JPS6255260B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6255260B2 JPS6255260B2 JP55153881A JP15388180A JPS6255260B2 JP S6255260 B2 JPS6255260 B2 JP S6255260B2 JP 55153881 A JP55153881 A JP 55153881A JP 15388180 A JP15388180 A JP 15388180A JP S6255260 B2 JPS6255260 B2 JP S6255260B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating flange
- electrode
- deceleration
- ion source
- support material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Plasma Technology (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は中性粒子入射装置用イオン源に係り、
特に、プラズマ室内に配置される加速、減速、及
び接地の各電極間を絶縁支持している中性粒子入
射装置用イオン源に関する。
特に、プラズマ室内に配置される加速、減速、及
び接地の各電極間を絶縁支持している中性粒子入
射装置用イオン源に関する。
第１図に従来の中性粒子入射装置用イオン源を
示す。該図において、１は内部にプラズマを作る
プラズマ室のカバー、２はプラズマ室のケース３
はプラズマ室のカバー１に固定されるフイラメン
トで、このフイラメント３の下のプラズマ室内に
は加速電極９、減速電極１０、及び接地電極１１
が配置されている。これらの各電極９，１０，１
１は、各々電極支持材４，５，６に支持され、そ
の間には高圧、低圧絶縁フランジ７，８が配置さ
れている。球面に形成され、その表面に多数の貫
通穴を有した加速、減速、接地の各電極９，１
０，１１の各々の穴中心を結ぶ線は、球面Ｒの焦
点１３に集る。そして、この加速、減速、接地電
極９，１０，１１間に電圧が印加され、プラズマ
室で作られたイオンが加速、減速、接地電極９，
１０，１１の焦点に加速されて集束する。従つ
て、加速、減速、接地の各電極９，１０，１１の
相対位置の微小変化がイオンの集束を発散させる
結果となる。この微小変化は、加速、減速、接地
の各電極９，１０，１１をそれぞれ支える電極支
持材４，５，６の組立精度により与えられ、組立
部品の点数が多い程集積の変化量が多くなりイオ
ン源の性能低下となる。従来は各電極９，１０，
１１を各電極支持材４，５，６に取付けられる状
態まで組んで集積公差を加工修正していたが、再
組立による再現が悪くイオン発散の原因となつて
いた。
示す。該図において、１は内部にプラズマを作る
プラズマ室のカバー、２はプラズマ室のケース３
はプラズマ室のカバー１に固定されるフイラメン
トで、このフイラメント３の下のプラズマ室内に
は加速電極９、減速電極１０、及び接地電極１１
が配置されている。これらの各電極９，１０，１
１は、各々電極支持材４，５，６に支持され、そ
の間には高圧、低圧絶縁フランジ７，８が配置さ
れている。球面に形成され、その表面に多数の貫
通穴を有した加速、減速、接地の各電極９，１
０，１１の各々の穴中心を結ぶ線は、球面Ｒの焦
点１３に集る。そして、この加速、減速、接地電
極９，１０，１１間に電圧が印加され、プラズマ
室で作られたイオンが加速、減速、接地電極９，
１０，１１の焦点に加速されて集束する。従つ
て、加速、減速、接地の各電極９，１０，１１の
相対位置の微小変化がイオンの集束を発散させる
結果となる。この微小変化は、加速、減速、接地
の各電極９，１０，１１をそれぞれ支える電極支
持材４，５，６の組立精度により与えられ、組立
部品の点数が多い程集積の変化量が多くなりイオ
ン源の性能低下となる。従来は各電極９，１０，
１１を各電極支持材４，５，６に取付けられる状
態まで組んで集積公差を加工修正していたが、再
組立による再現が悪くイオン発散の原因となつて
いた。
本発明は上述の点に鑑みさなれたもので、その
目的とするところは、加速、減速、接地の各電極
を支持している電極支持材の再組立による変形を
防止し、イオン発散のないようにした中性粒子入
射装置用イオン源を提供するにある。
目的とするところは、加速、減速、接地の各電極
を支持している電極支持材の再組立による変形を
防止し、イオン発散のないようにした中性粒子入
射装置用イオン源を提供するにある。
本発明は加速、減速、及び接地の各電極を支持
する電極支持材の各々を絶縁する絶縁フランジ
を、その内周側に減速電極支持材を固定しモード
ルした一体品で形成し、該絶縁フランジの上面の
加速電極支持材を支持すると共に、下面に接地電
極支持材を支持し、かつ絶縁フランジの前記減速
電極支持材が固定されている部分に、前記減速電
極を冷却するための冷却水を導入する導水管を絶
縁フランジを貫通して設けることにより、所期の
目的を達成するようになしたものである。
する電極支持材の各々を絶縁する絶縁フランジ
を、その内周側に減速電極支持材を固定しモード
ルした一体品で形成し、該絶縁フランジの上面の
加速電極支持材を支持すると共に、下面に接地電
極支持材を支持し、かつ絶縁フランジの前記減速
電極支持材が固定されている部分に、前記減速電
極を冷却するための冷却水を導入する導水管を絶
縁フランジを貫通して設けることにより、所期の
目的を達成するようになしたものである。
以下、図面の実施例に基づいて本発明を説明す
る。尚、符号は従来と同一のものは同符号を使用
する。
る。尚、符号は従来と同一のものは同符号を使用
する。
第２図に本発明の中性粒子入射装置用イオン源
の一実施例を示す。
の一実施例を示す。
該図の如く、本実施例では、従来高圧絶縁フラ
ンジと低圧絶縁フランジに分けられていた絶縁フ
ランジを、その内周側に減速電極支持材５を固定
しモールドした一体品の絶縁フランジ１２とした
ものである。そして、その絶縁フランジ１２の上
面に加速電極支持材４を支持し、下面に接地電極
支持材６を支持し、かつ、第４図に示す如く、絶
縁フランジ１２の減速電極支持材５が固定されて
いる部分に、減速電極１０を冷却するための冷却
水を導く導水管１４を、絶縁フランジ１２を貫通
して設けている。その他の構成は、従来のものと
同様なため、ここでの説明は省略する。
ンジと低圧絶縁フランジに分けられていた絶縁フ
ランジを、その内周側に減速電極支持材５を固定
しモールドした一体品の絶縁フランジ１２とした
ものである。そして、その絶縁フランジ１２の上
面に加速電極支持材４を支持し、下面に接地電極
支持材６を支持し、かつ、第４図に示す如く、絶
縁フランジ１２の減速電極支持材５が固定されて
いる部分に、減速電極１０を冷却するための冷却
水を導く導水管１４を、絶縁フランジ１２を貫通
して設けている。その他の構成は、従来のものと
同様なため、ここでの説明は省略する。
このように構成された本実施例の中性粒子入射
装置用イオン源においては、絶縁フランジ１２が
モールドされた一体品であるため、従来の絶縁フ
ランジとは異り部品点数が減り製作時の加工面数
の低減による精度の向上と、部品点数の低減によ
る再組立時の再現性が良くなり、各電極の相対位
置の微小変化がなくなり精度の良いイオン源が得
られる。また、このモールドにより一体化された
絶縁フランジ１２には、モールドの中にリング状
の金具を全周にわたり埋込ませるものと、全周に
数個部分的に埋込ませるものとがある。尚、この
絶縁フランジ１２には、電気的接続するため第３
図に示す如く外側に通ずる端子１５が１個、また
は、数個引出されている。
装置用イオン源においては、絶縁フランジ１２が
モールドされた一体品であるため、従来の絶縁フ
ランジとは異り部品点数が減り製作時の加工面数
の低減による精度の向上と、部品点数の低減によ
る再組立時の再現性が良くなり、各電極の相対位
置の微小変化がなくなり精度の良いイオン源が得
られる。また、このモールドにより一体化された
絶縁フランジ１２には、モールドの中にリング状
の金具を全周にわたり埋込ませるものと、全周に
数個部分的に埋込ませるものとがある。尚、この
絶縁フランジ１２には、電気的接続するため第３
図に示す如く外側に通ずる端子１５が１個、また
は、数個引出されている。
以上説明した本発明の中性粒子入射装置用イオ
ン源によれば、加速、減速、及び接地の各電極を
支持する電極支持材の各々を絶縁する絶縁フラン
ジを、その内周側に減速電極支持材を固定しモー
ルドした一体品で形成し、該絶縁フランジの上面
に加速電極支持材を支持すると共に、下面に接地
電極支持材を支持し、かつ、絶縁フランジの前記
減速電極支持材が固定されている部分に前記減速
電極を冷却するための冷却水を導入する導水管
を、絶縁フランジを貫通して設けたものであるか
ら、加速、減速、接地の各電極における相対位置
の微小変化がなくなり、イオンの発散のない精度
の良い中性粒子入射装置用イオン源を得ることが
できる。
ン源によれば、加速、減速、及び接地の各電極を
支持する電極支持材の各々を絶縁する絶縁フラン
ジを、その内周側に減速電極支持材を固定しモー
ルドした一体品で形成し、該絶縁フランジの上面
に加速電極支持材を支持すると共に、下面に接地
電極支持材を支持し、かつ、絶縁フランジの前記
減速電極支持材が固定されている部分に前記減速
電極を冷却するための冷却水を導入する導水管
を、絶縁フランジを貫通して設けたものであるか
ら、加速、減速、接地の各電極における相対位置
の微小変化がなくなり、イオンの発散のない精度
の良い中性粒子入射装置用イオン源を得ることが
できる。
第１図は従来の中性粒子入射装置用イオン源を
示す部分断面図、第２図は本発明による中性粒子
入射装置用イオン源の一実施例を示す部分断面
図、第３図は本実施例の減速電極からの電圧印加
端子の引出しの詳細を示す絶縁フランジ部分の
図、第４図は本実施例の減速電極へ冷却水を導入
する導水管の詳細を示す絶縁フランジ部分の図で
ある。 ３……フイラメント、４……加速電極支持材、
５……減速電極支持材、６……接地電極支持材、
９……加速電極、１０……減速電極、１１……接
地電極、１２……絶縁フランジ、１４……導水
管、１５……端子。
示す部分断面図、第２図は本発明による中性粒子
入射装置用イオン源の一実施例を示す部分断面
図、第３図は本実施例の減速電極からの電圧印加
端子の引出しの詳細を示す絶縁フランジ部分の
図、第４図は本実施例の減速電極へ冷却水を導入
する導水管の詳細を示す絶縁フランジ部分の図で
ある。 ３……フイラメント、４……加速電極支持材、
５……減速電極支持材、６……接地電極支持材、
９……加速電極、１０……減速電極、１１……接
地電極、１２……絶縁フランジ、１４……導水
管、１５……端子。
Claims (1)
- １ 内部に水素ガスを注入し、内壁面に取付けら
れているフイラメントを加熱してプラズマ状態を
作るプラズマ室と、該プラズマ室内に配置され、
該プラズマ室内でイオン化されたイオンを加速す
る加速、減速、及び接地電極と、これら各電極を
前記プラズマ室に各々支持する電極支持材と、該
各電極支持材を絶縁する絶縁フランジとを備えた
中性粒子入射装置用イオン源において、前記絶縁
フランジを、その内周側に前記減速電極支持材を
固定しモールドした一体品で形成し、該絶縁フラ
ンジの上面に加速電極支持材を支持すると共に、
下面に接地電極支持材を支持し、かつ、絶縁フラ
ンジの前記減速電極支持材が固定されている部分
に、前記減速電極を冷却するための冷却水を導く
導水管を、絶絶フランジを貫通して設けたことを
特徴とする中性粒子入射装置用イオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55153881A JPS5778800A (en) | 1980-11-04 | 1980-11-04 | Ion source for netral particle incident device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55153881A JPS5778800A (en) | 1980-11-04 | 1980-11-04 | Ion source for netral particle incident device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5778800A JPS5778800A (en) | 1982-05-17 |
| JPS6255260B2 true JPS6255260B2 (ja) | 1987-11-19 |
Family
ID=15572142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55153881A Granted JPS5778800A (en) | 1980-11-04 | 1980-11-04 | Ion source for netral particle incident device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5778800A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6423753U (ja) * | 1987-07-30 | 1989-02-08 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61195550A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Hitachi Ltd | イオン源 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55121252A (en) * | 1979-03-14 | 1980-09-18 | Hitachi Ltd | Lead-out electrode construction for ion source |
-
1980
- 1980-11-04 JP JP55153881A patent/JPS5778800A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6423753U (ja) * | 1987-07-30 | 1989-02-08 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5778800A (en) | 1982-05-17 |
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