JPS6247516A - 薄膜レ−ザジャイロ - Google Patents
薄膜レ−ザジャイロInfo
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- JPS6247516A JPS6247516A JP18652785A JP18652785A JPS6247516A JP S6247516 A JPS6247516 A JP S6247516A JP 18652785 A JP18652785 A JP 18652785A JP 18652785 A JP18652785 A JP 18652785A JP S6247516 A JPS6247516 A JP S6247516A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 35
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 12
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920005372 Plexiglas® Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000382 optic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- -1 gallium-aluminum-arsenide compound Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
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- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明はレーザジャイロスコープに係り、特に共振器内
において、時計方向及び反時計方向のビームが共存しな
い形式の薄膜技術を用いたレーザジャイロスコープに関
する。
において、時計方向及び反時計方向のビームが共存しな
い形式の薄膜技術を用いたレーザジャイロスコープに関
する。
[発明の技術的背景とその問題点]
レーザジャイロスコープは共振器内で時計方向及び反時
計方向に進行する光ビームによって動作する。共振器が
共振器面内において角速度を有すれば、一方のビームの
見かけの路長は対向して進行□するビームの見かけの路
長よりも長くなる。従って、この場合、2つのビームに
対する共振条件は最早同一ではなくなる。共振器内へ双
方のビームを再度導くために、時計方向及び反時計方向
における見かけの路長の変化を補償するためのバイアス
が加えられなければならない。
計方向に進行する光ビームによって動作する。共振器が
共振器面内において角速度を有すれば、一方のビームの
見かけの路長は対向して進行□するビームの見かけの路
長よりも長くなる。従って、この場合、2つのビームに
対する共振条件は最早同一ではなくなる。共振器内へ双
方のビームを再度導くために、時計方向及び反時計方向
における見かけの路長の変化を補償するためのバイアス
が加えられなければならない。
共振器内に時計方向及び反時計方向のビームの双方が同
時に存在すると、各種の有害な相互作用効果、例えばう
なり、背景散乱やレーザ内への帰還を生じ、レーザジャ
イロスコープの性能を低下させる。
時に存在すると、各種の有害な相互作用効果、例えばう
なり、背景散乱やレーザ内への帰還を生じ、レーザジャ
イロスコープの性能を低下させる。
[発明の目的]
本発明の目的は、うなり、背景散乱やレーザ内への帰還
のような相互作用効果を実質的に除去した受動リング共
振器レーザジャイロスコープを提供することにある。
のような相互作用効果を実質的に除去した受動リング共
振器レーザジャイロスコープを提供することにある。
さらに本発明の他の目的は、薄膜技術を用いて極めてコ
ンパクトで信頼性が高く、かつ製造容易なジャイロスコ
ープを提供することにある。
ンパクトで信頼性が高く、かつ製造容易なジャイロスコ
ープを提供することにある。
[発明の概要]
上記の本発明の目的は固体レーザを含むレーザジャイロ
スコープ及び薄膜受動リング共振器により達成すること
ができる。レーザからの光を共振器内へ伝えるために、
共振器にエバネッセント結合される薄膜伝達ループ導波
路が用いられる。薄膜構造の電気光学スイッチがレーザ
からの光ビームを伝達ループ内へ時計方向及び反時計方
向に交互に注入する。同様に、薄膜構造の電気光学変調
器は、時計方向及び反時計方向のビームをそれぞれ独立
に共振状態に維持するようにレーザからの光の位相を変
調するために用いられる。
スコープ及び薄膜受動リング共振器により達成すること
ができる。レーザからの光を共振器内へ伝えるために、
共振器にエバネッセント結合される薄膜伝達ループ導波
路が用いられる。薄膜構造の電気光学スイッチがレーザ
からの光ビームを伝達ループ内へ時計方向及び反時計方
向に交互に注入する。同様に、薄膜構造の電気光学変調
器は、時計方向及び反時計方向のビームをそれぞれ独立
に共振状態に維持するようにレーザからの光の位相を変
調するために用いられる。
−例として、電気光学変調器がレーザと電気光学スイッ
チとの間に配置される。他の例としては、電気光学変調
器が受動リング共振器自体に配置される。これらの例に
おいて、電気光学変調器は。
チとの間に配置される。他の例としては、電気光学変調
器が受動リング共振器自体に配置される。これらの例に
おいて、電気光学変調器は。
電気的に活性な材料上に配置され、レーザからの光の位
相を変調するための電極を側面に備えたチャンネル導波
路を有する。電気光学スイッチは、同様に電気的に活性
な材料上に配置され、時計方向及び反時計方向のビーム
を交互に伝達ループ内へ注入するように、レーザからの
光を切換えるのに適した電極を側面に備えたチャンネル
導波路を有する。電気的に活性な材料としては、好まし
くはチタン拡散LiNbO3である。又固体レーザとし
て、好ましくはガリウム−アルミニウム−ひ素化合物が
ある。さらに受動リング共振器としては、酸化亜鉛から
成り、ガラス、熱的に酸化されたシリコン又は石英基板
上に形成された低損失の電気光学導波路が適している。
相を変調するための電極を側面に備えたチャンネル導波
路を有する。電気光学スイッチは、同様に電気的に活性
な材料上に配置され、時計方向及び反時計方向のビーム
を交互に伝達ループ内へ注入するように、レーザからの
光を切換えるのに適した電極を側面に備えたチャンネル
導波路を有する。電気的に活性な材料としては、好まし
くはチタン拡散LiNbO3である。又固体レーザとし
て、好ましくはガリウム−アルミニウム−ひ素化合物が
ある。さらに受動リング共振器としては、酸化亜鉛から
成り、ガラス、熱的に酸化されたシリコン又は石英基板
上に形成された低損失の電気光学導波路が適している。
石英基板上にドープされたプレキシガラスも同様に用い
ることができる。
ることができる。
E発明の実施例コ
第1図を参照すると、レーザジャイロスコープ10は単
色光を発生する固体ガリウム−アルミニウム−ひ素化合
物半導体レーザ12を含んでいる。
色光を発生する固体ガリウム−アルミニウム−ひ素化合
物半導体レーザ12を含んでいる。
レーザ12からの光は1時間についての位相の直線的変
化によって光ビーム内に周波数シフトを与える薄膜電気
光学変調器14を通って通過し、変調された光ビームは
薄膜電気光学スイッチ16内へ進行する。電気光学スイ
ッチ16は、ビームを伝達ループ22の上側支線18と
下側支線20内へ交互に導びく。伝達ループ22は、伝
達ループ22と受動リング24とがエバネッセント結合
するように受動リング共振器の近傍に配置される。
化によって光ビーム内に周波数シフトを与える薄膜電気
光学変調器14を通って通過し、変調された光ビームは
薄膜電気光学スイッチ16内へ進行する。電気光学スイ
ッチ16は、ビームを伝達ループ22の上側支線18と
下側支線20内へ交互に導びく。伝達ループ22は、伝
達ループ22と受動リング24とがエバネッセント結合
するように受動リング共振器の近傍に配置される。
同様に出力ループ26は受動リング共振器24にエバネ
ッセント結合される。出力ループ26は。
ッセント結合される。出力ループ26は。
時計方向及び反時計方向のビームの周波数に応答する検
出器(図示せず)に接続される。レーザジャイロスコー
プ10が角速度を有すると、ビームの一方に対する共振
器24内の路長は対向して進行するビームの路長よりも
見かけ上長くなる。各ビームを共振器上で独立に維持す
るために1時計方向及び反時計方向ビームの周波数は、
共振条件を維持するために必要な等しく反対方向の量だ
けシフトされねばならない。この共振を維持するために
必要な周波数シフトは回転速度に比例する。
出器(図示せず)に接続される。レーザジャイロスコー
プ10が角速度を有すると、ビームの一方に対する共振
器24内の路長は対向して進行するビームの路長よりも
見かけ上長くなる。各ビームを共振器上で独立に維持す
るために1時計方向及び反時計方向ビームの周波数は、
共振条件を維持するために必要な等しく反対方向の量だ
けシフトされねばならない。この共振を維持するために
必要な周波数シフトは回転速度に比例する。
第2図は共振条件を維持するために8量な位相シフトの
波形を示している。同図において、上の曲線は電気光学
変調器に加えられる電圧信号を示している。ここで電気
光学変調器14は1時計方向及び反時計方向のビームが
共振器24内で共存しかいように、電気光学スイッチ1
6と同期することに注目すべきである。特に1=0で時
計方向のビームが共振器24内へ注入され、電気光学変
調器14は+ΔFの周波数シフトを与える。ΔFは共振
を維持するために周波数シフトである。t=ででは、反
時計方向のビームが共振器内へ注入され、同時に電気光
学変調器は第2図に示されるように−ΔFだけ周波数を
シフトさせる。数秒の間隔の後1時計方向のビームが注
入され、電気光学変調器14が切換えられる。
波形を示している。同図において、上の曲線は電気光学
変調器に加えられる電圧信号を示している。ここで電気
光学変調器14は1時計方向及び反時計方向のビームが
共振器24内で共存しかいように、電気光学スイッチ1
6と同期することに注目すべきである。特に1=0で時
計方向のビームが共振器24内へ注入され、電気光学変
調器14は+ΔFの周波数シフトを与える。ΔFは共振
を維持するために周波数シフトである。t=ででは、反
時計方向のビームが共振器内へ注入され、同時に電気光
学変調器は第2図に示されるように−ΔFだけ周波数を
シフトさせる。数秒の間隔の後1時計方向のビームが注
入され、電気光学変調器14が切換えられる。
以上の交互の変化は繰返して継続する。第2図の下側の
部分に示されるように、周波数検出器(図示せず)は、
切換え時の影響を除去するための切換え時前後の短い間
隔を除いて検出状態、即ちONに維持される。
部分に示されるように、周波数検出器(図示せず)は、
切換え時の影響を除去するための切換え時前後の短い間
隔を除いて検出状態、即ちONに維持される。
動作中、レーザジャイロ10が回転すると、出力ループ
26に結合された周波数検出器(図示せず)は共振から
ずれた周波数シフトを検出する。
26に結合された周波数検出器(図示せず)は共振から
ずれた周波数シフトを検出する。
このシフトは電気光学変調器14への入力として用いら
れ、時計方向及び反時計方向の双方のビームを共振状態
に維持するための適当な周波数シフトを与える。
れ、時計方向及び反時計方向の双方のビームを共振状態
に維持するための適当な周波数シフトを与える。
上に述べたように、周波数シフトは検出量であるジャイ
ロ10の角速度に比例している。第2図に示したように
1時計方向及び反時計方向のビームの注入は、互に対向
して進行するビームが一時的に他方から分離されるよう
に交互に行なわれる。
ロ10の角速度に比例している。第2図に示したように
1時計方向及び反時計方向のビームの注入は、互に対向
して進行するビームが一時的に他方から分離されるよう
に交互に行なわれる。
この一時的な分離はレーザ12内へのうなり、背景散乱
や帰還等の有害な相互作用効果を除去する。
や帰還等の有害な相互作用効果を除去する。
第3図は本発明の他の実施例を示したもので、この場合
電気光学変調器14は位相変調器であり。
電気光学変調器14は位相変調器であり。
第1図の場合のようにレーザI2と電気光学スイッチ1
6との間ではなく、受動リング共振器導波路24自体の
内部に配置されている。第4図は、第3図の例で用いる
のに適した各種の波形を示している。前と同様に1時計
方向及び反時計方向のビームは電気光学変調器により同
期状態で交互に切替えられる。しかしながら、この場合
には、変調器I4に加えられる電圧信号は、第2図に示
されるように時間に対して直線的に変動するのではなく
、むしろ一定である。このようにして、変調器14は共
振を維持するために導波路24の見かけの路長を変える
。同様に1周波数検出器(図示せず)は切換え時の影響
を除去するための切換え時前後の短い間隔を除いて検出
状態、即ちONに維持される。
6との間ではなく、受動リング共振器導波路24自体の
内部に配置されている。第4図は、第3図の例で用いる
のに適した各種の波形を示している。前と同様に1時計
方向及び反時計方向のビームは電気光学変調器により同
期状態で交互に切替えられる。しかしながら、この場合
には、変調器I4に加えられる電圧信号は、第2図に示
されるように時間に対して直線的に変動するのではなく
、むしろ一定である。このようにして、変調器14は共
振を維持するために導波路24の見かけの路長を変える
。同様に1周波数検出器(図示せず)は切換え時の影響
を除去するための切換え時前後の短い間隔を除いて検出
状態、即ちONに維持される。
第1図の実施例で示したレーザジャイロ10の具体的な
構造は第5図に示されている。レーザジャイロスコープ
10は、好ましくは石英から成る基板30上に形成され
ている。ガリウムーアルミニラム−ひ素化合物半導体レ
ーザはチタン拡散ニオブ酸リチウムのような電気的に活
性な材料上のチャンネル導波路32に結合されている。
構造は第5図に示されている。レーザジャイロスコープ
10は、好ましくは石英から成る基板30上に形成され
ている。ガリウムーアルミニラム−ひ素化合物半導体レ
ーザはチタン拡散ニオブ酸リチウムのような電気的に活
性な材料上のチャンネル導波路32に結合されている。
一対の電極34がチャンネル導波路32の側面に配置さ
れている。導波路32の位相は、電極34間の電圧を変
えることにより生ずる導波路領域の電場によって制御さ
れる。導波路32は、次に第2の一対の電極36を通っ
て進行し、この電極36はビームが電極36間の電圧に
依存して伝達ループ22の上側支線18又は下側支線2
0(第1図参照)内へ導びかれるような電気光学的性質
を有する。伝達ループ22内へ進行する光は受動リング
共振器24内にエバネッセント結合される。導波路共振
器24は、好ましくはドープされたプレキシガラスによ
り形成される。
れている。導波路32の位相は、電極34間の電圧を変
えることにより生ずる導波路領域の電場によって制御さ
れる。導波路32は、次に第2の一対の電極36を通っ
て進行し、この電極36はビームが電極36間の電圧に
依存して伝達ループ22の上側支線18又は下側支線2
0(第1図参照)内へ導びかれるような電気光学的性質
を有する。伝達ループ22内へ進行する光は受動リング
共振器24内にエバネッセント結合される。導波路共振
器24は、好ましくはドープされたプレキシガラスによ
り形成される。
第6図は他の実施例を示したもので、レーザジャイロス
コープ60は二酸化ケイ素基板62を有し、この基板上
には他の構成要素が配置されている。
コープ60は二酸化ケイ素基板62を有し、この基板上
には他の構成要素が配置されている。
基板62上の各種の導波路は、好ましくは酸化亜鉛のよ
うな低損失の電気光学材料から形成されている。特に共
振器64は基板62上に配置され、出力導波路ループ6
6は、共振器ループ64にエバネッセント結合される。
うな低損失の電気光学材料から形成されている。特に共
振器64は基板62上に配置され、出力導波路ループ6
6は、共振器ループ64にエバネッセント結合される。
伝達ループ68は、同様に共振器ループ64の内側に配
置され、第5図の例と同様に、レーザ70がスイッチ7
2の状態により1時計方向又は反時計方向の光ビームの
一方を伝達ループ68内へ伝達する。電気光学変調11
574は伝達ループ内に配置され、この変調器は共振器
ループ64自体内に選択的に配置することができる。第
6図において60で示されるようなジャイロスコープの
感度は、共振器ループの長さとともに増加するので、こ
の例においては他の構成要素がループ内に配置されてい
るため比較的小さいパッケージ内に大きなループ長を可
能とする。
置され、第5図の例と同様に、レーザ70がスイッチ7
2の状態により1時計方向又は反時計方向の光ビームの
一方を伝達ループ68内へ伝達する。電気光学変調11
574は伝達ループ内に配置され、この変調器は共振器
ループ64自体内に選択的に配置することができる。第
6図において60で示されるようなジャイロスコープの
感度は、共振器ループの長さとともに増加するので、こ
の例においては他の構成要素がループ内に配置されてい
るため比較的小さいパッケージ内に大きなループ長を可
能とする。
[発明の効果]
以上述べたように、本発明の目的は、開示された薄膜技
術に基づく回転検出可能なレーザジャイロスコープにお
いて達成されることが明らかである。このジャイロスコ
ープは非常にコンパクトであり、かつ製造も容易である
。さらに、電気光学スイッチの手段により時計方向及び
反時計方向のビームが共存しないように交互に共振器内
へ導入される。このようにして、このビームの一時的な
分能は、通常のジャイロスコープにおいて知られている
有害な相互作用効果を除去する。同様に薄膜構造は高い
信頼性をもたらす。
術に基づく回転検出可能なレーザジャイロスコープにお
いて達成されることが明らかである。このジャイロスコ
ープは非常にコンパクトであり、かつ製造も容易である
。さらに、電気光学スイッチの手段により時計方向及び
反時計方向のビームが共存しないように交互に共振器内
へ導入される。このようにして、このビームの一時的な
分能は、通常のジャイロスコープにおいて知られている
有害な相互作用効果を除去する。同様に薄膜構造は高い
信頼性をもたらす。
本発明の修正や変形は、当分野の技術者にとっては当然
起り得るが、このような全ての修正及び変形は特許請求
の範囲に含まれるものとする。
起り得るが、このような全ての修正及び変形は特許請求
の範囲に含まれるものとする。
第1図は電気光学変調器がレーザと電気光学スイッチと
の間に配置されたレーザジャイロの概略図、第2図は電
気光学変調器と電気光学スイッチの変化の状態を示すグ
ラフ、第3図は電気光学変調器が共振器自体内に含まれ
ているレーザジャイロの概略図、第4図は第3図のレー
ザジャイロを用いた場合の電気光学変調器と電気光学ス
イッチの状態を示すグラフ、第5図はここで開示された
薄膜レーザジャイロスコープの斜視図、第6図はここで
開示された本発明の他の実施例を示す概略図である。 10.60・・・・・・ジャイロスコープ12.70・
・・・・・半導体レーザ 14.74・・・・・・3膜電気光学変謝器16.72
・・・・・・薄膜電気光学スイッチ22.68・・・・
・・伝達ループ 24.64・・・・・・受動リング共振器26.66・
・・・・・出力ループ 30.62・・・・・・基板 32・・・・・・・・・・・・チャンネル導波路34.
36・・・・・・電極
の間に配置されたレーザジャイロの概略図、第2図は電
気光学変調器と電気光学スイッチの変化の状態を示すグ
ラフ、第3図は電気光学変調器が共振器自体内に含まれ
ているレーザジャイロの概略図、第4図は第3図のレー
ザジャイロを用いた場合の電気光学変調器と電気光学ス
イッチの状態を示すグラフ、第5図はここで開示された
薄膜レーザジャイロスコープの斜視図、第6図はここで
開示された本発明の他の実施例を示す概略図である。 10.60・・・・・・ジャイロスコープ12.70・
・・・・・半導体レーザ 14.74・・・・・・3膜電気光学変謝器16.72
・・・・・・薄膜電気光学スイッチ22.68・・・・
・・伝達ループ 24.64・・・・・・受動リング共振器26.66・
・・・・・出力ループ 30.62・・・・・・基板 32・・・・・・・・・・・・チャンネル導波路34.
36・・・・・・電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、固体レーザと、薄膜受動リング共振器と、前記レー
ザからの光を前記共振器内へ伝えるために、前記共振器
にエバネッセント結合された薄膜伝達ループ導波路と、
前記レーザからの時計方向及び反時計方向の光ビームを
、前記伝達ループ内へ交互に注入するための薄膜電気光
学スイッチと、前記時計方向及び前記反時計方向のビー
ムを独立に共振状態に維持するために、前記レーザから
の光の位相を変調するための薄膜電気光学変調器とから
成ることを特徴とする薄膜レーザジャイロ。 2、薄膜電気光学変調器は、前記受動リング共振器内に
配置されてなる特許請求の範囲第1項記載の薄膜レーザ
ジャイロ。 3、薄膜電気光学変調器は、前記レーザと前記電気光学
スイッチとの間に配置されてなる特許請求の範囲第1項
記載の薄膜レーザジャイロ。 4、薄膜電気光学変調器は、前記レーザからの光の位相
を変調するための電極を有する電気光学材料で形成され
たチャンネル導波路から成る特許請求の範囲第1項記載
の薄膜レーザジャイロ。 5、薄膜電気光学スイッチは電気的に活性な材料上に配
置され、時計方向及び反時計方向のビームを前記伝達ル
ープ内へ交互に注入するために、前記レーザからの光を
切換えるための電極を側面に備えたチャンネル導波路か
ら成る特許請求の範囲第1項記載の薄膜レーザジャイロ
。 6、電気的に活性な材料はチタン拡散LiNbO_3で
ある特許請求の範囲第4項記載の薄膜レーザジャイロ。 7、電気的に活性な材料はチタン拡散LiNbO_3で
ある特許請求の範囲第5項記載の薄膜レーザジャイロ。 8、固体レーザはGaAlAsレーザである特許請求の
範囲第1項記載の薄膜レーザジャイロ。 9、薄膜受動リング共振器は、石英基板上に配置され、
ドープされたプレキシガラスである特許請求の範囲第1
項記載の薄膜レーザジャイロ。 10、電気光学材料は酸化亜鉛である特許請求の範囲第
4項記載の薄膜レーザジャイロ。 11、固体ガリウム−アルミニウム−ひ素化合物レーザ
と、薄膜受動リング共振器と、前記レーザからの光を前
記共振器内へ伝えるために、前記共振器にエバネッセン
ト結合された薄膜伝達ループ導波路と、電気的に活性な
材料上に配置され、前記レーザからの光を切換えるため
の電極を側面に備えたチャンネル導波路から成り、前記
レーザからの時計方向及び反時計方向の光ビームを前記
伝達ループ内へ交互に注入するための薄膜電気光学スイ
ッチと、電気的に活性な材料上に配置され、前記レーザ
からの光の位相を変調するための電極を側面に備えたチ
ャンネル導波路から成り、前記時計方向及び前記反時計
方向のビームを独立に共振状態に維持するために、前記
レーザからの光の位相を変調するための薄膜電気光学変
調器とから成ることを特徴とする薄膜レーザジャイロ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18652785A JPS6247516A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 薄膜レ−ザジャイロ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18652785A JPS6247516A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 薄膜レ−ザジャイロ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6247516A true JPS6247516A (ja) | 1987-03-02 |
| JPH047930B2 JPH047930B2 (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=16190051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18652785A Granted JPS6247516A (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | 薄膜レ−ザジャイロ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6247516A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05133757A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-05-28 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | リング共振型ジヤイロ |
| JPH06235641A (ja) * | 1991-11-13 | 1994-08-23 | Tokyo Koku Keiki Kk | 光ファイバジャイロスコープ |
| JP2020522677A (ja) * | 2017-05-30 | 2020-07-30 | カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー | 雑音除去を用いる集積型光ジャイロスコープ |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP18652785A patent/JPS6247516A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05133757A (ja) * | 1991-11-12 | 1993-05-28 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | リング共振型ジヤイロ |
| JPH06235641A (ja) * | 1991-11-13 | 1994-08-23 | Tokyo Koku Keiki Kk | 光ファイバジャイロスコープ |
| JP2020522677A (ja) * | 2017-05-30 | 2020-07-30 | カリフォルニア インスティチュート オブ テクノロジー | 雑音除去を用いる集積型光ジャイロスコープ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH047930B2 (ja) | 1992-02-13 |
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