JPH02210636A - 光磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法及び製造装置Info
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- JPH02210636A JPH02210636A JP26157988A JP26157988A JPH02210636A JP H02210636 A JPH02210636 A JP H02210636A JP 26157988 A JP26157988 A JP 26157988A JP 26157988 A JP26157988 A JP 26157988A JP H02210636 A JPH02210636 A JP H02210636A
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/16—Layers for recording by changing the magnetic properties, e.g. for Curie-point-writing
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光磁気記録媒体の製造方法に関し、特にスパ
ッタリング法により連続的に多層構造の薄膜を基板の自
公転運動によって形成する光磁気記録媒体の製造方法に
関する。
ッタリング法により連続的に多層構造の薄膜を基板の自
公転運動によって形成する光磁気記録媒体の製造方法に
関する。
［従来技術］
近年、光磁気記録媒体は、レーザ光による書き込み・読
みだし可能な光磁気ディスクとして大容量データ・ファ
イル等に広く利用されている。
みだし可能な光磁気ディスクとして大容量データ・ファ
イル等に広く利用されている。
この光磁気ディスクは、ガラス、プラスティック等の透
明基板上にスパッタリング法により誘電体層。
明基板上にスパッタリング法により誘電体層。
記録層、保護層等の層構造を有する。光磁気効果を示す
前記記録層には希土類金属（以下ＲＥと称する）からな
る層と遷移、金属（以下ＴＭと称する）とからなる層を
夫々数人〜１０数人の厚さで交互に少なくとも２層以上
積層した層構造とする事により、磁化量、保磁力、光磁
気効果（カー効果）の優れた特性を得る事が出来、また
製造上の制御性においても良好である。
前記記録層には希土類金属（以下ＲＥと称する）からな
る層と遷移、金属（以下ＴＭと称する）とからなる層を
夫々数人〜１０数人の厚さで交互に少なくとも２層以上
積層した層構造とする事により、磁化量、保磁力、光磁
気効果（カー効果）の優れた特性を得る事が出来、また
製造上の制御性においても良好である。
その製造方法としては、スパッタ室内に前記ＲＥターゲ
ット及び７Ｍターゲットを配設し、前記両ターゲットの
上方に対向配置した基板もしくは基板ホルダを自公転さ
せながらスパッタリングする方法（例えば、特開昭６１
−７７１５５号及び同６２−７１０４１号等）が開示さ
れており、この方法によって、積層膜構造を均一な分布
で生産することが出来た。特に、該製遣方法は自公転方
式であることにより、スパッタ粒子のスパッタ角度分布
による薄膜の膜厚分布を修正するためスパッタ源と基板
との間に配置されるシャッタ部材を省略することが出来
る。このため、前記薄膜を形成するため前記基板上に付
着するスパッタ粒子の付着効率が高められる。更に、前
記シャッタ部材に付着するスパッタ粒子に起因したダス
トの発生が無いので、該ダストが基板上に付着して生じ
る前記薄膜のピンホールの発生を減らし、良好な薄膜を
生産することができる。
ット及び７Ｍターゲットを配設し、前記両ターゲットの
上方に対向配置した基板もしくは基板ホルダを自公転さ
せながらスパッタリングする方法（例えば、特開昭６１
−７７１５５号及び同６２−７１０４１号等）が開示さ
れており、この方法によって、積層膜構造を均一な分布
で生産することが出来た。特に、該製遣方法は自公転方
式であることにより、スパッタ粒子のスパッタ角度分布
による薄膜の膜厚分布を修正するためスパッタ源と基板
との間に配置されるシャッタ部材を省略することが出来
る。このため、前記薄膜を形成するため前記基板上に付
着するスパッタ粒子の付着効率が高められる。更に、前
記シャッタ部材に付着するスパッタ粒子に起因したダス
トの発生が無いので、該ダストが基板上に付着して生じ
る前記薄膜のピンホールの発生を減らし、良好な薄膜を
生産することができる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記製造方法では、基板上に適宜積層し
て形成された薄膜の総合膜厚分布は均一に形成されてい
るが、ＲＥ層及び７Ｍ層の１層当たりの膜厚分布は前記
総合膜厚分布に較べて均一でないと云った問題が生じた
。このため、作製された光磁気記録媒体のＣ／Ｎ比が充
分に大きくなく、また、エンベロープも良好でないと云
った問題があった。
て形成された薄膜の総合膜厚分布は均一に形成されてい
るが、ＲＥ層及び７Ｍ層の１層当たりの膜厚分布は前記
総合膜厚分布に較べて均一でないと云った問題が生じた
。このため、作製された光磁気記録媒体のＣ／Ｎ比が充
分に大きくなく、また、エンベロープも良好でないと云
った問題があった。
そこで、本発明者らが種々実験を行ったところ、各層の
膜厚分布の均一性は、基板或いは基板ホルダの自公転数
の比に大きく起因していることが確認された。特に、公
転数に対する自転数の回転数を太き（設定すればする程
、膜厚分布の均一性が高められることは分かっていたが
、際限なく高めることは機械的な複雑さを増大し、装置
を大型化するという問題を生じた。
膜厚分布の均一性は、基板或いは基板ホルダの自公転数
の比に大きく起因していることが確認された。特に、公
転数に対する自転数の回転数を太き（設定すればする程
、膜厚分布の均一性が高められることは分かっていたが
、際限なく高めることは機械的な複雑さを増大し、装置
を大型化するという問題を生じた。
即ち、本発明の目的は上記問題点を解消することにあり
、前記ＲＥ層及び７Ｍ層の各層毎の膜厚分布を常時均一
にし、その結果として、Ｃ／Ｎ比及びエンベロープが良
好な改質の光磁気記録媒体の製造方法を提供することに
ある。
、前記ＲＥ層及び７Ｍ層の各層毎の膜厚分布を常時均一
にし、その結果として、Ｃ／Ｎ比及びエンベロープが良
好な改質の光磁気記録媒体の製造方法を提供することに
ある。
［課題を解決するための手段］
本発明の上記目的は、基板上に少なくとも希土類金属層
と遷移金属層を積層するため、スパッタ室内に希土類金
属ターゲットと遷移金属ターゲットとを配設し、前記両
ターゲットに対向するようにした前記基板を自公転させ
ながら前記両ターゲットによるスパッタリングを行う光
磁気記録媒体の製造方法において、前記基板の自転数（
Ｗ２）と公転数（Ｗ１）との比（Ｗ２／Ｗ１）を４以上
とすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法によ
り達成される。
と遷移金属層を積層するため、スパッタ室内に希土類金
属ターゲットと遷移金属ターゲットとを配設し、前記両
ターゲットに対向するようにした前記基板を自公転させ
ながら前記両ターゲットによるスパッタリングを行う光
磁気記録媒体の製造方法において、前記基板の自転数（
Ｗ２）と公転数（Ｗ１）との比（Ｗ２／Ｗ１）を４以上
とすることを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法によ
り達成される。
［実施ａ様１
以下、本発明の方法を適用した装置にもとづいて本発明
の詳細な説明する。
の詳細な説明する。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の製造方法に適用した
スパッタリング装置の要部概略図である。
スパッタリング装置の要部概略図である。
第１図に示すように、スパッタ室１５内には、底部に配
置したカソード電極１６−ａ、１６ｂ上に、ターゲット
ｌａとｌｂが設けられている。また、前記ターゲットｌ
ａ、ｌｂは、その裏面側に対応して前記スパッタ室１５
の外部に設けた永久磁石１７ａ。
置したカソード電極１６−ａ、１６ｂ上に、ターゲット
ｌａとｌｂが設けられている。また、前記ターゲットｌ
ａ、ｌｂは、その裏面側に対応して前記スパッタ室１５
の外部に設けた永久磁石１７ａ。
１７ｂにより、ターゲット表面に磁界が形成されている
。
。
なお、前記電極１６ａ、１６ｂは、それぞれターゲット
電源１８が繋げられており、該ターゲットｌａ。
電源１８が繋げられており、該ターゲットｌａ。
１ｂに個々に適したスパンタバワーを与え、所望の積層
薄膜が形成出来るようになされている。
薄膜が形成出来るようになされている。
前記両ターゲットｌａ、ｌｂの上方には、プラスチック
基板２がアノード電極を兼ねた自転ホルダ３に保持され
て前記両ターゲン）ｌａと１ｂの両方に対してほぼ均等
な距離°になるような位置に配置されている。前記自転
ホルダ３は、その中心に回転軸７を有しており、該回転
軸７は公転駆動モータ６により回転する公転ホルダ４を
貫通して上方に延びている。前記回転軸７の上方端寄に
は遊星ギア５ａが固着されている。そして、該遊星ギア
５ａは前記公転駆動モータ６の回転軸８の周りに固定さ
れた固定ギア５ｂと噛み合うことにより、前記固定ギア
５ｂの周囲を公転しながら自転する。
基板２がアノード電極を兼ねた自転ホルダ３に保持され
て前記両ターゲン）ｌａと１ｂの両方に対してほぼ均等
な距離°になるような位置に配置されている。前記自転
ホルダ３は、その中心に回転軸７を有しており、該回転
軸７は公転駆動モータ６により回転する公転ホルダ４を
貫通して上方に延びている。前記回転軸７の上方端寄に
は遊星ギア５ａが固着されている。そして、該遊星ギア
５ａは前記公転駆動モータ６の回転軸８の周りに固定さ
れた固定ギア５ｂと噛み合うことにより、前記固定ギア
５ｂの周囲を公転しながら自転する。
この際、本実施１！様では、前記公転ホルダ４の回転速
度と前記自転ホルダ３の回転速度との比が約４と成るよ
うに設定した。即ち、前記自転ホルダ３の公転速度（ω
１）と自転速度（ω２）の比である自公転比（ω１／ω
２）も、約４となる。
度と前記自転ホルダ３の回転速度との比が約４と成るよ
うに設定した。即ち、前記自転ホルダ３の公転速度（ω
１）と自転速度（ω２）の比である自公転比（ω１／ω
２）も、約４となる。
なお、前記自転ホルダ３は前記公転ホルダ４に対して複
数個（第１図では２個）装着されるように構成されてい
る。
数個（第１図では２個）装着されるように構成されてい
る。
前記ターゲット１ａと１ｂは、例えば、１ａが遷移金属
、１ｂが希土類金属にて形成されていることにより、前
記基板２上に遷移金属と希土類金属の積層薄膜を形成す
ることができる。
、１ｂが希土類金属にて形成されていることにより、前
記基板２上に遷移金属と希土類金属の積層薄膜を形成す
ることができる。
そこで、上記のように構成された前記スパッタリング装
置のスパッタ室１５にアルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性
ガスを導入し、且つ前記ターゲラ）ｌａ。
置のスパッタ室１５にアルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性
ガスを導入し、且つ前記ターゲラ）ｌａ。
１ｂに適宜スパッタパワーを付加させた状態にしておき
、前記自転ホルダ３に予め誘電体層を形成したプラスチ
ック基板２を装着する。
、前記自転ホルダ３に予め誘電体層を形成したプラスチ
ック基板２を装着する。
そして、前記公転駆動モータ６を駆動して、前記公転ホ
ルダ４及び自転ホルダ３を回転させながら前記基板２上
に希土類金属と遷移金属の積層薄膜を形成する。
ルダ４及び自転ホルダ３を回転させながら前記基板２上
に希土類金属と遷移金属の積層薄膜を形成する。
本発明によれば、前記自転ホルダ３の自公転比を４また
はそれ以上に設けることにより、ＲＥ、７Ｍ両ターゲッ
トの各々の有効成膜領域（プラズマ密度の高い領域）で
前記基板２が２．５回転以上回転して成膜が行われるた
め、ＲＥ層及びＴＭ層の各層毎に膜厚分布を均一にする
ことができる。
はそれ以上に設けることにより、ＲＥ、７Ｍ両ターゲッ
トの各々の有効成膜領域（プラズマ密度の高い領域）で
前記基板２が２．５回転以上回転して成膜が行われるた
め、ＲＥ層及びＴＭ層の各層毎に膜厚分布を均一にする
ことができる。
さらに詳しく説明すると、本発明者らは、前記自公転方
式のスパッタリング装置において、自公転比と膜厚分布
との関係は、第２図に示したグラフの様になることを、
シミュレーション解析及び実験により明らかにすること
ができた。
式のスパッタリング装置において、自公転比と膜厚分布
との関係は、第２図に示したグラフの様になることを、
シミュレーション解析及び実験により明らかにすること
ができた。
但し、上記実験においては、スパッタ室内に二つのＴｂ
ターゲットをそれぞれ中心距１１ｉ１１９０−で配設し
、これらに対向してプラスチック基板を公転半径１９０
謔で且つターゲラトル基板間距離が１５０鴫となるよう
に配置させた。そして、真空排気して圧力を５ Ｘ １
０−’Ｔｏｒｒまで脱ガス化した後、Ａ「ガスをスパッ
タ室に導入しガス圧を１．０Ｔｏｒｒとした９次に前記
Ｔｂターゲットに１ｋＷの放電パワーを印加してスパッ
タを維持し、前記基板の公転速度を１５ｒｐｍにて回転
させ、１８０秒間成膜を行い、前記基板に多層膜を形成
した。
ターゲットをそれぞれ中心距１１ｉ１１９０−で配設し
、これらに対向してプラスチック基板を公転半径１９０
謔で且つターゲラトル基板間距離が１５０鴫となるよう
に配置させた。そして、真空排気して圧力を５ Ｘ １
０−’Ｔｏｒｒまで脱ガス化した後、Ａ「ガスをスパッ
タ室に導入しガス圧を１．０Ｔｏｒｒとした９次に前記
Ｔｂターゲットに１ｋＷの放電パワーを印加してスパッ
タを維持し、前記基板の公転速度を１５ｒｐｍにて回転
させ、１８０秒間成膜を行い、前記基板に多層膜を形成
した。
すなわち、多層膜の総合膜厚（４５層）の膜厚分布に関
しては、自公転比が整数値近傍を除けば全域に渡って一
定であるが、各１層当たりの膜厚分布に関しては、自公
転比が４以下になると急激に悪化することが確認された
。
しては、自公転比が整数値近傍を除けば全域に渡って一
定であるが、各１層当たりの膜厚分布に関しては、自公
転比が４以下になると急激に悪化することが確認された
。
光磁気記録媒体で記録層を自公転方式に、よりＲＥ金属
層とＴＭ金属層を積層構造でスパッタリングする場合、
既述したように、Ｃ／Ｎ比、エンベロープ等を良好にす
るためには各１層当たりの膜厚分布を均一にすれば良い
ので、前記自公転基板ホルダの自公転比を４以上にして
スパッタリングすることにより、Ｃ／Ｎ比、エンベロー
プ等の特性の極めて良好な改質を得ることが出来る。
層とＴＭ金属層を積層構造でスパッタリングする場合、
既述したように、Ｃ／Ｎ比、エンベロープ等を良好にす
るためには各１層当たりの膜厚分布を均一にすれば良い
ので、前記自公転基板ホルダの自公転比を４以上にして
スパッタリングすることにより、Ｃ／Ｎ比、エンベロー
プ等の特性の極めて良好な改質を得ることが出来る。
［発明の効果］
以上述べたように、本発明の磁気記録媒体の製造方法に
よれば、基板上に少なくとも希土類金属と遷移金属を積
層するため、スパッタ室内に希土類金属ターゲットと遷
移金属ターゲットとを配設し、前記両ターゲットと対向
するようにした前記基板を自公転させてスパッタリング
する際の基板もしくは基板ホルダの自公転比を４以上と
することにより、各１層当たりの膜厚分布を均一にする
ことができ、これにより、Ｃ／Ｎ、エンベロープ等の特
性の極めて良好な膜質が得られる。
よれば、基板上に少なくとも希土類金属と遷移金属を積
層するため、スパッタ室内に希土類金属ターゲットと遷
移金属ターゲットとを配設し、前記両ターゲットと対向
するようにした前記基板を自公転させてスパッタリング
する際の基板もしくは基板ホルダの自公転比を４以上と
することにより、各１層当たりの膜厚分布を均一にする
ことができ、これにより、Ｃ／Ｎ、エンベロープ等の特
性の極めて良好な膜質が得られる。
［実施例］
以下、実施例により本発明の効果を更に明確にする。
第１図に示した本発明の装置を用いて光磁気記録媒体の
記録層を成膜した。
記録層を成膜した。
スパッタ室１５内にＲＥツタ−ットとしてφ８インチＴ
ｂターゲットｌａ、’Ｉ”Ｍターゲットとしてφ８イン
チＦｅＣｏターゲット１ｂをそれぞれ中心距離２００閤
で配設し、これらに対向してφ５．２５インチのプラス
チック基板２を装着した二つの自転ホルダ３を公転半径
１９０ａａで且つターゲラトル基板間距離が１．５０ｍ
となるように配置させた。以上のような幾何学的条件に
おいて、予め光学膜ＳｉＮを８００人成膜されたプラス
チック・ディスク基板２を前記自転ホルダ３に装着し、
真空排気して圧力を５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで脱ガ
ス化した後、Ａｒガスを３５ＳＣＣＭをスパッ′り室に
導入しガス圧力を２．０ｍＴｏｒｒとした０次に、Ｔｂ
ターゲットに９００Ｗ、ＦｅＣｏターゲットに２１００
Ｗの放電パワーを印加してスパッタを維持し、一方、前
記自転ホルダ３の公転速度ω１を３Ｏｒｐｍ、自転速度
ω２を１２８ｒｐｍ（自公転比：ω２／ω１＝４．２７
）にて回転させ、３分２０秒間成膜を行い、ＲＥ層とＴ
Ｍ層の交互積層記録層の総膜厚を１０００人とした。こ
のようにして製作されたサンプルを５枚取り出し、その
動特性を測定した結果、回転基板の中心からＲ＝３０ｍ
の箇所においてＣ／Ｎ比は平均５０ｄＢ （０，９μｍ
ビット長）、エンベロープは０． ５ｄＢ以下という非
常に良好な膜質を得ることが出来た。
ｂターゲットｌａ、’Ｉ”Ｍターゲットとしてφ８イン
チＦｅＣｏターゲット１ｂをそれぞれ中心距離２００閤
で配設し、これらに対向してφ５．２５インチのプラス
チック基板２を装着した二つの自転ホルダ３を公転半径
１９０ａａで且つターゲラトル基板間距離が１．５０ｍ
となるように配置させた。以上のような幾何学的条件に
おいて、予め光学膜ＳｉＮを８００人成膜されたプラス
チック・ディスク基板２を前記自転ホルダ３に装着し、
真空排気して圧力を５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒまで脱ガ
ス化した後、Ａｒガスを３５ＳＣＣＭをスパッ′り室に
導入しガス圧力を２．０ｍＴｏｒｒとした０次に、Ｔｂ
ターゲットに９００Ｗ、ＦｅＣｏターゲットに２１００
Ｗの放電パワーを印加してスパッタを維持し、一方、前
記自転ホルダ３の公転速度ω１を３Ｏｒｐｍ、自転速度
ω２を１２８ｒｐｍ（自公転比：ω２／ω１＝４．２７
）にて回転させ、３分２０秒間成膜を行い、ＲＥ層とＴ
Ｍ層の交互積層記録層の総膜厚を１０００人とした。こ
のようにして製作されたサンプルを５枚取り出し、その
動特性を測定した結果、回転基板の中心からＲ＝３０ｍ
の箇所においてＣ／Ｎ比は平均５０ｄＢ （０，９μｍ
ビット長）、エンベロープは０． ５ｄＢ以下という非
常に良好な膜質を得ることが出来た。
［比較例］
次に、比較例として、基板ホルダ３の自転速度ω２を６
８ｒｐｍ（自公転比：ω２／ωｌ＝２．２７）に変え、
その他の条件は、全て前記実施例と同一条件として成膜
を行った。このサンプルを同様に５枚取り出して動特性
を測定した結果、回転基板の中心からＲ＝３０ｍの箇所
においてＣ／Ｎ比は平均４７ｄＢ （０，９μｍビット
長）、エンベロープは１． ０ｄＢ以上と云った特性と
なった。
８ｒｐｍ（自公転比：ω２／ωｌ＝２．２７）に変え、
その他の条件は、全て前記実施例と同一条件として成膜
を行った。このサンプルを同様に５枚取り出して動特性
を測定した結果、回転基板の中心からＲ＝３０ｍの箇所
においてＣ／Ｎ比は平均４７ｄＢ （０，９μｍビット
長）、エンベロープは１． ０ｄＢ以上と云った特性と
なった。
以上の結果から、ＲＥ金金属ＴＭ金金属二元同時に積層
構造で成膜した場合、自公転比が４以下ではＣ／Ｎ比及
びエンベロープ共に低下し、充分な膜質が得られないこ
とが！！認された。
構造で成膜した場合、自公転比が４以下ではＣ／Ｎ比及
びエンベロープ共に低下し、充分な膜質が得られないこ
とが！！認された。
第１図は本発明の光磁気記録媒体の製造方法を適用した
スパッタリング装置の要部概略図、第２図は自公転基板
を有するスパッタリング装置における自公転基板の自公
転比と基板上に形成される薄膜の膜厚分布との関係を示
す図である。 （図中符号） ｌａ、Ｉｂ・・・ターゲット ２・・・プラスティック基板 ３・・・自転ホルダ ４・・・公転ホルダ５ａ・
・・遊星ギア ５ｂ・・・固定ギア６・・・公転
駆動モータ ７，８・・・回転軸１５・・・スパッタ
室 １６ａ、１６ｂ−・・電極 １７ａ、１７ｂ・・・永久磁石 １８・・・電源。 自公拳ｆ４化 白金軸比 手 続 ネ… 正 書 平成１年 ９月 特ｎ午庁艮−官 殿 １、 事件の表示 昭和６３年特許願第２６１５７９号 発明の名称 光磁気記録媒体の製造方法 補正をする者 事件との関係： 特許出願人
スパッタリング装置の要部概略図、第２図は自公転基板
を有するスパッタリング装置における自公転基板の自公
転比と基板上に形成される薄膜の膜厚分布との関係を示
す図である。 （図中符号） ｌａ、Ｉｂ・・・ターゲット ２・・・プラスティック基板 ３・・・自転ホルダ ４・・・公転ホルダ５ａ・
・・遊星ギア ５ｂ・・・固定ギア６・・・公転
駆動モータ ７，８・・・回転軸１５・・・スパッタ
室 １６ａ、１６ｂ−・・電極 １７ａ、１７ｂ・・・永久磁石 １８・・・電源。 自公拳ｆ４化 白金軸比 手 続 ネ… 正 書 平成１年 ９月 特ｎ午庁艮−官 殿 １、 事件の表示 昭和６３年特許願第２６１５７９号 発明の名称 光磁気記録媒体の製造方法 補正をする者 事件との関係： 特許出願人
Claims (1)
- 基板上に少なくとも希土類金属層と遷移金属層を積層す
るため、スパッタ室内に希土類金属ターゲットと遷移金
属ターゲットとを配設し、前記両ターゲットに対向する
ようにした前記基板を自公転させながら前記両ターゲッ
トによるスパッタリングを行う光磁気記録媒体の製造方
法において、前記基板の自転数（Ｗ２）と公転数（Ｗ１
）との比（Ｗ２／Ｗ１）を４以上とすることを特徴とす
る光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03132944A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-06 | Kuraray Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| CN104233212A (zh) * | 2014-09-18 | 2014-12-24 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种行星转动镀膜机上薄膜厚度直接光控的安装方法 |
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Families Citing this family (12)
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|---|---|---|---|---|
| CA2059094C (en) * | 1991-01-10 | 1997-06-03 | Optical Coating Laboratory, Inc. | High ratio planetary drive system for vacuum chamber |
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| DE19730993B4 (de) * | 1997-07-18 | 2008-04-03 | Ald Vacuum Technologies Ag | Vakuumbeschichtungsvorrichtung zum allseitigen Beschichten von Substraten durch Rotation der Substrate im Partikelstrom |
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| DE10337732B4 (de) * | 2003-08-11 | 2009-11-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren und Beschichtungsanlage zum Beschichten von Substraten für optische Komponenten |
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| US7682495B2 (en) | 2005-04-14 | 2010-03-23 | Tango Systems, Inc. | Oscillating magnet in sputtering system |
| WO2006113170A2 (en) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Tango Systems, Inc. | Sputtering system |
| CZ305421B6 (cs) | 2014-02-26 | 2015-09-09 | Hvm Plasma, Spol.S R.O. | Způsob unášení substrátů při depozici tenké vrstvy na povrch substrátů a rotační stolek pro unášení substrátů podle způsobu |
| WO2019024021A1 (zh) * | 2017-08-02 | 2019-02-07 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 成膜设备及成膜方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5649992A (en) * | 1979-09-29 | 1981-05-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | Nuclear reactor remote stop control device |
| JPS5770274A (en) * | 1980-10-17 | 1982-04-30 | Fujitsu Ltd | Vapor deposition apparatus |
| JPS5854191A (ja) * | 1981-08-03 | 1983-03-31 | クルト・アルテン | 建造物の開口部の縁とこれに寄せつけられた車両のリヤ部分との間のすき間の密閉装置 |
| JPS6393862A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-25 | Ulvac Corp | 自公転式基板ホルダ取付装置 |
-
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-
1989
- 1989-10-19 DE DE19893934887 patent/DE3934887A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5649992A (en) * | 1979-09-29 | 1981-05-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | Nuclear reactor remote stop control device |
| JPS5770274A (en) * | 1980-10-17 | 1982-04-30 | Fujitsu Ltd | Vapor deposition apparatus |
| JPS5854191A (ja) * | 1981-08-03 | 1983-03-31 | クルト・アルテン | 建造物の開口部の縁とこれに寄せつけられた車両のリヤ部分との間のすき間の密閉装置 |
| JPS6393862A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-25 | Ulvac Corp | 自公転式基板ホルダ取付装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03132944A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-06 | Kuraray Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| CN104233212A (zh) * | 2014-09-18 | 2014-12-24 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种行星转动镀膜机上薄膜厚度直接光控的安装方法 |
| WO2020183827A1 (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
| JPWO2020183827A1 (ja) * | 2019-03-12 | 2021-04-30 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
| CN112771200A (zh) * | 2019-03-12 | 2021-05-07 | 株式会社爱发科 | 成膜方法 |
| WO2024209529A1 (ja) * | 2023-04-04 | 2024-10-10 | 京セラ株式会社 | コーティング方法 |
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