JPS6249672B2 - - Google Patents
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- JPS6249672B2 JPS6249672B2 JP13329180A JP13329180A JPS6249672B2 JP S6249672 B2 JPS6249672 B2 JP S6249672B2 JP 13329180 A JP13329180 A JP 13329180A JP 13329180 A JP13329180 A JP 13329180A JP S6249672 B2 JPS6249672 B2 JP S6249672B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- loop
- magnetic field
- pattern
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0858—Generating, replicating or annihilating magnetic domains (also comprising different types of magnetic domains, e.g. "Hard Bubbles")
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオン注入処理により形成せられたメ
ジヤーマイナ・ループ構成の磁気バブル装置にお
けるトランスフアゲートの書込み方法に係る。
ジヤーマイナ・ループ構成の磁気バブル装置にお
けるトランスフアゲートの書込み方法に係る。
従来磁気バブル装置はガーネツト膜をメモリ基
板にしたパーマロイ転送パターン方式が実用され
て来ていたが、記録密度が1M bit／cm2を限度と
するため、更に大容量化を要求されて、4M
bit／cm2が可能であるイオン注入技術を用いてガ
ーネツト膜上に所要パターンを形成してバブルの
転送及び読出し、書込み（トランスフアと称す）
を行う装置が開発された。
板にしたパーマロイ転送パターン方式が実用され
て来ていたが、記録密度が1M bit／cm2を限度と
するため、更に大容量化を要求されて、4M
bit／cm2が可能であるイオン注入技術を用いてガ
ーネツト膜上に所要パターンを形成してバブルの
転送及び読出し、書込み（トランスフアと称す）
を行う装置が開発された。
パターンにはいろいろあるが、現在その代表的
な例である連珠形デイスクパターンを用いた素子
即ちコンテイギユアデイスクバブル素子（CDD
Contiguous Disk Bubble Deviceと略称する）を
例にしてその概要を述べる。
な例である連珠形デイスクパターンを用いた素子
即ちコンテイギユアデイスクバブル素子（CDD
Contiguous Disk Bubble Deviceと略称する）を
例にしてその概要を述べる。
一般に磁性薄膜バブル結晶例えばガーネツト膜
にレジストやAu蒸着膜などで該ガーネツト膜上
をおおい、イオン注入したデイスク状のパターン
をつくると、そのデイスク状のパターンの周辺に
バブルが吸着されることが知られている。そして
第１図図示の如くデイスクの隣接した連珠形デイ
スク・パターン１に面内回転磁界（以下単に回転
磁界という）を印加するとバブルは当該連珠形デ
イスク・パターン１の周辺に沿つて移動する。こ
のような磁性薄膜にはストライプ・アウトされや
すい軸が３方向（）、（）、（）に120゜の間
隔をなして存在し、これら120゜の間隔をなす容
易磁化軸に対し上記連珠形デイスク・パターン１
を形成するデイスク・パターンがいずれの方向に
一列に並んでいるかによつてスーパ・トラツクＳ
と、バツド・トラツクｂと、グツド・トラツクｇ
の３通りのバブル移動通路ができる。
にレジストやAu蒸着膜などで該ガーネツト膜上
をおおい、イオン注入したデイスク状のパターン
をつくると、そのデイスク状のパターンの周辺に
バブルが吸着されることが知られている。そして
第１図図示の如くデイスクの隣接した連珠形デイ
スク・パターン１に面内回転磁界（以下単に回転
磁界という）を印加するとバブルは当該連珠形デ
イスク・パターン１の周辺に沿つて移動する。こ
のような磁性薄膜にはストライプ・アウトされや
すい軸が３方向（）、（）、（）に120゜の間
隔をなして存在し、これら120゜の間隔をなす容
易磁化軸に対し上記連珠形デイスク・パターン１
を形成するデイスク・パターンがいずれの方向に
一列に並んでいるかによつてスーパ・トラツクＳ
と、バツド・トラツクｂと、グツド・トラツクｇ
の３通りのバブル移動通路ができる。
ここでスーパ・トラツクＳとは磁性薄膜バブル
結晶のK1方向と転送路の進行方向とが第１図に
示す関係であり、該転送路のバイアス・マージン
が大きいと一般に言われている転送路であり、バ
ブルが転送され易い通路である。バツド・トラツ
クｂは第１図に示す関係でバイアス・マージンが
最も小さいとされている転送路でバブルが転送さ
れ難い通路である。グツド・トラツクｇは、バブ
ル転送については中間的動作マージンを有する通
路である。そして第１図に示す如くスーパ・トラ
ツクＳに対して反対側の通路はバツド・トラツク
ｂとなる。また磁性薄膜バブル結晶のK1方向の
連珠形デイスク・パターン１の通路はいずれの通
路もグツド・トラツクｇとなる。これらは磁性薄
膜バブル結晶の結晶磁気異方性に起因してバブル
転送の特異性が現われるためである。
結晶のK1方向と転送路の進行方向とが第１図に
示す関係であり、該転送路のバイアス・マージン
が大きいと一般に言われている転送路であり、バ
ブルが転送され易い通路である。バツド・トラツ
クｂは第１図に示す関係でバイアス・マージンが
最も小さいとされている転送路でバブルが転送さ
れ難い通路である。グツド・トラツクｇは、バブ
ル転送については中間的動作マージンを有する通
路である。そして第１図に示す如くスーパ・トラ
ツクＳに対して反対側の通路はバツド・トラツク
ｂとなる。また磁性薄膜バブル結晶のK1方向の
連珠形デイスク・パターン１の通路はいずれの通
路もグツド・トラツクｇとなる。これらは磁性薄
膜バブル結晶の結晶磁気異方性に起因してバブル
転送の特異性が現われるためである。
第２図はスーパ・トラツクＳとバツド・トラツ
クｂとを有する連珠形デイスク・パターン転送路
の基本動作原理を説明する原理図で、３は転送路
パターンであつて当該転送路パターン３は８個の
デイスク・パターン２―１ないし２―８の隣接デ
イスク・パターンが一列に並んだ連珠形デイス
ク・パターンを形成しているものとする。そして
これらのデイスク・パターン２―１ないし２―８
と磁性薄膜との関係は当該デイスク・パターン２
―１ないし２―８の下側のバブルの通路がスー
パ・トラツクＳに、上側のバブルの通路がバツ
ド・トラツクｂとなるように構成されている。４
はバブルであつて回転磁界を印加する以前には転
送路パターン３のスーパ・トラツクＳに存在する
が回転磁界が印加されてゆくにつれて４′の如く
転送されるバブル、５はバブルであつて回転磁界
を印加する以前には転送路パターン３のバツド・
トラツクｂに存在するが回転磁界が印加されてゆ
くにつれて５′の如くスーパ・トラツクＳに転送
されるバブルを表わす。なお同図のK1は磁性薄
膜バブル結晶例えばガーネツト膜のデイスク・パ
ターンに対する磁化容易軸方向を表わしている。
クｂとを有する連珠形デイスク・パターン転送路
の基本動作原理を説明する原理図で、３は転送路
パターンであつて当該転送路パターン３は８個の
デイスク・パターン２―１ないし２―８の隣接デ
イスク・パターンが一列に並んだ連珠形デイス
ク・パターンを形成しているものとする。そして
これらのデイスク・パターン２―１ないし２―８
と磁性薄膜との関係は当該デイスク・パターン２
―１ないし２―８の下側のバブルの通路がスー
パ・トラツクＳに、上側のバブルの通路がバツ
ド・トラツクｂとなるように構成されている。４
はバブルであつて回転磁界を印加する以前には転
送路パターン３のスーパ・トラツクＳに存在する
が回転磁界が印加されてゆくにつれて４′の如く
転送されるバブル、５はバブルであつて回転磁界
を印加する以前には転送路パターン３のバツド・
トラツクｂに存在するが回転磁界が印加されてゆ
くにつれて５′の如くスーパ・トラツクＳに転送
されるバブルを表わす。なお同図のK1は磁性薄
膜バブル結晶例えばガーネツト膜のデイスク・パ
ターンに対する磁化容易軸方向を表わしている。
第２図図示の如く、バブル４が転送路パターン
３のデイスク・パターン２―１の下側の通路即ち
スーパ・トラツクＳに存在するとき反時計方向に
回転磁界が印加されると、該バブル４は回転磁界
が１回転する毎に１ビツトづつ隣接するデイス
ク・パターン２―２，２―３の如く転送され、こ
れを繰返すことによつてバブル４はデイスク・パ
ターン２―７まで転送される。
３のデイスク・パターン２―１の下側の通路即ち
スーパ・トラツクＳに存在するとき反時計方向に
回転磁界が印加されると、該バブル４は回転磁界
が１回転する毎に１ビツトづつ隣接するデイス
ク・パターン２―２，２―３の如く転送され、こ
れを繰返すことによつてバブル４はデイスク・パ
ターン２―７まで転送される。
これに対しデイスク・パターン２―２の上側の
通路即ちバツド・トラツクｂに存在するバブル５
は反時計方向に回転磁界が印加されると、該バブ
ル５は隣接するデイスク・パターン２―１に転送
され第２図破線図示の如くデイスク・パターン２
―１の周辺に沿つて回転を行ないスーパ・トラツ
クＳに導入される。そして回転磁界の印加ととも
にバブル５はスーパ・トラツクＳ上を転送され、
バブル５′へと移動して行く。
通路即ちバツド・トラツクｂに存在するバブル５
は反時計方向に回転磁界が印加されると、該バブ
ル５は隣接するデイスク・パターン２―１に転送
され第２図破線図示の如くデイスク・パターン２
―１の周辺に沿つて回転を行ないスーパ・トラツ
クＳに導入される。そして回転磁界の印加ととも
にバブル５はスーパ・トラツクＳ上を転送され、
バブル５′へと移動して行く。
従来から知られている連珠形デイスク・パター
ン転送路を有する磁気バブル装置のメジヤ・ルー
プからマイナ・ループへの書込み或はマイナ・ル
ープからメジヤ・ループヘの読出しのトランスフ
ア・ゲートは大別して次の２種類に分けることが
できる。その第１番目は第３図においてメジヤ・
ループの転送路６の下側転送路即ちスーパ・トラ
ツクＳを情報バブル７が同図図示の如く左から右
へ転送されているものとすると、該バブル７が所
定の位置にきたときメジヤ・ループの転送路６と
情報を記憶するマイナ・ループの転送パターン
（転送路）８との間をトランスフアさせるヘアピ
ン状コンダクタ・パターン９にバブル電流が印加
され、バブル７は該ヘアピン状コンダクタ・パタ
ーン９に引つ張られてマイナ・ループの転送パタ
ーン８にトランスフアされる。即ち情報がマイ
ナ・ループに書込まれる。このときバブル７はメ
ジヤ・ループの転送路６換言するとメジヤ・ルー
プのパターンを横切つて伸長しマイナ・ループの
転送路８にトランスフアされるのでヘアピン状コ
ンダクタ・パターン９の導体ループに大きなパル
ス電流を流さなければならず、またバイアスマー
ジンが小さい欠点がある。
ン転送路を有する磁気バブル装置のメジヤ・ルー
プからマイナ・ループへの書込み或はマイナ・ル
ープからメジヤ・ループヘの読出しのトランスフ
ア・ゲートは大別して次の２種類に分けることが
できる。その第１番目は第３図においてメジヤ・
ループの転送路６の下側転送路即ちスーパ・トラ
ツクＳを情報バブル７が同図図示の如く左から右
へ転送されているものとすると、該バブル７が所
定の位置にきたときメジヤ・ループの転送路６と
情報を記憶するマイナ・ループの転送パターン
（転送路）８との間をトランスフアさせるヘアピ
ン状コンダクタ・パターン９にバブル電流が印加
され、バブル７は該ヘアピン状コンダクタ・パタ
ーン９に引つ張られてマイナ・ループの転送パタ
ーン８にトランスフアされる。即ち情報がマイ
ナ・ループに書込まれる。このときバブル７はメ
ジヤ・ループの転送路６換言するとメジヤ・ルー
プのパターンを横切つて伸長しマイナ・ループの
転送路８にトランスフアされるのでヘアピン状コ
ンダクタ・パターン９の導体ループに大きなパル
ス電流を流さなければならず、またバイアスマー
ジンが小さい欠点がある。
トランスフア・ゲートの第２番目は第４図に示
した構成で、メジヤ・ループの転送路１０とマイ
ナ・ループの転送パターン１１との間にストライ
プ状のコンダクタ１２をもうけ、情報のバブル１
３が所定の位置にきたとき上記ストライプ状のコ
ンダクタ１２にパルス電流を流し、その磁界勾配
によりバブル１３をメジヤ・ループの転送路１０
の上側の通路即ちスーパ・トラツクＳからマイ
ナ・ループの転送パターン１１にトランスフアさ
せて書込む。このときバブル１３はメジヤ・ルー
プの転送路１０乃バツド・トラツクｂを横切る必
要はないが、読出しのときマイナ・ループの転送
パターン１１からメジヤ・ループの転送路１４に
トランスフアされるバブルの位置はメジヤ・ルー
プの転送路１４の下側の通路即ちバツド・トラツ
クｂにコンダクタ１５を介して読出され、書込み
と読出しとの時系列が逆転する欠点がある。
した構成で、メジヤ・ループの転送路１０とマイ
ナ・ループの転送パターン１１との間にストライ
プ状のコンダクタ１２をもうけ、情報のバブル１
３が所定の位置にきたとき上記ストライプ状のコ
ンダクタ１２にパルス電流を流し、その磁界勾配
によりバブル１３をメジヤ・ループの転送路１０
の上側の通路即ちスーパ・トラツクＳからマイ
ナ・ループの転送パターン１１にトランスフアさ
せて書込む。このときバブル１３はメジヤ・ルー
プの転送路１０乃バツド・トラツクｂを横切る必
要はないが、読出しのときマイナ・ループの転送
パターン１１からメジヤ・ループの転送路１４に
トランスフアされるバブルの位置はメジヤ・ルー
プの転送路１４の下側の通路即ちバツド・トラツ
クｂにコンダクタ１５を介して読出され、書込み
と読出しとの時系列が逆転する欠点がある。
本発明は上述の欠点を改善した磁気バブル装置
を提供せんとするもので、その目的は間隙を介し
て配置されたメジヤーループとマイナループとの
間にＵ字形を呈した導体を有する磁気バブル装置
において、バブルを保持するバイアス磁界と同一
方向の磁界および逆方向の磁界を上記導体の周辺
に該導体を通電させることによつて発生し、上記
両方向に磁界それぞれをメジヤーループ上のバブ
ルとマイナループ上のバブルとに印加し、該メジ
ヤーループ上のバブルをメジヤーループからマイ
ナーループヘストライプアウトさせ、該マイナー
ループ上のバブルを消滅させてスワツプ・ゲート
として機能させることを特徴とする磁気バブル装
置の書込み方法により達成できる。
を提供せんとするもので、その目的は間隙を介し
て配置されたメジヤーループとマイナループとの
間にＵ字形を呈した導体を有する磁気バブル装置
において、バブルを保持するバイアス磁界と同一
方向の磁界および逆方向の磁界を上記導体の周辺
に該導体を通電させることによつて発生し、上記
両方向に磁界それぞれをメジヤーループ上のバブ
ルとマイナループ上のバブルとに印加し、該メジ
ヤーループ上のバブルをメジヤーループからマイ
ナーループヘストライプアウトさせ、該マイナー
ループ上のバブルを消滅させてスワツプ・ゲート
として機能させることを特徴とする磁気バブル装
置の書込み方法により達成できる。
以下図面を用いて本発明の一実施例について説
明する。
明する。
第５図は従来の装置の一実施例の回路構成図で
ある。
ある。
同図において、書込みトランスフア・ゲート２
５はヘアピン型コンダクタ２３により構成され、
読取りトランスフア・ゲート２６は第４図の１２
に示したストライプ状コンダクタの変形であるＮ
型コンダクタ２４により構成されていて、それら
の細部構造及び動作は既に記述した通りである。
なお全体の回路構成について補足すれば、書込み
トランスフア・ゲート２５におけるメジヤ・ルー
プ１６―２はジエネレータ３０より磁気バブル２
０を供給され、読取りトランスフア・ゲート２６
におけるメジヤ・ループ１６―１はストレツチ
ヤ・デイテクタ４０において読取り又は消去処理
を行う。
５はヘアピン型コンダクタ２３により構成され、
読取りトランスフア・ゲート２６は第４図の１２
に示したストライプ状コンダクタの変形であるＮ
型コンダクタ２４により構成されていて、それら
の細部構造及び動作は既に記述した通りである。
なお全体の回路構成について補足すれば、書込み
トランスフア・ゲート２５におけるメジヤ・ルー
プ１６―２はジエネレータ３０より磁気バブル２
０を供給され、読取りトランスフア・ゲート２６
におけるメジヤ・ループ１６―１はストレツチ
ヤ・デイテクタ４０において読取り又は消去処理
を行う。
同図において、特に着目すべき点は、メジヤ・
ループ１６―１，１６―２がスーパ・トラツクＳ
を図下側に、バツド・トラツクＢを上側にして配
置されている点である。なお、同図のメジヤ・ト
ラツク１６―２のパターンはスネーク・パターン
と称するもので、連珠型デイスク・パターンの変
形であつて、動作説明は連珠型デイスク・パター
ンと同様である。又マイナ・ループ１７―１……
１７―ＮのトラツクＧはグツド・トラツクであ
る。
ループ１６―１，１６―２がスーパ・トラツクＳ
を図下側に、バツド・トラツクＢを上側にして配
置されている点である。なお、同図のメジヤ・ト
ラツク１６―２のパターンはスネーク・パターン
と称するもので、連珠型デイスク・パターンの変
形であつて、動作説明は連珠型デイスク・パター
ンと同様である。又マイナ・ループ１７―１……
１７―ＮのトラツクＧはグツド・トラツクであ
る。
同図の構成は磁性薄膜の容易磁化軸の配置６０
を図に示す如く軸K1が正三角形になるように形
成されているために決定されるものである。
を図に示す如く軸K1が正三角形になるように形
成されているために決定されるものである。
又（面内）回転磁界の磁界回転方向５０は反時
計回りとなつている。
計回りとなつている。
第６図に本発明の一実施例の回路構成図を示
す。
す。
同図において、メジヤ・ループ１６―１，１６
―２は共に連珠型デイスク・パターンにより構成
されているが、他のパターンを用いても本発明の
機能は同様に発揮出来ることはいうまでもない。
―２は共に連珠型デイスク・パターンにより構成
されているが、他のパターンを用いても本発明の
機能は同様に発揮出来ることはいうまでもない。
同図において、容易磁化軸の配置６０は容易磁
化軸K1が逆正三角形とされており、従つてメジ
ヤ・ループ１６―１，１６―２はスーパ・トラツ
クＳが図の上側に、バツド・トラツクＢが下側に
配置されている。
化軸K1が逆正三角形とされており、従つてメジ
ヤ・ループ１６―１，１６―２はスーパ・トラツ
クＳが図の上側に、バツド・トラツクＢが下側に
配置されている。
同図において、書込みトランスフア・ゲート２
５はヘアピン型コンダクタ２３を使用している
が、書込み用外周２３Ａと消去用内周２３Ｂの２
つの機能を有する如くに形成されている。即ち、
書込み用外周２３Ａはメジヤ・ループ１６―２の
スーパ・トラツクＳ上のカスプ２２からマイナ・
ループ１７―１〜１７―Ｎ上に転送して書込み動
作を行う。
５はヘアピン型コンダクタ２３を使用している
が、書込み用外周２３Ａと消去用内周２３Ｂの２
つの機能を有する如くに形成されている。即ち、
書込み用外周２３Ａはメジヤ・ループ１６―２の
スーパ・トラツクＳ上のカスプ２２からマイナ・
ループ１７―１〜１７―Ｎ上に転送して書込み動
作を行う。
同図において、消去用内周２３Ｂはバブル２０
Ｂを消去する。その方法については後述する。
Ｂを消去する。その方法については後述する。
元来スワツプ・ゲートはバブルを交換していた
が、今回更に内容を拡大して、前述の如くバブル
の書込みトランスフアと消去（コラプス）の両者
を同時に行う場合もこのように呼ぶことにした。
が、今回更に内容を拡大して、前述の如くバブル
の書込みトランスフアと消去（コラプス）の両者
を同時に行う場合もこのように呼ぶことにした。
このスワツプ・ゲートとして機能する同図の書
込みトランスフア・ゲート２５の動作を第７図に
より更に詳しく説明する。
込みトランスフア・ゲート２５の動作を第７図に
より更に詳しく説明する。
第７図Ａはバブル２０Ａとバブル２０Ｂにそれ
ぞれ消去と書込みの両作用を行う（これを以後ス
ワツプと称する）状況を述べると、磁界回転方向
５０が図の１の方向においてバブル２０Ａはカス
プ２２Ｃに、バブル２０Ｂはカスプ２２Ｄにい
る。このタイミングでヘアペン型コンダクタ２３
に消去内周２３Ｂにおいてバブル２０Ａが消去
（以後コラプスと称する）する如く公知の方法で
電流を流す。
ぞれ消去と書込みの両作用を行う（これを以後ス
ワツプと称する）状況を述べると、磁界回転方向
５０が図の１の方向においてバブル２０Ａはカス
プ２２Ｃに、バブル２０Ｂはカスプ２２Ｄにい
る。このタイミングでヘアペン型コンダクタ２３
に消去内周２３Ｂにおいてバブル２０Ａが消去
（以後コラプスと称する）する如く公知の方法で
電流を流す。
今平板上に置かれた平板導体を考えると、その
導体に電流を流して生ずる磁界の方向は、導体が
平板と接する外縁の線に垂直であり、上向きか下
向きか直流の場合その流れの方向によつて決ま
る。従つて、ヘアピン型コンダクタ２３の消去用
内周においては、磁気バブル２０Ａを存在せしめ
ている垂直下向き磁界（今磁気バブル２０Ａは上
向きに存在しているとして）を強める方向か弱め
る方向かの何れかの方向にコンダクタ電流による
磁界は作用する。垂直下向き磁界を所要の程度ま
で強めると磁気バブル２０Ａは縮小して消滅した
と称せられる状態にまで至る。
導体に電流を流して生ずる磁界の方向は、導体が
平板と接する外縁の線に垂直であり、上向きか下
向きか直流の場合その流れの方向によつて決ま
る。従つて、ヘアピン型コンダクタ２３の消去用
内周においては、磁気バブル２０Ａを存在せしめ
ている垂直下向き磁界（今磁気バブル２０Ａは上
向きに存在しているとして）を強める方向か弱め
る方向かの何れかの方向にコンダクタ電流による
磁界は作用する。垂直下向き磁界を所要の程度ま
で強めると磁気バブル２０Ａは縮小して消滅した
と称せられる状態にまで至る。
上述の消滅状態を生じているコンダクタの反対
の側面では電流による磁界の方向は逆に上向きと
なつて場の磁界を強め、磁気バブルが存在すれば
拡大してコンダクタ側面にいわゆるストレツチ・
アウトした状態となり、トランスフア・ゲートに
おける転送を可能とする。
の側面では電流による磁界の方向は逆に上向きと
なつて場の磁界を強め、磁気バブルが存在すれば
拡大してコンダクタ側面にいわゆるストレツチ・
アウトした状態となり、トランスフア・ゲートに
おける転送を可能とする。
第７図Ａにおいて、磁界回転方向５０が１から
２の方向に回転して変化すると、バブル２０Ｂは
カスプ２２Ｄから位置Ｅに来る。
２の方向に回転して変化すると、バブル２０Ｂは
カスプ２２Ｄから位置Ｅに来る。
ヘアピン型コンダクタ２３の書込み用外周２３
Ａ上の部分Ｅ―Ｆはコンダクタ電流によりバブル
を吸収する部分である。従つてバブル２０ＢはＱ
位置のカスプに行かずに、ストライプ・アウトし
て第７図Ｂの如くなる。
Ａ上の部分Ｅ―Ｆはコンダクタ電流によりバブル
を吸収する部分である。従つてバブル２０ＢはＱ
位置のカスプに行かずに、ストライプ・アウトし
て第７図Ｂの如くなる。
第７図において、引きのばされた即ちストライ
プ・アウトしたバブル２１の一端は、磁界回路方
向５０が２から回転して３になると、チヤジド・
ウオールによりマイナ・ループ１７―Ｎの位置Ｐ
に吸引される。このタイミングでコンダクタ電流
を切ると、ストライプ・アウトしていたバブル２
１はもとの円形バブル２０Ｂに戻り、マイナ・ル
ープ１７―Ｎにトランスフア・インされたことに
なる。
プ・アウトしたバブル２１の一端は、磁界回路方
向５０が２から回転して３になると、チヤジド・
ウオールによりマイナ・ループ１７―Ｎの位置Ｐ
に吸引される。このタイミングでコンダクタ電流
を切ると、ストライプ・アウトしていたバブル２
１はもとの円形バブル２０Ｂに戻り、マイナ・ル
ープ１７―Ｎにトランスフア・インされたことに
なる。
以上の過程を経てバブル２０Ａ及び２０Ｂはス
ワツプされたことになる。
ワツプされたことになる。
以上述べた如く、本発明によれば、書込みと消
去の動作が同一ゲートにおいて行なえるため、制
御系が簡略化出来て、イオン注入バブルデイバイ
スのコストダウンと性能向上に効果多大である。
去の動作が同一ゲートにおいて行なえるため、制
御系が簡略化出来て、イオン注入バブルデイバイ
スのコストダウンと性能向上に効果多大である。
第１図は磁性薄膜バブル結晶の結晶方向と転送
路との関係を説明する説明図、第２図はスーパ・
トラツクＳとバツド・トラツクｂとを有する連珠
形デイスチ・パターン転送路の基本動作原理を説
明する説明図、第３図、第４図は連珠形デイス
ク・パターン転送路における従来の書込み読出し
のトランスフア・ゲート、第５図は従来装置の一
実施例の回路構成図、第６図は本発明の一実施例
の回路構成図、第７図は同じくスワツプ・ゲート
動作説明図である。 図中、１６―１，１６―２はメジヤ・ループ、
１７―１ないし１７―Ｎはマイナ・ループ、１８
はギヤツプ、２０，２０Ａ，２０Ｂはバブル、２
１は引伸ばされたバブル、２２，２２Ｃ，２２Ｄ
はカスプ、２３はヘアピン型コンダクタ、２３Ａ
は書込み用外周、２３Ｂは消去用内周、２４はＮ
型コンダクタ、２４Ａは反発部、２４Ｂは吸収
部、２５は書込みトランスフア・ゲート、２６は
読出しトランスフア・ゲート、３０はジエネレー
タ、４０はストレツチヤ・デイテクタ、５０は磁
界回転方向、６０は容易磁化軸の配置、Ｅ，Ｆ，
Ｐ，Ｑはそれぞれ位置、K1は容易磁化軸、Ｂ，
ｂはバツド・トラツク、Ｇ，ｇはグツド・トラツ
ク、Ｓはスーパ・トラツクである。
路との関係を説明する説明図、第２図はスーパ・
トラツクＳとバツド・トラツクｂとを有する連珠
形デイスチ・パターン転送路の基本動作原理を説
明する説明図、第３図、第４図は連珠形デイス
ク・パターン転送路における従来の書込み読出し
のトランスフア・ゲート、第５図は従来装置の一
実施例の回路構成図、第６図は本発明の一実施例
の回路構成図、第７図は同じくスワツプ・ゲート
動作説明図である。 図中、１６―１，１６―２はメジヤ・ループ、
１７―１ないし１７―Ｎはマイナ・ループ、１８
はギヤツプ、２０，２０Ａ，２０Ｂはバブル、２
１は引伸ばされたバブル、２２，２２Ｃ，２２Ｄ
はカスプ、２３はヘアピン型コンダクタ、２３Ａ
は書込み用外周、２３Ｂは消去用内周、２４はＮ
型コンダクタ、２４Ａは反発部、２４Ｂは吸収
部、２５は書込みトランスフア・ゲート、２６は
読出しトランスフア・ゲート、３０はジエネレー
タ、４０はストレツチヤ・デイテクタ、５０は磁
界回転方向、６０は容易磁化軸の配置、Ｅ，Ｆ，
Ｐ，Ｑはそれぞれ位置、K1は容易磁化軸、Ｂ，
ｂはバツド・トラツク、Ｇ，ｇはグツド・トラツ
ク、Ｓはスーパ・トラツクである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 間隙を介して配置されたメジヤーループとマ
イナループとの間にＵ字形を呈した導体を有する
磁気バブル装置において、 「バブルを保持するバイアス磁界と同一方向の
磁界および逆方向の磁界を上記導体の周辺に該導
体を通電させることによつて発生し、上記両方向
の磁界それぞれをメジヤーループ上のバブルとマ
イナループ上のバブルとに印加し、該メジヤール
ープ上のバブルをメジヤーループからマイナルー
プヘストライプアウトさせ、該マイナループ上の
バブルを消滅させてスワツプ・ゲートとして機能
させることを特徴とする磁気バブル装置の書込方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13329180A JPS5758289A (en) | 1980-09-25 | 1980-09-25 | Method for writing-in magnetic bubble device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13329180A JPS5758289A (en) | 1980-09-25 | 1980-09-25 | Method for writing-in magnetic bubble device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5758289A JPS5758289A (en) | 1982-04-07 |
| JPS6249672B2 true JPS6249672B2 (ja) | 1987-10-20 |
Family
ID=15101211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13329180A Granted JPS5758289A (en) | 1980-09-25 | 1980-09-25 | Method for writing-in magnetic bubble device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5758289A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2563039B1 (fr) * | 1984-04-12 | 1989-05-19 | Commissariat Energie Atomique | Porte d'echange dans une memoire a bulles magnetiques a motifs non implantes et memoire a bulles de type serie-parallele comportant au moins une desdites portes d'echange |
-
1980
- 1980-09-25 JP JP13329180A patent/JPS5758289A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5758289A (en) | 1982-04-07 |
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