JPS6248886B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6248886B2 JPS6248886B2 JP55046879A JP4687980A JPS6248886B2 JP S6248886 B2 JPS6248886 B2 JP S6248886B2 JP 55046879 A JP55046879 A JP 55046879A JP 4687980 A JP4687980 A JP 4687980A JP S6248886 B2 JPS6248886 B2 JP S6248886B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- magnetic film
- transformer
- laminated
- conductors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/046—Printed circuit coils structurally combined with ferromagnetic material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Insulating Of Coils (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は積層トランスの製造方法に関する。
従来のトランスはＥ・Ｉ形、Ｅ形、Ｅ・ヨ形等
の形状を有する磁心の任意の脚部に絶縁被覆導線
を巻装して一対のコイルを形成したものから成
る。しかし、このような方式によるトランスは複
雑な巻線工程を必要とし、また製造されたトラン
スが大型化するなどの問題点があつた。
の形状を有する磁心の任意の脚部に絶縁被覆導線
を巻装して一対のコイルを形成したものから成
る。しかし、このような方式によるトランスは複
雑な巻線工程を必要とし、また製造されたトラン
スが大型化するなどの問題点があつた。
本発明者等は従来の巻線方式によるトランスの
問題点を解決するために積層方式によるトランス
の製造方法を特願昭54−127899号において提案し
た。同出願の方法は磁性体粉末を含むペースト
と、導電紛末を含むペーストとを用意し、これら
を印刷技術を応用して適当な順序で印刷積層し、
全体として２本の等価的なコイルと、これらのコ
イルを貫く磁路に対する透磁性磁心とを与えるよ
うにしたものである。印刷されて出来た積層体は
焼成炉において高温で焼結される。従つて導電粉
末としてはPd，Ag−Pd等の高価な耐熱性金属材
料が必要であるし、また高温処理が必要となる。
さらに、積層された層はあまり薄く出来ないので
寸法の減少は未だ不十分であり、また大きな相互
及び自己誘導係数が出し難い。また精度の点も十
分に制御できない場合がある。
問題点を解決するために積層方式によるトランス
の製造方法を特願昭54−127899号において提案し
た。同出願の方法は磁性体粉末を含むペースト
と、導電紛末を含むペーストとを用意し、これら
を印刷技術を応用して適当な順序で印刷積層し、
全体として２本の等価的なコイルと、これらのコ
イルを貫く磁路に対する透磁性磁心とを与えるよ
うにしたものである。印刷されて出来た積層体は
焼成炉において高温で焼結される。従つて導電粉
末としてはPd，Ag−Pd等の高価な耐熱性金属材
料が必要であるし、また高温処理が必要となる。
さらに、積層された層はあまり薄く出来ないので
寸法の減少は未だ不十分であり、また大きな相互
及び自己誘導係数が出し難い。また精度の点も十
分に制御できない場合がある。
本発明は積層トランスの製造技術をさらに改良
することを目的とし、印刷法によらないでスパツ
タリング法による膜形成技術を利用して積層トラ
ンスを製造する方法を提供する。本発明の方法は
焼成工程を必要としないから、Cu，Al，Ag等の
任意の導電材料を使用できるのみならず、各層の
厚みが一様でしかも薄くできると共に、精度も良
好な積層トランスを提供できる。
することを目的とし、印刷法によらないでスパツ
タリング法による膜形成技術を利用して積層トラ
ンスを製造する方法を提供する。本発明の方法は
焼成工程を必要としないから、Cu，Al，Ag等の
任意の導電材料を使用できるのみならず、各層の
厚みが一様でしかも薄くできると共に、精度も良
好な積層トランスを提供できる。
本発明はスパツタリング法を用いて実施され
る。トランスの２つ以上のコイルの形成にはコイ
ル状または渦巻状の導電パターンを形成するため
の金属と、導電パターンを絶縁する磁性体とが必
要である。スパツタリング法によれば、MO・
Fe2O3（Ｍ：金属）で示される酸化物フエライト
等の磁性体層の形成と、これらの層に対する
Al，Cu，Ag等の導電性金属層の形成が困難なく
実施できる。従つて、焼成工程が不要となり、安
価な金属の使用で十分に本発明の目的を達成する
ことができる。
る。トランスの２つ以上のコイルの形成にはコイ
ル状または渦巻状の導電パターンを形成するため
の金属と、導電パターンを絶縁する磁性体とが必
要である。スパツタリング法によれば、MO・
Fe2O3（Ｍ：金属）で示される酸化物フエライト
等の磁性体層の形成と、これらの層に対する
Al，Cu，Ag等の導電性金属層の形成が困難なく
実施できる。従つて、焼成工程が不要となり、安
価な金属の使用で十分に本発明の目的を達成する
ことができる。
本発明の方法で得られる積層トランスの大きな
特徴は、各層の厚みがオングストローム単位
（10-1〓ｍ）に近いものまで可能になるために、
比較的薄い積層体でも大きな相互インダクタンス
を有することができること、従つてまた非常に広
範囲の相互インダクタンス値を有する積層トラン
スが自由に製造できることである。
特徴は、各層の厚みがオングストローム単位
（10-1〓ｍ）に近いものまで可能になるために、
比較的薄い積層体でも大きな相互インダクタンス
を有することができること、従つてまた非常に広
範囲の相互インダクタンス値を有する積層トラン
スが自由に製造できることである。
スパツタリング法は膜形成速度が他の方法に比
してやや遅いが、最近では高速スパツタリング法
も開発されている。スパツタリング法は絶縁体源
または金属源の組成をほぼそのまま生成膜の組成
に移行させることができる特徴があり、さらに付
着強度が大きく、生成膜が一様であるので特に好
ましい方法である。なおスパツタリング法では回
り込み現象が大きくなるので、マスクは基板の面
に出来るだけ接近させる。
してやや遅いが、最近では高速スパツタリング法
も開発されている。スパツタリング法は絶縁体源
または金属源の組成をほぼそのまま生成膜の組成
に移行させることができる特徴があり、さらに付
着強度が大きく、生成膜が一様であるので特に好
ましい方法である。なおスパツタリング法では回
り込み現象が大きくなるので、マスクは基板の面
に出来るだけ接近させる。
以下、図面に関連して本発明の実施例を詳しく
説明する。
説明する。
第１図はスパツタリング法の原理を示す図であ
り、10-3〜10-2トール程度のアルゴンガスを封じ
た真空室に、マイナス電極Ａと接地電極Ｂとを対
向させ、この間に高周波電圧（〜10MHz等）を印
加する。マイナス電極Ａの面には蒸着しようとす
る金属または酸化物の板Ｃを保持させ、接地電極
Ｂの面には蒸着用の基板Ｄを位置づけ、そして基
板Ｄの面にはマスクＥを配置する。高周波電圧を
電極Ａ，Ｂの間に印加すると、金属または酸化物
の板Ｃは正イオン化されたガスの衝撃を受けて金
属または酸化物の原子または分子が板Ｃの表面か
ら放出され、大きな速度で基板Ｄへ向けてスパツ
ターし薄膜状に付着する。なお、スパツタリング
法は公知であるから、これ以上詳しい説明は必要
がないと思う。
り、10-3〜10-2トール程度のアルゴンガスを封じ
た真空室に、マイナス電極Ａと接地電極Ｂとを対
向させ、この間に高周波電圧（〜10MHz等）を印
加する。マイナス電極Ａの面には蒸着しようとす
る金属または酸化物の板Ｃを保持させ、接地電極
Ｂの面には蒸着用の基板Ｄを位置づけ、そして基
板Ｄの面にはマスクＥを配置する。高周波電圧を
電極Ａ，Ｂの間に印加すると、金属または酸化物
の板Ｃは正イオン化されたガスの衝撃を受けて金
属または酸化物の原子または分子が板Ｃの表面か
ら放出され、大きな速度で基板Ｄへ向けてスパツ
ターし薄膜状に付着する。なお、スパツタリング
法は公知であるから、これ以上詳しい説明は必要
がないと思う。
第２図ないし第７図は本発明の積層トランス製
造方法の第１実施例を示す工程図であり、第８図
は同積層トランスの等価回路図である。先ず第２
図のように、適当なマスク（図示せず）を通して
絶縁性のフエライト磁性膜１を基板（第１図の
Ｄ）にスパツターで付着させる。基板としては例
えば剥離性の面を有する金属板、或いは適当な厚
みを有し磁性膜１と同じ大きさを有する板等であ
り、これら基板は後で剥離されるか、或いは積層
体の一体的一部にしてもよい。またマスクには同
一形の通過孔ないしパターンを多数形成して同時
に多数の積層トランスを製造してもよい。なお以
下で磁性膜に言及するときは同一のフエライト磁
性体を、また導体に言及するときは同一の導体
（Al，Cu，Ag等）を指すものとする。
造方法の第１実施例を示す工程図であり、第８図
は同積層トランスの等価回路図である。先ず第２
図のように、適当なマスク（図示せず）を通して
絶縁性のフエライト磁性膜１を基板（第１図の
Ｄ）にスパツターで付着させる。基板としては例
えば剥離性の面を有する金属板、或いは適当な厚
みを有し磁性膜１と同じ大きさを有する板等であ
り、これら基板は後で剥離されるか、或いは積層
体の一体的一部にしてもよい。またマスクには同
一形の通過孔ないしパターンを多数形成して同時
に多数の積層トランスを製造してもよい。なお以
下で磁性膜に言及するときは同一のフエライト磁
性体を、また導体に言及するときは同一の導体
（Al，Cu，Ag等）を指すものとする。
第２図の説明に戻るに、磁性膜１の形成が終つ
たら、対称なフツク状の導体２，３をマスク（図
示せず）を通してスパツタリング法により磁性膜
１の面に形成する。４，５は磁性膜１の下辺に露
出する単体２，３の引出部であり、６，７は導体
２，３の内端である。次に第３図のように導体
２，３の内端６，７を残して他の部分に磁性体
８，９をスパツタリング法により形成する。次に
ほぼ円形をなす導体１０，１１を第４図のように
内端が下側導体２，３の内端６，７へ重畳し、外
端が積層体の上辺へ露出する引出部１２，１３と
なるようにして形成する。このようにして各１タ
ーンから成る２つの接近したコイルが形成される
ことになる。なお上記のコイルは僅かに１ターン
から成るが、必要に応じて磁性膜及び導体の積層
数を増加して必要なターン数を得てもよい。最後
に第５図のように全面に磁性体膜１６を形成して
積層工程を終る。積層体を真空室から取出した
上、適当な導電ペースト（金属粉末入りの導電ペ
ースト）を第６図及び第７図に示すように積層体
の四辺の隅部へ焼付けて外部端子１７，１８，１
９，２０とする。外部端子の位置は導体の引出部
４，５，１２，１３に接触する位置である。
たら、対称なフツク状の導体２，３をマスク（図
示せず）を通してスパツタリング法により磁性膜
１の面に形成する。４，５は磁性膜１の下辺に露
出する単体２，３の引出部であり、６，７は導体
２，３の内端である。次に第３図のように導体
２，３の内端６，７を残して他の部分に磁性体
８，９をスパツタリング法により形成する。次に
ほぼ円形をなす導体１０，１１を第４図のように
内端が下側導体２，３の内端６，７へ重畳し、外
端が積層体の上辺へ露出する引出部１２，１３と
なるようにして形成する。このようにして各１タ
ーンから成る２つの接近したコイルが形成される
ことになる。なお上記のコイルは僅かに１ターン
から成るが、必要に応じて磁性膜及び導体の積層
数を増加して必要なターン数を得てもよい。最後
に第５図のように全面に磁性体膜１６を形成して
積層工程を終る。積層体を真空室から取出した
上、適当な導電ペースト（金属粉末入りの導電ペ
ースト）を第６図及び第７図に示すように積層体
の四辺の隅部へ焼付けて外部端子１７，１８，１
９，２０とする。外部端子の位置は導体の引出部
４，５，１２，１３に接触する位置である。
第７図は完成した積層トランスであり、第８図
はその等価回路図である。
はその等価回路図である。
上記の例は並列形のトランスであつたが、結合
度の大きい積層トランスの製造方法を第９−１８
図に示す。本例もまたスパツタリング法によるも
のとする。第９図を参照するに、先ず磁性体膜２
１を形成し、次にＬ字形の導体２２を形成する。
導体２２の外端２３は磁性体膜２１の下辺に露出
し、また内端２４は磁性体膜２１の内部にとどま
る。次に第１０図のように導体２２の内端２４を
残して磁性体膜２１の左部分に磁性体２５を形成
し、次で第１１図のように外端２７が積層体の上
辺に露出しまた内端２８が磁性体膜２５上に終端
する導体２６を形成する。第１２図に示すように
導体２２，２６の端部２４，２８を残して広幅の
Ｌ字形の磁性体膜２９を形成し、次に第１３図の
ように導体２６の末端２８から延長する導体３０
を形成する。第１４図のように、導体３０の末端
３２を残して磁性体膜３３を形成し、次で第１５
図のように、導体２２の末端２４から延長するほ
ぼＵ字形の導体３４を形成し、その外端３６を積
層体の上辺に露出させる。第１６図の工程に移つ
て導体３０の末端を残して全面に磁性体膜３７を
形成し、次に第１７図のように導体３０の末端３
２から延長して積層体の下辺に終端する外端４０
を有する導体３８を形成する。以上のように積層
が終つたら、真空室から積層体を取出して第１８
図のように導体の外端２３，２７，３６，４０に
それぞれ接続する外部端子４２，４４，４３，４
５を焼付ける。第１８図に示される積層トランス
は各コイルの磁路が他方のコイルの磁路とほぼ同
一となる。
度の大きい積層トランスの製造方法を第９−１８
図に示す。本例もまたスパツタリング法によるも
のとする。第９図を参照するに、先ず磁性体膜２
１を形成し、次にＬ字形の導体２２を形成する。
導体２２の外端２３は磁性体膜２１の下辺に露出
し、また内端２４は磁性体膜２１の内部にとどま
る。次に第１０図のように導体２２の内端２４を
残して磁性体膜２１の左部分に磁性体２５を形成
し、次で第１１図のように外端２７が積層体の上
辺に露出しまた内端２８が磁性体膜２５上に終端
する導体２６を形成する。第１２図に示すように
導体２２，２６の端部２４，２８を残して広幅の
Ｌ字形の磁性体膜２９を形成し、次に第１３図の
ように導体２６の末端２８から延長する導体３０
を形成する。第１４図のように、導体３０の末端
３２を残して磁性体膜３３を形成し、次で第１５
図のように、導体２２の末端２４から延長するほ
ぼＵ字形の導体３４を形成し、その外端３６を積
層体の上辺に露出させる。第１６図の工程に移つ
て導体３０の末端を残して全面に磁性体膜３７を
形成し、次に第１７図のように導体３０の末端３
２から延長して積層体の下辺に終端する外端４０
を有する導体３８を形成する。以上のように積層
が終つたら、真空室から積層体を取出して第１８
図のように導体の外端２３，２７，３６，４０に
それぞれ接続する外部端子４２，４４，４３，４
５を焼付ける。第１８図に示される積層トランス
は各コイルの磁路が他方のコイルの磁路とほぼ同
一となる。
第１９〜２９図は本発明の方法をロータリート
ランスに応用した例を示す。ロータリートランス
の１例は第２９図に示されるように、固定子Ｓに
所定のコイルを形成したもの（これも本発明の方
法で製作できるが特に説明しない）に、回転軸７
６に保持したロータＲを近接配置し、ロータＲの
回転でコイルの結合を変えるようにしたものであ
る。本発明に従つて、ロータＲは以下のように製
造される。
ランスに応用した例を示す。ロータリートランス
の１例は第２９図に示されるように、固定子Ｓに
所定のコイルを形成したもの（これも本発明の方
法で製作できるが特に説明しない）に、回転軸７
６に保持したロータＲを近接配置し、ロータＲの
回転でコイルの結合を変えるようにしたものであ
る。本発明に従つて、ロータＲは以下のように製
造される。
第１９図に示すように、先ず円板状に磁性体膜
５１を形成し、次にS1を始端として磁性体膜５１
の下辺に露出し、端部５０に終端する小円弧を有
する導体５２を形成する。第２０図に示すよう
に、導体５２の端部５０を露出する孔５３を有す
る磁性体膜５１の全面に磁性体膜５４を形成す
る。次に第２１図に示すように導体５２の末端５
０に接続する小円弧となる導体５５及びS2を始端
とし、５８を終端とする大円弧を画く導体５６を
形成し、さらに第２２図のように端部５７，５８
を露出する孔５９，６０を有する磁性体膜６１を
全面に形成する。第２３図の工程に移つて、下側
導体の末端５７，５８に接続する小円弧及び大円
弧の導体６２，６３を形成し、その上に第２４図
のように導体６２，６３の末端６４，６５を露出
する孔６７，６８を有する磁性体膜６６を形成
し、第２５図のようにさらに導体６９，７０を下
側の導体の末端６４，６５に接続するように形成
し、導体６９の末端は積層体の下辺に露出させて
終端F1とする。第２６図に示すように導体７０
の末端７１を露出する孔７２を有する磁性体膜７
３を全面に被着し、次に第２７図のように導体７
４を下側導体７０の末端７１に接続するように形
成し、その外端を積層体の周辺に露出させて終端
F2とする。次に第２８図のように、全面に磁性
体膜７５を形成し、最後に終端S1，S2，F1，F2
に接続する外部端子７７，７８，７９，８０を導
電ぺーストの焼付けで形成する。以上により積層
トランスのロータＲが形成されるので、これに回
転軸７６を接着するとステータＳと共に使用でき
る。第２９図の等価回路は第３０図に示す通りで
ある。
５１を形成し、次にS1を始端として磁性体膜５１
の下辺に露出し、端部５０に終端する小円弧を有
する導体５２を形成する。第２０図に示すよう
に、導体５２の端部５０を露出する孔５３を有す
る磁性体膜５１の全面に磁性体膜５４を形成す
る。次に第２１図に示すように導体５２の末端５
０に接続する小円弧となる導体５５及びS2を始端
とし、５８を終端とする大円弧を画く導体５６を
形成し、さらに第２２図のように端部５７，５８
を露出する孔５９，６０を有する磁性体膜６１を
全面に形成する。第２３図の工程に移つて、下側
導体の末端５７，５８に接続する小円弧及び大円
弧の導体６２，６３を形成し、その上に第２４図
のように導体６２，６３の末端６４，６５を露出
する孔６７，６８を有する磁性体膜６６を形成
し、第２５図のようにさらに導体６９，７０を下
側の導体の末端６４，６５に接続するように形成
し、導体６９の末端は積層体の下辺に露出させて
終端F1とする。第２６図に示すように導体７０
の末端７１を露出する孔７２を有する磁性体膜７
３を全面に被着し、次に第２７図のように導体７
４を下側導体７０の末端７１に接続するように形
成し、その外端を積層体の周辺に露出させて終端
F2とする。次に第２８図のように、全面に磁性
体膜７５を形成し、最後に終端S1，S2，F1，F2
に接続する外部端子７７，７８，７９，８０を導
電ぺーストの焼付けで形成する。以上により積層
トランスのロータＲが形成されるので、これに回
転軸７６を接着するとステータＳと共に使用でき
る。第２９図の等価回路は第３０図に示す通りで
ある。
以上、３つの実施例についてスパツタリング法
による積層トランスの製造法を説明した。
による積層トランスの製造法を説明した。
以上のように、本発明はスパツタリング法によ
る薄膜形成技術を利用するから一貫した工程で積
層トランスを精度良く製造することができる。積
層体の各層は極く薄いものであるから製品の寸法
は小さくできると共に、導体のターン数は任意に
調整できるから小型の積層トランスで極めて広範
囲のインダクタンス値を与えることができる。し
かも、本発明で得られる積層トランスは外部端子
を有するチツプ形であるから、プリント基板への
直づけや半田付けに便利である。また焼成が必要
でないから、導体として安価な金属を利用でき
る。
る薄膜形成技術を利用するから一貫した工程で積
層トランスを精度良く製造することができる。積
層体の各層は極く薄いものであるから製品の寸法
は小さくできると共に、導体のターン数は任意に
調整できるから小型の積層トランスで極めて広範
囲のインダクタンス値を与えることができる。し
かも、本発明で得られる積層トランスは外部端子
を有するチツプ形であるから、プリント基板への
直づけや半田付けに便利である。また焼成が必要
でないから、導体として安価な金属を利用でき
る。
第１図は本発明の方法を実施する装置の１例を
示す正面図、第２図ないし第６図は本発明の第１
実施例の順次工程を示す平面図、第７図は完成し
た積層トランスの斜視図、第８図は同等価回路
図、第９図ないし第１８図は本発明の第２実施例
の順次工程を示す平面図、第１９図ないし第２８
図は本発明の第３実施例の順次工程を示す平面
図、第２９図は完成したロータをステータと組合
せた側面図、及び第３０図は第２９図の等価回路
図である。図中、主な部材は次の通りである。 １，８，９，１６：磁性体膜、２，３，１０，
１１：導体、１７，１８，１９，２０：外部端
子、２１，２５，２９，３３，３７，４１：磁性
体膜、２２，２６，３０，３４，３８：導体、４
２，４３，４４，４５：外部端子、５１，５４，
６１，６６，７３，７５：磁性体膜、５２，５
６，６２，６３，６９，７０，７４：導体、７
７，７８，７９，８０：外部端子。
示す正面図、第２図ないし第６図は本発明の第１
実施例の順次工程を示す平面図、第７図は完成し
た積層トランスの斜視図、第８図は同等価回路
図、第９図ないし第１８図は本発明の第２実施例
の順次工程を示す平面図、第１９図ないし第２８
図は本発明の第３実施例の順次工程を示す平面
図、第２９図は完成したロータをステータと組合
せた側面図、及び第３０図は第２９図の等価回路
図である。図中、主な部材は次の通りである。 １，８，９，１６：磁性体膜、２，３，１０，
１１：導体、１７，１８，１９，２０：外部端
子、２１，２５，２９，３３，３７，４１：磁性
体膜、２２，２６，３０，３４，３８：導体、４
２，４３，４４，４５：外部端子、５１，５４，
６１，６６，７３，７５：磁性体膜、５２，５
６，６２，６３，６９，７０，７４：導体、７
７，７８，７９，８０：外部端子。
Claims (1)
- １ 基板上に絶縁性酸化物磁性体層と少なくとも
２組の金属導体とをスパツタリング法により交互
に積層し、その際に前記各組の導体は前記磁性体
層の間から間へと連続して周回する一本のコイル
状の導電路を構成するようにし、次いで前記導体
の末端に接続する外部端子を積層体の外面に設け
ることを特徴とする積層トランスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4687980A JPS56144513A (en) | 1980-04-11 | 1980-04-11 | Manufacture of laminated transformer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4687980A JPS56144513A (en) | 1980-04-11 | 1980-04-11 | Manufacture of laminated transformer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56144513A JPS56144513A (en) | 1981-11-10 |
| JPS6248886B2 true JPS6248886B2 (ja) | 1987-10-16 |
Family
ID=12759636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4687980A Granted JPS56144513A (en) | 1980-04-11 | 1980-04-11 | Manufacture of laminated transformer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56144513A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5922304A (ja) * | 1982-07-28 | 1984-02-04 | Tdk Corp | 積層トランス |
| JPH0453213A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-20 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 高周波トランス等の巻線及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS557932B2 (ja) * | 1972-07-21 | 1980-02-29 | ||
| JPS5242608B2 (ja) * | 1973-07-11 | 1977-10-25 |
-
1980
- 1980-04-11 JP JP4687980A patent/JPS56144513A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56144513A (en) | 1981-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6195249B1 (en) | Electronic component having gaps between conductive thin films | |
| JP3686908B2 (ja) | 積層型コイル部品及びその製造方法 | |
| JP2001313212A (ja) | 積層型コイル及びその製造方法 | |
| JPH0135483B2 (ja) | ||
| JP2001267129A (ja) | チップインダクタおよびその製造方法 | |
| JPS6248886B2 (ja) | ||
| JPH04242911A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPS6248885B2 (ja) | ||
| JPS5889819A (ja) | チツプ・インダクタの製造方法 | |
| JP2003133136A (ja) | 磁性部品およびその製造方法 | |
| JPH09148118A (ja) | 積層型圧粉磁芯 | |
| JPH0358164B2 (ja) | ||
| JPS637017B2 (ja) | ||
| JPS6361766B2 (ja) | ||
| JP3208842B2 (ja) | Ｌｃ複合電子部品 | |
| JPH0137842B2 (ja) | ||
| JP3201756B2 (ja) | 複合巻積層インダクタとその製造方法 | |
| JPS60176208A (ja) | 積層部品およびその製造法 | |
| JPS63283004A (ja) | 平面インダクタならびにその製造方法 | |
| JP3992317B2 (ja) | 電子部品の製造方法及び薄膜の製造装置 | |
| JPH08236354A (ja) | 積層インダクタ | |
| JPS63268210A (ja) | 積層型インダクタならびにその製造方法 | |
| JPS636132B2 (ja) | ||
| JPS63278315A (ja) | 積層型インダクタならびにその製造方法 | |
| JP4109348B2 (ja) | 電子部品とその製造方法 |