導電性金属酸化物層を形成し−(お【Jば、同様に卑
金属とセラミック焼結体との間に、すき間を生じること
はない。
貫通して形成されている貫通形1ピラミック]ンデン1
Jにおいても中心に位百する電極を卑金属tJ人により
形成゛づるに際し、その周囲に予め導電性金属層まlJ
は導電性金属酸化物層を形成し−(お【Jば、同様に卑
金属とセラミック焼結体との間に、すき間を生じること
はない。
さらに、焼結体内に形成された空隙部に卑金属を注入・
固化することにJ、リセラミック焼結体内に卑金属部分
を4jする電子部品であれば、Lラミック−1ンデンリ
に限らず、たとλばE?ラミック1イルなと様々なセラ
ミック電子部品 般に適用4ることがひきる。
固化することにJ、リセラミック焼結体内に卑金属部分
を4jする電子部品であれば、Lラミック−1ンデンリ
に限らず、たとλばE?ラミック1イルなと様々なセラ
ミック電子部品 般に適用4ることがひきる。
[発明の効果1
この発明にJ、れば、端面から内部に向って延ばされた
空隙部に11人・固化された卑金属よりなる内部電極の
周囲に、該空隙部を囲むようにセラミック焼結体而に導
電性金属層8または導電性金属酸化物層が形成されてい
るので・、内部電極は該II導電性金属層たは導電+4
金属酸化物層を介してセラミック焼結体に強固に接合さ
れている。よって、L&属の同化に伴ない収縮力が生じ
たとしてb、Jき間が生じることはなく、よって信頼1
1に優れたセラミック電子部品を得ることが(゛きる。
空隙部に11人・固化された卑金属よりなる内部電極の
周囲に、該空隙部を囲むようにセラミック焼結体而に導
電性金属層8または導電性金属酸化物層が形成されてい
るので・、内部電極は該II導電性金属層たは導電+4
金属酸化物層を介してセラミック焼結体に強固に接合さ
れている。よって、L&属の同化に伴ない収縮力が生じ
たとしてb、Jき間が生じることはなく、よって信頼1
1に優れたセラミック電子部品を得ることが(゛きる。
第1図は、この発明の一実施例のセラミックー1ンデン
リを承り断面図である。第2図は、第1図の背部を拡大
して示寸断面図である。第3図は、この発明の他の実施
例を承り断面図である。第4図および第5図は、この発
明の費唄となる先行技術のセラミック“]ンデン1Jの
断面図および要部拡大断面図である。 図において、11はセラミック焼結体、12a・・・i
2dは内部電極、13.14は外部電極、16a・・・
16dは導電性金属層または導電性金属酸化物層を示す
。
リを承り断面図である。第2図は、第1図の背部を拡大
して示寸断面図である。第3図は、この発明の他の実施
例を承り断面図である。第4図および第5図は、この発
明の費唄となる先行技術のセラミック“]ンデン1Jの
断面図および要部拡大断面図である。 図において、11はセラミック焼結体、12a・・・i
2dは内部電極、13.14は外部電極、16a・・・
16dは導電性金属層または導電性金属酸化物層を示す
。
Claims (3)
- (1)セラミック焼結体と、該セラミック焼結体内に形
成された内部電極と、前記内部電極に電気的に接続され
る外部電極とを備えるセラミック電子部品であって、 前記セラミック焼結体は、端面から内部に向って延ばさ
れた空隙部を有し、 前記空隙部を囲むセラミック焼結体面に形成された導電
性金属層または導電性金属酸化物層と、前記空隙部に注
入された卑金属からなる内部電極とを備えることを特徴
とする、セラミック電子部品。 - (2)前記セラミック電子部品はセラミツクコンデンサ
であり、 前記内部電極は、前記セラミック焼結体の第1および第
2の端面からそれぞれ内部に向つて延ばされており、か
つ 前記第1の端面から延ばされた内部電極と、第2の端面
から延ばされた内部電極とは、セラミック焼結体の一部
を介して相互に重なり合うように配置されている、特許
請求の範囲第1項記載のセラミック電子部品。 - (3)前記第1の端面から延ばされた内部電極および第
2の端面から延ばされた内部電極は、それぞれ、複数形
成されており、かつ互いに間挿し合うように交互に重な
り合っている、特許請求の範囲第2項記載のセラミック
電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18797585A JPS6247106A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | セラミツク電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18797585A JPS6247106A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | セラミツク電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6247106A true JPS6247106A (ja) | 1987-02-28 |
Family
ID=16215415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18797585A Pending JPS6247106A (ja) | 1985-08-26 | 1985-08-26 | セラミツク電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6247106A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006181568A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-07-13 | Ngk Insulators Ltd | 水素分離体及びその製造方法 |
| US7923105B2 (en) | 2004-12-01 | 2011-04-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Hydrogen separator and process for production thereof |
-
1985
- 1985-08-26 JP JP18797585A patent/JPS6247106A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006181568A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-07-13 | Ngk Insulators Ltd | 水素分離体及びその製造方法 |
| US7923105B2 (en) | 2004-12-01 | 2011-04-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Hydrogen separator and process for production thereof |
| US8211539B2 (en) | 2004-12-01 | 2012-07-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Hydrogen separator and process for production thereof |
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