JPS6253773A - 有機膜塗布装置 - Google Patents
有機膜塗布装置Info
- Publication number
- JPS6253773A JPS6253773A JP60191061A JP19106185A JPS6253773A JP S6253773 A JPS6253773 A JP S6253773A JP 60191061 A JP60191061 A JP 60191061A JP 19106185 A JP19106185 A JP 19106185A JP S6253773 A JPS6253773 A JP S6253773A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic film
- disk
- semiconductor substrate
- heating
- heater
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特に有機膜回転塗布装
置に関するものである。
置に関するものである。
従来、この種の装置は有機膜を回転塗布するだけの機能
を有するものであり、有機膜塗布前後に必要な熱処理と
しては別の装置を使用していた。
を有するものであり、有機膜塗布前後に必要な熱処理と
しては別の装置を使用していた。
たとえば、熱処理用炉や、半導体基板をベルトで搬送し
、その搬送中に赤外線などで熱処理を行っていた。
、その搬送中に赤外線などで熱処理を行っていた。
一般に半導体基板上に有機膜を塗布する際、半導体基板
と有機膜との密着性を向上させるために、半導体基板表
面の水分を除去しておく必要がある。
と有機膜との密着性を向上させるために、半導体基板表
面の水分を除去しておく必要がある。
そのため、基板上に有機剤を滴下し回転塗布する前に基
板を２００℃程度に加熱している。また有機膜の回転塗
布後は有機剤中に含まれる溶剤を除去するため、半導体
基板を加熱し、溶剤を蒸発させる必要がある。
板を２００℃程度に加熱している。また有機膜の回転塗
布後は有機剤中に含まれる溶剤を除去するため、半導体
基板を加熱し、溶剤を蒸発させる必要がある。
従来は上述の加熱工程を行うために回転塗布装置とは別
に加熱装置が必要であった。そのため、加熱装置から回
転塗布装置へ半導体基板を移動しなければならず、その
移動中に半導体基板上にゴミが付着する確率が高くなり
、歩留り低下の一因となる。また、加熱装置は水分蒸発
または溶剤蒸発のためであるから、１０分〜３０分程度
必要であり、従って加熱用ベルトを用いると、２ｍ程度
の長さを必要とし、それだけ清浄度を保つ床面積が必要
となシ、その維持管理費またフロア−の効率活用に不利
となる。さらに回転塗布前の加熱処理後、時間の経過と
ともに有機膜と基板との密着性が劣化するため、加熱処
理後はすみやかに回転塗布する必要があるが、従来加熱
後、別の装置である回転塗布装置に移すため、密着性を
劣化させることになる。
に加熱装置が必要であった。そのため、加熱装置から回
転塗布装置へ半導体基板を移動しなければならず、その
移動中に半導体基板上にゴミが付着する確率が高くなり
、歩留り低下の一因となる。また、加熱装置は水分蒸発
または溶剤蒸発のためであるから、１０分〜３０分程度
必要であり、従って加熱用ベルトを用いると、２ｍ程度
の長さを必要とし、それだけ清浄度を保つ床面積が必要
となシ、その維持管理費またフロア−の効率活用に不利
となる。さらに回転塗布前の加熱処理後、時間の経過と
ともに有機膜と基板との密着性が劣化するため、加熱処
理後はすみやかに回転塗布する必要があるが、従来加熱
後、別の装置である回転塗布装置に移すため、密着性を
劣化させることになる。
本発明は前記問題点を解消するもので、半導体基板を直
接加熱しつつ有機膜を塗布、形成する塗布装置を提供す
るものである。
接加熱しつつ有機膜を塗布、形成する塗布装置を提供す
るものである。
本発明は円板に半導体基板を保持し、これを回転させつ
つ有機剤を滴下、塗布する装置において、前記円板に加
熱用ヒータを一体に付設したことを特徴とする有機膜塗
布゛装置である。
つ有機剤を滴下、塗布する装置において、前記円板に加
熱用ヒータを一体に付設したことを特徴とする有機膜塗
布゛装置である。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図囚、■）において、半導体基板搭載用の円板１０
１の上面には真空吸着用透孔１０４．・・・・・・が同
一円周上に設けられ、複数の透孔１０４は真空配管１０
２゜１０３を通して図示しない真空ポンプに接続される
。
１の上面には真空吸着用透孔１０４．・・・・・・が同
一円周上に設けられ、複数の透孔１０４は真空配管１０
２゜１０３を通して図示しない真空ポンプに接続される
。
この構成は従来と同様である。
本発明は第１図（６）、＠に示すように、円板１０１の
上面に隣接させてニクロム線からなる加熱用ヒータ１０
５を全面に亘って付設し、これを円板１０１内に一体に
埋設したものである。ヒータ１０５の電極１０７は円板
１０１の回転軸１０６の周囲に設け、電源からの接点は
これを挾むようにして導通をとる。
上面に隣接させてニクロム線からなる加熱用ヒータ１０
５を全面に亘って付設し、これを円板１０１内に一体に
埋設したものである。ヒータ１０５の電極１０７は円板
１０１の回転軸１０６の周囲に設け、電源からの接点は
これを挾むようにして導通をとる。
まず円板１０１上に半導体基板を乗せ、この基板を透孔
１０４より真空配管１０２，１０３ ｔ−通して真空吸
着する。これによって円板１０１上に乗せた半導体基板
は真空によって保持され、円板１０１０回転によって離
脱することはない。前記円板１０１を回転させつつ有機
剤を滴下、塗布する際に、加熱用ヒータ１０５ｔ−動作
させて有機膜の熱処理を行う。ヒータ１０５の温度制御
はヒータ１０５に流れる電流によって制御し、２００℃
程度まで任意に設定する。本実施例では塗布前加熱を２
００℃、塗布後加熱を１２０℃の２通フに設定しである
・ 加熱用ヒータ１０５によって加熱された円板１０１はそ
の比熱のため瞬時に冷却させるためには冷却機能を必要
とする場合がある。そのため、円板１０１に供給管１０
８と排出管１０９とをそれぞれ十字状に敷設し上下二段
に積層し、供給管１０８と排出管１０９とに連なる配管
１０８’、１０９’を回転軸１０６に同心円状に形成し
、供給管１０８から冷却水を供給し、これを排出管１０
９から排出することにより円板１０１を冷却する。この
冷却装置によって、塗布前後に加熱された半導体基板を
有機膜塗布時、また処理後基板をはずす時はすみやかに
冷却することができる。
１０４より真空配管１０２，１０３ ｔ−通して真空吸
着する。これによって円板１０１上に乗せた半導体基板
は真空によって保持され、円板１０１０回転によって離
脱することはない。前記円板１０１を回転させつつ有機
剤を滴下、塗布する際に、加熱用ヒータ１０５ｔ−動作
させて有機膜の熱処理を行う。ヒータ１０５の温度制御
はヒータ１０５に流れる電流によって制御し、２００℃
程度まで任意に設定する。本実施例では塗布前加熱を２
００℃、塗布後加熱を１２０℃の２通フに設定しである
・ 加熱用ヒータ１０５によって加熱された円板１０１はそ
の比熱のため瞬時に冷却させるためには冷却機能を必要
とする場合がある。そのため、円板１０１に供給管１０
８と排出管１０９とをそれぞれ十字状に敷設し上下二段
に積層し、供給管１０８と排出管１０９とに連なる配管
１０８’、１０９’を回転軸１０６に同心円状に形成し
、供給管１０８から冷却水を供給し、これを排出管１０
９から排出することにより円板１０１を冷却する。この
冷却装置によって、塗布前後に加熱された半導体基板を
有機膜塗布時、また処理後基板をはずす時はすみやかに
冷却することができる。
尚、モーターと直結させている回転軸１１０は円板１０
１と一体となっている軸１０６とはめ込むことによって
連結され、連結部１１１はグリースなどによって密封さ
れている。この構造をとることによってモーターが回転
すれば、何ら支障なく円板１０１を回転することができ
る。
１と一体となっている軸１０６とはめ込むことによって
連結され、連結部１１１はグリースなどによって密封さ
れている。この構造をとることによってモーターが回転
すれば、何ら支障なく円板１０１を回転することができ
る。
以上説明したように本発明は回転塗布装置と加熱装置を
一体としたことにより、加熱後ただちに回転塗布が可能
となり、半導体基板と有機膜との密着性を格段に向上さ
せることができる。また前述したように加熱装置が一体
となっているため、従来のように加熱装置を必要とせず
、清浄度の高いフロア−の面積を節約できる。さらに従
来のように加熱装置から回転塗布装置へ、また回転塗布
装置から加熱装置へと半導体基板を移動する際、発生ま
たは付着するゴミの確率を少なくでき、歩留り向上が期
待できる効果を有するものである。
一体としたことにより、加熱後ただちに回転塗布が可能
となり、半導体基板と有機膜との密着性を格段に向上さ
せることができる。また前述したように加熱装置が一体
となっているため、従来のように加熱装置を必要とせず
、清浄度の高いフロア−の面積を節約できる。さらに従
来のように加熱装置から回転塗布装置へ、また回転塗布
装置から加熱装置へと半導体基板を移動する際、発生ま
たは付着するゴミの確率を少なくでき、歩留り向上が期
待できる効果を有するものである。
第１図は本発明の一実施例を説明するための図であり、
第１図囚は立面図、第１図（８）は正面図である。 １０１・・・円板、１０２，１０３・・・真空配管、１
０５・・・加熱用ヒータ、１０８・・・冷却用供給管、
１０９・・・冷却用排出管 特許出願人 日本電気株式会社 （Ａ） 第１図 第１図
第１図囚は立面図、第１図（８）は正面図である。 １０１・・・円板、１０２，１０３・・・真空配管、１
０５・・・加熱用ヒータ、１０８・・・冷却用供給管、
１０９・・・冷却用排出管 特許出願人 日本電気株式会社 （Ａ） 第１図 第１図
Claims (1)
- （１）円板に半導体基板を保持し、これを回転させつつ
有機剤を滴下、塗布する装置において、前記円板に加熱
用ヒータを一体に付設したことを特徴とする有機膜塗布
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191061A JPS6253773A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 有機膜塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60191061A JPS6253773A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 有機膜塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6253773A true JPS6253773A (ja) | 1987-03-09 |
Family
ID=16268234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60191061A Pending JPS6253773A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 有機膜塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6253773A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62193248A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-25 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布・ベ−ク装置 |
| JPH03106728U (ja) * | 1990-02-21 | 1991-11-05 | ||
| US6518548B2 (en) | 1997-04-02 | 2003-02-11 | Hitachi, Ltd. | Substrate temperature control system and method for controlling temperature of substrate |
| US20110180001A1 (en) * | 2010-01-26 | 2011-07-28 | Japan Pionics Co., Ltd. | Vapor phase epitaxy apparatus of group iii nitride semiconductor |
| JP2012138562A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-07-19 | Toshiba Corp | 基板処理装置、及び成膜システム |
| JP2017208374A (ja) * | 2016-05-16 | 2017-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台システム、基板処理装置及び温度制御方法 |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP60191061A patent/JPS6253773A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62193248A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-25 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布・ベ−ク装置 |
| JPH03106728U (ja) * | 1990-02-21 | 1991-11-05 | ||
| US6518548B2 (en) | 1997-04-02 | 2003-02-11 | Hitachi, Ltd. | Substrate temperature control system and method for controlling temperature of substrate |
| US20110180001A1 (en) * | 2010-01-26 | 2011-07-28 | Japan Pionics Co., Ltd. | Vapor phase epitaxy apparatus of group iii nitride semiconductor |
| US8679254B2 (en) * | 2010-01-26 | 2014-03-25 | Japan Pionics Co., Ltd. | Vapor phase epitaxy apparatus of group III nitride semiconductor |
| JP2012138562A (ja) * | 2010-12-06 | 2012-07-19 | Toshiba Corp | 基板処理装置、及び成膜システム |
| JP2017208374A (ja) * | 2016-05-16 | 2017-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台システム、基板処理装置及び温度制御方法 |
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