JPS6250070B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6250070B2 JPS6250070B2 JP3638981A JP3638981A JPS6250070B2 JP S6250070 B2 JPS6250070 B2 JP S6250070B2 JP 3638981 A JP3638981 A JP 3638981A JP 3638981 A JP3638981 A JP 3638981A JP S6250070 B2 JPS6250070 B2 JP S6250070B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- laser diode
- output
- bias current
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザダイオード（以下LDと称す）
の出力を受光素子にてモニタし、この出力をレー
ザダイオード駆動回路に負帰還し、LDの直流バ
イアス電流を変化させて光出力を安定する回路に
係り電源がすべてオンの時のみLDに直流バイア
ス電流を流し、LDの不要な光を発光し劣化する
のを防止するレーザダイオードの直流バイアス回
路に関する。
の出力を受光素子にてモニタし、この出力をレー
ザダイオード駆動回路に負帰還し、LDの直流バ
イアス電流を変化させて光出力を安定する回路に
係り電源がすべてオンの時のみLDに直流バイア
ス電流を流し、LDの不要な光を発光し劣化する
のを防止するレーザダイオードの直流バイアス回
路に関する。
第１図に従来例のLDの出力光をモニタし、こ
の出力をレーザダイオード駆動回路に負帰還し、
LDの直流バイアス電流を変化さして光出力を安
定化する回路を示す。
の出力をレーザダイオード駆動回路に負帰還し、
LDの直流バイアス電流を変化さして光出力を安
定化する回路を示す。
図中D1はLD、D2はPINダイオード、Ｔr1，Ｔr
２，Ｔr3はトランジスタ、１は反転増巾器、２は
チヨークコイル、C1，C2はコンデンサ、R1〜R10
は抵抗、ＳINは信号入力端子、＋５Ｖ，−５Ｖは正
負の５ボルトの電源を示す。
２，Ｔr3はトランジスタ、１は反転増巾器、２は
チヨークコイル、C1，C2はコンデンサ、R1〜R10
は抵抗、ＳINは信号入力端子、＋５Ｖ，−５Ｖは正
負の５ボルトの電源を示す。
トランジスタＴr1，Ｔr2はカレントスイツチ回
路になつており、−５Ｖを抵抗R1，R2で分割した
ａ点の電圧と、信号入力端子SINに加わる電圧の
差によりスイツチ動作をする。即ち信号入力端子
ＳINへの入力信号が“１”ならばトランジスタＴ
r2はオンとなりLDD1には電流は流れず入力信号
が“０”ならばトランジスタＴr1はONとなり
LDD1には電源が流れ発光する。このことにより
電気信号を光信号にかえ光通信を行う。この場合
LDD1の動作点を最適に保つために直流バイアス
電流をチヨークコイル２トランジスタＴr3抵抗R3
の回路に流し、一方PINダイオードD2により
LDD1の光を受光しこの受光電流を反転増巾器１
にて反転増巾したものをトランジスタＴr3のベー
スに入力することにより負帰還をかけLDD1の直
流バイアス電流を変化させ光出力を安定化してい
る。この回路は＋５Ｖと−５Ｖの電源を使用して
いるが、＋５Ｖのみ断になつた場合を考えると
PINダイオードD2の受光電流は流れず反転増巾器
１の出力電圧はアースレベルとなりトランジスタ
Ｔr3はONとなる。従つてトランジスタＴr3のコレ
クタ電流は大となりLDD1は発光しているにもか
かわらずそれとは無関係に大きな直流バイアス電
流が流れ＋５Ｖ断のため当然光通信は出来ないに
もかかわらず不要に光量の大きい光を発光しLD
の劣化を早める欠点があつた。
路になつており、−５Ｖを抵抗R1，R2で分割した
ａ点の電圧と、信号入力端子SINに加わる電圧の
差によりスイツチ動作をする。即ち信号入力端子
ＳINへの入力信号が“１”ならばトランジスタＴ
r2はオンとなりLDD1には電流は流れず入力信号
が“０”ならばトランジスタＴr1はONとなり
LDD1には電源が流れ発光する。このことにより
電気信号を光信号にかえ光通信を行う。この場合
LDD1の動作点を最適に保つために直流バイアス
電流をチヨークコイル２トランジスタＴr3抵抗R3
の回路に流し、一方PINダイオードD2により
LDD1の光を受光しこの受光電流を反転増巾器１
にて反転増巾したものをトランジスタＴr3のベー
スに入力することにより負帰還をかけLDD1の直
流バイアス電流を変化させ光出力を安定化してい
る。この回路は＋５Ｖと−５Ｖの電源を使用して
いるが、＋５Ｖのみ断になつた場合を考えると
PINダイオードD2の受光電流は流れず反転増巾器
１の出力電圧はアースレベルとなりトランジスタ
Ｔr3はONとなる。従つてトランジスタＴr3のコレ
クタ電流は大となりLDD1は発光しているにもか
かわらずそれとは無関係に大きな直流バイアス電
流が流れ＋５Ｖ断のため当然光通信は出来ないに
もかかわらず不要に光量の大きい光を発光しLD
の劣化を早める欠点があつた。
本発明の目的は上記の欠点をなくするためにす
べての電源がオンの時のみLDに直流バイアス電
流を流し不要に光量の大きい光を発光させずLD
の劣化を防止する直流バイアス回路の提供にあ
る。
べての電源がオンの時のみLDに直流バイアス電
流を流し不要に光量の大きい光を発光させずLD
の劣化を防止する直流バイアス回路の提供にあ
る。
本発明は上記の目的を達成するためにレーザダ
イオード駆動回路とレーザダイオードの出力を受
光素子にてモニタしこの出力をレーザダイオード
の駆動回路に負帰還するモニタ回路よりなり、該
モニタ回路の出力にてレーザダイオードの直流バ
イアス電流を変化させて光出力を安定化する回路
において、モニタ回路の出力端とレーザダイオー
ド駆動回路の入力端の間に電源すべてオンの時の
みレーザダイオードに直流バイアス電流が流れる
ような降伏電圧を有するツエナーダイオードを直
列に挿入したことを特徴とするレーザダイオード
の直流バイアス回路である。
イオード駆動回路とレーザダイオードの出力を受
光素子にてモニタしこの出力をレーザダイオード
の駆動回路に負帰還するモニタ回路よりなり、該
モニタ回路の出力にてレーザダイオードの直流バ
イアス電流を変化させて光出力を安定化する回路
において、モニタ回路の出力端とレーザダイオー
ド駆動回路の入力端の間に電源すべてオンの時の
みレーザダイオードに直流バイアス電流が流れる
ような降伏電圧を有するツエナーダイオードを直
列に挿入したことを特徴とするレーザダイオード
の直流バイアス回路である。
以下本発明の実施例につき図に従つて説明す
る。第２図は本発明の実施例のLDの出力を受光
素子D2にてモニタし、この出力をLDの駆動回路
に負帰還し、LDの直流バイアス電流を変化さし
て光出力を安定化する回路である。
る。第２図は本発明の実施例のLDの出力を受光
素子D2にてモニタし、この出力をLDの駆動回路
に負帰還し、LDの直流バイアス電流を変化さし
て光出力を安定化する回路である。
図中第１図と同一機能のものは同一記号で示
す。３はツエナーダイオードR11，R13，R14は抵
抗、R12はポテンシヨメータである。
す。３はツエナーダイオードR11，R13，R14は抵
抗、R12はポテンシヨメータである。
第１図と異なる点はトランジスタＴr3の電源電
圧−５Ｖに対応してトランジスタＴr3の入力に逆
方向降伏電圧5Vのツエナーダイオード３を挿入
してトランジスタＴr3の入力電圧を5V低下さして
あり又一方反転増巾器１の（−）側の入力に、ポ
テンシヨメータR12を調整して反転増巾器１の出
力が正常時においてツエナーダイオード３による
電圧降下を補うよう電圧を加えてある点である。
圧−５Ｖに対応してトランジスタＴr3の入力に逆
方向降伏電圧5Vのツエナーダイオード３を挿入
してトランジスタＴr3の入力電圧を5V低下さして
あり又一方反転増巾器１の（−）側の入力に、ポ
テンシヨメータR12を調整して反転増巾器１の出
力が正常時においてツエナーダイオード３による
電圧降下を補うよう電圧を加えてある点である。
従つて正常の場合の動作は第１図と同じであ
る。しかし＋５Ｖが断になつた場合は反転増巾器
１の出力電圧はアースレベルとなるがツエナーダ
イオード３にて5V電位は低下するのでトランジ
スタＴr3のベース電位は−５ＶでトランジスタＴ
r3はOFFとなりLDに直流バイアス電流は流れな
い。従つて不要に光量の大きい光を発光せずLD
の劣化を防止出来る。
る。しかし＋５Ｖが断になつた場合は反転増巾器
１の出力電圧はアースレベルとなるがツエナーダ
イオード３にて5V電位は低下するのでトランジ
スタＴr3のベース電位は−５ＶでトランジスタＴ
r3はOFFとなりLDに直流バイアス電流は流れな
い。従つて不要に光量の大きい光を発光せずLD
の劣化を防止出来る。
以上詳細に説明した如く本発明によればすべて
の電源がオンの時しかLDの直流バイアス電流が
流れないので一部の電源のみが断の場合不要に光
量の大きい光を発光せずLDの劣化を防止出来る
効果がある。
の電源がオンの時しかLDの直流バイアス電流が
流れないので一部の電源のみが断の場合不要に光
量の大きい光を発光せずLDの劣化を防止出来る
効果がある。
第１図第２図共にLDの出力を受光素子にてモ
ニタし、この出力をLDの駆動回路に負帰還し、
LDの直流バイアス電流を変化さして光出力を安
定化する回路で第１図は従来例であり第２図は本
発明の実施例である。 図中D1はLD、D2はPINダイオード、Ｔr1〜Ｔr3
はトランジスタ、１は反転増巾器、２はチヨーク
コイル、C1，C2はコンデンサ、R1〜R11，R13，
R14は抵抗、R12はポテンシヨメータ、３はツエナ
ーダイオード、ＳINは信号入力端子、＋５Ｖ，−５
Ｖは正負の５ボルトの電源を示す。
ニタし、この出力をLDの駆動回路に負帰還し、
LDの直流バイアス電流を変化さして光出力を安
定化する回路で第１図は従来例であり第２図は本
発明の実施例である。 図中D1はLD、D2はPINダイオード、Ｔr1〜Ｔr3
はトランジスタ、１は反転増巾器、２はチヨーク
コイル、C1，C2はコンデンサ、R1〜R11，R13，
R14は抵抗、R12はポテンシヨメータ、３はツエナ
ーダイオード、ＳINは信号入力端子、＋５Ｖ，−５
Ｖは正負の５ボルトの電源を示す。
Claims (1)
- １ レーザダイオード駆動回路と、レーザダイオ
ードの出力を受光素子にてモニタしこの出力をレ
ーザダイオードの駆動回路に負帰還するモニタ回
路よりなり、モニタ回路の出力にてレーザダイオ
ードの直流バイアス電流を変化させて光出力を安
定化する回路において、モニタ回路の出力端とレ
ーザダイオード駆動回路の入力端の間に、電源が
すべてオンの時のみレーザダイオードに直流バイ
アス電流が流れるような逆方向降伏電圧を有する
ツエナーダイオードを直列に挿入したことを特徴
とするレーザダイオードの直流バイアス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3638981A JPS57152177A (en) | 1981-03-13 | 1981-03-13 | Dc bias circuit for laser diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3638981A JPS57152177A (en) | 1981-03-13 | 1981-03-13 | Dc bias circuit for laser diode |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57152177A JPS57152177A (en) | 1982-09-20 |
| JPS6250070B2 true JPS6250070B2 (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=12468489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3638981A Granted JPS57152177A (en) | 1981-03-13 | 1981-03-13 | Dc bias circuit for laser diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57152177A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119281A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザ−駆動回路 |
| EP0649667B1 (en) * | 1993-10-20 | 2001-02-28 | Antonella Aprile Carpenter | Quantum energy therapeutic biostimulation apparatus |
-
1981
- 1981-03-13 JP JP3638981A patent/JPS57152177A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57152177A (en) | 1982-09-20 |
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