JPS62509B2 - - Google Patents
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- JPS62509B2 JPS62509B2 JP52160868A JP16086877A JPS62509B2 JP S62509 B2 JPS62509 B2 JP S62509B2 JP 52160868 A JP52160868 A JP 52160868A JP 16086877 A JP16086877 A JP 16086877A JP S62509 B2 JPS62509 B2 JP S62509B2
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Landscapes
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
本発明は薄膜EL素子の駆動方法に関し、特に
中間調表示をするための輝度変調方法に係る。ま
た本発明は少ない回路素子で駆動することができ
更に本発明は回路素子に要求する耐圧を低減でき
る方法を提供するものである。 薄膜ELマトリツクス素子の構成及び特性は本
件出願人が出願した多くの特許願に説明したが、
もう一度簡単に説明する。 薄膜EL表示装置はガラス基板の上にIn2O3又は
SnO2の透明電極を縞状に配置し、この上に例え
ばY2O3、Si3N4、TiO2、Al2O3等の誘電物質を、
更にこの上に例えばMnをドーブしたZnS（黄橙
発光）等の蛍光層を、その上に更にY2O3、
Si3N4、TiO2、Al2O3等の誘電物質を蒸着法、ス
パツタ法等の薄膜技術により500〜10000Åの厚さ
に被着して２重絶縁型３層構造にして、その上に
上記透明電極と直交する方向にAlよりなる縞状
電極を配置しマトリツクス形電極を構成する。か
かる構造の３層構造薄膜EL表示装置において、
第１の電極群２のうちの一つと第２の電極群のう
ちの一つを選び適当な交流電圧を印加すると、こ
の両電極が交差して挾まれた微少面積部分が発光
する。これが画面の一絵素に相当する。これの組
合せによつて、文字、記号模様等を表示する。 このような構造のELは輝度や寿命、安定性の
点で従来の分散型EL素子に比して優れた特性を
有している。 本発明は上記した３層構造薄膜ELマトリツク
ス素子の駆動方法に関し、本発明は定電流回路を
用い、該定電流回路の動作時間を制御することに
よつて、薄膜EL素子に印加される電圧を制御し
輝度変調するものである。本発明の一実施例の回
路を第１図に示して、以下これを説明する。 １０は前記薄膜EL素子であり、ここでは透明
電極１１よりなるデータ側（Ｘ）電極X1〜Xm
と、アルミニウム電極１２よりなる順次走査
（Ｙ）電極Y1〜Ynのみを示す。 ２０は薄膜EL素子１０に走査電極側より書込
み電圧Vs及び誤動作防止電圧（Vs−Vp）を供給
する電源回路である。上記各電圧とラインＡ間に
は書込み動作時にオンするスイツチS1が挿入され
る。また誤動作防止電圧とラインＡはダイオード
D1を介して接続される。 ３０は走査側選択スイツチ回路で、各走査電極
Y1〜YnとラインＡ間にスイツチSy1〜Synが接続
され、走査電極を順次選択する。 ４０は全走査電極とアース間にそれぞれ接続さ
れたダイオード回路を示す。一方のダイオードの
共通ラインＢとアース間にスイツチS2が挿入され
書込み電圧の放電回路及びリフレツシユ回路を構
成する。また他方のダイオードの共通ラインＣは
ダイオードD2を介してアースされリフレツシユ
電圧の放電回路を構成するとともに、スイツチS3
を介してクランプ電圧Vpに接続され半選択絵素
の誤動作を防止する電圧を印加する。 ５０はデータ側選択スイツチ回路で、各データ
電極X1〜Xmとアース間に定電流スイツチ回路
Sx1〜Sxmが接続され、表示情報に従い適宜選択
的にオンされる。 ６０は全データ電極と維持電圧Vsの間にそれ
ぞれ接続されたダイオード回路を示す。ダイオー
ドの共通ラインＤとアース間にダイオードD3が
接続され書込電圧の放電回路を構成するとともに
スイツチS4を介してリフレツシユ電圧Vrに接続
される。 次に本発明の上記実施例の回路の動作を説明す
る。 第２図は本発明の回路のタイムチヤートを示し
先ず、第１のタイミングt1で全データスイツチ
Sx1〜Sxm及び書込みを行う選択された走査電極
YjのスイツチSyjをオンにする。即ち、このタイ
ミング期間で選択された走査電極上の全絵素に誤
動作防止電圧（Vs−Vp）を充電する。充電の
際、データスイツチは定電流素子で構成されてい
るため、上記絵素には定電流素子の制限に従いあ
る一定の勾配で電圧（Vs−Vp）まで充電され
る。この電圧は薄膜EL素子が容量性であるため
上記各スイツチがオフ後も保持される。 次のタイミングt2では、書込み絵素Ｍ（ｉ、
ｊ）を含むデータ電極XiのスイツチSxi及び走査
電極YjのスイツチSyjのみをオンして、他のデー
タスイツチSxk及び走査スイツチSylをオフにす
る。そしてスイツチS1及びS3をオンにする。 ここで上記データスイツチSxiは変調度に応じ
た時間だけオンされ、書込み絵素Ｍ（ｉ、ｊ）に
は、このオン時間に比例した電圧が印加される。
即ち、データスイツチは定電流素子であるから、
この電流をＩ、オン時間をtiとすると、書込み絵
素Ｍ（ｉ、ｊ）に加わる電圧Vijは次式で表わさ
れる。 Vij＝（Vs−Vp）＋Ｉ・ｔｉ／ｎ・Ｃ Ｃ：１絵素当りの静電容量値 ｎ：走査電極の本数 従つて、オン時間tiを変化することにより書込
み絵素に加わる電圧を変化することができる。 薄膜EL素子の発光輝度は印加電圧に比例する
ので、上記のようにして電圧を制御することによ
り、制御された輝度で発光する。 そして上記データスイツチはオン時間の終了時
が第２タイミングの終了時に一致するようにオン
時間を制御するのが望ましい。これはオン時間の
変化がパルス幅変調として輝度変化を与えるよう
にするためである。この実施例の場合、データス
イツチのオン時間は短いのであまり問題とはなら
ないが、薄膜EL素子は容量性素子であるため、
データスイツチのオフ後も書込み絵素は書込み電
圧を保ち、輝度変調を与えることができないが、
オン時間の終了時を第２タイミングの終了時に一
致させれば、上記電圧を保持する期間は全て同一
になり、パルス幅変調も同時にかけることができ
る。従つて第２図では１つのデータスイツチが選
択された場合を示したが、選択されるデータスイ
ツチが多数ある場合は、データスイツチのオン時
刻が発光輝度に応じて変化し、オフ時刻は同じに
なる訳である。 この書込み駆動のとき、スイツチS2がオンして
データ電極上の半選択絵素にクランプ電圧Vpが
与えられ誤動作を防止する。 第３タイミングt3では上記スイツチS1，S3，
Sxi，Syjはオフされ、スイツチS2がオンされる。
すると、ダイオードD3→ダイオード回路６０→
全データ電極→全走査電極→ダイオード回路４０
→スイツチS2→アースの回路で、第２タイミング
で書込み絵素に充電された電荷を放電させる。 上記の動作が第１番目の走査電極Y1から第ｎ
番目の走査電極Ynに対して行われ、１フイール
ドの走査が終了した後、リフレツシユ駆動が行わ
れる。 リフレツシユ駆動はスイツチS2，S4をオンにし
てリフレツシユ電圧を全絵素に加える。リフレツ
シユ電圧は書込み電圧Vsと等しく、データ電極
より加えるので、絵素に対しては逆極性に加えら
れることとなり、書込みが行われた絵素に於いて
は、書込みの際の輝度と同じ輝度で発光する。 その後、全データスイツチSx1〜Sxmをオンし
て、ダイオードD2→ダイオード回路４０→全走
査電極・全データ電極・全データスイツチ→アー
スの回路で放電が行われる。 上述した書込み駆動及びリフレツシユ駆動が毎
秒フレーム数だけ行われる。 なお、第２図中、Yjは電極Yjに印加される電
圧、Ylは電極Yl（ｌ≠ｊ）に印加される電圧、
Xiは電極Xiに加わる電圧、Xkは電極Xkに加わる
電圧、Ｍ（ｉ、ｊ）は絵素Ｍ（ｉ、ｊ）に加わる
電圧をそれぞれ示す。 以上のように本発明は定電流素子を用い、輝度
変調度に応じて選択されたデータスイツチのオン
時間を制御して、書込み絵素に（Vs−Vp）＋Ｉ・ｔｉ／
ｎＣ の電圧を印加し、リフレツシユ時にVrの電圧を
印加して両極性パルスを加えるものである。従つ
て薄膜EL素子には振幅の異なるパルスが印加さ
れるが、薄膜EL素子は印加された振幅の平均値
の電圧に相当する輝度で発光する。そのため
中間調表示をするための輝度変調方法に係る。ま
た本発明は少ない回路素子で駆動することができ
更に本発明は回路素子に要求する耐圧を低減でき
る方法を提供するものである。 薄膜ELマトリツクス素子の構成及び特性は本
件出願人が出願した多くの特許願に説明したが、
もう一度簡単に説明する。 薄膜EL表示装置はガラス基板の上にIn2O3又は
SnO2の透明電極を縞状に配置し、この上に例え
ばY2O3、Si3N4、TiO2、Al2O3等の誘電物質を、
更にこの上に例えばMnをドーブしたZnS（黄橙
発光）等の蛍光層を、その上に更にY2O3、
Si3N4、TiO2、Al2O3等の誘電物質を蒸着法、ス
パツタ法等の薄膜技術により500〜10000Åの厚さ
に被着して２重絶縁型３層構造にして、その上に
上記透明電極と直交する方向にAlよりなる縞状
電極を配置しマトリツクス形電極を構成する。か
かる構造の３層構造薄膜EL表示装置において、
第１の電極群２のうちの一つと第２の電極群のう
ちの一つを選び適当な交流電圧を印加すると、こ
の両電極が交差して挾まれた微少面積部分が発光
する。これが画面の一絵素に相当する。これの組
合せによつて、文字、記号模様等を表示する。 このような構造のELは輝度や寿命、安定性の
点で従来の分散型EL素子に比して優れた特性を
有している。 本発明は上記した３層構造薄膜ELマトリツク
ス素子の駆動方法に関し、本発明は定電流回路を
用い、該定電流回路の動作時間を制御することに
よつて、薄膜EL素子に印加される電圧を制御し
輝度変調するものである。本発明の一実施例の回
路を第１図に示して、以下これを説明する。 １０は前記薄膜EL素子であり、ここでは透明
電極１１よりなるデータ側（Ｘ）電極X1〜Xm
と、アルミニウム電極１２よりなる順次走査
（Ｙ）電極Y1〜Ynのみを示す。 ２０は薄膜EL素子１０に走査電極側より書込
み電圧Vs及び誤動作防止電圧（Vs−Vp）を供給
する電源回路である。上記各電圧とラインＡ間に
は書込み動作時にオンするスイツチS1が挿入され
る。また誤動作防止電圧とラインＡはダイオード
D1を介して接続される。 ３０は走査側選択スイツチ回路で、各走査電極
Y1〜YnとラインＡ間にスイツチSy1〜Synが接続
され、走査電極を順次選択する。 ４０は全走査電極とアース間にそれぞれ接続さ
れたダイオード回路を示す。一方のダイオードの
共通ラインＢとアース間にスイツチS2が挿入され
書込み電圧の放電回路及びリフレツシユ回路を構
成する。また他方のダイオードの共通ラインＣは
ダイオードD2を介してアースされリフレツシユ
電圧の放電回路を構成するとともに、スイツチS3
を介してクランプ電圧Vpに接続され半選択絵素
の誤動作を防止する電圧を印加する。 ５０はデータ側選択スイツチ回路で、各データ
電極X1〜Xmとアース間に定電流スイツチ回路
Sx1〜Sxmが接続され、表示情報に従い適宜選択
的にオンされる。 ６０は全データ電極と維持電圧Vsの間にそれ
ぞれ接続されたダイオード回路を示す。ダイオー
ドの共通ラインＤとアース間にダイオードD3が
接続され書込電圧の放電回路を構成するとともに
スイツチS4を介してリフレツシユ電圧Vrに接続
される。 次に本発明の上記実施例の回路の動作を説明す
る。 第２図は本発明の回路のタイムチヤートを示し
先ず、第１のタイミングt1で全データスイツチ
Sx1〜Sxm及び書込みを行う選択された走査電極
YjのスイツチSyjをオンにする。即ち、このタイ
ミング期間で選択された走査電極上の全絵素に誤
動作防止電圧（Vs−Vp）を充電する。充電の
際、データスイツチは定電流素子で構成されてい
るため、上記絵素には定電流素子の制限に従いあ
る一定の勾配で電圧（Vs−Vp）まで充電され
る。この電圧は薄膜EL素子が容量性であるため
上記各スイツチがオフ後も保持される。 次のタイミングt2では、書込み絵素Ｍ（ｉ、
ｊ）を含むデータ電極XiのスイツチSxi及び走査
電極YjのスイツチSyjのみをオンして、他のデー
タスイツチSxk及び走査スイツチSylをオフにす
る。そしてスイツチS1及びS3をオンにする。 ここで上記データスイツチSxiは変調度に応じ
た時間だけオンされ、書込み絵素Ｍ（ｉ、ｊ）に
は、このオン時間に比例した電圧が印加される。
即ち、データスイツチは定電流素子であるから、
この電流をＩ、オン時間をtiとすると、書込み絵
素Ｍ（ｉ、ｊ）に加わる電圧Vijは次式で表わさ
れる。 Vij＝（Vs−Vp）＋Ｉ・ｔｉ／ｎ・Ｃ Ｃ：１絵素当りの静電容量値 ｎ：走査電極の本数 従つて、オン時間tiを変化することにより書込
み絵素に加わる電圧を変化することができる。 薄膜EL素子の発光輝度は印加電圧に比例する
ので、上記のようにして電圧を制御することによ
り、制御された輝度で発光する。 そして上記データスイツチはオン時間の終了時
が第２タイミングの終了時に一致するようにオン
時間を制御するのが望ましい。これはオン時間の
変化がパルス幅変調として輝度変化を与えるよう
にするためである。この実施例の場合、データス
イツチのオン時間は短いのであまり問題とはなら
ないが、薄膜EL素子は容量性素子であるため、
データスイツチのオフ後も書込み絵素は書込み電
圧を保ち、輝度変調を与えることができないが、
オン時間の終了時を第２タイミングの終了時に一
致させれば、上記電圧を保持する期間は全て同一
になり、パルス幅変調も同時にかけることができ
る。従つて第２図では１つのデータスイツチが選
択された場合を示したが、選択されるデータスイ
ツチが多数ある場合は、データスイツチのオン時
刻が発光輝度に応じて変化し、オフ時刻は同じに
なる訳である。 この書込み駆動のとき、スイツチS2がオンして
データ電極上の半選択絵素にクランプ電圧Vpが
与えられ誤動作を防止する。 第３タイミングt3では上記スイツチS1，S3，
Sxi，Syjはオフされ、スイツチS2がオンされる。
すると、ダイオードD3→ダイオード回路６０→
全データ電極→全走査電極→ダイオード回路４０
→スイツチS2→アースの回路で、第２タイミング
で書込み絵素に充電された電荷を放電させる。 上記の動作が第１番目の走査電極Y1から第ｎ
番目の走査電極Ynに対して行われ、１フイール
ドの走査が終了した後、リフレツシユ駆動が行わ
れる。 リフレツシユ駆動はスイツチS2，S4をオンにし
てリフレツシユ電圧を全絵素に加える。リフレツ
シユ電圧は書込み電圧Vsと等しく、データ電極
より加えるので、絵素に対しては逆極性に加えら
れることとなり、書込みが行われた絵素に於いて
は、書込みの際の輝度と同じ輝度で発光する。 その後、全データスイツチSx1〜Sxmをオンし
て、ダイオードD2→ダイオード回路４０→全走
査電極・全データ電極・全データスイツチ→アー
スの回路で放電が行われる。 上述した書込み駆動及びリフレツシユ駆動が毎
秒フレーム数だけ行われる。 なお、第２図中、Yjは電極Yjに印加される電
圧、Ylは電極Yl（ｌ≠ｊ）に印加される電圧、
Xiは電極Xiに加わる電圧、Xkは電極Xkに加わる
電圧、Ｍ（ｉ、ｊ）は絵素Ｍ（ｉ、ｊ）に加わる
電圧をそれぞれ示す。 以上のように本発明は定電流素子を用い、輝度
変調度に応じて選択されたデータスイツチのオン
時間を制御して、書込み絵素に（Vs−Vp）＋Ｉ・ｔｉ／
ｎＣ の電圧を印加し、リフレツシユ時にVrの電圧を
印加して両極性パルスを加えるものである。従つ
て薄膜EL素子には振幅の異なるパルスが印加さ
れるが、薄膜EL素子は印加された振幅の平均値
の電圧に相当する輝度で発光する。そのため
【式】
が必要輝度となるようオン時間tiを決めればよ
い。 ここで、上記書込み駆動の際、第１タイミング
t1で電圧（Vs−Vp）を加える理由を述べる。 今、走査電極がｎ本、データ電極がｍ本のマト
リツクスパネルにおいて本発明の上記第１タイミ
ングがなく、走査電極Yjを走査するときデータ
電極をｋ本選択して同じ変調度で表示する場合を
考える。すなわち第１図において、スイツチS1，
S3，Syjがオンされ、スイツチSx1，Sx2，………
…，Sxkが同時にオンされる。このときの等価回
路は各絵素をコンデンサとして表わすと、第３図
の通りになる。第３図において、１絵素当りの静
電容量をＣで表わし、電極抵抗を０とし、１デー
タスイツチ当りの定電流値をＩ(A)とすると、各コ
ンデンサは次の意味を持つ。 C1＝kC C2＝（ｍ−ｋ）Ｃ C3＝（ｍ−ｋ）（ｍ−１）Ｃ C4＝ｋ（ｎ−１）Ｃ 但し ｍ：データ電極数 ｎ：走査電極数 ｋ：一走査電極を駆動するときの選択絵素数 この条件のもとでデータスイツチをオンしてか
らｔ秒後の選択絵素のコンデンサC1にかかる電
圧Ｖは次のようになる。 （Vs−Vp）（ｍ−ｋ）＜nkVp Γｔ≦tpの場合（tpはコンデンサC3とC4の接
続点ｐが電圧Vpになるまでの時間） Ｖ＝Ｉｔ（ｍ＋ｎｋ−ｋ）／ｍｎＣ Γts＞ｔ＞tpの場合（tsは第３図のｇ点の電位
が０になる時間） （ts＝Ｃ／Ｉ｛Vs＋（ｎ−１）Vp｝） Ｖ＝（Ｖｓ−Ｖｐ）（ｎ−１）／ｎ＋Ｉｔ／ｎＣ Γｔ≧tsの場合 Ｖ＝Vs （Vs−Vp）（ｍ−ｋ）≧nkVp Γｔ＜tsの場合（tsは第３図のｇ点の電位が０
になる時間） （ts＝ＶｓｍｎＣ／Ｉ（ｍ＋ｎｋ−ｋ）） Ｖ＝Ｉｔ（ｍ＋ｎｋ−ｋ）／ｍｎＣ Γｔ≧tsの場合 Ｖ＝Vs 以上のようにの条件との条件（即ち走査電
極の本数、データ電極の本数、データの数、駆動
電圧の変化）により、Ｖ＝Vsになる時間に差を
生じる。これは本発明の如く発光輝度の変調を行
わんとするものにあつては非常に都合が悪い。特
に本件出願人が昭和50年５月30日に特願昭50−
66200号「高耐圧電界効果半導体装置」で出願し
た高耐圧MOS ICをデータスイツチに使用する場
合、高耐圧MOS ICは定電流値が小さいので、問
題となる。 これに対して本発明の上記実施例では選択され
た走査電極上の全絵素に第１タイミングで、電圧
（Vs−Vp）を予め充電しておくので、第３図の
等価回路ではコンデンサC1，C2に電圧（Vs−
Vp）が充電されていることとなる。従つて第２
タイミングで書込み電圧Vsを印加したとき、電
圧VsよりコンデンサC2を介して電流が流れない
ため、データスイツチをオンしてからｔ秒後のコ
ンデンサC1にかかる電圧Ｖは次のようになる。 Γｔ＜ts（tsは第３図のｇ点の電位が０になる時
間） （ts＝ＶｐｎＣ／Ｉ） Ｖ＝（Vs−Vp）＋Ｉｔ／ｎＣ Γｔ≧ts Ｖ＝Vs このように、選択絵素C1にかかる電圧が書込
み電圧Vsになる時間はデータの数によつて変化
せず、常に一定となる。従つて本発明の上記実施
例の駆動方法は高耐圧MOS ICを使用する場合に
好適な方法である。 また選択された走査電極上の全絵素に予め電圧
（Vs−Vp）の電圧を充電しない場合、ｔ≧ts時の
選択された走査電極上の半選択絵素（第３図の
C2，C4）にかかる電圧は次のようになる。 今、Vp＝０の場合を考えると、 C2→ｋ（ｎ−１）／ｎｋ＋ｍ−ｋVs C4→（ｍ−ｋ）／ｎｋ＋ｍ−ｋVs このように半選択絵素に加わる電圧はマトリツ
クスパネルの電極の本数やデータ量(k)により変化
することになる。 例えば、ｍ＝5n、ｋ＝ｍ／２の場合、コンデンサC2 には書込み電圧Vsがかかり半選択絵素は発光す
ることになる。しかし電圧Vpは適当な値にすれ
ば、コンデンサC2にはほぼ電圧（Vs−Vp）が加
わり、コンデンサC4には電圧Vpが加わるため半
選択絵素の発光は防止できる。 ところが、ｍ＝5n、ｋ＝１の場合にはコンデ
ンサC4にはほぼ電圧5/6Vsがかかり半選択絵素は
発光する。この場合は第３図のｐ点が電圧Vpよ
り高い電位になり、Vp＝０と同様になる。この
半選択絵素の発光を防止するためには、書込み駆
動時に全データ電極へ電圧Vpをダイオード分離
回路を介して加える回路を構成すればよいが、そ
の分だけ回路素子が増加する。 これに対して本発明の上記実施例では、予め電
圧（Vs−Vp）を充電しているから、マトリツク
スパネルの電極数やデータ量に関係なく、半選択
絵素のコンデンサC2，C4にかかる電圧は、コン
デンサC2は（Vs−Vp）、コンデンサC4はVpとな
り電圧Vsを適当に選んで、半選択絵素のコンデ
ンサC2，C4にかかる電圧を薄膜EL素子の発光の
スレツシユホールド電圧以下になるよう設定すれ
ば、半選択絵素は発光しない。また半選択絵素の
発光防止用の回路が不要になる。 なお、上記実施例において、第１タイミングで
電圧（Vs−Vp）を充電しているが、データスイ
ツチのオン電流を充分大きくすることができるな
らば、予め充電する電圧は（Vs−Vp）でなくと
もよい。 また本発明の駆動方法では、書込み時にスイツ
チS1がオンしているときは、必ずスイツチS3がオ
ンしているため、走査スイツチSy1〜Syn及びダ
イオード回路４０を構成するダイオードの耐圧は
（Vs−Vp）でよい。またダイオード回路６０を
構成するダイオードも電圧Vsの耐圧でよい。
い。 ここで、上記書込み駆動の際、第１タイミング
t1で電圧（Vs−Vp）を加える理由を述べる。 今、走査電極がｎ本、データ電極がｍ本のマト
リツクスパネルにおいて本発明の上記第１タイミ
ングがなく、走査電極Yjを走査するときデータ
電極をｋ本選択して同じ変調度で表示する場合を
考える。すなわち第１図において、スイツチS1，
S3，Syjがオンされ、スイツチSx1，Sx2，………
…，Sxkが同時にオンされる。このときの等価回
路は各絵素をコンデンサとして表わすと、第３図
の通りになる。第３図において、１絵素当りの静
電容量をＣで表わし、電極抵抗を０とし、１デー
タスイツチ当りの定電流値をＩ(A)とすると、各コ
ンデンサは次の意味を持つ。 C1＝kC C2＝（ｍ−ｋ）Ｃ C3＝（ｍ−ｋ）（ｍ−１）Ｃ C4＝ｋ（ｎ−１）Ｃ 但し ｍ：データ電極数 ｎ：走査電極数 ｋ：一走査電極を駆動するときの選択絵素数 この条件のもとでデータスイツチをオンしてか
らｔ秒後の選択絵素のコンデンサC1にかかる電
圧Ｖは次のようになる。 （Vs−Vp）（ｍ−ｋ）＜nkVp Γｔ≦tpの場合（tpはコンデンサC3とC4の接
続点ｐが電圧Vpになるまでの時間） Ｖ＝Ｉｔ（ｍ＋ｎｋ−ｋ）／ｍｎＣ Γts＞ｔ＞tpの場合（tsは第３図のｇ点の電位
が０になる時間） （ts＝Ｃ／Ｉ｛Vs＋（ｎ−１）Vp｝） Ｖ＝（Ｖｓ−Ｖｐ）（ｎ−１）／ｎ＋Ｉｔ／ｎＣ Γｔ≧tsの場合 Ｖ＝Vs （Vs−Vp）（ｍ−ｋ）≧nkVp Γｔ＜tsの場合（tsは第３図のｇ点の電位が０
になる時間） （ts＝ＶｓｍｎＣ／Ｉ（ｍ＋ｎｋ−ｋ）） Ｖ＝Ｉｔ（ｍ＋ｎｋ−ｋ）／ｍｎＣ Γｔ≧tsの場合 Ｖ＝Vs 以上のようにの条件との条件（即ち走査電
極の本数、データ電極の本数、データの数、駆動
電圧の変化）により、Ｖ＝Vsになる時間に差を
生じる。これは本発明の如く発光輝度の変調を行
わんとするものにあつては非常に都合が悪い。特
に本件出願人が昭和50年５月30日に特願昭50−
66200号「高耐圧電界効果半導体装置」で出願し
た高耐圧MOS ICをデータスイツチに使用する場
合、高耐圧MOS ICは定電流値が小さいので、問
題となる。 これに対して本発明の上記実施例では選択され
た走査電極上の全絵素に第１タイミングで、電圧
（Vs−Vp）を予め充電しておくので、第３図の
等価回路ではコンデンサC1，C2に電圧（Vs−
Vp）が充電されていることとなる。従つて第２
タイミングで書込み電圧Vsを印加したとき、電
圧VsよりコンデンサC2を介して電流が流れない
ため、データスイツチをオンしてからｔ秒後のコ
ンデンサC1にかかる電圧Ｖは次のようになる。 Γｔ＜ts（tsは第３図のｇ点の電位が０になる時
間） （ts＝ＶｐｎＣ／Ｉ） Ｖ＝（Vs−Vp）＋Ｉｔ／ｎＣ Γｔ≧ts Ｖ＝Vs このように、選択絵素C1にかかる電圧が書込
み電圧Vsになる時間はデータの数によつて変化
せず、常に一定となる。従つて本発明の上記実施
例の駆動方法は高耐圧MOS ICを使用する場合に
好適な方法である。 また選択された走査電極上の全絵素に予め電圧
（Vs−Vp）の電圧を充電しない場合、ｔ≧ts時の
選択された走査電極上の半選択絵素（第３図の
C2，C4）にかかる電圧は次のようになる。 今、Vp＝０の場合を考えると、 C2→ｋ（ｎ−１）／ｎｋ＋ｍ−ｋVs C4→（ｍ−ｋ）／ｎｋ＋ｍ−ｋVs このように半選択絵素に加わる電圧はマトリツ
クスパネルの電極の本数やデータ量(k)により変化
することになる。 例えば、ｍ＝5n、ｋ＝ｍ／２の場合、コンデンサC2 には書込み電圧Vsがかかり半選択絵素は発光す
ることになる。しかし電圧Vpは適当な値にすれ
ば、コンデンサC2にはほぼ電圧（Vs−Vp）が加
わり、コンデンサC4には電圧Vpが加わるため半
選択絵素の発光は防止できる。 ところが、ｍ＝5n、ｋ＝１の場合にはコンデ
ンサC4にはほぼ電圧5/6Vsがかかり半選択絵素は
発光する。この場合は第３図のｐ点が電圧Vpよ
り高い電位になり、Vp＝０と同様になる。この
半選択絵素の発光を防止するためには、書込み駆
動時に全データ電極へ電圧Vpをダイオード分離
回路を介して加える回路を構成すればよいが、そ
の分だけ回路素子が増加する。 これに対して本発明の上記実施例では、予め電
圧（Vs−Vp）を充電しているから、マトリツク
スパネルの電極数やデータ量に関係なく、半選択
絵素のコンデンサC2，C4にかかる電圧は、コン
デンサC2は（Vs−Vp）、コンデンサC4はVpとな
り電圧Vsを適当に選んで、半選択絵素のコンデ
ンサC2，C4にかかる電圧を薄膜EL素子の発光の
スレツシユホールド電圧以下になるよう設定すれ
ば、半選択絵素は発光しない。また半選択絵素の
発光防止用の回路が不要になる。 なお、上記実施例において、第１タイミングで
電圧（Vs−Vp）を充電しているが、データスイ
ツチのオン電流を充分大きくすることができるな
らば、予め充電する電圧は（Vs−Vp）でなくと
もよい。 また本発明の駆動方法では、書込み時にスイツ
チS1がオンしているときは、必ずスイツチS3がオ
ンしているため、走査スイツチSy1〜Syn及びダ
イオード回路４０を構成するダイオードの耐圧は
（Vs−Vp）でよい。またダイオード回路６０を
構成するダイオードも電圧Vsの耐圧でよい。
第１図は本発明の駆動方法を実行する一実施例
の回路図、第２図は第１図の回路のタイムチヤー
ト、第３図は本発明の動作を説明する等価回路図
である。 １０：薄膜ELマトリツクス素子、２０：電源
回路、３０：走査側選択スイツチ回路、４０：ダ
イオード回路、５０：データ側選択スイツチ回
路、６０：ダイオード回路。
の回路図、第２図は第１図の回路のタイムチヤー
ト、第３図は本発明の動作を説明する等価回路図
である。 １０：薄膜ELマトリツクス素子、２０：電源
回路、３０：走査側選択スイツチ回路、４０：ダ
イオード回路、５０：データ側選択スイツチ回
路、６０：ダイオード回路。
Claims (1)
- １ 互いに直交するマトリツクス状の電極間に薄
膜EL層を挾持する薄膜誘電体層を介在させてな
る薄膜EL素子の駆動方法において、書込み絵素
に定電流を供給し、該定電流の供給時間を映像信
号に応じて制御することにより、上記書込み絵素
の充電電圧を制御して輝度変調することを特徴と
する薄膜EL素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16086877A JPS5492081A (en) | 1977-12-28 | 1977-12-28 | Driving method of thin film el element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16086877A JPS5492081A (en) | 1977-12-28 | 1977-12-28 | Driving method of thin film el element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5492081A JPS5492081A (en) | 1979-07-20 |
| JPS62509B2 true JPS62509B2 (ja) | 1987-01-08 |
Family
ID=15724097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16086877A Granted JPS5492081A (en) | 1977-12-28 | 1977-12-28 | Driving method of thin film el element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5492081A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6121943A (en) * | 1995-07-04 | 2000-09-19 | Denso Corporation | Electroluminescent display with constant current control circuits in scan electrode circuit |
| AU2003219397A1 (en) * | 2002-05-16 | 2003-12-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Led capacitance discharge with limited current |
-
1977
- 1977-12-28 JP JP16086877A patent/JPS5492081A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5492081A (en) | 1979-07-20 |
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