JPS6250097A - レ−ザマ−キング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） 本発明は、レーザー光を用いてＩＣパッケージ等の表面
へマーキングを施すレーザマーキング装置に関する。

〔従来技術とその問題点〕

一般にレーザマーキング装置は、第７図の斜視図及び第
８図の一部断面で示した側面図に示されるように、レー
ザ光を生成するレーデ発振器１と、このレーザ発振器１
から照射されるレーザ光りを集束させるフィールドレン
ズ２と、このフィールドレンズ２からの集束光Ｌ「を受
（プる第９図に示す如き金属平板３ａにマークパターン
３ｂを穿設したマスク３と、このマークパターン３を通
過した集束光１−、をＩＣパッケージ５の表面に集光す
る実売レンズ４とから構成されている。

ところが、この種の従来のレーザマーキング装置におい
ては、第８図に示されるようにマスク３はフィールドレ
ンズ２からの集束光Ｌ「の光軸に対し垂直に設置されて
いる。このため、エネルギー密度の高い集束光り、がマ
スク３に照射された時には、集束光Ｌ「の一部はマスク
３の受光面に反射され、この反射光り、がフィールドレ
ンズ２に直接照射される。これにより、フィールドレン
ズ２は反射光り、の高エネルギーによって表面が侵触さ
れてレンズとしての機能が低下して行くため、マークの
精度が徐々に低下して行ってしまうという問題がある。

このため、通常は２〜３年でフィールドレンズ２を交換
する必要がある。

〔発明の目的〕

本発明は上記に鑑みなされたもので、マスクからの反射
光によりフィールドレンズが侵触されることがなく、マ
ークの品質を常に一定に維持することが可能なレーザマ
ーキング装置を提供することを目的とする。

〔発明の概要〕 上記目的を達成するため本発明は、フィールドレンズか
らの集束光の光軸に対しマスクの受光面の一部又は全部
を傾斜させることによって、マスクからの反射光がフィ
ールドレンズに照０４されないようにし或いはその照度
を低下させるようにしたものである。

〔実　施　例〕

以下、第１図〜第６図に示す実施例より本発明を説明す
る。

第１図は本発明に係るレーザマーキング装置の第１実施
例を示す一部を断面として示した側面図である。　同図
において、レーザ発撮器１、フィールドレンズ２及び集
光レンズ４については前掲第８図に示した従来装置と同
構成である。マスク１３は前掲第８図の従来のマスク３
と同様に金属平板にマークパターンを穿設したものであ
るが、フィールドレンズ２と集光レンズ４との間に集束
光り、の光軸に対し傾斜して設置されてａ３す、その傾
斜角に応じてマークパターンは前記光軸方向から見て正
常なマークに見えるような形状に形成されている。前記
傾斜角は、集束光り、がマスク１３の受光面に照射され
た時の反射光Ｌｒがフィールドレンズ２の外方へ逸れる
ような角疫に設定されている。これらの光学系は筒状の
カバー６の中に収納されている。

このような構成により、集束光り、の反射光し、はフィ
ールドレンズ２に照射されないので、フィールドレンズ
２が反射光り、により侵触されることがなくなりマーク
品質を一定に保つことが可能となる。

第２図及び第３図は本発明の第２及び第３実施例を示す
一部を断面として示した側面図である。

この両実施例では、折り曲げた金属板で作製されたマス
ク２３．３３が用いられ、マスク２３゜３３自体は集束
光Ｌ「の光軸に対し垂直に設置されている。この構成に
おいても、マスク２３．３３の受光面が集束光Ｌ（の光
軸に対し傾斜しているので反射光Ｌｒはフィールドレン
ズ２の外方へ逸れ、よって上記第１実施例と同様の効果
が１９られる。

第４図は本発明の第４実施例を示す一部を断面として示
した側面図である。

この実施例では、わん曲した金属板で作製されたマスク
４３が用いられ、マスク４３自体は集束光り、の光軸に
対し傾斜して設置され反射光し。

がフィールドレンズ２に照射されないようになっている
。この構成では、マスク４３の受光面が凸面状にわ／ｕ
曲しているため、反射光し、は分散されその照度が低下
するので、反射光り、によるカバー６の内側塗装面への
侵触も防止できる。

また、このようにマスクの受光面をわん曲させて反射光
り、を分散させその照度を低下させた場合には、第５図
に示されるようにマスク５３自体は集束光り、の光軸に
対し垂直に設置した構成によってもフィールドレンズ２
の侵触は防止できる。

つまり、通常のレーザマーキング装置では、レーザ発娠
器１からフィールドレンズ２へ照射されるレーザー光り
の照度は集束光Ｌ「の照度の４分の１程度であり、この
程度の照度に対してはフィールドレンズ２は耐えられる
ようになっている。従って、反射光り、のフィールドレ
ンズ２への照度がレーデ発振器１からのレーザー光りの
照度以下になるようにマスク５３のわん曲の度合を設定
しておけば、フィールドレンズ２の９触は防止できる。

また、マスクの受光面のわん曲形状については、第６図
のマスク６３のように凹面状にわん曲させその焦点をフ
ィールドレンズ２とマスク６３との間に位置させるよう
にしても上記と同様の効果が得られる。

尚、上記の各実施例に示したように通常はマスクは金属
の板材で作製されるが、板材に限られるわけではなくブ
ロック材などで作製してもよいことは勿論である。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、フィールドレン
ズからの集束光を受けるマークパターンのマスクの受光
面の一部又は全部を前記集束光の光軸に対し傾斜させる
ことによって、集束光の前記受光面での反射光が前記フ
ィールドレンズに照射されないようにし或いはその照度
を低下させるようにしているので、前記反射光による面
記フィールドレンズの９触が防止され、マーク品質を常
に一定に維持することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るレーザマーキング装置の第１実施
例の一部を断面として示した側面図、第２図〜第６図は
同第２実施例〜同第６実施例の各々の一部を断面として
示した側面図、第７図は一般的なレーザマーキング装置
の外観を示す斜８１図、第８図は従来のレーザマーキン
グ装置の一部を断面として示した側面図、第９図は同従
来装置のマスクの斜視図である。 １・・・レーザ発振器、２・・・フィールドレンズ、１
３．２３．３３．４３．５３．６３・・・マスク、４・
・・集光レンズ、Ｌ・・・レーザ光、Ｌ、・・・集束光
。 Ｌ、・・・反（ト）光。 躬２図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、レーザ発振器と、このレーザ発振器から照射される
   レーザ光を受けて集束させるフィールドレンズと、この
   フィールドレンズからの集束光を受けるマークパターン
   のマスクと、このマスクを通過した前記集束光を集光す
   る集光レンズとを備えた装置において、 前記マスクの受光面の一部又は全部を前記集束光の光軸
   に対し傾斜させたことを特徴とするレーザマーキング装
   置。 ２、前記マスクの受光面の前記集束光の光軸に対する傾
   斜角を、前記集束光の前記マスクの受光面での反射光が
   前記フィールドレンズに照射されない角度としたことを
   特徴する特許請求の範囲第１項記載のレーザマーキング
   装置。 ３、前記マスクの受光面をわん曲させて前記集束光の前
   記受光面での反射光を分散させるようにしたことを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載のレーザマーキング装
   置。