JPS6254153A - Ａｄｐセンサ− - Google Patents
Ａｄｐセンサ−Info
- Publication number
- JPS6254153A JPS6254153A JP60194176A JP19417685A JPS6254153A JP S6254153 A JPS6254153 A JP S6254153A JP 60194176 A JP60194176 A JP 60194176A JP 19417685 A JP19417685 A JP 19417685A JP S6254153 A JPS6254153 A JP S6254153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- sensitive
- formula
- film
- adp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Saccharide Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用性）
本発明はアデノシンニリン酸（以下、ＡＤＰと略称する
）を測定するセンサーに関する。このセンサーは−Ａ
Ｌ） Ｐ−ＡＥ生体のエネルギー代謝に凹４しているこ
とからエネルギー代謝機構の研究に利用される。また、
このセンサーは一エネルギー変換においてＡ Ｄ Ｐ
濃度が変化するような反応に関与する酵素量の定量を行
なう検査機器として利用される。
）を測定するセンサーに関する。このセンサーは−Ａ
Ｌ） Ｐ−ＡＥ生体のエネルギー代謝に凹４しているこ
とからエネルギー代謝機構の研究に利用される。また、
このセンサーは一エネルギー変換においてＡ Ｄ Ｐ
濃度が変化するような反応に関与する酵素量の定量を行
なう検査機器として利用される。
（従来の技術と問題点）
生体中の微穢の化学成分の測定に於て、電極を用いる方
法は１頂便で迅速なこと一連続的な測定が可能であるこ
と等の特徴を有し、Ｎａ、に、Ｃａ、１１．０＃ 等
のイオンをはじめとする多くの化学成分の分析に利用さ
れている。
法は１頂便で迅速なこと一連続的な測定が可能であるこ
と等の特徴を有し、Ｎａ、に、Ｃａ、１１．０＃ 等
のイオンをはじめとする多くの化学成分の分析に利用さ
れている。
電極はその感応膜の神類により、ガラス電極、固体膜電
極、Ｍｌ漠型′鷹極、酵素電極等に分けることが出来る
が、この中で液膜型電彬は感応性物質を液膜溶媒に溶解
した液体全感応膜とする物′ａであり、液体は膜の形態
を保つために多孔質セラミック支持体やポリ塩化ビニル
、シリコン明所等のマトリックスにより固定されている
。このような液膜ｍ場は感応物質として有機物Ｗを用い
ることが出来るため、様々な物′ａに対応する電極を作
製することが出来る。例えは「イオンＮ、極と酵素電極
」（鈴木周−編講談社すイエンテイフイク１９８１ ）
ｐ、１６〜１７に示されているように、パリノマイシン
金柑いたＫｆ！極、ジ（ｎオクチルフェニル）ホスホネ
ート金用いたＣａ電極、テトラフェニルホウ素塩を用い
たビタミンＢＩＮ極等が市販、試作されている。
極、Ｍｌ漠型′鷹極、酵素電極等に分けることが出来る
が、この中で液膜型電彬は感応性物質を液膜溶媒に溶解
した液体全感応膜とする物′ａであり、液体は膜の形態
を保つために多孔質セラミック支持体やポリ塩化ビニル
、シリコン明所等のマトリックスにより固定されている
。このような液膜ｍ場は感応物質として有機物Ｗを用い
ることが出来るため、様々な物′ａに対応する電極を作
製することが出来る。例えは「イオンＮ、極と酵素電極
」（鈴木周−編講談社すイエンテイフイク１９８１ ）
ｐ、１６〜１７に示されているように、パリノマイシン
金柑いたＫｆ！極、ジ（ｎオクチルフェニル）ホスホネ
ート金用いたＣａ電極、テトラフェニルホウ素塩を用い
たビタミンＢＩＮ極等が市販、試作されている。
ＡＤＰは生体内において、Ａ’ｒＰ（アデノシンホ
酸トリ療スフエート）とともに核酸の合成をはじめとし
、タンパク質、糖類、脂質の代謝に関与し、また筋肉の
収縮のような力学的エネルギー、生物発光の光エネルギ
ー等の源泉ともなっており、生物にとってエネルギーの
貯蔵、供給および運搬を仲介するきわめて重要な物質で
あるにもかかわらずＡＤＰの濃度を測定するためのセン
サーは発表されておらず、現在これらの値はカラムクロ
マトグラフィや電気泳動等により求められている。しか
し、これらの方法は前処理等の複雑な操作が必要な上に
、測定に時間がかかるという欠点が必−った。
、タンパク質、糖類、脂質の代謝に関与し、また筋肉の
収縮のような力学的エネルギー、生物発光の光エネルギ
ー等の源泉ともなっており、生物にとってエネルギーの
貯蔵、供給および運搬を仲介するきわめて重要な物質で
あるにもかかわらずＡＤＰの濃度を測定するためのセン
サーは発表されておらず、現在これらの値はカラムクロ
マトグラフィや電気泳動等により求められている。しか
し、これらの方法は前処理等の複雑な操作が必要な上に
、測定に時間がかかるという欠点が必−った。
（発明が解決しようとする１１１点）
ＡＩ）Ｐを測定するセンサーが今ｆでに発表ざ几ていな
い理由は、Ａｌ）Ｐに選択的ＶＣ感応する、すなわち、
ＡＤＰ濃度の変化に従って電位が変化するが、他の物質
の濃度が変化しても電位の変化がない、もしくは無視で
きるほど小さい物′ａが見出されてい〆Ｃいことである
。したがって、本発明が解決しようとする問題点は、か
かろ物資？見出しこｎｆｔｍ応物質としたＡＤＰ七ノサ
ーを得ろことである。
い理由は、Ａｌ）Ｐに選択的ＶＣ感応する、すなわち、
ＡＤＰ濃度の変化に従って電位が変化するが、他の物質
の濃度が変化しても電位の変化がない、もしくは無視で
きるほど小さい物′ａが見出されてい〆Ｃいことである
。したがって、本発明が解決しようとする問題点は、か
かろ物資？見出しこｎｆｔｍ応物質としたＡＤＰ七ノサ
ーを得ろことである。
（問題点を解決するための手段）
Ｃｈｉ２−Ｃ）１２
で、ハ、Ｂ′は炭素数３以上のアルギル基もしくは置換
アルキル基、Ｘ−は−価の陰イオンおよびＹ〜は二価の
陰イオンを表わす）で表わされるビシクロジアンモニウ
ム塩がＡＤＰに対してよい選択性を有することを見出し
、これを用いろことによりＡＤＰに対して選択性のよい
センサ・−を得ることが出来た。
アルキル基、Ｘ−は−価の陰イオンおよびＹ〜は二価の
陰イオンを表わす）で表わされるビシクロジアンモニウ
ム塩がＡＤＰに対してよい選択性を有することを見出し
、これを用いろことによりＡＤＰに対して選択性のよい
センサ・−を得ることが出来た。
上記の一般式において、アルキル基としては、プロピル
基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、セチル基、ス
テアリル基等の直鎖アルキル基、インステアリル基等の
分校をもったアルキル基、シクロヘキシル基のような環
状アルキル基やこれらのアルキル基の一部がクロル基、
フロロ基のようなハロゲン基、メトキシ基、エトキシ基
のようなアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基等のよ
うなアリル基等の疎水性の置換基により置換されたもの
が用いられる。なお、ＢとＲ′は閾−であっても異なっ
ていてもよい。
基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、セチル基、ス
テアリル基等の直鎖アルキル基、インステアリル基等の
分校をもったアルキル基、シクロヘキシル基のような環
状アルキル基やこれらのアルキル基の一部がクロル基、
フロロ基のようなハロゲン基、メトキシ基、エトキシ基
のようなアルコキシ基、フェニル基、ナフチル基等のよ
うなアリル基等の疎水性の置換基により置換されたもの
が用いられる。なお、ＢとＲ′は閾−であっても異なっ
ていてもよい。
つぎに、上記一般式におけるＸ−の例としては（支）−
１Ｂｒ−等（７） ハｐゲンイオン、ＣｅＯ４−１８Ｏ
Ｎ−５Ｎｏ３−等のイオンが、またＹ−の例としては８
０４−等の陰イオンがあげられる。これらの陰イオンの
中でまたＣｅ−は塩の水に対する溶解度が高いので、陰
イオンとしてはＢｒミＮＯ３−１ｓｏ、”−がとくに好
ましい。
１Ｂｒ−等（７） ハｐゲンイオン、ＣｅＯ４−１８Ｏ
Ｎ−５Ｎｏ３−等のイオンが、またＹ−の例としては８
０４−等の陰イオンがあげられる。これらの陰イオンの
中でまたＣｅ−は塩の水に対する溶解度が高いので、陰
イオンとしてはＢｒミＮＯ３−１ｓｏ、”−がとくに好
ましい。
本発明で用いられる上記のビシクロジアンモニウム塩Ｉ
ｉＮ、Ｎ−ジセチルジアザビシクロ（２１２１２）オク
タンジブロシドを例にとると次のようにして合成するこ
とが出来る。すなわち、１．４−ジアザビシクロ（２，
２，２）才り４１ ”／ １．０ ｇ （８，９ｎｕ＋
ｎｏｌ ）トジセチルジブロミド１６．２ ｇ （５３
ｍｍｏｌ ） ｆジメチルホルムアルデヒド９０ｒｒ
ＬｅＫ溶解、７０°Ｃで２日間加熱し、反応終了後液を
冷却し、沈澱をジメチルホルムアミドで再結晶を繰り返
えすことにより、Ｎ、Ｎ’−ジステアリルジアンモニウ
ムジブロミドの結晶が得られる。（ｍ、ｐ２３５〜２３
６℃、収率８１％） 上記のビシクロジアンモニウム塩を感応物質としてセン
サーを作製するには、該ビシクロジアンモニウム場合む
液膜ｋｔ！！極膜として作製しなければならない。液膜
の作製については、ジー・ジエイ、ムーデイ（（４、Ｔ
Ｍｏｏｄｙ ）著−「セレクテイプ・イオン センシ
ティブ エレクトロード（８ｅｌｅｃｔｉｖｅ ｉｏ
ｎ ５ｅｎｓｉｔｉｖｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ
） Ｊ （日本版「イオン選択電極」共立出版］９
７９年）７草に詳し７く述べられている。すなわち、液
膜は該ビシクロジアンモニウム塩を疎水性の溶媒に溶解
し、これらを多孔質のセラミックもしくはポリマーに浸
みこませて作製するか、または該ビシクロジアンモニウ
ム塩全ガラス転移温度が室温より低いポリマーもしくは
ガラス転移温度が室温より高いポリマーに可塑剤を加え
たものに溶解して得られるが、膜の取扱いの容易さ、膜
の寿命の点からポリマーに溶解させるのが好ましい。電
極膜の形成は、該ビシクロジアンモニウム塩を高分子溶
液中に溶解し、これから被膜全形成して、これを電極膜
とするか、また、電極面に高分子溶液を塗布して電極面
に被膜を形成することにより行われる。用いられる高分
子化合物としてはシリコン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ
クロロスチレン、ポリ塩化ビニリデン等があるが、これ
らの中で、ポリ塩化ビニルがその電位の安定性の面から
好ましい。ポリ塩化ビニル等のガラス転移温Ｉｉが室温
より高いポリマーに支持体として用いる場合は、イオン
のモビリティを高めるために可塑剤を加える必要がめる
。
ｉＮ、Ｎ−ジセチルジアザビシクロ（２１２１２）オク
タンジブロシドを例にとると次のようにして合成するこ
とが出来る。すなわち、１．４−ジアザビシクロ（２，
２，２）才り４１ ”／ １．０ ｇ （８，９ｎｕ＋
ｎｏｌ ）トジセチルジブロミド１６．２ ｇ （５３
ｍｍｏｌ ） ｆジメチルホルムアルデヒド９０ｒｒ
ＬｅＫ溶解、７０°Ｃで２日間加熱し、反応終了後液を
冷却し、沈澱をジメチルホルムアミドで再結晶を繰り返
えすことにより、Ｎ、Ｎ’−ジステアリルジアンモニウ
ムジブロミドの結晶が得られる。（ｍ、ｐ２３５〜２３
６℃、収率８１％） 上記のビシクロジアンモニウム塩を感応物質としてセン
サーを作製するには、該ビシクロジアンモニウム場合む
液膜ｋｔ！！極膜として作製しなければならない。液膜
の作製については、ジー・ジエイ、ムーデイ（（４、Ｔ
Ｍｏｏｄｙ ）著−「セレクテイプ・イオン センシ
ティブ エレクトロード（８ｅｌｅｃｔｉｖｅ ｉｏ
ｎ ５ｅｎｓｉｔｉｖｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ
） Ｊ （日本版「イオン選択電極」共立出版］９
７９年）７草に詳し７く述べられている。すなわち、液
膜は該ビシクロジアンモニウム塩を疎水性の溶媒に溶解
し、これらを多孔質のセラミックもしくはポリマーに浸
みこませて作製するか、または該ビシクロジアンモニウ
ム塩全ガラス転移温度が室温より低いポリマーもしくは
ガラス転移温度が室温より高いポリマーに可塑剤を加え
たものに溶解して得られるが、膜の取扱いの容易さ、膜
の寿命の点からポリマーに溶解させるのが好ましい。電
極膜の形成は、該ビシクロジアンモニウム塩を高分子溶
液中に溶解し、これから被膜全形成して、これを電極膜
とするか、また、電極面に高分子溶液を塗布して電極面
に被膜を形成することにより行われる。用いられる高分
子化合物としてはシリコン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ
クロロスチレン、ポリ塩化ビニリデン等があるが、これ
らの中で、ポリ塩化ビニルがその電位の安定性の面から
好ましい。ポリ塩化ビニル等のガラス転移温Ｉｉが室温
より高いポリマーに支持体として用いる場合は、イオン
のモビリティを高めるために可塑剤を加える必要がめる
。
このような可塑剤は一般に成型の除用いら几ている可塑
剤のいずｎをも用いることができる。これらの可塑剤の
例としてはジオクチルフタレート、ジオクチルアジペー
ト、トリクレジルホスフェート等をめげることができる
。これらの高分子化合物を用いて、Ａｔ）Ｐ感応膜を得
る方法としては、前述の如くビシクロジアンモニウム化
合物、高分子化合物及び要すれば可塑剤を適当な溶媒に
溶［４ｒし、これをガラス板等にキャストし、溶媒を蒸
発させたり、溶液を１百接ｔｔｌ極上に・温布するだけ
でなく、高分子のかわりに−プレポリマー、モノマー等
を用いて、成型後重合させることによって作製すること
も可能である。上記のビシクロジアンモニウム塩は全同
形分に対して（１，０１〜２重量％加えられるのが好ま
しい。
剤のいずｎをも用いることができる。これらの可塑剤の
例としてはジオクチルフタレート、ジオクチルアジペー
ト、トリクレジルホスフェート等をめげることができる
。これらの高分子化合物を用いて、Ａｔ）Ｐ感応膜を得
る方法としては、前述の如くビシクロジアンモニウム化
合物、高分子化合物及び要すれば可塑剤を適当な溶媒に
溶［４ｒし、これをガラス板等にキャストし、溶媒を蒸
発させたり、溶液を１百接ｔｔｌ極上に・温布するだけ
でなく、高分子のかわりに−プレポリマー、モノマー等
を用いて、成型後重合させることによって作製すること
も可能である。上記のビシクロジアンモニウム塩は全同
形分に対して（１，０１〜２重量％加えられるのが好ま
しい。
本発明に用いられるｔ’ｔｔｉとしては、絶縁体の容器
中に内部電極及び濃度一定の内部液を有し、該ＡＤＰ感
応膜の両面がそれぞれ内部液と測定液に接触するタイプ
のｗ！、極や、金属板や金属線等の導体上に直接該感応
膜を塗布した！極等がある。またＭＯＳ−ＦＥＴの金属
ゲート感応膜を除き、直接測定液に接触するようにしだ
上’ Ｅ Ｔ ｐＨセンサーのゲート部分に該感応膜を
被覆することによっても本発明のＡｔ）Ｐセンサーを得
ることが出来る。このＦ Ｅ Ｔ ｐｆｉセンサーの作
製法については、例えば特開昭５３−９６８９０号に記
載されているが、非常に小型のセンサーが作製できる利
点がある。
中に内部電極及び濃度一定の内部液を有し、該ＡＤＰ感
応膜の両面がそれぞれ内部液と測定液に接触するタイプ
のｗ！、極や、金属板や金属線等の導体上に直接該感応
膜を塗布した！極等がある。またＭＯＳ−ＦＥＴの金属
ゲート感応膜を除き、直接測定液に接触するようにしだ
上’ Ｅ Ｔ ｐＨセンサーのゲート部分に該感応膜を
被覆することによっても本発明のＡｔ）Ｐセンサーを得
ることが出来る。このＦ Ｅ Ｔ ｐｆｉセンサーの作
製法については、例えば特開昭５３−９６８９０号に記
載されているが、非常に小型のセンサーが作製できる利
点がある。
本発明で用いられる感応膜は、通常の他の液膜型の電極
膜に比べて、感応性物質の溶解度が低く、膜の電導性が
小さい欠点があるので、Ｆ Ｅ Ｔ ｐｌＩセンサーを
利用したセンサーはとくに適している。
膜に比べて、感応性物質の溶解度が低く、膜の電導性が
小さい欠点があるので、Ｆ Ｅ Ｔ ｐｌＩセンサーを
利用したセンサーはとくに適している。
なぜならＦＥＴセンサーは本質的にゲート感応膜の電導
性を必要としない上に、ゲート表面に直接感応膜を薄く
することが可能だからである。
性を必要としない上に、ゲート表面に直接感応膜を薄く
することが可能だからである。
（作 用）
本発明で用いられるビシクロジアンモニウム塩がＡＤＰ
に対して選択性を有し、感応物質とじて用いられるのは
、化合物中の２つのアンモニウム基がＡＤＰのリン酸基
のアニオン部分に選択的に配位し、疎水性の化合物全作
ることにより、膜とＡＤＰ溶液の界面にＡｌ）Ｆ濃度に
応じた界面電位全発生することによるものである。従っ
て、このＣ１１２−Ｃ１１２ ばならないが）１，１（’はＡＤＰとの複合体の水と膜
への分１を膜の方にかたよらせるためのもので炭素数３
以上のアルキル基であれば、様々な基により置換されて
いてもさしつかえない。しかしＢ、Ｒ′の炭素数が２以
下であれば、ＡＤＰとのコンプレックスは親水性が置く
なるので、かかる化合物は膜から水中への溶出が起り易
く、測定、保存中にドリフトがおこり、感度低下の原因
となる。また、これらのアルキル基または置換アルキル
基の炭素数はあまり大きくなると配位子の濃度を大きく
することが困難となるので炭素数３０以下であることが
好ましい。
に対して選択性を有し、感応物質とじて用いられるのは
、化合物中の２つのアンモニウム基がＡＤＰのリン酸基
のアニオン部分に選択的に配位し、疎水性の化合物全作
ることにより、膜とＡＤＰ溶液の界面にＡｌ）Ｆ濃度に
応じた界面電位全発生することによるものである。従っ
て、このＣ１１２−Ｃ１１２ ばならないが）１，１（’はＡＤＰとの複合体の水と膜
への分１を膜の方にかたよらせるためのもので炭素数３
以上のアルキル基であれば、様々な基により置換されて
いてもさしつかえない。しかしＢ、Ｒ′の炭素数が２以
下であれば、ＡＤＰとのコンプレックスは親水性が置く
なるので、かかる化合物は膜から水中への溶出が起り易
く、測定、保存中にドリフトがおこり、感度低下の原因
となる。また、これらのアルキル基または置換アルキル
基の炭素数はあまり大きくなると配位子の濃度を大きく
することが困難となるので炭素数３０以下であることが
好ましい。
（実 施 例）
実施例１
１．４−ジアザビシクロ（２，２，２）オクタン１．０
ｇ（８，９ｍｍｏｌ ）とステアリルヨーダイト２０
ｇ（５３ｍｍｏｌ ）Ｖｃジメチルホルムアミド（１
３Ｍ、 Ｆ ） ５０ｍ１ｔ金加え、７０℃で２日間加
熱した。過剰のステアリルａ−ダイト、モノアンモニウ
ム塩を除去し、残った固体ＩＤＭＦで再結晶を繰返し、
ジアンモニウム化合物の沃素塩を得た。これを臭酸によ
り沃素イオンを臭素イオンに置換し、臭化物塩を得た。
ｇ（８，９ｍｍｏｌ ）とステアリルヨーダイト２０
ｇ（５３ｍｍｏｌ ）Ｖｃジメチルホルムアミド（１
３Ｍ、 Ｆ ） ５０ｍ１ｔ金加え、７０℃で２日間加
熱した。過剰のステアリルａ−ダイト、モノアンモニウ
ム塩を除去し、残った固体ＩＤＭＦで再結晶を繰返し、
ジアンモニウム化合物の沃素塩を得た。これを臭酸によ
り沃素イオンを臭素イオンに置換し、臭化物塩を得た。
このジアンモニウム！Ｍ１．０ｍｇとポリ塩化ビニル０
．２ｇと可塑剤としてジオクチルフタル酸０．８ ｇ金
テトラヒドロフラン１０―に６５℃で加熱溶解させる。
．２ｇと可塑剤としてジオクチルフタル酸０．８ ｇ金
テトラヒドロフラン１０―に６５℃で加熱溶解させる。
こうして得らｎた活量な溶液をガラス板上にキャストし
、乾燥空気中で溶媒を蒸発させ透明な厚さ±０．２ｍｍ
の膜を作製した。この換金直径ＩＣｍのＰＶＣ管の端に
ＰＶＯのテトラヒドロフラン溶液金柑いて貼付け、デシ
ケータ−中で２４時間屹乾燥た。この膜を用いて、下記
の様な電池の両端の起電力と測定液中のＡ Ｄ Ｐ 濃
度との関係を測定した。
、乾燥空気中で溶媒を蒸発させ透明な厚さ±０．２ｍｍ
の膜を作製した。この換金直径ＩＣｍのＰＶＣ管の端に
ＰＶＯのテトラヒドロフラン溶液金柑いて貼付け、デシ
ケータ−中で２４時間屹乾燥た。この膜を用いて、下記
の様な電池の両端の起電力と測定液中のＡ Ｄ Ｐ 濃
度との関係を測定した。
このセンサの起電力とＡＤＰω度の対数の間にはＡＩ）
Ｐ濃度１０ ”Ｍ〜１０−３〜１の間で良好な直線関係
が県られ、その傾きは２２ ｙＦＬｋ／ｌｏｇ（Ａ Ｄ
）’ ）で、ｈつた。
Ｐ濃度１０ ”Ｍ〜１０−３〜１の間で良好な直線関係
が県られ、その傾きは２２ ｙＦＬｋ／ｌｏｇ（Ａ Ｄ
）’ ）で、ｈつた。
実施例２
特開昭５４−６６１９４に示されている方法で作製した
Ｐ Ｅ Ｔ ｐａｌセンサーをゲート部を残［７て直径
１間のナイロンカテーテルに坤込んだ後に、実施例ＩＶ
ｃで用いたＰＶＣ、ジオクチルフタレートオヨびビシク
ロジアンモニウム塩のテトラヒドロフラン溶液ｉ ｋ’
Ｅ Ｔゲート部にディップコートし、センサーを作製
した。このセンサーのＰＶＣｆｆ４の膜厚は約３０μで
あった。
Ｐ Ｅ Ｔ ｐａｌセンサーをゲート部を残［７て直径
１間のナイロンカテーテルに坤込んだ後に、実施例ＩＶ
ｃで用いたＰＶＣ、ジオクチルフタレートオヨびビシク
ロジアンモニウム塩のテトラヒドロフラン溶液ｉ ｋ’
Ｅ Ｔゲート部にディップコートし、センサーを作製
した。このセンサーのＰＶＣｆｆ４の膜厚は約３０μで
あった。
このセンサーをドレイン電流３０μＡ、ドレインソース
電圧５Ｖで、測定液のｈｌ）ＰｆＪ度の対数とゲート−
ソース定圧の関係を測定した結果を第１図に示す。ＡＴ
Ｐのない場合ＡＤＰ濃度の対数と出力との関係はＡＤＰ
ｆ）３度１０ ｍＮｉから０．００１ｒｎＭの非常に広
い範囲にわたってよい直線性を示し、その傾きは３０
ｒｎＶ、／ｌｏｇ（Ａ Ｄ Ｐ ）と、ネルンストの式
と一致する。また、ＡＴＰｌｍＭが共存する場合、ｐＨ
５では感度曲線はＭ論曲線よりずれるが、ｐ１４ （ｉ
−７に調節すればＡ Ｄ Ｐ Ｏ，２ｒｎＭ以上の範囲
で直線性を示し、それ以下の濃度では出力は飽和する。
電圧５Ｖで、測定液のｈｌ）ＰｆＪ度の対数とゲート−
ソース定圧の関係を測定した結果を第１図に示す。ＡＴ
Ｐのない場合ＡＤＰ濃度の対数と出力との関係はＡＤＰ
ｆ）３度１０ ｍＮｉから０．００１ｒｎＭの非常に広
い範囲にわたってよい直線性を示し、その傾きは３０
ｒｎＶ、／ｌｏｇ（Ａ Ｄ Ｐ ）と、ネルンストの式
と一致する。また、ＡＴＰｌｍＭが共存する場合、ｐＨ
５では感度曲線はＭ論曲線よりずれるが、ｐ１４ （ｉ
−７に調節すればＡ Ｄ Ｐ Ｏ，２ｒｎＭ以上の範囲
で直線性を示し、それ以下の濃度では出力は飽和する。
この曲線より、ＡＤＰのＡＴＰに対する選択係数は０．
０４９と計算される。このことは、このセンサーはＡＴ
ＰよりＡＤＰに対し２０倍以上もの（感度を持っている
ことを意味している。その他の物質に対する選択係数は
ＡＭＰｏ、０４７、Ｎ ａ２８０４ ｏ、ｏ ２０、Ｎ
ａＣ１はぼＯ、Ｎａ２ｔ（ＰＯ４０，００４であり、こ
のセンサーがＡＤＰに特異的に感応するセンサーである
ことを示している。
０４９と計算される。このことは、このセンサーはＡＴ
ＰよりＡＤＰに対し２０倍以上もの（感度を持っている
ことを意味している。その他の物質に対する選択係数は
ＡＭＰｏ、０４７、Ｎ ａ２８０４ ｏ、ｏ ２０、Ｎ
ａＣ１はぼＯ、Ｎａ２ｔ（ＰＯ４０，００４であり、こ
のセンサーがＡＤＰに特異的に感応するセンサーである
ことを示している。
実施例３
実施例１で用いた
のＢｒ−′ｔ−第１表に示すような各押の陰イオンで置
換した塩を作り、ＡＩ）Ｐに対する応答特性を測定した
。結果″ｆｒ第１表に示す。いずれの陰イオンでもＡＤ
Ｐ６度の測定が可能であるが、なかでも前述のＢｒ−の
ほか、ＮＯ，二８０４−１Ｃｐ−が抑い結果を示した。
換した塩を作り、ＡＩ）Ｐに対する応答特性を測定した
。結果″ｆｒ第１表に示す。いずれの陰イオンでもＡＤ
Ｐ６度の測定が可能であるが、なかでも前述のＢｒ−の
ほか、ＮＯ，二８０４−１Ｃｐ−が抑い結果を示した。
Ｃｅ０４ Ｑ △ 多
少ノイズあり８ＯＮ Ｏ△
〃ＮＯ３００良好 ８０４ ０ ０
ｔ。
少ノイズあり８ＯＮ Ｏ△
〃ＮＯ３００良好 ８０４ ０ ０
ｔ。
Ｃｅ−○ ○ 〃＋】 ○
・・・２０ｍＶ／（ｌｏｇＡＤＰ）以上の感度を有する
※２０・・・０．００１〜１ｍＭで直線性を有する△・
・・低濃度領域で飽和 （発明の効果） ＡＤＰは生体のエネルギー代謝、とくに筋収縮のエネル
ギー変換において重要な役割を果しており、生体中でそ
の量全測定することはエネルギー化Ｎ８）構の研究上重
要であるが、本発明で得られたセンサーはＡＤＰｇ度が
０．００１ ｔｎＭ−１０ｍ Ｍのひろい範囲でネルン
スト応答を示し、またＡ Ｔ Ｐ。
・・・２０ｍＶ／（ｌｏｇＡＤＰ）以上の感度を有する
※２０・・・０．００１〜１ｍＭで直線性を有する△・
・・低濃度領域で飽和 （発明の効果） ＡＤＰは生体のエネルギー代謝、とくに筋収縮のエネル
ギー変換において重要な役割を果しており、生体中でそ
の量全測定することはエネルギー化Ｎ８）構の研究上重
要であるが、本発明で得られたセンサーはＡＤＰｇ度が
０．００１ ｔｎＭ−１０ｍ Ｍのひろい範囲でネルン
スト応答を示し、またＡ Ｔ Ｐ。
ＡＭＰに対する相対感度もそれぞれ２０倍、２１倍と良
好な選択性を示す。測定はｐＨ調整をした試料に直接電
極を浸漬するだけでよく、本発明のセンサーを用いるこ
とによりＡＤＰ濃度の簡便、迅速な選択的測定が可能と
なる。さらに、上Ｐエネルギー変換においてＡＤＰｅ４
度が変化するような反応に関与する酵素１ｋをＡｉ）Ｐ
の増減の速度より求めることが可能であり、ＡＤＰセン
サーはこれらの酵素層の定量を行なう検査機器に使用で
きる可能性を有している。
好な選択性を示す。測定はｐＨ調整をした試料に直接電
極を浸漬するだけでよく、本発明のセンサーを用いるこ
とによりＡＤＰ濃度の簡便、迅速な選択的測定が可能と
なる。さらに、上Ｐエネルギー変換においてＡＤＰｅ４
度が変化するような反応に関与する酵素１ｋをＡｉ）Ｐ
の増減の速度より求めることが可能であり、ＡＤＰセン
サーはこれらの酵素層の定量を行なう検査機器に使用で
きる可能性を有している。
第１図はＡＤＰ濃度（ｍｕ ）と本発明のセンサーのソ
ース電位（ｍＶ ）との関係（２５℃）を示すグラフで
ある。図において○・・・ＡＬ）Ｐのみの水溶液（ｐａ
ｌ ７ ）、△−・−Ａ Ｔ Ｐ １ ｍＭ共存する水
溶液（ｐＨ５）、・・Ａ Ｔ １’ ｌ ｍＡＩ共存す
る水溶液（Ｐｉ（７）を示す。
ース電位（ｍＶ ）との関係（２５℃）を示すグラフで
ある。図において○・・・ＡＬ）Ｐのみの水溶液（ｐａ
ｌ ７ ）、△−・−Ａ Ｔ Ｐ １ ｍＭ共存する水
溶液（ｐＨ５）、・・Ａ Ｔ １’ ｌ ｍＡＩ共存す
る水溶液（Ｐｉ（７）を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式▲数式、化学式、表等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼（式において、Ｒ、 Ｒ′は炭素数３以上のアルキル基もしくは置換アルキル
基、Ｘ＾−は一価の陰イオンおよびＹ＾−＾−は二価の
陰イオンを表わす）で表わされるビシクロジアンモニウ
ム塩を感応物質とする液膜型アデノシンニリン酸センサ
ー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60194176A JPS6254153A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | Ａｄｐセンサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60194176A JPS6254153A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | Ａｄｐセンサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254153A true JPS6254153A (ja) | 1987-03-09 |
Family
ID=16320191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60194176A Pending JPS6254153A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | Ａｄｐセンサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6254153A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022544989A (ja) * | 2019-08-19 | 2022-10-24 | シーメンス・ヘルスケア・ダイアグノスティックス・インコーポレイテッド | 改善された固体状態マグネシウムイオン選択性微小電極並びにそれらの製造方法及び使用 |
| JP2024048371A (ja) * | 2022-09-27 | 2024-04-08 | 財團法人工業技術研究院 | イオン性化合物、吸収剤、および吸収装置 |
| US12612404B2 (en) | 2022-12-15 | 2026-04-28 | Industrial Technology Research Institute | Ionic compound, absorbent and absorption device |
-
1985
- 1985-09-02 JP JP60194176A patent/JPS6254153A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022544989A (ja) * | 2019-08-19 | 2022-10-24 | シーメンス・ヘルスケア・ダイアグノスティックス・インコーポレイテッド | 改善された固体状態マグネシウムイオン選択性微小電極並びにそれらの製造方法及び使用 |
| JP2024026383A (ja) * | 2019-08-19 | 2024-02-28 | シーメンス・ヘルスケア・ダイアグノスティックス・インコーポレイテッド | 改善された固体状態マグネシウムイオン選択性微小電極並びにそれらの製造方法及び使用 |
| US12320772B2 (en) | 2019-08-19 | 2025-06-03 | Siemens Healthcare Diagnostics Inc. | Solid-state magnesium ion selective microelectrode and methods of production and use thereof |
| JP2024048371A (ja) * | 2022-09-27 | 2024-04-08 | 財團法人工業技術研究院 | イオン性化合物、吸収剤、および吸収装置 |
| US12612404B2 (en) | 2022-12-15 | 2026-04-28 | Industrial Technology Research Institute | Ionic compound, absorbent and absorption device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Shatkay | Ion specific membranes as electrodes in determination of activity of calcium | |
| CA1257331A (en) | Sensor having ion-selective electrodes | |
| US6663756B2 (en) | Microchip-type oxygen gas sensor based on differential potentiometry | |
| CN113234326B (zh) | 一种具有纳米/亚纳米孔道的离子型膜材料的制备与应用 | |
| Urbanowicz et al. | A miniaturized solid-contact potentiometric multisensor platform for determination of ionic profiles in human saliva | |
| Wu et al. | Lateral phase separations and perpendicular transport in membranes | |
| Moody et al. | Progress in designing calcium ion-selective electrodes | |
| Mendecki et al. | Simple, robust, and plasticizer-free iodide-selective sensor based on copolymerized triazole-based ionic liquid | |
| Manikandan et al. | Simultaneous electrochemical determination of adenine and guanine using poly 2-naphthol orange film–modified electrode | |
| Hartman et al. | Chloride-selective liquid-membrane electrodes based on lipophilic methyl-tri-N-alkyl-ammonium compounds and their applicability to blood serum measurements | |
| JPS6254153A (ja) | Ａｄｐセンサ− | |
| CN110672696B (zh) | 一种检测铜离子、磷酸根离子和碱性磷酸酶的新型电化学方法及其应用 | |
| JPH042902B2 (ja) | ||
| WO2013005268A1 (ja) | 変換ストリッピング法により化学物質を定量する方法 | |
| Kormosh et al. | Novel Potentiometric Sensor for the Determination of Ibuprofen | |
| JPH0347459B2 (ja) | ||
| Chou et al. | Measurement and comparison of potentiometric selectivity coefficients of urea biosensors based on ammonium ion-selective electrodes | |
| US3716335A (en) | Assaying with change in electron spin resonance spectrum based on chirality | |
| Kolytcheva et al. | Influence of the organic matrix on the properties of membrane coated ion sensor field-effect transistors | |
| Meyer et al. | Thermodynamics of amino acid-copper (II) complexes | |
| EP0228456A1 (en) | Ionophores and ion-selective membranes containing the same | |
| JPS61213660A (ja) | ｐＨセンサーの製造方法 | |
| RU2789107C1 (ru) | Мембрана ионселективного электрода для определения цефтриаксона в биосистемах | |
| ES2334748B1 (es) | Sensores potenciometricos basados en clusters de boro anionicos. | |
| JP4082636B2 (ja) | 脂質膜 |