JPS6254918A - 縮小投影露光方法およびその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、縮小投影露光装置において、レチクルとウェ
ハとのアライメントに先立ち、ウェハ上に塗布されたホ
トレジスト膜厚分布を測定することによって該膜厚分布
に起因したアライメント誤差を求め、この誤差データに
もとづいて実際にアライメントが行なわれる際でのアラ
イメント量を補正するようにしたアライメント方式に関
するものである。

〔発明の背景〕

半導体集積回路の微細化が進行するのに伴い、縮小投影
露光装置で露光する際でのレチクルとウェハとのアライ
メント精度はますます高精度が要求されているのが現状
である。そのため、１チツプ毎にアライメン１〜が行な
えるようにしてウェハ内のチップの配列誤差に対応し得
る、縮小投影レンズを介すＴ　Ｔ　Ｌアライメント方式
が今後の高集積回路の製造において主流になると考えら
れている。

第１３図は、ＴＴＬアライメント方式の一例を示したも
のである。これによるとレチクル１の回路パターンは縮
小投影レンズ２を介し、ウェハステージ４上に載置され
たウェハ３にて１ないし数個のチップ１６単位に露光さ
れるが、この露光に先立っては先ずレチクルアライメン
ト光学系５，５′により、レチクル初期設定用パターン
１５．１５’の位置が検出されることによって、レチク
ル１は初期位置にセットされる。次にウェハ３上におい
てチップ１６近傍のアライメントパターン１４．１４’
が縮小投影レンズ２を介しレチクル１上のアライメント
パターン１３．１３’上に結像され、両パターンがウェ
ハアライメント検出光学系で検出されるようになってい
る。ウェハアライメント検出光学系は、ミラー６．６′
、リレーレンズ７．７′、拡大レンズ８，８′、可動ス
リット９．９’、光電子増倍管（フォトマルチプライヤ
）　１０．１０’の他、露光光と同じ波長のアライメン
ト用照明光を発する光ファイバ１１．１１’などより構
成されるようになっている。光ファイバ１１．１１’か
らの照明光はハーフミラ−、リレーレンズ７．７′、ミ
ラー６．６′を介し、アライメントパターン１３．１３
’を照明する一方、それらからの反射光はミラー６．６
′、リレーレンズ７．７′、ハーフミラ−１拡大レンズ
８．８’、　ミラー、可動スリット９，９′を介し光′
電子増倍管１０．１０’で検出されるようになっている
ものである。

さて、もしも、検出されたウェハアライメントパターン
１４．１４’とレチクルアライメントパターン１３．１
３’の位置が一致していない場合には、ウェハ３を搭載
するウェハステージ４がずれ方向とその址に応じＸ方向
やＹ方向に移動されることによって両パターン１４．１
４’、１３．１３’の位置が一致されるようになってい
るものである。このようにしてアライメントが終了した
後は、露光系１２により露光光がレチクル１に照射され
るものである。

なお、この種のアライメント方式に関連するものとして
は、例えば特開昭５５−４１７３９号公報が挙げられる
。

ところで、このＴＴＬアライメント方式において、従来
から指摘されながらも、未だに解決されていない問題と
しては、ウェハ上のホトレジストの塗布むらに起因する
アライメント精度の低下が挙げられる。第１４図に示す
ように、ホトレジストは、スピンコータ（回転塗布機）
でウェハ３を高速回転させつつその遠心力によりウェハ
全面に１〜２μｍ（単層レジストの場合）の厚さで塗布
されるようになっている。この場合ホトレジストの流れ
る方向は矢印Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄで示すようにウェハ中心か
ら放射状に広がる方向となるが、第１５図はチップ１７
近傍のＸ方向アライメントパターン１９を拡大して示し
たものである。通常アライメントパターンは第１５図に
示すように、Ｓｉ基板２１上に凹もしくは凸の段差パタ
ーンがＳｉｎ、層２２によって形成されることによって
構成されるが、更にその上に塗布されるホトレジスト２
３の膜厚は段差の形状に応じて緩やかな曲線を描くよう
になっている。このようにしてアライメントパターンは
Ｓｉ基板２１上に形成されるが１問題は第１４図に示す
ように、チップ１７近傍のＸ方向アライメントパターン
１９はレジストの流れ方向Ｂと平行であるが。

例えばチップ１８近傍のＸ方向アライメントパターン２
０はレジストの流れ方向Ｃとはほぼ直交するようになっ
ていることである。その結果、第１６図に示すようにア
ライメントパターン１９部分でのパターン幅方向のホト
レジスト膜厚分布は左右対称となるが、同図（ｂ）に示
すようにアライメントパターン２０部分でのホトレジス
ト膜厚分布はパターンエツジ部でホトレジストの流れが
大きく乱され左右非対称になるというものである。

さて、これらアライメントパターン１９．２０はパター
ン照明光２４ａ　、　２５ａによって照明されるが、パ
ターンからの反射光は近似的にホトレジスト表面カラノ
反射光２４ｂ、２５ｂトＳｊ基板２１もしくはＳ　ｉ　
Ｏを層２２表面からの反射光２４ｃ、　２５ｃとの干渉
光として得られるようになっている。即ち、第１８図に
示すように、ホトレジスト２３の膜厚に応じてその干渉
光の強度は周期的に変化するというわけである。

以上よりアライメントパターン１９からの反射光強度分
布は第１７図（ａ）に示すように左右対称となるが、ア
ライメントパターン２０からの反射光強度分布は同図（
ｂ）に示すように左右非対称となるものである。よって
検出信号波形の対称性を利用し波形の対称中心をアライ
メントパターンの中心位置とする従来のアライメント方
式においては、同図（ｂ）に示すように真のパターン中
心位置Ｉｗに対し、Ｉｄをパターン中心位置とみなして
しまうことがあり、アライメント精度の低下は逸れ得な
いものとなっている。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、ウェハアライメントパターンにおける
ホトレジスト膜厚分布がそのパターン幅方向で非対称に
なる場合であっても、そのアライメントパターンの中心
位置を確実に求め得るアライメント方式を供するにある
。

〔発明の概要〕

この目的のため本発明は、ウェハアライメントパターン
部分とその近傍でのホトレジスト膜厚分布が予め知れて
いる場合には、理論的にその分布に起因するアライメン
トパターンの中心位置検出誤差を求め得ることに着目し
、レチクルとウェハとを従来方式に従ってアライメント
するに先立ってウェハアライメントパターン上に塗布さ
れたホトレジストの膜厚分布を測定し、測定されたホト
レジスト膜厚分布データからアライメントの際に予想さ
れる、ホトレジスト膜厚分布に起因するアライメントパ
ターンの中心位置検出誤差を求め。

この誤差データにもとづいて、アライメントの際でのア
ライメント量を補正するようにしたものである。具体的
にはホトレジスト膜厚分布に起因するアライメントパタ
ーン位置検出誤差は、アライメントパターンとその近傍
におけるホトレジスト膜厚分布と、該ホトレジスト膜厚
分布によって生じるウェハアライメントパターン位置検
出誤差との関係を予め把握しておき、測定されたホトレ
ジスト膜厚分布データをその関係と照合することによっ
て求めるか、測定されたホトレジスト膜厚分布データか
ら求められるアライメントパターンからの反射光強度分
布より求めるようにしたものである。

〔発明の実施例〕

以下、本発明を第１図から第１２図により説明する。

先ず第１図、第２図により本発明の原理について説明す
れば、第２図（ａ）は同図（ｂ）に示すモデル化された
アライメントパターン３２部分に塗布される直前の理想
的な均一厚さのホトレジスト３１を示したものである。

なお、アライメントパターン３２の段差は理想的に垂直
になっているものとする。

また、同図（ｃ）はアライメントパターン３２部分に塗
布された後のホトレジスト３１′の状態を示したもので
ある。図示のようにパターン段差に応じてその表面は緩
やかな曲線を描いていることが判る。更に同図（ｄ）は
塗布された後のアライメントパターン部分におけるホト
レジストの膜厚分布３１′を示したものである。一般に
この膜厚分布ｒ　（Ｉ　）、特に段差部における形状は
式（１）に示すようにホトレジストの基本膜厚、即ち、
パターン部以外の部分での膜厚ｄ、パターンの段差深さ
ｔ。

パターンの幅Ｗおよびパターン中心からの距離Ｉの２乗
の関数ｆとして表わされ得るものとなっている。

ｒ（Ｉ）＝　ｆ　（ｄ　、ｔ　、Ｗ、　　Ｉ２）　　　
　　・・−・（１）よって、ウェハアライメントパター
ンの段差深さｔ、幅Ｗ、ホトレジストの基本膜厚ｄが与
えられれば、如何なる材質と層構造のアライメントパタ
ーンに対しても第２図（ｄ）に示すようなホトレジスト
膜厚分布ｒ（Ｉ）を計算し得るものである。一方、アラ
イメントパターンからの反射光の強度は先に説明したよ
うに、各部のホトレジスト膜厚に応じた干渉光強度とし
て得られることから、計算により得られたホＩ・レジス
ト膜厚分布ｒ（Ｉ）を第１８図に示したホトレジス１−
膜厚−干渉強度曲線にあてはめることによって、アライ
メントパターンからの反射光強度を計算することが可能
である。

第２図（ｅ）は計算により得られたアライメントパター
ン部の反射光強度分布３３を示したものである。

本例では理想状態としてホトレジストは５ｉｎ２層３０
上に均一に塗布されており、パターン３２部での膜厚分
布は左右対称となっている。そのため、第２図（ｅ）の
反射光強度分布Ｐ（Ｉ）も左右対称となり、波形の対称
性を利用するパターン検出方式の場合、真の中心位置■
！と検出されたパターン中心位置Ｉｃとは一致するよう
になっている。なお図中での符号２９はＳｉ基板を示す
。

さて、第１図（ａ）は先の場合と同様に同図（ｂ）に示
すモデル化されたアライメントパターン３７部分に塗布
される直前のホトレジスト３６を示したものである。但
し、このホトレジスト３６には実際のレジスト塗布時に
発生する塗布むらに対応させて右側のパターン段差部に
相当する部分に幅ａ、膜厚Ｓの塗布むらを付加させてい
る。また、同図（ｃ）はアライメントパターン３７部分
に塗布された後のホトレジスト３６′の状態を、更に同
図（ｄ）はこのホトレジスト３６′の膜厚分布３６′を
示したものである。

図示のように付加された塗布むらにより左右非対称にな
っていることが判る。この場合での膜厚分布ｒ（Ｉ）は
式（１）に塗布むらの膜厚Ｓを考慮した式（２）の形で
表わすことができる。

ｒ（Ｉ）＝ｆ（ｄ、ｔ、Ｗ、Ｓ、Ｉ’）−＝・（２）こ
の膜厚分布ｒ（Ｉ）から反射光強度分布Ｐ（Ｉ）を計算
すると同図（ｅ）に示すように左右非対称な反射光強度
分布３８波形が得られ、検出されたパターン中心位置Ｉ
ｃは真の中心位置ニーと一致せず検出誤差ｅが発生する
。この検出誤差量ｅはアライメントパターンの段差深さ
ｔ、パターンの幅Ｗ、またパターン材質および層構造が
与えられれば、ホトレジストの基本膜厚ｄと塗布むら量
Ｓの関数として予め計算によって求めておくことが可能
である。第３図は様々な基本膜厚ｄと塗布むら量Ｓとの
組合せに対して検出誤差量ｅ＋＋〜ｅｍｎを計算し、マ
トリックス９０として示したものである。

例えば、基本膜厚、塗布むら量がそれぞれｄｌ＋８２で
ある場合には、検出誤差量はｅＩ２として求められるも
のである。したがって、アライメントの前に予め各チッ
プのウェハアライメントパターンとその近傍のホ１へレ
ジスト膜厚分布ｒ（Ｉ）の測定を行ない、式（２）から
逆に塗布むらの膜厚Ｓを求め、既知の基本膜厚ｄととも
に、このマトリックスを参照すれば、アライメントの際
に発生する検出誤差ｆｆ１ｅを求め得、アライメント量
の補正が可能となるわけである。但し、第３図は膜厚Ｓ
がウェハアライラン１−パターンより一定距離偏移して
いる場合でのものである。第１４図で説明したようにチ
ップ近傍のＸ、Ｙ方向のウェハアライメントパターンは
ホトレジストの流れ方向に対し、様々な角度関係をとり
、しかもホトレジストはウェハ中心より離れる程に円周
方向にもカを受けることから、一般にはウェハアライメ
ントパターン長手方向に一定距離偏移して平行に膜厚Ｓ
が生じるとは限らないというものである。よって、一般
的にはウェハアライメントパターンの長手方向３箇所に
おいて膜厚Ｓの偏移距離を求め、その平均値を以て膜厚
の偏移距離とする必要があり、偏移距離に応じて第３図
に示す如くのマトリックスが用意されることになる。

以下、実施例にもとづき更に詳しく説明すれば、第４図
はチップ毎にホトレジスト膜厚分布を測定するためのス
テージとＴＴＬアライメント兼露光露光用テージとを独
立にして持つ本発明に係るアライナの平面を示したもの
である。供給側トラック４２より供給されたウェハ４５
は先ずプリアライメントステージ４３で概略の姿勢が決
定された後、吸着式あるいは機械式のハンドリング機構
４４により膜厚分布測定用ステージ４０上にセットされ
るようになっている。この後はチップ８０のＸ方向およ
びｙ方向ウェハアライメントパターン８１．８２とその
近傍のホトレジスト膜厚分布を同時に測定し得る２つの
検出視野７２．７３をもった膜厚測定器６７により各チ
ップ単位にホトレジスト膜厚測定が行なわれるものであ
る。第５図は側面からの膜厚測定の様子を示すが、この
膜厚測定に関しては以下のように幾つかの方式が考えら
れるものとなっている。

（１）白色光源をモノクロメータによって波長スキャニ
ングすることによって波長可変光源として使用し、干渉
強度のピーク位置を検出し、その時の光源波長から膜厚
を測定する方式。

（２）白色光でウェハアライメントパターンを照明し、
その反射干渉光を波長選択ミラーおよび干渉フィルタで
３〜４つの波長に波長分離し１個々の干渉強度の組合せ
から膜厚を求める方式。

（３）多波長発振レーザでウェハアライメントパターン
を照明し、その反射干渉光を（２）と同様、波長選択ミ
ラーおよび干渉フィルタで３〜４つの波長に波長分離し
、個々の干渉強度 の組合せから膜厚を求める方式。

膜厚測定は何れの方式によってもよいが、第６図（ａ）
はＸ方向アライメントパターン８１部分に対し、膜厚が
測定されている様子を示したものである。図中矢印Ｅは
ホトレジストがスピンコータにより回転塗布される際で
のレジストの流れ方向を示しているが、ホトレジストの
膜厚はＡ−Ａ’線。

Ｂ−Ｂ’線、ｃ−ｃ’線といった具合に３箇所で測定さ
れ、その平均値を膜厚分布として得るようになっている
。また、同図（ｂ）は第６図（ａ）におけるＢ−Ｂ’線
断面を、更に同図（ｃ）は測定されたホトレジスト膜厚
分布５３′を示したものである。なお、第６図（ｂ）中
の符号５３．５２．５１はそれぞれホトレジスト、ｓｉ
ｏ、１ｅＪ、Ｓｉ基板を示す。

さて、第６図（ｄ）は測定された膜厚分布ｒ（Ｉ）と既
知の基本膜厚ｄ８、パターンの段差深さｔおよび幅Ｗと
を式（２）に代入して得られたホトレジスト５３′の塗
布むらの状態を示したものである。

よって、ホトレジストの基本膜厚ｄ８とこの塗布むらの
膜厚Ｓ４を予め計算しメモリに記憶しておいた第３図に
示す如くの偏移距離対応のマトリックス９０より参照す
れば、アライメントの際に発生する検出誤差量ｅ８４が
得られるものである。以上の動作を各チップに対して行
なうが、得られた検出ＬＡ　差址ｅ　ｉ　ｊは全てメモ
リに記憶されるようになっている。

以上のようにしてウェハ４５におけるチップ全てに対す
る膜厚の測定が終了すれば、そのウェハ４５はアーム４
９によりＴＴＬアライメント兼露光用ＸＹｏＭ動ステー
ジ４１上にウェハ４７としてセットされるようになって
いる。ここでは、ウェハの０回転量補正が行なわれた後
、各チップ単位にＴＴＬアライメントが行なわれるもの
である。ＴＴＬアライメント光学系は既にこれまでに述
べたものに同様である。第７図はウェハアライメント検
出光学系における光電子増倍管からの出力信号を示した
ものである。両端の大きな信号変化はレチクルのアライ
メントパターン（窓パターン）のエツジを示しており１
両エツジの中心Ｉｒがレチクルアライメントパターンの
中心位置となっている。ウェハアライメントパターンの
検出信号に対して、これまでの波形の対称中心をパター
ンの中心位置として求めるパターン検出方式による場合
は検出中心位置はＩｄとなるが、これに式（３）にしめ
すように先に記憶しておいた検出誤差量ｅｓ４によって
補正を加えるようにすれば、理想的にウェハアライメン
トパターンの中心位置Ｉ％ｌが求められるものである。

Ｉ　ｗ＝　Ｉ　ｄ　−ｅａａ　　　　　　　　　＋＋＋
　Ｈ＋　（３）この後は補正されたウェハアライメント
パターンの中心位［Ｉ　ｗとレチクルアライメントパタ
ーンの中心位置Ｉｒよりアライメント量Δが求められ、
その分ステージ４１はＸ方向に微動されるものである。

Ｙ方向のアライメントについても事情は全く同様である
。そのチップに対するアライメントが終了すれば露光系
より露光光が照射され、レチクルの回路パターンがウェ
ハ上のチップに焼き付けられるわけである。以上の動作
を各チップ単位に繰り返すが、全チップに対する露光が
終了すれば、排出側トラック４８によりウェハ４７は排
出されるところとなるものである０以上のように、各チ
ップ単位にこれまで問題となっていたホトレジストの塗
布むらが補正され、補正された状態でアライメントが行
なえるため、アライメント精度が向上されるところとな
るものである。

次に本発明の他の実施態様を第８図から第１０図により
説明する。本態様におけるアライナの構成とアライメン
ト光学系は先の実施態様と同様であり第４図、第１３図
に示す通りである。先ず第８図について説明すれば、こ
れはアライメント前にステージ４０で測定された。ウェ
ハアライメントパターン部のホトレジスト膜厚分布ｒ（
Ｉ）を示したものである。この膜厚分布ｒ（Ｉ）はその
分布曲線５５より判るようにパターンの段差部分で急激
に変化しているので、その曲線５５を微分することによ
っては第９図に示すように、パターンの段差部分に対応
して鋭いピークをもつ曲線５６が得られることになる。

この２つのピークの中心位置をウェハアライメントパタ
ーンの中心位置とみなし得るものである。次に膜厚分布
ｒ（Ｉ）を予めメモリに記憶しておいた第１８図に示す
曲線にあてはめることによって、第１０図に示すように
ウェハアライメントパターンからの反射光強度分布５７
が求められ、求められた反射光強度分布Ｐ（Ｉ）に対し
てこれまでの波形の対称中心をパターンの中心位置とす
るパターン検出方式を適用する場合、検出中心位置はＩ
ｃとなり検出誤差が発生する。この検出誤差量ｅを各チ
ップのｘ、ｙ方向面アライメントパターンに対して求め
、メモリに記憶しておくわけである。以下は先の実施例
と同様、ステージ４１において各チップのアライメント
に際し、対応した検出誤差量ｅで以てアライメント量に
補正を加えつつ露光を繰り返すようにするものである。

即ち、本態様ではアライメントの補正に用いられる検出
誤差量ｅの求め方だけが異なるものであり、他の事情は
先のものに同様となっている。

最後に本発明に係るアライナの他の構成を第１１図、第
１２図により説明する。第１１図は第４図に示したアラ
イナの構成を更に改良し、ホトレジスト膜厚分布測定用
ステージとＴＴＬアライメント兼露光露光用ステージ体
されたアライナの構成を示したものである。図示のよう
にステージはＸＹ方向に動く粗動ステージ６０、ホトレ
ジスト膜厚分布測定用ステージ６１、ＴＴＬアライメン
ト兼露光用ＸＹｆ）精勤ステージ６２より構成されたも
のとなっている。プリアライメント終了済のウェハ６３
はステージ６１上にセットされるが、この時、既に膜厚
分布が測定され、検出誤差量がメモリに記憶されり露光
待ちウェハ６８はステージ６２上にセットされ０回転が
補正されるようになっている。この後２つのウェハ６３
．６８は粗動ステージ６０によってステップ・アンド・
リピートされながら、一方は膜厚測定器６７によって各
チップ６４のｘ”ｙ両方向のアライメントパターン７３
．７２部とその近傍のホトレジスト膜厚分布が測定され
、算出された検出誤差量はメモリに記憶されるようにな
っている。他方は縮小投影レンズ２を介し、メモリに記
憶されている検出誤差によって補正を加えつつ各チップ
６９単位にウェハアライメントパターン７０．７１にも
とづきアライメントが行なわれた後露光されるものとな
っている。第１２図は第１１図に示すアライナの平面を
示したものであり、常に２つのウェハの対応するチップ
に対して、ホトレジスト膜厚分布測定と、アライメント
および露光とが行なわれるようになっている。このよう
にする場合は、ホトレジスト膜厚分布測定のために余分
な時間を要することなく、高いスループットで、高精度
なアライメントが可能となる。

なお、ホトレジスト膜厚分布から、検出誤差量を算出す
る方法は、先の２つの方式のうち、何れによってもよい
。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によるアライメント方式によ
れば、ＴＴＬアライメントにおいてこれまで指摘されな
がらも解決されていなかったホトレジストの塗布むらに
起因するアライメント精度の低下が除去され、安定にし
てしかも高精度なアライメントが可能になるという効果
がある。

【図面の簡単な説明】 第１図（ａ）〜（、）は、本発明の詳細な説明するため
の図、第２図（ａ）〜（ｅ）は、同じくその原理を説明
するための図、第３図は、基本膜厚と塗布むら量、更に
は塗布むらの偏移距離との組合せに対応する検出誤差量
をマトリックスとして示す図、第４図、第５図は、本発
明に係るアライナの平面とその側面を示す図、第６図（
ａ）〜（ｄ）は、測定された膜厚分布より検出誤差量を
求める方法を説明するための図、第７図は、アライメン
ト量の求め方とそれにもとづくアライメント方法を説明
するための図、第８図、第９図、第１０図は、測定され
た膜厚分布より反射光強度分布を求めたうえ検出誤差量
を求める方法を説明するための図、第１１図。 第１２図は、本発明に係る他のアライナの構成を示す図
、第１３図は、これまでのＴＴＬアライメント方式に係
る縮小投影露光装置の構成を示す図、第１４図、第１５
図は、スピンコータによるレジスト塗布方法とウェハア
ライメントパターンへのレジスト塗布方法を説明するた
めの図、第１６図（ａ）、　（ｂ）は、ウェハアライメ
ントパターンに対するホトレジストの流れ方向如何によ
ってホトレジスト膜厚分布が如何に変化するかを説明す
るための図、第１７図（ａ）、　（ｂ）は、それらホト
レジスト膜厚分布に対応する反射光強度分布を示す図、
第１８図は、ホトレジスト膜厚に対する干渉光（反射光
）の強度を示す図である。 １・・・レチクル、２・・・縮小投影レンズ、１３．１
３’・・・レチクルアライメントパターン、４０．６１
・・・膜厚分布測定用ステージ、４１．６２・・・ＴＴ
Ｌアライメント兼露光用ＸＹθ精勤ステージ、４５．４
７．６３．６８・・・ウェハ、６７・・・膜厚測定器、
６４．６９．８０・・・チップ。 ６５、６６、７０．７１．８１．８２・・・ウェハアラ
イメントパターン。 代理人　弁理士　　　秋　　本　　正　　実第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９ｖＩＪ ＩＷ−４−■ 第１０図 ＩＷ　　ＩＣ 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 第１５図 第１６図 第１７図 （ａ）　　　　　　　　　　　　　　　（ｂｌｗｌｄ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、レチクル回路パターンを縮小投影レンズを介しウェ
   ハ上に縮小投影露光するに先立って、レチクル上のアラ
   イメントパターンとウェハ上のアライメントパターンと
   をアライメントする際に、ウェハ上に塗布されたホトレ
   ジストの膜厚分布を少なくともウェハアライメントパタ
   ーン部と該パターン部近傍において測定し、測定された
   ホトレジスト膜厚分布データよりホトレジスト膜厚分布
   に起因するウェハアライメントパターン位置検出誤差を
   求め、該位置検出誤差にもとづきアライメントする際で
   のアライメント量を補正することを特徴とするアライメ
   ント方式。 ２、ホトレジスト膜厚分布に起因するウェハアライメン
   トパターン位置検出誤差は、予め把握されているウェハ
   アライメントパターン部と該パターン部近傍におけるホ
   トレジスト膜厚分布と、該ホトレジスト膜厚分布によっ
   て生じるウェハアライメントパターン位置検出誤差との
   関係に、測定されたホトレジスト膜厚分布データを照合
   することによって導出される特許請求の範囲第１項記載
   のアライメント方式。 ３、ホトレジスト膜厚分布に起因するウェハアライメン
   トパターン位置検出誤差は、測定されたホトレジスト膜
   厚分布データから、ウェハアライメントパターンからの
   反射光強度分布を算出し、該反射光強度分布より導出さ
   れる特許請求の範囲第１項記載のアライメント方式。