JPS6250077B2 - - Google Patents
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- JPS6250077B2 JPS6250077B2 JP11686783A JP11686783A JPS6250077B2 JP S6250077 B2 JPS6250077 B2 JP S6250077B2 JP 11686783 A JP11686783 A JP 11686783A JP 11686783 A JP11686783 A JP 11686783A JP S6250077 B2 JPS6250077 B2 JP S6250077B2
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- Japan
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- thin film
- ceramic
- manufacturing
- substrate
- conductor
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- Expired
Links
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜用セラミツク回路基板の製造法に
関するものであり、さらに詳しくは薄膜加工によ
る導体の断線がほとんどない薄膜用セラミツク回
路基板の製造法に関するものである。
関するものであり、さらに詳しくは薄膜加工によ
る導体の断線がほとんどない薄膜用セラミツク回
路基板の製造法に関するものである。
従来、高密度配線基板に用いられる薄膜用セラ
ミツク回路基板の製造法としては、第１図のフロ
ーシートに示すように、アルミナ、ベリリア等の
セラミツクグリーンシートをドクターブレード法
等により成形し、所定寸法に切断およびスルーホ
ール孔を穿設し、その表面およびスルーホールに
MoあるいはＷ等の高融点金属よりなるメタライ
ズペーストを用いて所要のパターンを印刷し、そ
の表面にセラミツクグリーンシート又は絶縁ペー
ストとメタライズペーストとを複数回交互に多層
化した後乾燥し、還元性雰囲気中で焼成してセラ
ミツクスを一体化すると同時に該セラミツクス中
に導体金属層の所要パターンを形成し、好ましく
は露出パターンの表面にNiメツキを施す方法が
広く知られている。
ミツク回路基板の製造法としては、第１図のフロ
ーシートに示すように、アルミナ、ベリリア等の
セラミツクグリーンシートをドクターブレード法
等により成形し、所定寸法に切断およびスルーホ
ール孔を穿設し、その表面およびスルーホールに
MoあるいはＷ等の高融点金属よりなるメタライ
ズペーストを用いて所要のパターンを印刷し、そ
の表面にセラミツクグリーンシート又は絶縁ペー
ストとメタライズペーストとを複数回交互に多層
化した後乾燥し、還元性雰囲気中で焼成してセラ
ミツクスを一体化すると同時に該セラミツクス中
に導体金属層の所要パターンを形成し、好ましく
は露出パターンの表面にNiメツキを施す方法が
広く知られている。
しかしながら、このような製造法によつてつく
られる基板上に例えば高密度配線をするために
Al等を蒸着、スパツタリング等により薄膜加工
で被覆する場合、薄膜加工の導体がしばしば断線
することがあつた。
られる基板上に例えば高密度配線をするために
Al等を蒸着、スパツタリング等により薄膜加工
で被覆する場合、薄膜加工の導体がしばしば断線
することがあつた。
これはセラミツクグリーンシートを複数層形成
し、焼成によつて一体的に結合する前記のような
セラミツクパツケージの製造法では、製法および
製造法の制約による原料純度並びに加工時に表面
欠陥をつくることにより基板の表面粗さが荒く、
しかも焼成後の基板中に２〜４％の気化の存在は
避けられず、かつ焼成後の基板表面にも50〜100
μｍ程度の開気孔がしばしば残留することがあ
る。そして、このような開気孔が残留する基板上
に数μｍ程度の薄膜加工を施しても、導体回路が
完全につながらず、断線する欠点があつた。
し、焼成によつて一体的に結合する前記のような
セラミツクパツケージの製造法では、製法および
製造法の制約による原料純度並びに加工時に表面
欠陥をつくることにより基板の表面粗さが荒く、
しかも焼成後の基板中に２〜４％の気化の存在は
避けられず、かつ焼成後の基板表面にも50〜100
μｍ程度の開気孔がしばしば残留することがあ
る。そして、このような開気孔が残留する基板上
に数μｍ程度の薄膜加工を施しても、導体回路が
完全につながらず、断線する欠点があつた。
本発明の目的は、薄膜加工形成面に開気孔が存
在しないセラミツクス内部に回路形成された表面
平滑な薄膜用セラミツク回路基板の製造法を提供
するものであり、さらに他の目的は、薄膜加工導
体の断線の心配がほとんどない薄膜用セラミツク
回路基板の製造法を提供するにある。
在しないセラミツクス内部に回路形成された表面
平滑な薄膜用セラミツク回路基板の製造法を提供
するものであり、さらに他の目的は、薄膜加工導
体の断線の心配がほとんどない薄膜用セラミツク
回路基板の製造法を提供するにある。
本発明は未焼成絶縁層と高融点金属よりなる導
電層とを交互に多層化した後焼成してセラミツク
ス内に導体よりなるパターン回路を形成した基板
をつくり、その基板の少なくとも薄膜回路形成面
を研磨し、後表面に露出した開気孔部にセラミツ
ク粉末を充填して再焼成することを特徴とする薄
膜用セラミツクパツケージの製造法である。
電層とを交互に多層化した後焼成してセラミツク
ス内に導体よりなるパターン回路を形成した基板
をつくり、その基板の少なくとも薄膜回路形成面
を研磨し、後表面に露出した開気孔部にセラミツ
ク粉末を充填して再焼成することを特徴とする薄
膜用セラミツクパツケージの製造法である。
本発明の更に詳しい構成を具体的なフローシー
トで示す第２図に基づいて説明すると、ベリリ
ア、アルミナ好ましくは純度84〜94重量％のアル
ミナより成るセラミツクグリーンシートをドクタ
ーブレード法によつて成形し、所定寸法に切断
後、スルーホール等の孔を穿設し、そのセラミツ
クグリーンシートの表面およびスルーホール中
に、Mo、Ｗ等の高融点金属およびフリツト粉
末、エチルセルロース、ブチラール樹脂、アクリ
ル樹脂等のバインダーを含む導電性ペーストを用
いて印刷法により所定のパターンを形成する。そ
して更にセラミツクグリーンシート又は好ましく
は同質の絶縁ペーストと導電性ペーストとを交互
に複数層多層化し、未焼成絶縁層と高融点金属よ
りなる導体層とを交互に積層した積層体をつく
り、後還元性雰囲気中で焼成してセラミツクスを
一体焼結するとともに該セラミツクス内に導体よ
りなるパターン回路を形成した基板を製作する。
トで示す第２図に基づいて説明すると、ベリリ
ア、アルミナ好ましくは純度84〜94重量％のアル
ミナより成るセラミツクグリーンシートをドクタ
ーブレード法によつて成形し、所定寸法に切断
後、スルーホール等の孔を穿設し、そのセラミツ
クグリーンシートの表面およびスルーホール中
に、Mo、Ｗ等の高融点金属およびフリツト粉
末、エチルセルロース、ブチラール樹脂、アクリ
ル樹脂等のバインダーを含む導電性ペーストを用
いて印刷法により所定のパターンを形成する。そ
して更にセラミツクグリーンシート又は好ましく
は同質の絶縁ペーストと導電性ペーストとを交互
に複数層多層化し、未焼成絶縁層と高融点金属よ
りなる導体層とを交互に積層した積層体をつく
り、後還元性雰囲気中で焼成してセラミツクスを
一体焼結するとともに該セラミツクス内に導体よ
りなるパターン回路を形成した基板を製作する。
次いで、その基板の少なくとも薄膜回路形成面
を＃600〜＃2000の砥粒を用いてラツピングマシ
ンで研磨し、研磨面粗さをHRnax7μｍ以下とす
る。そして、研磨面に露出した開気孔中に基板と
同材質よりなるセラミツク粉末を充填する。この
開気孔中へのセラミツク粉末の充填は、セラミツ
ク微粉末に溶媒等を加えたものを用いるとよい。
を＃600〜＃2000の砥粒を用いてラツピングマシ
ンで研磨し、研磨面粗さをHRnax7μｍ以下とす
る。そして、研磨面に露出した開気孔中に基板と
同材質よりなるセラミツク粉末を充填する。この
開気孔中へのセラミツク粉末の充填は、セラミツ
ク微粉末に溶媒等を加えたものを用いるとよい。
そして、乾燥後、1250〜1500℃の温度で再焼成
することにより、表面粗さがHRnax5μｍ以下の
平滑な開気孔の全くない薄膜回路形成面を持つた
セラミツクパツケージが得られるものである。従
つて、薄膜回路形成面が均一平滑であるので、例
えば該面上に５μｍ程度の薄膜パターンを蒸着に
よつて形成しても、パターン断線の全くないもの
である。
することにより、表面粗さがHRnax5μｍ以下の
平滑な開気孔の全くない薄膜回路形成面を持つた
セラミツクパツケージが得られるものである。従
つて、薄膜回路形成面が均一平滑であるので、例
えば該面上に５μｍ程度の薄膜パターンを蒸着に
よつて形成しても、パターン断線の全くないもの
である。
なお、研磨面の表面粗さをHRnax7μｍ以下と
するのは、７μｍを越えるような表面の粗さで
は、薄膜加工による薄膜パターンの断線が避けら
れないためである。
するのは、７μｍを越えるような表面の粗さで
は、薄膜加工による薄膜パターンの断線が避けら
れないためである。
本発明には以下のような効果が得られる。
(1) 表面が極めて平滑な薄膜パターン形成面をも
つたセラミツク回路基板が得られる。
つたセラミツク回路基板が得られる。
(2) 薄膜パターン導体の断線のないセラミツク回
路基板が得られる。
路基板が得られる。
(3) セラミツクス基板内に多層回路を持つた高密
度回路基板ができる。
度回路基板ができる。
本発明は高密度配線基板として用いられる薄膜
用セラミツク回路基板の製造法として有用であ
る。
用セラミツク回路基板の製造法として有用であ
る。
第１図は従来の薄膜用セラミツク回路基板の製
造工程を示すフローシートであり、第２図は本発
明の薄膜用セラミツク回路基板の製造工程を示す
フローシートである。
造工程を示すフローシートであり、第２図は本発
明の薄膜用セラミツク回路基板の製造工程を示す
フローシートである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 未焼成絶縁層と、高融点金属よりなる導体層
とを交互に層状に多層化した後、焼成してセラミ
ツクス内に導体よりなる薄膜回路パターンを形成
し、該回路パターンと導通した導体を孔部を介し
て表面に露出した基板をつくり、その基板の少な
くとも薄膜回路パターン形成面を研磨し、後表面
に露出した開気孔部にセラミツク粉末を充填して
再焼成することを特徴とする薄膜用セラミツク回
路基板の製造法。 ２ 未焼成絶縁層が純度84〜94重量％のアルミナ
である特許請求の範囲第１項記載の薄膜用セラミ
ツクパツケージの製造法。 ３ 薄膜回路形成面をHRnax7μｍ以下に研磨す
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載の薄膜用
セラミツクパツケージの製造法。 ４ 再焼成後の薄膜回路形成面の表面粗さが
HRnax5μｍ以下である特許請求の範囲第１項、
第２項又は第３項記載の薄膜用セラミツクパツケ
ージの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11686783A JPS6010696A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 薄膜用セラミツク回路基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11686783A JPS6010696A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 薄膜用セラミツク回路基板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010696A JPS6010696A (ja) | 1985-01-19 |
| JPS6250077B2 true JPS6250077B2 (ja) | 1987-10-22 |
Family
ID=14697591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11686783A Granted JPS6010696A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 薄膜用セラミツク回路基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010696A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6416287U (ja) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | ||
| JPH0315490A (ja) * | 1988-09-03 | 1991-01-23 | Wilkinson Sword Gmbh | かみそり |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62216251A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Toshiba Corp | 高熱伝導性基板 |
| JPH0770644B2 (ja) * | 1986-03-27 | 1995-07-31 | 株式会社東芝 | 熱伝導性基板 |
| JP2727602B2 (ja) * | 1988-11-07 | 1998-03-11 | 富士通株式会社 | 多層回路基板の製造方法 |
| KR20120015948A (ko) * | 2010-08-13 | 2012-02-22 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 세라믹 기판 |
| KR101153492B1 (ko) * | 2010-08-24 | 2012-06-11 | 삼성전기주식회사 | 프로브 카드용 세라믹 기판 제조 방법 및 프로브 카드용 세라믹 기판 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP11686783A patent/JPS6010696A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6416287U (ja) * | 1987-07-20 | 1989-01-26 | ||
| JPH0315490A (ja) * | 1988-09-03 | 1991-01-23 | Wilkinson Sword Gmbh | かみそり |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6010696A (ja) | 1985-01-19 |
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