JPS6253190B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6253190B2 JPS6253190B2 JP14935884A JP14935884A JPS6253190B2 JP S6253190 B2 JPS6253190 B2 JP S6253190B2 JP 14935884 A JP14935884 A JP 14935884A JP 14935884 A JP14935884 A JP 14935884A JP S6253190 B2 JPS6253190 B2 JP S6253190B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultraviolet
- treated
- temperature
- gas
- lamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 6
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 2
- 235000002918 Fraxinus excelsior Nutrition 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002956 ash Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatus For Disinfection Or Sterilisation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は紫外線処理方法、例えばUV／O3クリ
ーニングに関するものである。
ーニングに関するものである。
紫外線ランプなどの紫外線源より発生する紫外
線を利用して有機汚染物を分解洗浄などを処理を
することが行われているが、この紫外線源、例え
ば低圧水銀ランプを点灯すると、主として波長が
254nｍの水銀共鳴線の紫外線が外部に放出さ
れ、従として波長が185nｍの紫外線が、更には
他の波長のものがわずかに放出される。そして、
波長185nｍの紫外線によつてオゾンが生成し、
次にこのオゾンが波長254nｍにより分解されて
発生基の酸素が生成し、この発生基の酸素によつ
て有機汚染物が分解され、ガス状態で飛散するこ
とが知られている。また、N2Oは波長185nｍによ
り分解されて発生基の酸素が生成し、オゾンと同
様に有機汚染物を分解し、ガス状態で飛散させ
る。
線を利用して有機汚染物を分解洗浄などを処理を
することが行われているが、この紫外線源、例え
ば低圧水銀ランプを点灯すると、主として波長が
254nｍの水銀共鳴線の紫外線が外部に放出さ
れ、従として波長が185nｍの紫外線が、更には
他の波長のものがわずかに放出される。そして、
波長185nｍの紫外線によつてオゾンが生成し、
次にこのオゾンが波長254nｍにより分解されて
発生基の酸素が生成し、この発生基の酸素によつ
て有機汚染物が分解され、ガス状態で飛散するこ
とが知られている。また、N2Oは波長185nｍによ
り分解されて発生基の酸素が生成し、オゾンと同
様に有機汚染物を分解し、ガス状態で飛散させ
る。
ところで従来の方法は、紫外線ランプが上面に
配設された照射室内の下方に被処理体を配置し、
照射室内に酸素などの処理用ガスを含むガスを供
給しながら、被処理体に紫外線を照射していた。
そして、紫外線ランプと被処理体との距離が小さ
いと、被処理体表面の光の照射分布が不均一にな
り、有機汚染物の分解に局部的な偏りが生じるな
どの問題があるため、紫外線ランプと被処理体と
の距離はある程度大きくしなければならない。従
つて、照射室の容積が大きくなるが、このため、
照射室内の昇温は少なく、更には、ランプより発
生した紫外線は被処理体に到達するまでに酸素お
よび発生したオゾンに吸収されて減衰し、洗浄な
どの処理速度を遅くする原因となつていた。ま
た、処理速度を高く保持するためには、大きな容
積の照射室内に多量の酸素などの処理用ガスを供
給する必要があり、しかもこの多量に供給された
処理用ガスの極く一部が有機汚染物の分解に寄与
するのみであつて、大部分の処理用ガスは無駄に
照射室外に排気され、その効率は著しく悪かつ
た。
配設された照射室内の下方に被処理体を配置し、
照射室内に酸素などの処理用ガスを含むガスを供
給しながら、被処理体に紫外線を照射していた。
そして、紫外線ランプと被処理体との距離が小さ
いと、被処理体表面の光の照射分布が不均一にな
り、有機汚染物の分解に局部的な偏りが生じるな
どの問題があるため、紫外線ランプと被処理体と
の距離はある程度大きくしなければならない。従
つて、照射室の容積が大きくなるが、このため、
照射室内の昇温は少なく、更には、ランプより発
生した紫外線は被処理体に到達するまでに酸素お
よび発生したオゾンに吸収されて減衰し、洗浄な
どの処理速度を遅くする原因となつていた。ま
た、処理速度を高く保持するためには、大きな容
積の照射室内に多量の酸素などの処理用ガスを供
給する必要があり、しかもこの多量に供給された
処理用ガスの極く一部が有機汚染物の分解に寄与
するのみであつて、大部分の処理用ガスは無駄に
照射室外に排気され、その効率は著しく悪かつ
た。
そこで本発明は、これらの事情にかんがみてな
されたものであつて、洗浄などの処理速度が早
く、もつて紫外線強度や処理用ガスの供給量を少
なくすることが可能となる紫外線処理方法を提供
することを目的とする。そして、その構成は、紫
外線源の光によりオゾンもしくはN2Oを分解し、
これにより生成される発生基の酸素により被処理
体の表面に付着する有機汚染物などを分解して洗
浄などの処理を行うに際し、紫外線源と被処理体
との間を石英ガラスやエヤーカーテンなどで紫外
線が透過可能な状態で区画し、被処理体の近傍に
のみ処理用ガスを供給し、紫外線源を含む空間は
真空や紫外線を吸収しないガス雰囲気とし、か
つ、被処理体の温度を赤外線や抵抗加熱ヒーター
などにより適温に調整し、有機汚染物などの分解
を促進することを特徴とする。
されたものであつて、洗浄などの処理速度が早
く、もつて紫外線強度や処理用ガスの供給量を少
なくすることが可能となる紫外線処理方法を提供
することを目的とする。そして、その構成は、紫
外線源の光によりオゾンもしくはN2Oを分解し、
これにより生成される発生基の酸素により被処理
体の表面に付着する有機汚染物などを分解して洗
浄などの処理を行うに際し、紫外線源と被処理体
との間を石英ガラスやエヤーカーテンなどで紫外
線が透過可能な状態で区画し、被処理体の近傍に
のみ処理用ガスを供給し、紫外線源を含む空間は
真空や紫外線を吸収しないガス雰囲気とし、か
つ、被処理体の温度を赤外線や抵抗加熱ヒーター
などにより適温に調整し、有機汚染物などの分解
を促進することを特徴とする。
以下に図面に示す実施例に基いて本発明を具体
的に説明する。
的に説明する。
第１図は本発明の実施例に使用される装置の断
面図を示すが、照射室１は図示略の装置箱に内蔵
されて二重構造をなし、発生したオゾンが外部に
漏洩しないようになつている。照射室１内の上方
には紫外線ランプ２としてＵ字状の200W低圧水
銀灯が２本配設され、その背部にはミラー３が配
置され、紫外線ランプ２の光は下方に向けて照射
される。そして、照射室１の天井上面には冷却水
路４が固着され、水冷されている。被処理体５は
直径約10cmのウエハーであつて、底面に固着され
た支持具６によつて支持されているが、紫外線ラ
ンプ２から被処理体５までの距離は10cmである。
そして、被処理体５の下方にはハロゲンランプ８
とミラー９からなる温度調節装置が設けられてい
るが、このハロゲンランプ８は最大消費電力が
150Wであつて、これから照射される赤外線によ
つて被処理体５の温度を常温から200℃近傍まで
の範囲で調整できるようになつている。
面図を示すが、照射室１は図示略の装置箱に内蔵
されて二重構造をなし、発生したオゾンが外部に
漏洩しないようになつている。照射室１内の上方
には紫外線ランプ２としてＵ字状の200W低圧水
銀灯が２本配設され、その背部にはミラー３が配
置され、紫外線ランプ２の光は下方に向けて照射
される。そして、照射室１の天井上面には冷却水
路４が固着され、水冷されている。被処理体５は
直径約10cmのウエハーであつて、底面に固着され
た支持具６によつて支持されているが、紫外線ラ
ンプ２から被処理体５までの距離は10cmである。
そして、被処理体５の下方にはハロゲンランプ８
とミラー９からなる温度調節装置が設けられてい
るが、このハロゲンランプ８は最大消費電力が
150Wであつて、これから照射される赤外線によ
つて被処理体５の温度を常温から200℃近傍まで
の範囲で調整できるようになつている。
次に、被処理体５の上方２cmの位置には石英ガ
ラス板７が配設されており、被処理体５と紫外線
ランプ２とを区画しているが、被処理体５を含む
空間は紫外線ランプ２を含む空間よりずつと小さ
い。石英ガラス板７の下方には、酸素などの処理
用ガスを含むガスを供給する吸入孔１１と、内部
のガスを分解された汚染物とともに排出する排気
孔１２が設けられているが、排気孔１２より吸引
されたガスはオゾン分解室で処理された後に大気
中に放出される。そして、石英ガラス板７の上方
であつて、紫外線ランプ２を含む空間には、減圧
装置に接続された減圧孔１３と、窒素ガスのよう
に不活性であつて紫外線を吸収しないガスの注入
孔１４が設けられている。もつとも、注入孔１４
は設けずに、紫外線ランプ２を含む空間を真空に
することにより、紫外線がこの空間内で吸収され
ないようにしてもよい。
ラス板７が配設されており、被処理体５と紫外線
ランプ２とを区画しているが、被処理体５を含む
空間は紫外線ランプ２を含む空間よりずつと小さ
い。石英ガラス板７の下方には、酸素などの処理
用ガスを含むガスを供給する吸入孔１１と、内部
のガスを分解された汚染物とともに排出する排気
孔１２が設けられているが、排気孔１２より吸引
されたガスはオゾン分解室で処理された後に大気
中に放出される。そして、石英ガラス板７の上方
であつて、紫外線ランプ２を含む空間には、減圧
装置に接続された減圧孔１３と、窒素ガスのよう
に不活性であつて紫外線を吸収しないガスの注入
孔１４が設けられている。もつとも、注入孔１４
は設けずに、紫外線ランプ２を含む空間を真空に
することにより、紫外線がこの空間内で吸収され
ないようにしてもよい。
第２図は、他の実施例を示すが、温度調節装置
はハロゲンランプ８に代つて抵抗加熱ヒーター１
０が配設され、これの輻射熱によつてハロゲンラ
ンプ８の場合と同様に被処理体５の温度を調節で
きるようになつている。そして、石英ガラス板７
に代つてエヤーカーテンが配設されており、第１
図の石英ガラス板７に対応する位置に窒素ガスを
流出するノズル８１とこれを吸引して受入れる吸
引孔８２とが対向して設けられている。従つて、
被処理体５の少し上方には窒素ガスのエヤーカー
テンが張られ、紫外線はこれを透過するが、処理
用ガスはこれを超えて上方には拡散しないように
なつている。
はハロゲンランプ８に代つて抵抗加熱ヒーター１
０が配設され、これの輻射熱によつてハロゲンラ
ンプ８の場合と同様に被処理体５の温度を調節で
きるようになつている。そして、石英ガラス板７
に代つてエヤーカーテンが配設されており、第１
図の石英ガラス板７に対応する位置に窒素ガスを
流出するノズル８１とこれを吸引して受入れる吸
引孔８２とが対向して設けられている。従つて、
被処理体５の少し上方には窒素ガスのエヤーカー
テンが張られ、紫外線はこれを透過するが、処理
用ガスはこれを超えて上方には拡散しないように
なつている。
しかして、被処理体５の近傍に処理用ガスが供
給され、紫外線ランプ２を含む空間が減圧され、
もしくは更に窒素ガスが注入されるとともにハロ
ゲンランプ８もしくは抵抗加熱ヒーター１０に通
電される。そして、紫外線ランプ２が点灯される
と紫外線は被処理体５の表面に照射され、表面に
付着していた有機汚染物は分解されて洗浄などの
処理がなされる。
給され、紫外線ランプ２を含む空間が減圧され、
もしくは更に窒素ガスが注入されるとともにハロ
ゲンランプ８もしくは抵抗加熱ヒーター１０に通
電される。そして、紫外線ランプ２が点灯される
と紫外線は被処理体５の表面に照射され、表面に
付着していた有機汚染物は分解されて洗浄などの
処理がなされる。
ここで、被処理体５が温度調節装置により適温
に調節されているので、有機汚染物の分解は著し
く促進される。因みに、従来例の適温に調節しな
いときに、350W高出力低圧水銀灯を２本点灯し
て２分間で処理が完了するような汚染度のもの
を、本実施例で70℃に加熱すると、２本の200W
低圧水銀灯のうち１本のみ点灯し、同じ２分間で
処理が完了した。従つて、紫外線強度は、70℃に
加熱することによつて1/3以下とすることができ
る。次に、被処理体５の加熱温度を変化させて処
理時間への影響を調べた結果を第３図に示す。こ
こで被処理体５はガラス板であり、純水の接触角
により清浄度の判定を行ない、θ＝10deg.をもつ
て処理の完了とした。これから明らかなように、
加熱温度を上げると処理時間は反比例して短かく
なり、120〜150℃に調節すれば20〜30秒で処理を
完了でき、紫外線強度や処理ガス供給量を少なく
することも可能であることが判明した。そして、
石英ガラス板やエヤーカーテンなどにより紫外線
源と被処理体とを紫外線透過可能に区画したの
で、これにより、紫外線の処理用ガスへの吸収を
少なくして処理速度を更に向上でき、また、処理
用ガスの供給量を著しく少なくできる効果があ
る。
に調節されているので、有機汚染物の分解は著し
く促進される。因みに、従来例の適温に調節しな
いときに、350W高出力低圧水銀灯を２本点灯し
て２分間で処理が完了するような汚染度のもの
を、本実施例で70℃に加熱すると、２本の200W
低圧水銀灯のうち１本のみ点灯し、同じ２分間で
処理が完了した。従つて、紫外線強度は、70℃に
加熱することによつて1/3以下とすることができ
る。次に、被処理体５の加熱温度を変化させて処
理時間への影響を調べた結果を第３図に示す。こ
こで被処理体５はガラス板であり、純水の接触角
により清浄度の判定を行ない、θ＝10deg.をもつ
て処理の完了とした。これから明らかなように、
加熱温度を上げると処理時間は反比例して短かく
なり、120〜150℃に調節すれば20〜30秒で処理を
完了でき、紫外線強度や処理ガス供給量を少なく
することも可能であることが判明した。そして、
石英ガラス板やエヤーカーテンなどにより紫外線
源と被処理体とを紫外線透過可能に区画したの
で、これにより、紫外線の処理用ガスへの吸収を
少なくして処理速度を更に向上でき、また、処理
用ガスの供給量を著しく少なくできる効果があ
る。
以上説明した実施例からも理解される様に、本
発明は、被処理体の温度を適温に調整し、かつ、
石英ガラス板やエヤーカーテンなどにより紫外線
源と被処理体とを紫外線透過可能に区画したの
で、有機汚染物などの分解を促進できるようにな
り、処理速度が早く、紫外線強度や処理用ガスの
供給量も少なくすることが可能な紫外線処理方法
とすることができる。なお、この方法は、洗浄の
他にフオトレジストのアツシング等にもそつくり
そのまゝ適用できる。
発明は、被処理体の温度を適温に調整し、かつ、
石英ガラス板やエヤーカーテンなどにより紫外線
源と被処理体とを紫外線透過可能に区画したの
で、有機汚染物などの分解を促進できるようにな
り、処理速度が早く、紫外線強度や処理用ガスの
供給量も少なくすることが可能な紫外線処理方法
とすることができる。なお、この方法は、洗浄の
他にフオトレジストのアツシング等にもそつくり
そのまゝ適用できる。
第１図は本発明実施例の断面図、第２図は同じ
く他の実施例の断面図、第３図は加熱温度と処理
時間の関係図である。 １……照射室、２……紫外線ランプ、３……ミ
ラー、５……被処理体、６……支持具、７……石
英ガラス板、８……ハロゲンランプ、１０……抵
抗加熱ヒーター。
く他の実施例の断面図、第３図は加熱温度と処理
時間の関係図である。 １……照射室、２……紫外線ランプ、３……ミ
ラー、５……被処理体、６……支持具、７……石
英ガラス板、８……ハロゲンランプ、１０……抵
抗加熱ヒーター。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 紫外線源の光によりオゾンもしくはN2O（亜
酸化窒素）を分解し、これにより生成される発生
基の酸素により被処理体の表面に付着する有機汚
染物などを分解して洗浄などの処理を行うに際
し、紫外線源と被処理体との間を石英ガラスやエ
ヤーカーテンなどで紫外線が透過可能な状態で区
画し、被処理体の近傍にのみ紫外線により発生基
の酸素を生成するガスを供給するとともに、紫外
線源を含む空間は、真空や紫外線を吸収しないガ
ス雰囲気とし、かつ、被処理体の温度を適温に調
整し、有機汚染物などの分解を促進することを特
徴とする紫外線処理方法。 ２ 赤外線の照射により被処理体の温度を調整す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
紫外線処理方法。 ３ 抵抗加熱ヒーターにより被処理体の温度を調
整することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の紫外線処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14935884A JPS6129357A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 紫外線処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14935884A JPS6129357A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 紫外線処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129357A JPS6129357A (ja) | 1986-02-10 |
| JPS6253190B2 true JPS6253190B2 (ja) | 1987-11-09 |
Family
ID=15473381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14935884A Granted JPS6129357A (ja) | 1984-07-20 | 1984-07-20 | 紫外線処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6129357A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11285566B2 (en) | 2017-03-14 | 2022-03-29 | Honda Motor Co., Ltd. | Laser machining apparatus |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6501486B2 (ja) * | 2014-10-27 | 2019-04-17 | 学校法人東海大学 | 滅菌装置 |
| JP2018102635A (ja) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 株式会社トクヤマ | 殺菌方法及び殺菌装置 |
-
1984
- 1984-07-20 JP JP14935884A patent/JPS6129357A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11285566B2 (en) | 2017-03-14 | 2022-03-29 | Honda Motor Co., Ltd. | Laser machining apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6129357A (ja) | 1986-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3234091B2 (ja) | 表面処理装置 | |
| KR910007110B1 (ko) | 표면처리장치 | |
| JP2001300451A (ja) | 紫外光照射装置 | |
| JPS6129357A (ja) | 紫外線処理方法 | |
| JPS60212226A (ja) | 紫外線処理方法 | |
| JP3214153B2 (ja) | 誘電体バリヤ放電ランプを使用した洗浄方法 | |
| JPS6187338A (ja) | 多重ビ−ム照射Ｓｉ表面ドライ洗浄法 | |
| JP2000066003A (ja) | 光学部品の洗浄方法 | |
| JP2005512324A5 (ja) | ||
| JP2588511B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP2579346Y2 (ja) | レジスト膜のアッシング装置 | |
| JPS58192330A (ja) | シリコンウエハ−の表面酸化処理方法 | |
| JPH1110101A (ja) | 光洗浄装置 | |
| JP3085128B2 (ja) | 光洗浄方法 | |
| JPH06231735A (ja) | 誘電体バリヤ放電ランプを使用した灰化装置 | |
| JPS607936A (ja) | 光化学的表面処理装置 | |
| KR100327880B1 (ko) | 자외선 조사장치 | |
| JP3248320B2 (ja) | レジスト除去方法及びレジスト除去装置 | |
| JPH0787899B2 (ja) | 紫外線処理装置 | |
| JP2000225337A (ja) | 紫外線処理方法 | |
| JPH05198498A (ja) | レジスト膜のアッシング装置 | |
| JPH0611343U (ja) | レジスト膜のアッシング装置 | |
| JPS61163633A (ja) | 放電灯による表面処理方法 | |
| JPH1190370A (ja) | 表面処理装置及びその処理方法 | |
| JPH0629260A (ja) | レジスト膜のアッシング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |