JPS6248253A - サイリスタの保護装置 - Google Patents
サイリスタの保護装置Info
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- JPS6248253A JPS6248253A JP18600685A JP18600685A JPS6248253A JP S6248253 A JPS6248253 A JP S6248253A JP 18600685 A JP18600685 A JP 18600685A JP 18600685 A JP18600685 A JP 18600685A JP S6248253 A JPS6248253 A JP S6248253A
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- thyristor
- voltage
- rate
- circuit
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はサイリスタのターンオフ失敗時の保護装置に
関する。
関する。
この種の保護装置の従来例を第３図に示す。同図におい
て、１は光サイリスタ、Ａ、Ｇ及びＫはこの光サイリス
タのそれぞれアノード、ゲート及びカソードを示す。２
及び３はスナバ−を構成するコンデンサ及び抵抗であっ
て、直列接続されて光サイリスタ１のアノード−カソー
ド間に挿入されている。２１は電圧検出器であって光サ
イリスタ１のアノード−カソード間に挿入され、その検
出したアノード−カソード間電圧ＶＤを発光素子２２に
送出する。発光素子２２が送出する光信号はライトガイ
ド２３を通して逆電圧時間検出器２４に送信される。逆
電圧時間検出器２４の出力は逆電圧時間不足判定器２５
に送出され、該逆電圧時間不足判定器２５の出力はゲー
ト信号発生器２６を駆動する。ゲート信号発生器２６は
ゲート信号ＩＧＯを発生し、このゲート信号ＩＧＯは発
光素子２７により光ゲート信号に変換されてライトガイ
ド２８を通し光サイリスタ１のゲートに供給される。
て、１は光サイリスタ、Ａ、Ｇ及びＫはこの光サイリス
タのそれぞれアノード、ゲート及びカソードを示す。２
及び３はスナバ−を構成するコンデンサ及び抵抗であっ
て、直列接続されて光サイリスタ１のアノード−カソー
ド間に挿入されている。２１は電圧検出器であって光サ
イリスタ１のアノード−カソード間に挿入され、その検
出したアノード−カソード間電圧ＶＤを発光素子２２に
送出する。発光素子２２が送出する光信号はライトガイ
ド２３を通して逆電圧時間検出器２４に送信される。逆
電圧時間検出器２４の出力は逆電圧時間不足判定器２５
に送出され、該逆電圧時間不足判定器２５の出力はゲー
ト信号発生器２６を駆動する。ゲート信号発生器２６は
ゲート信号ＩＧＯを発生し、このゲート信号ＩＧＯは発
光素子２７により光ゲート信号に変換されてライトガイ
ド２８を通し光サイリスタ１のゲートに供給される。
光サイリスタ１は、通常のサイリスタと同様、電流通流
後、逆電圧を印加されることにより順方向耐電圧を回ｆ
ｆｆｉする。今、第３図に示す時刻ｔ４において、光サ
イリスタ１のアノード−カソード間に逆電圧が印加され
始め、この逆電圧印加時間が時刻ｔ５まで続いたものと
する。この逆電圧時間Ｔは逆電圧時間判定器２４で検出
されて、逆電圧時間不足検出器２５で規定期間Ｔｏと比
較される。検出された逆電圧時間Ｔが規定期間′ｒｏよ
り短い場合には、逆電圧時間不足検出器２５が検出信号
を出力する。この検出信号によりゲート信号発生器２６
が駆動されて光サイリスタエは発光素子２７から光ゲー
ト信号を受は点弧する。この光ゲート信号は順方向に加
わる電圧ＶＤが高く上昇しないうちに発注させる必要が
あり、特に、多数個の光サイリスタが電源に直列に接続
されている場合には、ターンオフにバラツキがあり、電
源電圧がターンオフしたサイリスタに印加されるので可
能な限り速やかに点弧させる必要がある。
後、逆電圧を印加されることにより順方向耐電圧を回ｆ
ｆｆｉする。今、第３図に示す時刻ｔ４において、光サ
イリスタ１のアノード−カソード間に逆電圧が印加され
始め、この逆電圧印加時間が時刻ｔ５まで続いたものと
する。この逆電圧時間Ｔは逆電圧時間判定器２４で検出
されて、逆電圧時間不足検出器２５で規定期間Ｔｏと比
較される。検出された逆電圧時間Ｔが規定期間′ｒｏよ
り短い場合には、逆電圧時間不足検出器２５が検出信号
を出力する。この検出信号によりゲート信号発生器２６
が駆動されて光サイリスタエは発光素子２７から光ゲー
ト信号を受は点弧する。この光ゲート信号は順方向に加
わる電圧ＶＤが高く上昇しないうちに発注させる必要が
あり、特に、多数個の光サイリスタが電源に直列に接続
されている場合には、ターンオフにバラツキがあり、電
源電圧がターンオフしたサイリスタに印加されるので可
能な限り速やかに点弧させる必要がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の保護装置は逆電圧時間を検出してこれを予め設定
した規定期間と比較することによりターンオフ失敗した
サイリスタを保護する構成をとっているので、逆電圧印
加後の順電圧上昇率が大きい場合には、十分な保護が難
しく、信頼性を欠くという問題があった。
した規定期間と比較することによりターンオフ失敗した
サイリスタを保護する構成をとっているので、逆電圧印
加後の順電圧上昇率が大きい場合には、十分な保護が難
しく、信頼性を欠くという問題があった。
この発明は上記問題を解消するためになされたもので、
サイリスタがターンオフ失敗しても、これを確実に保護
することができる信頼性の高いサイリスタの保護装置を
得ることを目的とする。
サイリスタがターンオフ失敗しても、これを確実に保護
することができる信頼性の高いサイリスタの保護装置を
得ることを目的とする。
この発明は上記問題を解消するため、サイリスタのアノ
ード−カソード間に加わる電圧上昇率を検出する回路を
設け、逆電圧期間に上記サイリスタのアノード−カソー
ド間に加わる順電圧の上記電圧上昇率が所定レベルに達
するとゲート信号を上記サイリスタのゲートに供給させ
る構成としたものである。
ード−カソード間に加わる電圧上昇率を検出する回路を
設け、逆電圧期間に上記サイリスタのアノード−カソー
ド間に加わる順電圧の上記電圧上昇率が所定レベルに達
するとゲート信号を上記サイリスタのゲートに供給させ
る構成としたものである。
この発明では、逆電圧時間不足に伴いサイリスタがブレ
ークオーバしても順電圧がサイリスタを破損する恐れの
あるレベルに達する前にサイリスタにゲート信号が与え
られるので、サイリスタに加わる順電圧が従来の保護装
置では保護し得ない程度のサージ性の場合にもサイリス
タを確実に保護することができる。
ークオーバしても順電圧がサイリスタを破損する恐れの
あるレベルに達する前にサイリスタにゲート信号が与え
られるので、サイリスタに加わる順電圧が従来の保護装
置では保護し得ない程度のサージ性の場合にもサイリス
タを確実に保護することができる。
第１図はこの発明の一実施例を示したものである。同図
において、４と５は微分回路を構成するコンデンサ及び
抵抗であって、直列にして光サイリスタ１のアノード−
カソード間に挿入されている。６及び７は非直線抵抗素
子であって、直列にして抵抗５に並列に接続されている
。８は発光素子であって、非直線抵抗素子７に並列に接
続され該発光素子８に並列に保護用ダイオード９が接続
されている。発光素子８が送出する光信号と発光素子２
７が送出する光信号はそれぞれはライトガイド１０及び
２８、光合成器１工をを通して光サイリスタｌのゲート
Ｇに光ゲート信号として供給される。
において、４と５は微分回路を構成するコンデンサ及び
抵抗であって、直列にして光サイリスタ１のアノード−
カソード間に挿入されている。６及び７は非直線抵抗素
子であって、直列にして抵抗５に並列に接続されている
。８は発光素子であって、非直線抵抗素子７に並列に接
続され該発光素子８に並列に保護用ダイオード９が接続
されている。発光素子８が送出する光信号と発光素子２
７が送出する光信号はそれぞれはライトガイド１０及び
２８、光合成器１工をを通して光サイリスタｌのゲート
Ｇに光ゲート信号として供給される。
次に、この装置の動作を、第２図の波形図を参照して説
明する。第２図において、ＶＡＫは光サイリスタｌの印
加電圧、ｒｃｏは発光素子８が出力する光ゲート信号、
ＶＤＩは光サイリスタ１が点弧しても破損しないレベル
の順電圧、ＶＯ２は光サイリスタ１が点弧すると破損す
るレベルの順電圧である。破線は光サイリスタ１への光
ゲート信号がない場合の該光サイリスタ１の自己点弧の
様子を示している。また、ｔｌは逆電圧開始時間、ｔ２
はサージ印加開始時間、ｔ３は光サイリスタ１の点弧時
間を示す。
明する。第２図において、ＶＡＫは光サイリスタｌの印
加電圧、ｒｃｏは発光素子８が出力する光ゲート信号、
ＶＤＩは光サイリスタ１が点弧しても破損しないレベル
の順電圧、ＶＯ２は光サイリスタ１が点弧すると破損す
るレベルの順電圧である。破線は光サイリスタ１への光
ゲート信号がない場合の該光サイリスタ１の自己点弧の
様子を示している。また、ｔｌは逆電圧開始時間、ｔ２
はサージ印加開始時間、ｔ３は光サイリスタ１の点弧時
間を示す。
光サイリスタ１への逆電圧印加後の他相転流による電圧
上昇や逆電圧印加中のサージ印加等により、順電圧上昇
速度の高い順電圧が光サイリスタ１に印加された場合、
コンデンサ４の容量をＣ１抵抗５の抵抗値をＲ１印加電
圧を■とすると、ｖ＝ｉ−Ｒ＋ＣＪｉｄｔ・−・・・−
ｍここで、時定数ＣＲを十分に小さくとると、抵抗５の
両端の電圧Ｖ５は、 Ｖ５ ＝ＣＲＫ＝ＣＲ（ｄ ｖ／ｄ ｔ） ・１３１
となり、光サイリスタ１の印加電圧の電圧上昇率ｄＶ／
ｄｔに比例する。
上昇や逆電圧印加中のサージ印加等により、順電圧上昇
速度の高い順電圧が光サイリスタ１に印加された場合、
コンデンサ４の容量をＣ１抵抗５の抵抗値をＲ１印加電
圧を■とすると、ｖ＝ｉ−Ｒ＋ＣＪｉｄｔ・−・・・−
ｍここで、時定数ＣＲを十分に小さくとると、抵抗５の
両端の電圧Ｖ５は、 Ｖ５ ＝ＣＲＫ＝ＣＲ（ｄ ｖ／ｄ ｔ） ・１３１
となり、光サイリスタ１の印加電圧の電圧上昇率ｄＶ／
ｄｔに比例する。
今、非直線抵抗素子６と７の動作開始電圧を光サイリス
タ１の許容電圧上昇率（ｄＶ／ｄｔ）から求まるある電
圧値ＶＤＩに設定しておくと、ｄＶ／ｄｔの許容値に達
した場合、非直線抵抗素子６．７に電流が流れる。この
電流は発光素子８に分流し、該発光素子８を発光させる
。発光素子８の光出力はライトガイド１０、光合成器１
１を通して光サイリスタ１のゲートに光ゲート信号［Ｇ
Ｏとして供給され、該光サイリスタ１を点弧させる。
タ１の許容電圧上昇率（ｄＶ／ｄｔ）から求まるある電
圧値ＶＤＩに設定しておくと、ｄＶ／ｄｔの許容値に達
した場合、非直線抵抗素子６．７に電流が流れる。この
電流は発光素子８に分流し、該発光素子８を発光させる
。発光素子８の光出力はライトガイド１０、光合成器１
１を通して光サイリスタ１のゲートに光ゲート信号［Ｇ
Ｏとして供給され、該光サイリスタ１を点弧させる。
ｄＶ／ｄｔが許容値以下の場合は非直線抵抗素子６．７
に電流が流れないので、発光素子８は発光しない。
に電流が流れないので、発光素子８は発光しない。
従って、本実施例によれば、逆電圧不足時に従来の保護
方式では間に合わないような順電圧上昇率の高い順電圧
が印加されても、サイリスタがブレークオーバしても破
損しない電圧レベル以下でサイリスタを点弧させること
ができる。
方式では間に合わないような順電圧上昇率の高い順電圧
が印加されても、サイリスタがブレークオーバしても破
損しない電圧レベル以下でサイリスタを点弧させること
ができる。
ダイオード９は負極性のｄＶ／ｄｔをカットするととも
に発光素子８を逆電圧から保護するために設けられてい
る。
に発光素子８を逆電圧から保護するために設けられてい
る。
〔発明の効果］
この発明は以上説明した通り、サイリスタの転流失敗時
に電圧上昇率の高い順電圧が加わっても該電圧上昇率が
所定レベルを超えるとサイリタスが点弧されるので、サ
イリスタがターンオフ失敗しても、これを確実に保護す
ることができる信頼性の高いサイリスタの保護装置を得
ることができる−
に電圧上昇率の高い順電圧が加わっても該電圧上昇率が
所定レベルを超えるとサイリタスが点弧されるので、サ
イリスタがターンオフ失敗しても、これを確実に保護す
ることができる信頼性の高いサイリスタの保護装置を得
ることができる−
第１図はこの発明の実施例を示す回路図、第２図は上記
実施例の動作を説明するための波形図、第３図は従来の
保護装置を示す回路図、第４図は上記従来例の動作を説
明するための波形図である。 図において、１−光サイリスタ、４−コンデンサ、５−
抵抗、６．７−・・非直線抵抗素子、８−・発光素子、
１１−光合成器。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
実施例の動作を説明するための波形図、第３図は従来の
保護装置を示す回路図、第４図は上記従来例の動作を説
明するための波形図である。 図において、１−光サイリスタ、４−コンデンサ、５−
抵抗、６．７−・・非直線抵抗素子、８−・発光素子、
１１−光合成器。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）サイリスタのアノード−カソード間に加わる電圧
上昇率を検出する回路、上記サイリスタのアノード−カ
ソード間に加わる順電圧の上記電圧上昇率が所定値に達
するとゲート信号を上記サイリスタのゲートに供給する
回路を有することを特徴とするサイリスタの保護装置。 - （２）電圧上昇率を検出する回路が、抵抗とコンデンサ
からなる微分回路であり、上記抵抗の両端電圧に比例す
る電圧が印加される非直線抵抗素子にゲート信号を発生
する半導体素子が並列に接続されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のサイリスタの保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60186006A JPH0732586B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | サイリスタの保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60186006A JPH0732586B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | サイリスタの保護装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6248253A true JPS6248253A (ja) | 1987-03-02 |
| JPH0732586B2 JPH0732586B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=16180717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60186006A Expired - Lifetime JPH0732586B2 (ja) | 1985-08-23 | 1985-08-23 | サイリスタの保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732586B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115015725A (zh) * | 2022-06-09 | 2022-09-06 | 中国长江三峡集团有限公司 | 一种门极换流晶闸管故障检测电路及其方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56115173A (en) * | 1980-02-14 | 1981-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | Protecting circuit for phototrigger thyristor |
-
1985
- 1985-08-23 JP JP60186006A patent/JPH0732586B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56115173A (en) * | 1980-02-14 | 1981-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | Protecting circuit for phototrigger thyristor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115015725A (zh) * | 2022-06-09 | 2022-09-06 | 中国长江三峡集团有限公司 | 一种门极换流晶闸管故障检测电路及其方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732586B2 (ja) | 1995-04-10 |
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