JPS6254311A - 電力供給装置 - Google Patents
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- JPS6254311A JPS6254311A JP61149318A JP14931886A JPS6254311A JP S6254311 A JPS6254311 A JP S6254311A JP 61149318 A JP61149318 A JP 61149318A JP 14931886 A JP14931886 A JP 14931886A JP S6254311 A JPS6254311 A JP S6254311A
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- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 6
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/042—Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/04213—Modifications for accelerating switching by feedback from the output circuit to the control circuit in bipolar transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
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- Amplifiers (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、主として電力供給装置、例えばＰＩＮダイオ
ード用の即応型の整流装置のための電力供給装置に関す
る。
ード用の即応型の整流装置のための電力供給装置に関す
る。
電子走査アンテナは、１つもしくは複数の１次放射源及
び該放射線源に接続する移相器網を備えている。通常、
移相器としてＰＩＮダイオードを備える移相器が使用さ
れている。長さの異なる回路間で整流を行う場合、もし
くは導通状態にあるか遮断状態すなわちブロック状態に
あるかに応じてＰＩＮダイオードのりアクタンスを変化
させた場合に、位相差が発生する。
び該放射線源に接続する移相器網を備えている。通常、
移相器としてＰＩＮダイオードを備える移相器が使用さ
れている。長さの異なる回路間で整流を行う場合、もし
くは導通状態にあるか遮断状態すなわちブロック状態に
あるかに応じてＰＩＮダイオードのりアクタンスを変化
させた場合に、位相差が発生する。
電子走査アンテナにおいて、電磁気エネルギービームを
制御して、エネルギービームの方向に垂直な同位相面を
形成する。エネルギービームの空間走査速度は、アンテ
ナの各１次放射源の位相差の変化に要する時間によって
限定される。アンテナの各１次放射源の位相変化速度の
増大によって、より多くの目標を追跡す、ることができ
る。
制御して、エネルギービームの方向に垂直な同位相面を
形成する。エネルギービームの空間走査速度は、アンテ
ナの各１次放射源の位相差の変化に要する時間によって
限定される。アンテナの各１次放射源の位相変化速度の
増大によって、より多くの目標を追跡す、ることができ
る。
移相用ＰＩＮダイオードのブロック（非導通）状態から
導通状態への転換、いわゆる整流は迅速に行われる。導
通状態からブロック（非導通）状態への反対の整流は、
迅速には行われない。従って、整流時、ＰＩＮダイオー
ドの端子間の電圧源によって、各ＰＩＮダイオードは、
短絡状態で機能し始め、この短絡状態において逆方向電
流が多量になるとブロック状態となる。このとき、各Ｐ
ＩＮダイオードの接合部における電圧の極性を逆転させ
ると、ダイオード内の電流は迅速に増大する。この逆方
向電流は、接合部が順方向伝通状態の間にあらかじめ蓄
積された少数キャリアの移動によるものである。蓄積さ
れる電荷量は、ダイオード、少数キャリアの寿命及び整
流前の順方向電流等の特性によって決定される。これら
の電荷の流れは、電荷を持つキャリアの除去によって生
起される逆方向電流を流すブロック装置により確実に保
証する。従って、整流の迅速性は、ブロック装置が供給
する電流の強さに依存する。
導通状態への転換、いわゆる整流は迅速に行われる。導
通状態からブロック（非導通）状態への反対の整流は、
迅速には行われない。従って、整流時、ＰＩＮダイオー
ドの端子間の電圧源によって、各ＰＩＮダイオードは、
短絡状態で機能し始め、この短絡状態において逆方向電
流が多量になるとブロック状態となる。このとき、各Ｐ
ＩＮダイオードの接合部における電圧の極性を逆転させ
ると、ダイオード内の電流は迅速に増大する。この逆方
向電流は、接合部が順方向伝通状態の間にあらかじめ蓄
積された少数キャリアの移動によるものである。蓄積さ
れる電荷量は、ダイオード、少数キャリアの寿命及び整
流前の順方向電流等の特性によって決定される。これら
の電荷の流れは、電荷を持つキャリアの除去によって生
起される逆方向電流を流すブロック装置により確実に保
証する。従って、整流の迅速性は、ブロック装置が供給
する電流の強さに依存する。
従来技術によると、ダイオードのブロックと同時に逆方
向電流を供給するブロック装置は、高抵抗器に接続する
高電圧源によって構成される。高電圧での電力供給は大
量であり、多量の電流が供給されることになる。従って
、供給電力は大きく、熱の発散も大きい。こうして、ダ
イオードのブロック装置の温度上昇が起きる。
向電流を供給するブロック装置は、高抵抗器に接続する
高電圧源によって構成される。高電圧での電力供給は大
量であり、多量の電流が供給されることになる。従って
、供給電力は大きく、熱の発散も大きい。こうして、ダ
イオードのブロック装置の温度上昇が起きる。
本発明の装置によって、移相用ダイオード内−ド状態か
らブロック状態への整流作用を改良することができる。
らブロック状態への整流作用を改良することができる。
さらに、本発明の装置によって移相器ダイオードの整流
に必要な電力を低減することができる。本発明による装
置は増幅ループを備えており、このループ内では時間に
つれて電流が指数的に増大する。従って、整流期間内は
、迅速且つ瞬間的に極めて高い電流が使用される。反対
に、整流期間外には、本発明による装置の電流消費は極
めて低減される。
に必要な電力を低減することができる。本発明による装
置は増幅ループを備えており、このループ内では時間に
つれて電流が指数的に増大する。従って、整流期間内は
、迅速且つ瞬間的に極めて高い電流が使用される。反対
に、整流期間外には、本発明による装置の電流消費は極
めて低減される。
本発明による装置の利点は、少数キャリアの除去を行う
低電圧ジェネレータと、移相用ＰＩＮダイオードを最終
的なブロック状態にする高電圧ジェネレータを備えるこ
とである。高電圧ジェネレータは、供給された電流を指
数的に増大させる増幅ループを備えている。
低電圧ジェネレータと、移相用ＰＩＮダイオードを最終
的なブロック状態にする高電圧ジェネレータを備えるこ
とである。高電圧ジェネレータは、供給された電流を指
数的に増大させる増幅ループを備えている。
本発明は、停止中には電力消費を制限して、命令に応じ
て迅速且つ瞬間的に所望の電流を供給する増幅ループを
備えることを特徴とする電力供給装置を供給することを
主な目的とする。
て迅速且つ瞬間的に所望の電流を供給する増幅ループを
備えることを特徴とする電力供給装置を供給することを
主な目的とする。
本発明は、添付図面を参照して行われる以下の説明によ
ってより明らかとなろう。但し、以下の実施例は、本発
明の範囲を何ら限定するものではない。
ってより明らかとなろう。但し、以下の実施例は、本発
明の範囲を何ら限定するものではない。
第１図は、本発明による装置の第１の実施例を示す。図
示の実施例の装置は、通常の電子部品で構成されている
。第１図に示す本実施例において、ＰＩＮダイオード２
の整流用電力供給装置１は、４つのＰＮＰ形トランジス
タ１１乃至１４．４つのＮＰＮ形トランジスタ１６乃至
１９、ダイオード７、ジェネレータ９．８つの抵抗器５
１乃至５９、及びスイッチ４５を備えている。スイッチ
４５は、例えばトランジスタからなる。装置１の接続端
子５には、例えば電位４０Ｖの直流電流が供給される。
示の実施例の装置は、通常の電子部品で構成されている
。第１図に示す本実施例において、ＰＩＮダイオード２
の整流用電力供給装置１は、４つのＰＮＰ形トランジス
タ１１乃至１４．４つのＮＰＮ形トランジスタ１６乃至
１９、ダイオード７、ジェネレータ９．８つの抵抗器５
１乃至５９、及びスイッチ４５を備えている。スイッチ
４５は、例えばトランジスタからなる。装置１の接続端
子５には、例えば電位４０Ｖの直流電流が供給される。
トランジスタ１１．１２．１３のエミッタは、それぞれ
抵抗器５１．５２．５３を介して端子５に接続されてい
る。トランジスタ１１のコレクタは、該トランジスタの
ベースに接続されている。トランジスタ１１．１２．１
３のベースは、相互に接続されている。トランジスタ１
３のコレクタは、トランジスタ１４のエミッタに接続さ
れている。トランジスタ１４のベースは、ダイオード７
を介してトランジスタ１２のコレクタに接続されている
。また、トランジスタ１２のコレクタは、電力供給装置
１の出力２４に接続されている。
抵抗器５１．５２．５３を介して端子５に接続されてい
る。トランジスタ１１のコレクタは、該トランジスタの
ベースに接続されている。トランジスタ１１．１２．１
３のベースは、相互に接続されている。トランジスタ１
３のコレクタは、トランジスタ１４のエミッタに接続さ
れている。トランジスタ１４のベースは、ダイオード７
を介してトランジスタ１２のコレクタに接続されている
。また、トランジスタ１２のコレクタは、電力供給装置
１の出力２４に接続されている。
トランジスタ１１のコレクタは、スイッチ４５を介して
トランジスタ１６のコレクタに接続されている。
トランジスタ１６のコレクタに接続されている。
トランジスタ１４のコレクタは、トランジスタ１６のベ
ースト、トランジスタ１７のコレクタ及ヒヘースに接続
されている。トランジスタ１７０ベースは、例えば電圧
５■の入力６によって電力供給されるジェネレータ９に
接続されている。トランジスタ１６及び１７のエミッタ
は、抵抗器５４及び５６を介してトランジスタ１９のコ
レクタに接続されている。トランジスタ１９及び１８の
ベースは、相互に接続されている。トランジスタ１８の
コレクタとベースは、相互に接続されている。トランジ
スタ１９のエミッタは、抵抗器５９を介してアース４に
接続されている。トランジスタ１８及び１９のベースは
、抵抗器５８を介して例えば５■の低電圧に接続されて
おり、トランジスタ１８のエミッタは、抵抗器５７を介
してアース４に接続されている。ＰＩＮ整流ダイオード
２は、装置１の出力２４によって電力供給される。
ースト、トランジスタ１７のコレクタ及ヒヘースに接続
されている。トランジスタ１７０ベースは、例えば電圧
５■の入力６によって電力供給されるジェネレータ９に
接続されている。トランジスタ１６及び１７のエミッタ
は、抵抗器５４及び５６を介してトランジスタ１９のコ
レクタに接続されている。トランジスタ１９及び１８の
ベースは、相互に接続されている。トランジスタ１８の
コレクタとベースは、相互に接続されている。トランジ
スタ１９のエミッタは、抵抗器５９を介してアース４に
接続されている。トランジスタ１８及び１９のベースは
、抵抗器５８を介して例えば５■の低電圧に接続されて
おり、トランジスタ１８のエミッタは、抵抗器５７を介
してアース４に接続されている。ＰＩＮ整流ダイオード
２は、装置１の出力２４によって電力供給される。
並列接続されたコンデンサ３によって、超高周波域のＰ
ＩＮダイオード２の減結合を実現することができる。ト
ランジスタ１１．１２及び１３は、第１の電流ミラー回
路２２を構成する。トランジスタ１６及び１７は、第２
の電流ミラー回路２３を構成する。
ＩＮダイオード２の減結合を実現することができる。ト
ランジスタ１１．１２及び１３は、第１の電流ミラー回
路２２を構成する。トランジスタ１６及び１７は、第２
の電流ミラー回路２３を構成する。
整流を開始する際、スイッチ４５は閉じられている。こ
のとき、２つの電流ミラー回路２２及び２３は、増幅ル
ープとして機能する。増幅ループに右ける電流は、指数
的に増大する。迅速且つ瞬間的に、ＰＩＮダイオード２
の整流に必要な多量の電流がトランジスタ１２のコレク
タに集まる。最大電流は、１組のトランジスタ１９及び
１８によって限定される。
のとき、２つの電流ミラー回路２２及び２３は、増幅ル
ープとして機能する。増幅ループに右ける電流は、指数
的に増大する。迅速且つ瞬間的に、ＰＩＮダイオード２
の整流に必要な多量の電流がトランジスタ１２のコレク
タに集まる。最大電流は、１組のトランジスタ１９及び
１８によって限定される。
ジェネレータ９によって、電流ループが確実に始動する
。トランジスタ１２が飽和状態に近づくと、トランジス
タ１４が遮断すなわちブロック状態にされる。
。トランジスタ１２が飽和状態に近づくと、トランジス
タ１４が遮断すなわちブロック状態にされる。
トランジスタ１６及び１７についても同様に動作する。
各抵抗器５２．５３．５４及び５６の抵抗値を、それぞ
れＲ５２、Ｒ５３、Ｒ５４及びＲ５６゛とする。増幅ル
ープの利得Ｇは、次の式で与えられる。
れＲ５２、Ｒ５３、Ｒ５４及びＲ５６゛とする。増幅ル
ープの利得Ｇは、次の式で与えられる。
第２図に示す装置は、５つのＰＮＰ形トランジスタ１１
．１２．１３．１４及び２０と、５つのＮＰＮ形トラン
ジスタ１５．１６．１７．１８及び１９と、ダイオード
７と、ジェネレータ９と、２つの抵抗器８及び１０とを
備えている。変形例として、ダイオード７を、ベースと
エミッタが相互に接続されたトランジスタで置換するこ
とができる。
．１２．１３．１４及び２０と、５つのＮＰＮ形トラン
ジスタ１５．１６．１７．１８及び１９と、ダイオード
７と、ジェネレータ９と、２つの抵抗器８及び１０とを
備えている。変形例として、ダイオード７を、ベースと
エミッタが相互に接続されたトランジスタで置換するこ
とができる。
第２図は、例えばバイポーラ技術によるモノリシック回
路として実現するのに最適な本発明による装置の実施例
の概略図である。電力供給装置１は、例えば４０Ｖの直
流電力供給入力５を備えている。入力５は、３つのトラ
ンジスタ１１．１２．１３のエミッタに接続されている
。トランジスタ１１のベースは、該トランジスタのコレ
クタに接続されている。トランジスタ１２及び１３０ベ
ースは相互に接続されており、トランジスタ１３のコレ
クタはトランジスタ１４及び２０の各エミッタに接続さ
れている。−トランジスタ１２のコレクタは、ダイオー
ド７を介してトランジスタ１４及び２０の各ベースに接
続されている。また、トランジスタ１２のコレクタは、
並列に配置されたＰＩＮダイオード２及びコンデンサ３
に接続されている。トランジスタ１１のベースは、トラ
ンジスタ１５のコレクタに接続されている。
路として実現するのに最適な本発明による装置の実施例
の概略図である。電力供給装置１は、例えば４０Ｖの直
流電力供給入力５を備えている。入力５は、３つのトラ
ンジスタ１１．１２．１３のエミッタに接続されている
。トランジスタ１１のベースは、該トランジスタのコレ
クタに接続されている。トランジスタ１２及び１３０ベ
ースは相互に接続されており、トランジスタ１３のコレ
クタはトランジスタ１４及び２０の各エミッタに接続さ
れている。−トランジスタ１２のコレクタは、ダイオー
ド７を介してトランジスタ１４及び２０の各ベースに接
続されている。また、トランジスタ１２のコレクタは、
並列に配置されたＰＩＮダイオード２及びコンデンサ３
に接続されている。トランジスタ１１のベースは、トラ
ンジスタ１５のコレクタに接続されている。
トランジスタ１５のベースは、制御人力２１に接続され
ている。トランジスタ２０のコレクタは、抵抗器８を介
してアース４に接続されている。トランジスタ１４のコ
レクタは、ジェネレータ９と、トランジスタ１７のコレ
クタと、トランジスタ１７及び１６の各ベースとに接続
されている。トランジスタ１５のエミッタは、トランジ
スタ１６のコレクタに接続されている。ジェネレータ９
は、例えば電圧５■の直流電力供給入力６に接続されて
いる。トランジスタ１６及び１７のエミッタは、トラン
ジスタ１８のコレクタに接続されている。トランジスタ
１８及び１９のベースは、抵抗器１０を介して例えば電
圧５■の直流電力供給入力に接続されている。トランジ
スタ１９のベースは、該トランジスタのコレクタに接続
されている。トランジスタ１８及び１９のエミッタは、
アース４に接続されている。
ている。トランジスタ２０のコレクタは、抵抗器８を介
してアース４に接続されている。トランジスタ１４のコ
レクタは、ジェネレータ９と、トランジスタ１７のコレ
クタと、トランジスタ１７及び１６の各ベースとに接続
されている。トランジスタ１５のエミッタは、トランジ
スタ１６のコレクタに接続されている。ジェネレータ９
は、例えば電圧５■の直流電力供給入力６に接続されて
いる。トランジスタ１６及び１７のエミッタは、トラン
ジスタ１８のコレクタに接続されている。トランジスタ
１８及び１９のベースは、抵抗器１０を介して例えば電
圧５■の直流電力供給入力に接続されている。トランジ
スタ１９のベースは、該トランジスタのコレクタに接続
されている。トランジスタ１８及び１９のエミッタは、
アース４に接続されている。
第２図に示す装置は、２つの電流ミラー回路２２及び２
３を備えている。その相互接続によって、始動時に装置
１の出力２４で使用することができる電流が指数的に増
大する増幅ループを得ることができる。供給される最大
電流は、１組のトランジスタ１８及び１９によって限定
される。トランジスタ１２が飽和状態に近づくと、トラ
ンジスタ１４が遮断すなわちブロック状態にされる。ジ
ェネレータ９によって、増幅ループが確実に始動する。
３を備えている。その相互接続によって、始動時に装置
１の出力２４で使用することができる電流が指数的に増
大する増幅ループを得ることができる。供給される最大
電流は、１組のトランジスタ１８及び１９によって限定
される。トランジスタ１２が飽和状態に近づくと、トラ
ンジスタ１４が遮断すなわちブロック状態にされる。ジ
ェネレータ９によって、増幅ループが確実に始動する。
増幅ループは、トランジスタ１５の入力２１への命令に
基づき始動する。抵抗器８とトランジスタ２０によって
、ＰＩＮダイオード２の機能を制御することができる。
基づき始動する。抵抗器８とトランジスタ２０によって
、ＰＩＮダイオード２の機能を制御することができる。
ダイオード２に漏洩電流が流れる場合、これ、を例えば
４０Ｖのブロック電圧にすることは不可能゛である。漏
洩電流が流れるダイオードの探知は、抵抗器８の端子で
電圧を測定して行われる。
４０Ｖのブロック電圧にすることは不可能゛である。漏
洩電流が流れるダイオードの探知は、抵抗器８の端子で
電圧を測定して行われる。
第２図に示す装置１は、集積回路として実施するのに最
適である。モノリシック回路装置の製作は、該装置の消
費電力を増大させる寄生トランジスタによって困難にな
る。モノリシック回路の基板は、所望のＰＮＰ形トラ゛
ンジスタに並列に接続されたコレクタの役割を果たす。
適である。モノリシック回路装置の製作は、該装置の消
費電力を増大させる寄生トランジスタによって困難にな
る。モノリシック回路の基板は、所望のＰＮＰ形トラ゛
ンジスタに並列に接続されたコレクタの役割を果たす。
本発明による装置によって、寄生電流を制限することが
できる。特に小さなジェネレータ９が供給する電流■を
使用することによって、装置の停止中の電力消費を最小
にすることができる。本発明による装置を例示的に示す
実施例においては、ジェネレータ９が供給する電流■は
１０μＡである。
できる。特に小さなジェネレータ９が供給する電流■を
使用することによって、装置の停止中の電力消費を最小
にすることができる。本発明による装置を例示的に示す
実施例においては、ジェネレータ９が供給する電流■は
１０μＡである。
第３図には、本発明による装置を適用した、整流型ＰＩ
Ｎダイオード２の電力供給装置を示す。
Ｎダイオード２の電力供給装置を示す。
前述のように、ＰＩＮダイオードの導通状態からブロッ
ク状態への整流には、ダイオードの接合部の電圧からブ
ロック電圧への上昇に続いて少数キャリアの除去を行う
必要がある。少数キャリアの除去には、多量の電流を必
要とする。また、ダイオードのブロックには、例えば４
０Ｖ以上の電圧を必要とする。第３図に示す装置は、低
電圧ジェネレータ６０と、制御回路６１と、高電圧ジェ
ネレータ１と、ブロックダイオード６３とを備えている
。高電圧ジェネレータ１は、第１図もしくは第２図に示
す装置に類似している。第３図には、制御回路６１に接
続する制御信号の入力６８と、コンデンサ３と並列に制
御回路６１に接続する整流型ＰＩＮダイオード２をも示
す。制御回路６１は、高電圧ジェネレータのゲート２１
及び低電圧ジェネレータ６０に接続されている。低電圧
ジェネレータの出力は、ダイオード６３を介してダイオ
ード２及びコンデンサ３に接続されている。高電圧ジェ
ネレータｌは、ダイオード２及びコンデンサ３に接続さ
れている。
ク状態への整流には、ダイオードの接合部の電圧からブ
ロック電圧への上昇に続いて少数キャリアの除去を行う
必要がある。少数キャリアの除去には、多量の電流を必
要とする。また、ダイオードのブロックには、例えば４
０Ｖ以上の電圧を必要とする。第３図に示す装置は、低
電圧ジェネレータ６０と、制御回路６１と、高電圧ジェ
ネレータ１と、ブロックダイオード６３とを備えている
。高電圧ジェネレータ１は、第１図もしくは第２図に示
す装置に類似している。第３図には、制御回路６１に接
続する制御信号の入力６８と、コンデンサ３と並列に制
御回路６１に接続する整流型ＰＩＮダイオード２をも示
す。制御回路６１は、高電圧ジェネレータのゲート２１
及び低電圧ジェネレータ６０に接続されている。低電圧
ジェネレータの出力は、ダイオード６３を介してダイオ
ード２及びコンデンサ３に接続されている。高電圧ジェ
ネレータｌは、ダイオード２及びコンデンサ３に接続さ
れている。
制御回路６１は、ダイオード２の人力とアースに接続さ
れている。制御回路６１は、コンパレータ等の電圧測定
装置を備えている。
れている。制御回路６１は、コンパレータ等の電圧測定
装置を備えている。
初期時に°、低電圧ジェネレータ６０は、少数キャリア
の除去を行うために多量の電流を供給する。
の除去を行うために多量の電流を供給する。
ダイオード２の端子の電圧が上昇し、少数キャリアが除
去されると、制御回路６１は電力供給回路１を可能化し
、ダイオードのブロックに必要な高電圧を発生させる。
去されると、制御回路６１は電力供給回路１を可能化し
、ダイオードのブロックに必要な高電圧を発生させる。
高電圧によってダイオード６３は分極し、低電圧ジェネ
レータ６０は高電圧ジェネレータ１から絶縁される。
レータ６０は高電圧ジェネレータ１から絶縁される。
低電圧ジェネレータの使用によって、高電圧ジェネレー
タの使用時間をより短くすることができる。従って、特
に高電圧ジェネレータ回路１の停止中の電力消費が低減
するという利点がある。
タの使用時間をより短くすることができる。従って、特
に高電圧ジェネレータ回路１の停止中の電力消費が低減
するという利点がある。
第３図の装置は、アンテナの移相器の各ＰＩＮダイオー
ドに接続されている。
ドに接続されている。
本発明は、主に電子走査アンテナを備えるレーダに適用
される。
される。
【図面の簡単な説明】
第１図は、通常の電子部品からなる本発明の実施例の概
略図である。 第２図は、半導体集積回路として実施された本発明によ
る装置の概略図である。 第３図は、ＰＩＮダイオードに接続された本発明による
装置の概略図である。 （主な参照番号） １・・電力供給装置、 ２ ・ ・ＰＩＮダイオード、 ８・・抵抗器、 １８、 １９．２０・・トランジスタ、２２、２３・・
電流ミラー回路、 ６０・・低電圧ジェネレータ
略図である。 第２図は、半導体集積回路として実施された本発明によ
る装置の概略図である。 第３図は、ＰＩＮダイオードに接続された本発明による
装置の概略図である。 （主な参照番号） １・・電力供給装置、 ２ ・ ・ＰＩＮダイオード、 ８・・抵抗器、 １８、 １９．２０・・トランジスタ、２２、２３・・
電流ミラー回路、 ６０・・低電圧ジェネレータ
Claims (10)
- （１）停止中には電力消費を制限し、命令に応じて迅速
且つ瞬間的に所望の電流を供給する増幅ループを備える
ことを特徴とする電力供給装置。 - （２）上記電力供給装置は、２つの電流ミラー回路を備
えることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の装
置。 - （３）上記電力供給装置は、最大供給電力を制限するト
ランジスタを備えることを特徴とする特許請求の範囲第
１項もしくは第２項に記載の装置。 - （４）上記電力供給装置は、集積回路として製作される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のい
ずれか１項に記載の装置。 - （５）特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか１項
に記載の電力供給装置を備えることを特徴とするＰＩＮ
ダイオード用の即応型の整流装置。 - （６）上記整流装置は、ＰＩＮダイオードの端子におけ
る電圧に比例した電圧を抵抗器に供給することを特徴と
する特許請求の範囲第５項に記載の装置。 - （７）上記電力供給装置は、少数キャリアの除去が確実
に実行されるように低電圧ジェネレータに接続され、上
記ＰＩＮダイオードのブロック化を確実に実行する増幅
ループを備えることを特徴とする特許請求の範囲第５項
もしくは第６項に記載の装置。 - （８）特許請求の範囲第５項乃至第７項のいずれか１項
に記載の整流装置が、各ＰＩＮダイオードに接続されて
いることを特徴とするＰＩＮダイオード移相器。 - （９）特許請求の範囲第８項に記載の移相器を備えるこ
とを特徴とする電子走査アンテナ。 - （１０）特許請求の範囲第９項に記載のアンテナを備え
ることを特徴とするレーダ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8509652 | 1985-06-25 | ||
| FR8509652A FR2583933B1 (fr) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | Alimentation electrique |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254311A true JPS6254311A (ja) | 1987-03-10 |
Family
ID=9320647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61149318A Pending JPS6254311A (ja) | 1985-06-25 | 1986-06-25 | 電力供給装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4703250A (ja) |
| EP (1) | EP0208588B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6254311A (ja) |
| CA (1) | CA1280471C (ja) |
| DE (1) | DE3683415D1 (ja) |
| FR (1) | FR2583933B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2641388B1 (fr) * | 1988-12-30 | 1991-03-15 | Radiotechnique Compelec | Circuit integre comprenant un generateur de courant commutable |
| IT1228842B (it) * | 1989-02-21 | 1991-07-05 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito per la regolazione della corrente di base di un dispositivo di potenza a semiconduttore. |
| US5272432A (en) * | 1991-05-01 | 1993-12-21 | Winbond Electronics N.A. Corporation | DAC current source with stabilizing bias |
| US6434368B1 (en) | 1998-10-27 | 2002-08-13 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Diode-based switch for a radio transceiver |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3622865A (en) * | 1970-08-20 | 1971-11-23 | Stromberg Carlson Corp | Current limiting switching circuit |
| NL7017919A (ja) * | 1970-12-09 | 1972-06-13 | ||
| US3813561A (en) * | 1972-10-16 | 1974-05-28 | Lrc Inc | Voltage control switch driver |
| US3898552A (en) * | 1974-02-21 | 1975-08-05 | Westinghouse Electric Corp | DC Static switch circuit with improved transistor surge current pass capability |
| US3959750A (en) * | 1975-05-22 | 1976-05-25 | Sanders Associates, Inc. | Microwave diode switch wherein first diode carries greater control signal current than second diode |
| FR2327649A1 (fr) * | 1975-10-07 | 1977-05-06 | Thomson Csf | Dispositif de dephasage pour antenne a balayage electronique |
| US4323796A (en) * | 1980-01-30 | 1982-04-06 | Motorola, Inc. | Low transient feedthru FET sample and hold gate |
| US4354122A (en) * | 1980-08-08 | 1982-10-12 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Voltage to current converter |
| US4429270A (en) * | 1982-02-26 | 1984-01-31 | Motorola, Inc. | Switched current source for sourcing current to and sinking current from an output node |
| US4458201A (en) * | 1982-04-05 | 1984-07-03 | Burr-Brown Research Corp. | Digitally controlled precision current source with an open loop compensation circuit |
| US4507629A (en) * | 1983-03-01 | 1985-03-26 | Frank Gilbert H | Microwave phase shifter |
| IT8435532U1 (it) * | 1984-01-23 | 1985-07-23 | Selenia Spazio Spa | "Relay" allo stato solido per impieghi spaziali ed avionici |
-
1985
- 1985-06-25 FR FR8509652A patent/FR2583933B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-06-20 EP EP86401353A patent/EP0208588B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1986-06-20 DE DE8686401353T patent/DE3683415D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-06-23 CA CA000512211A patent/CA1280471C/fr not_active Expired - Lifetime
- 1986-06-23 US US06/877,353 patent/US4703250A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-06-25 JP JP61149318A patent/JPS6254311A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0208588A1 (fr) | 1987-01-14 |
| FR2583933B1 (fr) | 1995-09-01 |
| FR2583933A1 (fr) | 1986-12-26 |
| US4703250A (en) | 1987-10-27 |
| CA1280471C (fr) | 1991-02-19 |
| EP0208588B1 (fr) | 1992-01-15 |
| DE3683415D1 (de) | 1992-02-27 |
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