JPS6254907A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS6254907A JPS6254907A JP19392585A JP19392585A JPS6254907A JP S6254907 A JPS6254907 A JP S6254907A JP 19392585 A JP19392585 A JP 19392585A JP 19392585 A JP19392585 A JP 19392585A JP S6254907 A JPS6254907 A JP S6254907A
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- JP
- Japan
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- base material
- magnetic field
- permanent magnet
- film
- sputtering apparatus
- Prior art date
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はスパッタ装置に係り、特に磁気異方性をもつ磁
性体膜を形成するための基材表面への平行磁場付与に関
する。
性体膜を形成するための基材表面への平行磁場付与に関
する。
薄膜磁気ヘッドのコア材料の表面等にスパッタ装置で磁
性体膜を形成する際に、磁性体膜に一軸異方性を与える
ために、成膜中に成膜すべきコア材料等の基材表面に平
行磁場を与えることが行われている。この平行磁場は電
磁石を用いる方式と永久磁石を用いる方式があるが、ス
パッタ装置をコンパクト化するには永久磁石方式が有利
である。
性体膜を形成する際に、磁性体膜に一軸異方性を与える
ために、成膜中に成膜すべきコア材料等の基材表面に平
行磁場を与えることが行われている。この平行磁場は電
磁石を用いる方式と永久磁石を用いる方式があるが、ス
パッタ装置をコンパクト化するには永久磁石方式が有利
である。
一方、成膜磁性材料により高磁束密度材料を使用してよ
り優れた一軸異方性の磁性体膜を得ることが要望されて
いるが、従来のスパッタ装置では、平行磁場発生磁石の
均質性やプラズマ収束用磁界の影響等で平行磁場に不均
一(歪)が生じており、従って高磁束密度材料を使用す
る程この平行磁場の不均一性の影響が顕著になって均質
な一軸異方性をもつ磁性体膜が得られないことがわかっ
た。
り優れた一軸異方性の磁性体膜を得ることが要望されて
いるが、従来のスパッタ装置では、平行磁場発生磁石の
均質性やプラズマ収束用磁界の影響等で平行磁場に不均
一(歪)が生じており、従って高磁束密度材料を使用す
る程この平行磁場の不均一性の影響が顕著になって均質
な一軸異方性をもつ磁性体膜が得られないことがわかっ
た。
なお、この種のスパッタ装置は、特開昭58−2547
5号公報や特開昭58−147560号公報に開示され
ている。
5号公報や特開昭58−147560号公報に開示され
ている。
従って本発明の目的は、成膜すべき基材の表面に与える
平行磁場の歪による悪影響を軽減し、より優れた磁性体
膜を形成できるスパッタ装置を提供することにある。
平行磁場の歪による悪影響を軽減し、より優れた磁性体
膜を形成できるスパッタ装置を提供することにある。
本発明は、成膜すべき基材の表面に与える平行磁場の極
性を成膜途中で反転させることにより基材表面に作用す
る平行磁場の歪の影響を軽減し、以って磁性体膜の一軸
異方性の均質性を高めるものである。
性を成膜途中で反転させることにより基材表面に作用す
る平行磁場の歪の影響を軽減し、以って磁性体膜の一軸
異方性の均質性を高めるものである。
従って本発明のスパッタ装置は、平行磁場極性反転手段
を備えている。この平行磁場極性反転手段は、平行磁場
発生手段が電磁石である場合にはその励磁電流の方向を
反転する切換えスイッチによって実現されるが、永久磁
石を用いる場合には永久磁石または成膜すべき基材を回
転させる回転機構によって実現される。
を備えている。この平行磁場極性反転手段は、平行磁場
発生手段が電磁石である場合にはその励磁電流の方向を
反転する切換えスイッチによって実現されるが、永久磁
石を用いる場合には永久磁石または成膜すべき基材を回
転させる回転機構によって実現される。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第2図は本発明になるスパッタ装置の縦断側面図で、真
空容器1内にターゲット部2と基材部3が配置される。
空容器1内にターゲット部2と基材部3が配置される。
真空容器1内は排気口4から排気装置(図示せず)によ
って10−’Torr程度の超真空度に排気され、その
後、給気口5からガス供給系(図示せず)によってアル
ゴンガス等が供給されて一定の雰囲気ガス圧に保たれる
。この実施例のスパッタ装置はマグネトロン方式のもの
であって、ターゲット部2は絶縁物6によって真空容器
1から絶縁された容器7と、この容器7内に収容されて
マグネトロン磁場を発生する環状の永久磁石8a、8b
と、この永久磁石3a、8bから出る磁束に帰路を与え
る鉄心9と、真空容器lと同電位のアースシールド10
を備え、成膜材から成るターゲット11は容器7および
永久磁石Ha。
って10−’Torr程度の超真空度に排気され、その
後、給気口5からガス供給系(図示せず)によってアル
ゴンガス等が供給されて一定の雰囲気ガス圧に保たれる
。この実施例のスパッタ装置はマグネトロン方式のもの
であって、ターゲット部2は絶縁物6によって真空容器
1から絶縁された容器7と、この容器7内に収容されて
マグネトロン磁場を発生する環状の永久磁石8a、8b
と、この永久磁石3a、8bから出る磁束に帰路を与え
る鉄心9と、真空容器lと同電位のアースシールド10
を備え、成膜材から成るターゲット11は容器7および
永久磁石Ha。
8bの上に真空容器1から絶縁状態で保持される。
基材部3は、真空容器1に気密に保持されて成膜すべき
基材2を前記ターゲットllに対抗させて保持する基材
ホルダー13と、この基材ホルダー13の水平方向両側
に配置されて前記基材12の表面に平行磁場を与える一
対の永久磁石14a。
基材2を前記ターゲットllに対抗させて保持する基材
ホルダー13と、この基材ホルダー13の水平方向両側
に配置されて前記基材12の表面に平行磁場を与える一
対の永久磁石14a。
14bと、真空容器1に対して気密に保持されて前記永
久磁石14a、14bを前記状態に保持すると共に上下
動および回転可能な磁石ホルダー15a、15bと、こ
の磁石ホルダー15a、15bを上下動および回転する
磁石駆動機構162,16bとを備えている。前記永久
磁石14a、14bは紙面と直角方向に長軸の長方形磁
性材で構成され、短軸方向に着磁され、この着磁面が基
材12と対向している。前記磁石ホルダー15a、15
bは、この永久磁石14a、14bを長軸および短軸方
向中心を軸にして支持するもので、前記磁石駆動機構1
63.16bは永久磁石14a、14bを上下動するた
めに軸合体を上下動または伸縮する機構と永久磁石14
a、14bに水平回転を与える軸回転機構を備える。
久磁石14a、14bを前記状態に保持すると共に上下
動および回転可能な磁石ホルダー15a、15bと、こ
の磁石ホルダー15a、15bを上下動および回転する
磁石駆動機構162,16bとを備えている。前記永久
磁石14a、14bは紙面と直角方向に長軸の長方形磁
性材で構成され、短軸方向に着磁され、この着磁面が基
材12と対向している。前記磁石ホルダー15a、15
bは、この永久磁石14a、14bを長軸および短軸方
向中心を軸にして支持するもので、前記磁石駆動機構1
63.16bは永久磁石14a、14bを上下動するた
めに軸合体を上下動または伸縮する機構と永久磁石14
a、14bに水平回転を与える軸回転機構を備える。
このスパッタ装置は、真空容器1が接地電位にされ、タ
ーゲット11にはグロー放電を維持する電圧を与える電
源17が接続される。この実施例では基材部3を真空容
器1と同じ接地電位にしているが、バイアススパッタ等
の目的で数十ボルト程度の負電位または高周波電位を与
える場合もある。
ーゲット11にはグロー放電を維持する電圧を与える電
源17が接続される。この実施例では基材部3を真空容
器1と同じ接地電位にしているが、バイアススパッタ等
の目的で数十ボルト程度の負電位または高周波電位を与
える場合もある。
以上の構成において、ターゲット11に電源17から電
圧が与えられるとターゲット11と基材12および真空
容器1の間にグロー放電が生じプラズマが生成される。
圧が与えられるとターゲット11と基材12および真空
容器1の間にグロー放電が生じプラズマが生成される。
ターゲット11の前面には永久磁石8a、3bによって
マグネトロン磁場が発生しており、従ってここには局部
的に高密度のプラズマが生じ、これによりスパッタされ
たターゲット11の磁性体粒子は基材12の表面に付着
して磁性体の薄膜を形成する。このとき、基材12の表
面には永久磁石14a、14bによって平行磁場が与え
られているので、基材12の表面に付着する磁性体粒子
はこの平行磁場に沿って整列され磁性体膜には磁気異方
性が与えられる。
マグネトロン磁場が発生しており、従ってここには局部
的に高密度のプラズマが生じ、これによりスパッタされ
たターゲット11の磁性体粒子は基材12の表面に付着
して磁性体の薄膜を形成する。このとき、基材12の表
面には永久磁石14a、14bによって平行磁場が与え
られているので、基材12の表面に付着する磁性体粒子
はこの平行磁場に沿って整列され磁性体膜には磁気異方
性が与えられる。
この磁性体膜の磁気異方性はターゲット11に用いる磁
性体の材質および前記平行磁場の均質性に影響されるが
、平行磁場は前述のように永久磁石14a、14bの材
質や着磁の不均一あるいはマグネトロン磁場の影響で歪
んでいる。
性体の材質および前記平行磁場の均質性に影響されるが
、平行磁場は前述のように永久磁石14a、14bの材
質や着磁の不均一あるいはマグネトロン磁場の影響で歪
んでいる。
この実施例はこの平行磁場の歪の影響を軽減するために
、成膜途中で磁石駆動機構162.16bを働かせて、
第1図のように磁石ホルダー15a、15bを下降させ
て基材ホルダー13および基材12と非対向状態にして
衝突をさけると共に基材12に対する永久磁石14a、
14bの影響が少なくなるようにし、該位置において磁
石ホルダー15a、15bを水平方向に180度回転さ
せて平行磁場の極性を反転し、しかる後に磁石ホルダー
15a、’15bを上昇させて元の位置に戻す。
、成膜途中で磁石駆動機構162.16bを働かせて、
第1図のように磁石ホルダー15a、15bを下降させ
て基材ホルダー13および基材12と非対向状態にして
衝突をさけると共に基材12に対する永久磁石14a、
14bの影響が少なくなるようにし、該位置において磁
石ホルダー15a、15bを水平方向に180度回転さ
せて平行磁場の極性を反転し、しかる後に磁石ホルダー
15a、’15bを上昇させて元の位置に戻す。
このように永久磁石14a、14bを回転させ平行磁場
の極性を反転させると、例えば永久磁石14a、14b
から発生する磁場そのものに歪がある場合にはその歪が
解消されあるいは歪が反転して相殺され、またマグネト
ロン磁場による影響も相対的に反転してそれまでの影響
を相殺する方向になるので、平行磁場の歪による磁性体
膜の磁気異方性の局部的な乱れがなくなり、基材12の
表面に均質性の高い磁性体膜を形成することができる。
の極性を反転させると、例えば永久磁石14a、14b
から発生する磁場そのものに歪がある場合にはその歪が
解消されあるいは歪が反転して相殺され、またマグネト
ロン磁場による影響も相対的に反転してそれまでの影響
を相殺する方向になるので、平行磁場の歪による磁性体
膜の磁気異方性の局部的な乱れがなくなり、基材12の
表面に均質性の高い磁性体膜を形成することができる。
第3図に示す実施例は、磁石ホルダー15a。
15bが基材12よりも上方に上昇した後に回転するよ
うに構成されている点で先に述べた実施例と相違する。
うに構成されている点で先に述べた実施例と相違する。
このようにすると、永久磁石14a。
14bと磁石ホルダー153.15bは基材ホルダー1
3の背後で回転するようになるので、回転中の永久磁石
14a、14bからの磁界が基材12に与える影響の程
度は更に軽減し、またプラズマへの影響も少なくなる。
3の背後で回転するようになるので、回転中の永久磁石
14a、14bからの磁界が基材12に与える影響の程
度は更に軽減し、またプラズマへの影響も少なくなる。
なお何れの実施例においても成膜所要時間に対して平行
磁場極性反転所要時間は極めて短時間であるので、この
平行磁場の極性反転中の磁場の乱れが磁性体膜の磁気異
方性に及ぼす影響は実用上無視し得る程度に少ない。
磁場極性反転所要時間は極めて短時間であるので、この
平行磁場の極性反転中の磁場の乱れが磁性体膜の磁気異
方性に及ぼす影響は実用上無視し得る程度に少ない。
第4図および第5図は先に述べた実施例における基材1
2と永久磁石14a、14bの関係を平面的にみたもの
で、第4図は平行磁場極性反転前の状態、第5図は平行
磁場極性反転後の状態である。そしてこのような平行磁
場の極性反転は、1回だけでなく、1つの基材12に対
する成膜の途中で複数回行えばより均質な磁性体膜が得
られる。
2と永久磁石14a、14bの関係を平面的にみたもの
で、第4図は平行磁場極性反転前の状態、第5図は平行
磁場極性反転後の状態である。そしてこのような平行磁
場の極性反転は、1回だけでなく、1つの基材12に対
する成膜の途中で複数回行えばより均質な磁性体膜が得
られる。
以上に述べた実施例は、基材ホルダー13に保持されて
成膜される基材12は1つであったが、第6図に示すよ
うに、永久磁石14a、14bの長軸方向に2つ(複数
個)の基材12a、12bを並べて保持して同時に成膜
するようにすることもできる。このようにした場合には
、当然に、永久磁石14a、14bの長軸方向の寸法を
大きくとらなければならない。このような場合、2つの
永久磁石14a、14bを同一水平レベルで回転させる
と回転途中で両者が接触して回転不能になる恐れがある
。従ってこのような構成の場合には、第7図に示すよう
に、磁石ホルダー15a、15bの下降量に相違を与え
、回転中に永久磁石14゛a、14bおよび磁石ホルダ
ー153.15bが相互干渉しないようにするのがよい
。
成膜される基材12は1つであったが、第6図に示すよ
うに、永久磁石14a、14bの長軸方向に2つ(複数
個)の基材12a、12bを並べて保持して同時に成膜
するようにすることもできる。このようにした場合には
、当然に、永久磁石14a、14bの長軸方向の寸法を
大きくとらなければならない。このような場合、2つの
永久磁石14a、14bを同一水平レベルで回転させる
と回転途中で両者が接触して回転不能になる恐れがある
。従ってこのような構成の場合には、第7図に示すよう
に、磁石ホルダー15a、15bの下降量に相違を与え
、回転中に永久磁石14゛a、14bおよび磁石ホルダ
ー153.15bが相互干渉しないようにするのがよい
。
第8図は永久磁石14a、14bを磁石ホルダー15a
、t5bによって開門的に保持し、基材ホルダー13を
回転させる基材駆動機構18を設けた実施例である。こ
の実施例における基材駆動機構18は、基材ホルダー1
3を高速に180度回転させる機能をもち、上下動させ
る機能はもたない。すなわち、この実施例は、平行磁場
極性反転のための基材ホルダー13の回転所要時間が成
膜所要時間に比較して極端に短く、この間に基材12に
作用する磁場は形成される磁性体膜の磁気異方性の乱れ
が無視できる程度に少ないことを利用するものである。
、t5bによって開門的に保持し、基材ホルダー13を
回転させる基材駆動機構18を設けた実施例である。こ
の実施例における基材駆動機構18は、基材ホルダー1
3を高速に180度回転させる機能をもち、上下動させ
る機能はもたない。すなわち、この実施例は、平行磁場
極性反転のための基材ホルダー13の回転所要時間が成
膜所要時間に比較して極端に短く、この間に基材12に
作用する磁場は形成される磁性体膜の磁気異方性の乱れ
が無視できる程度に少ないことを利用するものである。
そしてこの実施例は、基材駆動機構18が基材ホルダー
13を回転させるだけの単純な構成で足りる効果がある
。
13を回転させるだけの単純な構成で足りる効果がある
。
第9図は第8図に示した実施例を改良したもので、基材
ホルダー13を回転させるときに基材12に対して永久
磁石14a、14bの磁界が作用しないように構成し、
磁性体膜により優れた磁気異方性を与るものである。こ
の実施例における磁石ホルダー158.15bは真空容
器1の側壁から水平方向に伸びて永久磁石14a、14
bを基材12の両側に保持している。そして磁石駆動機
構162.16bは磁石ホルダー15a、15bを後退
、前進させる機能だけをもち、基材ホルダー13を回転
させるときには、第10図に示すように、磁石ホルダー
152,15bを後退させて永久磁石14a、14bに
よる磁界が基材12に作用しないようにするものである
。
ホルダー13を回転させるときに基材12に対して永久
磁石14a、14bの磁界が作用しないように構成し、
磁性体膜により優れた磁気異方性を与るものである。こ
の実施例における磁石ホルダー158.15bは真空容
器1の側壁から水平方向に伸びて永久磁石14a、14
bを基材12の両側に保持している。そして磁石駆動機
構162.16bは磁石ホルダー15a、15bを後退
、前進させる機能だけをもち、基材ホルダー13を回転
させるときには、第10図に示すように、磁石ホルダー
152,15bを後退させて永久磁石14a、14bに
よる磁界が基材12に作用しないようにするものである
。
第11図に示す実施例は、永久磁石14a、14bを長
軸方向に伸びる回転軸19a、19bにより該永久磁石
14a、14bが該回転軸19a。
軸方向に伸びる回転軸19a、19bにより該永久磁石
14a、14bが該回転軸19a。
19bと共に該軸を中心に180度回転するようにした
例である。この回転軸19a、19bを回転させる回転
軸駆動機構は図示してないが、回転軸19a、19bは
真空容器1の側壁を貫通して容器外に導出され、そこで
これを180度回転させる機能をもつ回転軸駆動機構に
結合される。
例である。この回転軸19a、19bを回転させる回転
軸駆動機構は図示してないが、回転軸19a、19bは
真空容器1の側壁を貫通して容器外に導出され、そこで
これを180度回転させる機能をもつ回転軸駆動機構に
結合される。
第12図は第11図に示す実施例における永久磁石14
a、14bの反転機構の改良例で、一方の永久磁石14
aの反転機構を図示したものである。永久磁石14aは
回転軸19aに対してクランクロッド20aを介して保
持される。クランクロフト20aは回転軸19aに対し
て一体的に結合されるが、永久磁石14aはクランクロ
ッド20aの回転に対して水平状態を保つように取付け
られる。そして永久磁石14aはクランクロッド20a
が垂直位置まで回転(公転)したときに回転ビン21a
に当接してその反力で180度回転(自転)するように
構成される。この実施例も永久磁石14a、14bの回
転を基材12から遠く離れた位置で行うことができ、従
って回転中の悪影響がなくなる効果をもつ。
a、14bの反転機構の改良例で、一方の永久磁石14
aの反転機構を図示したものである。永久磁石14aは
回転軸19aに対してクランクロッド20aを介して保
持される。クランクロフト20aは回転軸19aに対し
て一体的に結合されるが、永久磁石14aはクランクロ
ッド20aの回転に対して水平状態を保つように取付け
られる。そして永久磁石14aはクランクロッド20a
が垂直位置まで回転(公転)したときに回転ビン21a
に当接してその反力で180度回転(自転)するように
構成される。この実施例も永久磁石14a、14bの回
転を基材12から遠く離れた位置で行うことができ、従
って回転中の悪影響がなくなる効果をもつ。
以上のように本発明のスパッタ装置は、成膜すべき基材
の表面に与える平行磁場の極性を成膜途中で反転させる
ようにしたので、基材表面に作用する平行磁場の歪の影
響を軽減して、均質性の高い磁気異方性の磁性体膜を形
成することができる。
の表面に与える平行磁場の極性を成膜途中で反転させる
ようにしたので、基材表面に作用する平行磁場の歪の影
響を軽減して、均質性の高い磁気異方性の磁性体膜を形
成することができる。
図面は本発明の実施例を示すもので、第1図および第2
図は本発明の一実施例を示すスパッタ装置の縦断側面図
、第3図は他の実施例を示す縦断側面図、第4図〜第6
図は基材と永久磁石の関係を示す下面図、第7図〜第1
1図は更に他の4つの実施例を示す縦断側面図、第12
図は更に他の実施例における永久磁石反転機構の側面図
である。 1・・・・・・真空容器、2・・・・・・ターゲット部
、3・・・・・・基材部、3a、3b・・・・・・マグ
ネトロン磁場用の永久磁石、11・・・・・・ターゲッ
ト、12・・・・・・基材、13・・・・・・基材ホル
ダー、14a、14b・・・・・・平行磁場用の永久磁
石、15a、15b・・・・・・磁石ホルダー、16a
、16b・・・・・・磁石駆動機構。 第1図 第2図 第31!1 第4図 第5− 第6Z 第711 第8図 第9図 第to II 第11図 第12国
図は本発明の一実施例を示すスパッタ装置の縦断側面図
、第3図は他の実施例を示す縦断側面図、第4図〜第6
図は基材と永久磁石の関係を示す下面図、第7図〜第1
1図は更に他の4つの実施例を示す縦断側面図、第12
図は更に他の実施例における永久磁石反転機構の側面図
である。 1・・・・・・真空容器、2・・・・・・ターゲット部
、3・・・・・・基材部、3a、3b・・・・・・マグ
ネトロン磁場用の永久磁石、11・・・・・・ターゲッ
ト、12・・・・・・基材、13・・・・・・基材ホル
ダー、14a、14b・・・・・・平行磁場用の永久磁
石、15a、15b・・・・・・磁石ホルダー、16a
、16b・・・・・・磁石駆動機構。 第1図 第2図 第31!1 第4図 第5− 第6Z 第711 第8図 第9図 第to II 第11図 第12国
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、真空容器と、この真空容器内に成膜材から成るター
ゲットを保持する手段と、成膜すべき基材を保持する基
材保持台と、前記基材表面に平行磁場を与えこの基材表
面に形成される磁性膜に磁気異方性を与える磁石装置と
を備えたスパッタ装置において、前記基材表面に与えら
れる平行磁場の極性を反転する平行磁場極性反転手段を
設けたことを特徴とするスパッタ装置。 2、特許請求の範囲第1項において、前記磁石装置は、
前記基材保持台の両側に配置される永久磁石と、この永
久磁石を保持する永久磁石保持台とを備え、前記平行磁
場極性反転手段は、前記基材保持台または前記永久磁石
を回転させて基材と永久磁石の対向極性を反転させる回
転機構を有することを特徴とするスパッタ装置。 3、特許請求の範囲第2項において、前記平行磁場極性
反転手段は、更に、前記基材保持台と永久磁石を非対向
状態に移動する非対向移動手段を備え、基材保持台また
は永久磁石は非対向状態に移動した後に反転してその後
に対向状態に戻されることを特徴とするスパッタ装置。 4、特許請求の範囲第3項において、前記回転機構は前
記基材保持台と永久磁石保持台の一方に結合され、前記
非対向移動手段は前記基材保持台と永久磁石保持台の他
方に結合されることを特徴とするスパッタ装置。 5、特許請求の範囲第2項において、前記永久磁石は短
軸方向に着磁されて対向する長方形磁性材で構成され、
前記回転機構はこの永久磁石を長軸方向の中心軸を中心
に回転させることを特徴とするスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19392585A JPS6254907A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19392585A JPS6254907A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | スパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6254907A true JPS6254907A (ja) | 1987-03-10 |
| JPH0564846B2 JPH0564846B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=16316020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19392585A Granted JPS6254907A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6254907A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307272A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-14 | Hitachi Ltd | イオンビ−ムスパツタ装置 |
| JPH03191060A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | スパツタ装置 |
| JP2009138277A (ja) * | 2009-01-27 | 2009-06-25 | Canon Anelva Corp | マグネトロンスパッタリング装置 |
| JP5149285B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2013-02-20 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリングにより成膜する磁気デバイスの製造装置及び磁気デバイスの製造方法 |
| JP2015183264A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | Tdk株式会社 | スパッタリング成膜装置 |
| WO2019011161A1 (zh) * | 2017-07-14 | 2019-01-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备 |
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1985
- 1985-09-04 JP JP19392585A patent/JPS6254907A/ja active Granted
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| US11848179B2 (en) | 2018-02-13 | 2023-12-19 | Evatec Ag | Methods of and apparatus for magnetron sputtering |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0564846B2 (ja) | 1993-09-16 |
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