JPS637017B2 - - Google Patents
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- JPS637017B2 JPS637017B2 JP55046878A JP4687880A JPS637017B2 JP S637017 B2 JPS637017 B2 JP S637017B2 JP 55046878 A JP55046878 A JP 55046878A JP 4687880 A JP4687880 A JP 4687880A JP S637017 B2 JPS637017 B2 JP S637017B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- laminated
- film
- composite
- laminate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は積層複合電子部品、特にインダクタン
スＬとコンデンサＣとが複合して形成されたLC
複合電子部品に関する。
スＬとコンデンサＣとが複合して形成されたLC
複合電子部品に関する。
従来の複合部品はインダクタの寸法が大きくな
り、またインダクタの製法がコンデンサの製法と
全く異なることから複合化及び小型化が困難であ
つた。コンデンサに関しては積層チツプコンデン
サ等が知られているように薄形・小型化が進んで
いるが、インダクタは導線を磁心に巻くことが必
要であるので、積層化、小型化が困難であつた。
り、またインダクタの製法がコンデンサの製法と
全く異なることから複合化及び小型化が困難であ
つた。コンデンサに関しては積層チツプコンデン
サ等が知られているように薄形・小型化が進んで
いるが、インダクタは導線を磁心に巻くことが必
要であるので、積層化、小型化が困難であつた。
本発明者はこの問題を解決するため特願昭53−
161221号（特開昭55−91103号公報）等で印刷方
式によるチツプ形積層複合部品を提案した。その
要点を述べると、薄い絶縁基板上にインダクタ用
導体パターン、コンデンサ用導体パターン、誘電
体薄膜、磁性体薄膜等を適当な順序で印刷して積
層して行き、チツプ状の積層体を形成し、焼成
し、積層体の縁辺に露出する導体パターンの末端
に接続するように外部端子を積層体の縁辺部に焼
付けたものであつた。この方式には複合部品の小
型化、大量生産化、コストダウン等の利益を提供
した。しかし、この方式によつても、印刷積層体
は焼成炉において高温で焼成されるから、導電粉
末としては、Pd、Ag−Pd等の高価な耐熱材料が
必要であるし、また高温処理が必要となる。さら
に積層された層はあまり薄く出来ないので、寸法
の減少はまだ不十分であり、大きなＬ、Ｃや、均
一特性を得難い等の問題がある。
161221号（特開昭55−91103号公報）等で印刷方
式によるチツプ形積層複合部品を提案した。その
要点を述べると、薄い絶縁基板上にインダクタ用
導体パターン、コンデンサ用導体パターン、誘電
体薄膜、磁性体薄膜等を適当な順序で印刷して積
層して行き、チツプ状の積層体を形成し、焼成
し、積層体の縁辺に露出する導体パターンの末端
に接続するように外部端子を積層体の縁辺部に焼
付けたものであつた。この方式には複合部品の小
型化、大量生産化、コストダウン等の利益を提供
した。しかし、この方式によつても、印刷積層体
は焼成炉において高温で焼成されるから、導電粉
末としては、Pd、Ag−Pd等の高価な耐熱材料が
必要であるし、また高温処理が必要となる。さら
に積層された層はあまり薄く出来ないので、寸法
の減少はまだ不十分であり、大きなＬ、Ｃや、均
一特性を得難い等の問題がある。
本発明は印刷法によらないで真空薄膜形成技術
を利用して積層LC複合部品を提供することを目
的とする。本発明の方法は焼成工程を必要とせ
ず、またそのために必要な耐熱性金属も用いなく
て済むから、Cu、Al、Ag等の任意の導電材料を
使用できる。また各層の厚みが一様で、しかも薄
くできるとともに寸法精度の良さから、特性が一
様なLC複合部品を得ることができる。
を利用して積層LC複合部品を提供することを目
的とする。本発明の方法は焼成工程を必要とせ
ず、またそのために必要な耐熱性金属も用いなく
て済むから、Cu、Al、Ag等の任意の導電材料を
使用できる。また各層の厚みが一様で、しかも薄
くできるとともに寸法精度の良さから、特性が一
様なLC複合部品を得ることができる。
本発明はスパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法、溶射法、イオンビーム法、気相成長法、
真空蒸着法等の真空技術を応用した薄膜形成法を
用いて実施される。インダクタ部分及びコンデン
サ部分の形成にはコイル状の導電パターン及びコ
ンデンサ用電極のための金属と、導電パターン及
び電極を絶縁するための絶縁体とが必要である。
ング法、溶射法、イオンビーム法、気相成長法、
真空蒸着法等の真空技術を応用した薄膜形成法を
用いて実施される。インダクタ部分及びコンデン
サ部分の形成にはコイル状の導電パターン及びコ
ンデンサ用電極のための金属と、導電パターン及
び電極を絶縁するための絶縁体とが必要である。
絶縁体としては、コンデンサ部にはTiO2、
Al2O3、BaTiO3、SiO2等の誘電体を使用するこ
とが好ましく、またインダクタ部にはMFe2O4
（Ｍ：金属）なるフエライト磁性体を用いること
が好ましい。或いは、特性に応じてすべてを磁性
体或いは誘電体としてもかまわない。上記の薄膜
形成技術は金属膜の形成にすべて利用できる。絶
縁体膜の形成にはスパツタリング法、溶射法、イ
オンプレーテイング法等を用いることができる。
これらの方法の１種以上を用いれば、所要の積層
構造を得ることができる。従つて、本発明の方法
によれば、焼成工程が不要になり、安価な金属の
使用で十分に本発明の目的を達成することができ
る。
Al2O3、BaTiO3、SiO2等の誘電体を使用するこ
とが好ましく、またインダクタ部にはMFe2O4
（Ｍ：金属）なるフエライト磁性体を用いること
が好ましい。或いは、特性に応じてすべてを磁性
体或いは誘電体としてもかまわない。上記の薄膜
形成技術は金属膜の形成にすべて利用できる。絶
縁体膜の形成にはスパツタリング法、溶射法、イ
オンプレーテイング法等を用いることができる。
これらの方法の１種以上を用いれば、所要の積層
構造を得ることができる。従つて、本発明の方法
によれば、焼成工程が不要になり、安価な金属の
使用で十分に本発明の目的を達成することができ
る。
本発明の方法で得られる積層LC複合部品の特
徴は、各層の厚みがオングストローム単位
（10-10ｍ）に近いものまで可能になるため、比較
的薄い積層体でも大きな容量或いはインダクタン
スを得ることができること、従つてまた非常に広
範囲の特性値を有する小型積層品が一貫工程で自
由に製造しうることである。
徴は、各層の厚みがオングストローム単位
（10-10ｍ）に近いものまで可能になるため、比較
的薄い積層体でも大きな容量或いはインダクタン
スを得ることができること、従つてまた非常に広
範囲の特性値を有する小型積層品が一貫工程で自
由に製造しうることである。
種々の薄膜形成法のうち、本発明で推賞される
ものはスパツタリング法である。この方法は他の
方法に比してやや遅い膜形成速度を有するが、最
近では高速スパツタリング法も開発されている。
スパツタリング法は絶縁体源または金属源の組成
をほぼそのまま生成膜の組成に移行させることが
できる特徴を持ち、また付着強度が大きく、生成
膜が一様であるので、特に好ましい方法である。
なおスパツタリング法における原子または分子流
の回り込み現象を避けるために、マスクは基板の
面に出来るだけ接近させる。
ものはスパツタリング法である。この方法は他の
方法に比してやや遅い膜形成速度を有するが、最
近では高速スパツタリング法も開発されている。
スパツタリング法は絶縁体源または金属源の組成
をほぼそのまま生成膜の組成に移行させることが
できる特徴を持ち、また付着強度が大きく、生成
膜が一様であるので、特に好ましい方法である。
なおスパツタリング法における原子または分子流
の回り込み現象を避けるために、マスクは基板の
面に出来るだけ接近させる。
以下、図面に関連して本発明の実施例を詳しく
説明する。
説明する。
第１図はスパツタリング法の原理を示す図であ
り、10-3〜10-2トール程度のアルゴンガスを封じ
た真空室に、マイナス電極１と接地電極５とを対
向させ、この間に高周波電圧（〜10MHz等）を印
加する。マイナス電極１の面には蒸着しようとす
る金属または酸化物の板２を保持させ、接地電極
５の面には蒸着用の基板４を位置づけ、そして基
板４の面にはマスク３を配置する。高周波電圧
RFを電極１，５の間に印加すると、金属または
酸化物の板２は正イオン化されたガスの衝撃を受
けて金属または酸化物の原子または分子が板２の
表面から放出され、大きな速度で基板４へ向けて
スパツターし薄膜状に付着する。なお、スパツタ
リング法は公知であるから、これ以上詳しい説明
は必要がないと思う。
り、10-3〜10-2トール程度のアルゴンガスを封じ
た真空室に、マイナス電極１と接地電極５とを対
向させ、この間に高周波電圧（〜10MHz等）を印
加する。マイナス電極１の面には蒸着しようとす
る金属または酸化物の板２を保持させ、接地電極
５の面には蒸着用の基板４を位置づけ、そして基
板４の面にはマスク３を配置する。高周波電圧
RFを電極１，５の間に印加すると、金属または
酸化物の板２は正イオン化されたガスの衝撃を受
けて金属または酸化物の原子または分子が板２の
表面から放出され、大きな速度で基板４へ向けて
スパツターし薄膜状に付着する。なお、スパツタ
リング法は公知であるから、これ以上詳しい説明
は必要がないと思う。
第２図ないし第１２図は本発明の第１実施例に
よる積層LC複合部品の製造工程を示す。基板Ｄ
に形成される薄膜の形状はマスク３に設けた開口
の形状により規定されるもので、被着すべきパタ
ーンに応じたマスクを複数用意しておき、これら
を適正な順序で用いるものとし、またマイナス電
極に配置する金属源及び磁性または誘電体酸化物
源も適当な順序で交互使用されるものとする。ま
た各マスクには多数の同一形状の開口を形成し
て、多数の積層LC複合部品を同時に製造するこ
とができる。なお基板としては剥離性のある表面
を有する金属板、或いは積層体の１部となる絶縁
体を用いることも可能である。
よる積層LC複合部品の製造工程を示す。基板Ｄ
に形成される薄膜の形状はマスク３に設けた開口
の形状により規定されるもので、被着すべきパタ
ーンに応じたマスクを複数用意しておき、これら
を適正な順序で用いるものとし、またマイナス電
極に配置する金属源及び磁性または誘電体酸化物
源も適当な順序で交互使用されるものとする。ま
た各マスクには多数の同一形状の開口を形成し
て、多数の積層LC複合部品を同時に製造するこ
とができる。なお基板としては剥離性のある表面
を有する金属板、或いは積層体の１部となる絶縁
体を用いることも可能である。
先ず第２図を参照する。Al2O3、SiO2等の酸化
物絶縁体、より好ましくは絶縁性の磁性フエライ
トより成る酸化物源を用いて、先ず酸化物膜１０
を基板４の面に被着させる。次にAl、Ag、Niま
たはCu等の金属源を酸化物源と置き換え、また
マスクを交換した上、第３図のように酸化物膜１
０の右寄りの位置に末端が酸化物膜１０の下辺に
露出するようにして導体１１を形成する。次に第
４図のように、導体１１の上端のみを残して酸化
物膜１０の下方を覆うように膜１０と同じ素材の
酸化物膜１２を形成する。次に導体１１と同じ素
材の導体１３を導体１１の端部に接続し積層体の
左辺側に延びるようにして形成する。次に第６図
のように導体１３の一端のみを残して積層体の上
方を覆うように形成する。次で第７図のように導
体１３の端部から積層体の右辺側に延びる導体１
５を形成する。導体１５の末端は積層体の上辺に
露出させる。次に第８図のように第２図と同様な
絶縁体１６を積層体の全面に被着させる。次にコ
ンデンサ部の形成工程に移り、第９図のように積
層体の上辺に露出する部分を有するようにAl、
Ni、Cu、Ag等の電極膜１７を形成し、その上に
第１０図のようにTiO2、BaTiO3等の誘電体膜１
８を形成し、さらに第１１図のように下側の電極
１７に重畳すると共に積層体の下辺に露出する電
極膜１９を形成する。積層が終つたら、真空室か
ら積層体を取出し、第１２−１３図のように上下
側辺に導電ペースト（半田適性を有する任意の金
属粉末を含有するペースト）を焼付けて外部端子
２１，２２を形成する、これにより第１４図の等
価回路を有する積層LC複合部品が得られる。
物絶縁体、より好ましくは絶縁性の磁性フエライ
トより成る酸化物源を用いて、先ず酸化物膜１０
を基板４の面に被着させる。次にAl、Ag、Niま
たはCu等の金属源を酸化物源と置き換え、また
マスクを交換した上、第３図のように酸化物膜１
０の右寄りの位置に末端が酸化物膜１０の下辺に
露出するようにして導体１１を形成する。次に第
４図のように、導体１１の上端のみを残して酸化
物膜１０の下方を覆うように膜１０と同じ素材の
酸化物膜１２を形成する。次に導体１１と同じ素
材の導体１３を導体１１の端部に接続し積層体の
左辺側に延びるようにして形成する。次に第６図
のように導体１３の一端のみを残して積層体の上
方を覆うように形成する。次で第７図のように導
体１３の端部から積層体の右辺側に延びる導体１
５を形成する。導体１５の末端は積層体の上辺に
露出させる。次に第８図のように第２図と同様な
絶縁体１６を積層体の全面に被着させる。次にコ
ンデンサ部の形成工程に移り、第９図のように積
層体の上辺に露出する部分を有するようにAl、
Ni、Cu、Ag等の電極膜１７を形成し、その上に
第１０図のようにTiO2、BaTiO3等の誘電体膜１
８を形成し、さらに第１１図のように下側の電極
１７に重畳すると共に積層体の下辺に露出する電
極膜１９を形成する。積層が終つたら、真空室か
ら積層体を取出し、第１２−１３図のように上下
側辺に導電ペースト（半田適性を有する任意の金
属粉末を含有するペースト）を焼付けて外部端子
２１，２２を形成する、これにより第１４図の等
価回路を有する積層LC複合部品が得られる。
第１５−２２図は本発明の第２実施例を示す。
第１５図のように先ず基板上に絶縁性のある磁性
体膜３１をスパツタリング法で形成し、次で第１
６図のようにコイル兼コンデンサ用導体３２及び
コンデンサ用導体３３をスパツタリング法で被着
する。この際に、導体３５の一端３４は磁性体膜
３１の右辺に露出し、他側は鉤形に彎曲して３６
に終端する。一方、導体３３は導体３２の直線部
３５との間に容量を形成するように導体３５に沿
つて延びる部分３７と磁性体膜３１の上辺に露出
する引出端３８を有する。次に第１７図に示すよ
うに、導体３５の一端３６を残して磁性膜３１の
全面に誘導体または磁性体膜３９を被着し、次に
導体３５の一端３６に連続する導体４０を被着す
る。このときその端部４１は磁性又は誘電体膜３
９の上まで延びる。次に第１９図のように導体４
０の端部４１を残して図の下半分に磁性体膜４２
を形成し、さらに第２０図のように第１６図に似
た導体４３，４５を形成する。このとき導体４３
は４６に引出され、また導体４３の左端は積層体
の左辺に引出される。第２１図のように、全面に
磁性体膜５０を被着して積層を終る。次に、積層
体を真空室から取出して第２２図のようにコイル
用導体の両端引出部及びコンデンサ用導体の引出
部にそれぞれ接続する導電ペーストを焼付けて外
部端子４６，４７，４８とする。こうして得られ
る積層LC複合部品の等価回路は第２３図に示さ
れている。この部品はフイルター等として使用で
きる。
第１５図のように先ず基板上に絶縁性のある磁性
体膜３１をスパツタリング法で形成し、次で第１
６図のようにコイル兼コンデンサ用導体３２及び
コンデンサ用導体３３をスパツタリング法で被着
する。この際に、導体３５の一端３４は磁性体膜
３１の右辺に露出し、他側は鉤形に彎曲して３６
に終端する。一方、導体３３は導体３２の直線部
３５との間に容量を形成するように導体３５に沿
つて延びる部分３７と磁性体膜３１の上辺に露出
する引出端３８を有する。次に第１７図に示すよ
うに、導体３５の一端３６を残して磁性膜３１の
全面に誘導体または磁性体膜３９を被着し、次に
導体３５の一端３６に連続する導体４０を被着す
る。このときその端部４１は磁性又は誘電体膜３
９の上まで延びる。次に第１９図のように導体４
０の端部４１を残して図の下半分に磁性体膜４２
を形成し、さらに第２０図のように第１６図に似
た導体４３，４５を形成する。このとき導体４３
は４６に引出され、また導体４３の左端は積層体
の左辺に引出される。第２１図のように、全面に
磁性体膜５０を被着して積層を終る。次に、積層
体を真空室から取出して第２２図のようにコイル
用導体の両端引出部及びコンデンサ用導体の引出
部にそれぞれ接続する導電ペーストを焼付けて外
部端子４６，４７，４８とする。こうして得られ
る積層LC複合部品の等価回路は第２３図に示さ
れている。この部品はフイルター等として使用で
きる。
以上のように、本発明はLC複合機能を有する
複合部品を薄膜形成技術により一貫した工程で製
造することができる利益を提供する。積層体の各
層は極く薄いものであるから製品の寸法は小型化
され、また積層数の増減で自由に所望の特性を得
ることができる。本積層LC複合部品はプリント
基板への直づけや、自動半田づけに適する。
複合部品を薄膜形成技術により一貫した工程で製
造することができる利益を提供する。積層体の各
層は極く薄いものであるから製品の寸法は小型化
され、また積層数の増減で自由に所望の特性を得
ることができる。本積層LC複合部品はプリント
基板への直づけや、自動半田づけに適する。
第１図は本発明の方法を実施するための装置の
１例を示す正面図、第２図ないし第１２図は本発
明の第１実施例の順次工程を示す平面図、第１３
図は第１２図の縦断面図、第１４図は第１２−１
３図の積層LC複合部品の等価回路図、第１５図
ないし第２１図は本発明の第２実施例の順次工程
を示す平面図、第２２図は完成した積層LC複合
部品の斜視図、及び第２３図は第２２図の部品の
等価回路図である。図中主な部分は次の通りであ
る。 １０，１２，１４，１６，１８，２０：絶縁体
膜、１１，１３，１５：導体、１７，１９：電極
膜、３１，３９，４２，５０：絶縁体膜、４６，
４７，４８：外部端子。
１例を示す正面図、第２図ないし第１２図は本発
明の第１実施例の順次工程を示す平面図、第１３
図は第１２図の縦断面図、第１４図は第１２−１
３図の積層LC複合部品の等価回路図、第１５図
ないし第２１図は本発明の第２実施例の順次工程
を示す平面図、第２２図は完成した積層LC複合
部品の斜視図、及び第２３図は第２２図の部品の
等価回路図である。図中主な部分は次の通りであ
る。 １０，１２，１４，１６，１８，２０：絶縁体
膜、１１，１３，１５：導体、１７，１９：電極
膜、３１，３９，４２，５０：絶縁体膜、４６，
４７，４８：外部端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁体層とコイル形成用導体パターンとを交
互積層する工程Ａ、及び絶縁体層とコンデンサ形
成用電極パターンとを交互積層する工程Ｂとを任
意の順序で含む真空技術を用いた薄膜形成手段に
よる積層複合部品の製造方法において、前記工程
Ａにおけるコイル形成パターンは約半ターン分の
導体であつて、絶縁体層間での前記半ターン分の
導体は端部を重畳して接続されるものであり、さ
らに工程Ａ、Ｂで積層後に、前記Ａ、Ｂにおける
導体パターン及び電極パターンに接続する外部接
続手段を積層体の一部に形成したことを特徴とす
る積層LC複合部品の製造方法。 ２ 薄膜形成手段がスパツタリング法であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の積層
LC複合部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4687880A JPS56144524A (en) | 1980-04-11 | 1980-04-11 | Method of manufacturing laminated composite part |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4687880A JPS56144524A (en) | 1980-04-11 | 1980-04-11 | Method of manufacturing laminated composite part |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56144524A JPS56144524A (en) | 1981-11-10 |
| JPS637017B2 true JPS637017B2 (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=12759606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4687880A Granted JPS56144524A (en) | 1980-04-11 | 1980-04-11 | Method of manufacturing laminated composite part |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56144524A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04140909A (ja) * | 1990-10-01 | 1992-05-14 | Taiyo Yuden Co Ltd | 複合型ｌｃフィルタ |
| JP3073035B2 (ja) * | 1991-02-21 | 2000-08-07 | 毅 池田 | Ｌｃノイズフィルタ |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5242608B2 (ja) * | 1973-07-11 | 1977-10-25 | ||
| JPS6029214B2 (ja) * | 1977-07-11 | 1985-07-09 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサの製造方法 |
| JPS5543869A (en) * | 1978-09-22 | 1980-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Through type condenser |
-
1980
- 1980-04-11 JP JP4687880A patent/JPS56144524A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56144524A (en) | 1981-11-10 |
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