JPS6254485A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
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- JPS6254485A JPS6254485A JP60193094A JP19309485A JPS6254485A JP S6254485 A JPS6254485 A JP S6254485A JP 60193094 A JP60193094 A JP 60193094A JP 19309485 A JP19309485 A JP 19309485A JP S6254485 A JPS6254485 A JP S6254485A
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- Japan
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- light emitting
- electrode
- side electrode
- emitting element
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体発光素子の製造方法にかかり、特に化
合物半導体発光素子の製造方法に適用されるものである
。
合物半導体発光素子の製造方法に適用されるものである
。
化合物半導体発光素子の例えばＧａＡｓ、 ＧａＡｌＡ
ｓ系発光素子の製造は一般に次のように行なわれる。
ｓ系発光素子の製造は一般に次のように行なわれる。
−例として第３図に示すＧａＡｓ赤外発光素子チップは
、まず、そのＮ型ＧａＡｓ基板１０１の一方の主面にＮ
型ＧａＡｓ層１０２とＰ型ＧａＡｓ層１０３を液相成長
法によリエピタキシャル形成させＰＮ接合１０４を設け
る。
、まず、そのＮ型ＧａＡｓ基板１０１の一方の主面にＮ
型ＧａＡｓ層１０２とＰ型ＧａＡｓ層１０３を液相成長
法によリエピタキシャル形成させＰＮ接合１０４を設け
る。
次に、ＰＮ接合１０４のＰ型層にＰ側電極１０５を、Ｎ
型層にＮ側電極１０６を設けたのちダイシングを施して
個々の素子チップに分離する。このダイシングにより生
じた表面の破砕層を除去するには硝酸を含む混液、例え
ば硝酸１０に対し水、酢酸等１〜２を加えた混液が用い
られ、これによって表面の破砕層が除かれるとともに、
電極部を除くチップの表面を微視的な凹凸面１０７に食
刻して発光効率の向上と信頼性の向上を図っている。
型層にＮ側電極１０６を設けたのちダイシングを施して
個々の素子チップに分離する。このダイシングにより生
じた表面の破砕層を除去するには硝酸を含む混液、例え
ば硝酸１０に対し水、酢酸等１〜２を加えた混液が用い
られ、これによって表面の破砕層が除かれるとともに、
電極部を除くチップの表面を微視的な凹凸面１０７に食
刻して発光効率の向上と信頼性の向上を図っている。
上記従来の混合液を用いて発光素子チップの電極部を除
く結晶面にエツチングを施した場合、エツチング液中の
金属イオン、または金属の影響によるとみられるエツチ
ング面のむら、すなわち、鏡面状部、微視的な凹凸面部
が第３図に示すように不均一に現われる。
く結晶面にエツチングを施した場合、エツチング液中の
金属イオン、または金属の影響によるとみられるエツチ
ング面のむら、すなわち、鏡面状部、微視的な凹凸面部
が第３図に示すように不均一に現われる。
上記結晶面の状態をみると１発光素子に通電して発光さ
せた場合、結晶面に到達した発光光のうち臨界角を越す
成分は内部反射を起こして内部で吸収されてしまう。鏡
面と微視的な凹凸面を比較すると、微視的な凹凸面の方
が結晶面に到達した発光光のうち内部反射を起す成分が
鏡面状よりも減少するので、外部発光効率を上げる手段
として実用化されている。しかし、上記従来の技術では
不均一になるので改良が強く要望されていた。
せた場合、結晶面に到達した発光光のうち臨界角を越す
成分は内部反射を起こして内部で吸収されてしまう。鏡
面と微視的な凹凸面を比較すると、微視的な凹凸面の方
が結晶面に到達した発光光のうち内部反射を起す成分が
鏡面状よりも減少するので、外部発光効率を上げる手段
として実用化されている。しかし、上記従来の技術では
不均一になるので改良が強く要望されていた。
この発明は上記従来の問題点を改良し発光効率を向上さ
せる製造方法を提供するものである。
せる製造方法を提供するものである。
この発明にかかる半導体発光素子の製造方法は、発光素
子チップの電極部（１０５，１０６）を耐酸性の保護膜
（１）で被覆する工程と、硝酸を含む混合液によって発
光素子チップの発光表面にエツチングを施し微視的凹凸
面（２）に形成する工程を含むものである。
子チップの電極部（１０５，１０６）を耐酸性の保護膜
（１）で被覆する工程と、硝酸を含む混合液によって発
光素子チップの発光表面にエツチングを施し微視的凹凸
面（２）に形成する工程を含むものである。
この発明によれば、素子チップの結晶面のエツチングが
、電極を保護膜で被覆して施されるので、エツチング液
に対する金属イオンや金属による影響が皆無となり、均
一な微視的凹凸面が得られ、外部発光効率が２０％向上
をみた。
、電極を保護膜で被覆して施されるので、エツチング液
に対する金属イオンや金属による影響が皆無となり、均
一な微視的凹凸面が得られ、外部発光効率が２０％向上
をみた。
以下にこの発明の一実施例につき第１図および第２図を
参照して説明する。なお、説明において従来と変わらな
い部分については図面に同じ符号をつけて示し説明を省
略する。
参照して説明する。なお、説明において従来と変わらな
い部分については図面に同じ符号をつけて示し説明を省
略する。
第１図はこの発明の一実施例の製造方法によって形成さ
れた半導体発光素子の発光光路を併せて示した断面図で
、第２図ａ ’−ａはこの発明の製造方法の要部を工程
順に示すいずれも断面図である。
れた半導体発光素子の発光光路を併せて示した断面図で
、第２図ａ ’−ａはこの発明の製造方法の要部を工程
順に示すいずれも断面図である。
まず、第２図に示すようにＰ側電極１０５．Ｎ側電極１
０６まで形成された半導体基板のＰ側電極１０５を保護
膜１１で被覆する（図ａ）。なおこの保護膜は電極がＡ
ｕの場合にはレジスト膜、Ａｌの場合にはレジスト膜、
またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）手段で形成された５ｉｎ２膜である。
０６まで形成された半導体基板のＰ側電極１０５を保護
膜１１で被覆する（図ａ）。なおこの保護膜は電極がＡ
ｕの場合にはレジスト膜、Ａｌの場合にはレジスト膜、
またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ）手段で形成された５ｉｎ２膜である。
次にＮ側電極１０６をダイシングシート１３に貼着しダ
イシングを施す（図ｂ）０図における１４はダイシング
溝である。
イシングを施す（図ｂ）０図における１４はダイシング
溝である。
このように分離された素子チップを硝酸希釈液に浸漬し
、結晶表面にエツチングを施して微視的な凹凸面１２に
形成する（図ｃ）、なお、保護膜１１は弗化アンモンに
より結晶表面を損傷することなく容 ノ易に除去できる
。また、レジストの場合にはレジスト剥離剤で除去する
。
、結晶表面にエツチングを施して微視的な凹凸面１２に
形成する（図ｃ）、なお、保護膜１１は弗化アンモンに
より結晶表面を損傷することなく容 ノ易に除去できる
。また、レジストの場合にはレジスト剥離剤で除去する
。
叙上によって得られる微視的な凹凸面は電極、保護膜被
覆部を除く結晶表面の全面に対し均一に形成され、深さ
は３μ程度でよく、視感では砂を撒いたように認められ
る。
覆部を除く結晶表面の全面に対し均一に形成され、深さ
は３μ程度でよく、視感では砂を撒いたように認められ
る。
叙上により形成された発光素子チップは第１図に発光光
路とともに示されるように、ＰＮ接合に順方向の電流が
流された場合、この接合の近傍を発した光は結晶内部を
通過して結晶表面全面から放出される。
路とともに示されるように、ＰＮ接合に順方向の電流が
流された場合、この接合の近傍を発した光は結晶内部を
通過して結晶表面全面から放出される。
この発明によれば、結晶内部を通過する間は従来と変ら
ず光路長に対応した吸収が起るが、表面の均一な微視的
な凹凸により表面に到達した発光光が臨界角以内である
確率が増大し、結果として内部反射が減少し、外部発光
効率が従来の電極保護膜を設けない工程に比し２０％も
向上するという顕著な効果がある。
ず光路長に対応した吸収が起るが、表面の均一な微視的
な凹凸により表面に到達した発光光が臨界角以内である
確率が増大し、結果として内部反射が減少し、外部発光
効率が従来の電極保護膜を設けない工程に比し２０％も
向上するという顕著な効果がある。
第１図はこの発明にかかる一実施例の発光素子チップと
その発光光路を示す断面図、第２図ａないしＣは第１図
に示す発光素子の製造工程の要部を示すいずれも断面図
、第３図は従来の発光素子チップとその発光光路を示す
断面図である。
その発光光路を示す断面図、第２図ａないしＣは第１図
に示す発光素子の製造工程の要部を示すいずれも断面図
、第３図は従来の発光素子チップとその発光光路を示す
断面図である。
Claims (1)
- 発光素子チップの電極部を耐酸性の保護膜で被覆する
工程と、硝酸を含む混合液によって発光素子チップの発
光表面にエッチングを施し微視的凹凸面に形成する工程
を含む半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60193094A JPS6254485A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60193094A JPS6254485A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254485A true JPS6254485A (ja) | 1987-03-10 |
Family
ID=16302130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60193094A Pending JPS6254485A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6254485A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5898192A (en) * | 1995-10-09 | 1999-04-27 | Temic Telefunken Microelectronic Gmbh | Light emitting diode with improved luminous efficiency having a contact structure disposed on a frosted outer surface |
| US6265236B1 (en) * | 1995-10-09 | 2001-07-24 | Temic Telefunken Microelectronic Gmbh | Method for the manufacture of a light emitting diode |
| JP2005116615A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP5310564B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-10-09 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-09-03 JP JP60193094A patent/JPS6254485A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5898192A (en) * | 1995-10-09 | 1999-04-27 | Temic Telefunken Microelectronic Gmbh | Light emitting diode with improved luminous efficiency having a contact structure disposed on a frosted outer surface |
| US6265236B1 (en) * | 1995-10-09 | 2001-07-24 | Temic Telefunken Microelectronic Gmbh | Method for the manufacture of a light emitting diode |
| JP2005116615A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP5310564B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-10-09 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2013211595A (ja) * | 2007-12-28 | 2013-10-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
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