JPS625527B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS625527B2 JPS625527B2 JP3852581A JP3852581A JPS625527B2 JP S625527 B2 JPS625527 B2 JP S625527B2 JP 3852581 A JP3852581 A JP 3852581A JP 3852581 A JP3852581 A JP 3852581A JP S625527 B2 JPS625527 B2 JP S625527B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diameter portion
- dielectric
- small
- inner conductor
- frequency filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2053—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities the coaxial cavity resonators being disposed parall to each other
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は比較的高周波数帯、特にVHF帯、
UHF帯、およびマイクロ波帯で多く用いられる
高周波ろ波器の改良に関するものである。
UHF帯、およびマイクロ波帯で多く用いられる
高周波ろ波器の改良に関するものである。
まず、第１図に示す従来の高周波ろ波器につい
て説明する。
て説明する。
第１図において、１，２は外導体、３は内導
体、４は金属より線膨張係数の小さい高誘電率誘
電体、５は周波数調整ネジ、６は半同軸共振器、
７は入出力ループ、８は結合孔、P1，P2は入出力
接栓、Ｃはコンデンサであり、同図ａは外導体１
を欠載する平面図、同図ｂは縦断面図である。
体、４は金属より線膨張係数の小さい高誘電率誘
電体、５は周波数調整ネジ、６は半同軸共振器、
７は入出力ループ、８は結合孔、P1，P2は入出力
接栓、Ｃはコンデンサであり、同図ａは外導体１
を欠載する平面図、同図ｂは縦断面図である。
ここで、内導体３は、一端が外導体２で短絡さ
れ、他端が開放端となつている。内導体３の長さ
は、コンデンサＣの容量が零の場合には１／４波長で あるが、通常は零でないコンデンサＣの容量を考
慮し、１／４波長より短く設計される。また、誘電体 ４は、内導体３が短絡されている側の外導体２の
面に接着剤等によつて固定されている。誘電体４
によつて半同軸共振器６中の波長が短縮されるの
で内導体３の長さが短くなり、高周波ろ波器の小
形化が図られている。
れ、他端が開放端となつている。内導体３の長さ
は、コンデンサＣの容量が零の場合には１／４波長で あるが、通常は零でないコンデンサＣの容量を考
慮し、１／４波長より短く設計される。また、誘電体 ４は、内導体３が短絡されている側の外導体２の
面に接着剤等によつて固定されている。誘電体４
によつて半同軸共振器６中の波長が短縮されるの
で内導体３の長さが短くなり、高周波ろ波器の小
形化が図られている。
いま、周波数０において半同軸共振器６が同
一周波数０で共振するものとすれば、周波数
０では入出力端子P1に入射した波は順次半同軸共
振器６で共振し端子P2に取り出される。周波数
０以外の波に対しては、半同軸共振器６が共振し
ないため端子P2への結合は非常に小さく、ほとん
どの電力が反射される。このように、第１図に示
した高周波ろ波器は帯域通過ろ波器としての機能
を有する。
一周波数０で共振するものとすれば、周波数
０では入出力端子P1に入射した波は順次半同軸共
振器６で共振し端子P2に取り出される。周波数
０以外の波に対しては、半同軸共振器６が共振し
ないため端子P2への結合は非常に小さく、ほとん
どの電力が反射される。このように、第１図に示
した高周波ろ波器は帯域通過ろ波器としての機能
を有する。
しかし、従来の高周波ろ波器では小形であると
ともに軽量化を図るため、線膨張係数の小さいセ
ラミツク等で形成される比誘電率の大きな誘電体
４と比重の小さいアルミニユーム等の線膨張係数
の大きな金属で形成される外導体２が用いられて
いた。このため両者の線膨張係数の差が大きく、
かつ広い面積にわたつて誘電体４と外導体２が接
着剤等によつて密着しているため、温度サイクル
が加わつた場合には接着部分に歪が生じ、接着力
が弱まつて良好な特性が安定して得られないとい
う欠点があつた。
ともに軽量化を図るため、線膨張係数の小さいセ
ラミツク等で形成される比誘電率の大きな誘電体
４と比重の小さいアルミニユーム等の線膨張係数
の大きな金属で形成される外導体２が用いられて
いた。このため両者の線膨張係数の差が大きく、
かつ広い面積にわたつて誘電体４と外導体２が接
着剤等によつて密着しているため、温度サイクル
が加わつた場合には接着部分に歪が生じ、接着力
が弱まつて良好な特性が安定して得られないとい
う欠点があつた。
この発明は、この欠点を除去するため、内導体
に直径が大きく線膨張係数の小さい部分を設け、
この部分に誘電体を固定するようにしたものであ
り、以下図面について詳細に説明する。
に直径が大きく線膨張係数の小さい部分を設け、
この部分に誘電体を固定するようにしたものであ
り、以下図面について詳細に説明する。
第２図はこの発明の一実施例であり、１〜８，
P1，P2，Ｃは第１図と同じもの、９は内導体３の
直径の大きい部分、１０は内導体３の直径の小さ
い部分、１１はネジである。また、第２図ａ，ｂ
はそれぞれ第１図ａ，ｂに対応した平面図および
縦断面図、第２図ｃは内導体３を詳細に示す縦断
面図である。
P1，P2，Ｃは第１図と同じもの、９は内導体３の
直径の大きい部分、１０は内導体３の直径の小さ
い部分、１１はネジである。また、第２図ａ，ｂ
はそれぞれ第１図ａ，ｂに対応した平面図および
縦断面図、第２図ｃは内導体３を詳細に示す縦断
面図である。
ここで、直径の小さい部分１０はネジ１１によ
つて外導体２にとりつけられており、直径の大き
い部分９は、直径の小さい部分１０と外導体２に
挾まれて固定されている。又、直径の大きい部分
９は、線膨張係数の小さい合金で形成されてい
る。誘電体４は、直径の小さい部分１０と外導体
２の間に設けられており、直径の小さい部分１０
と直径の大きい部分９の境界においてのみ直径の
大きい部分９に接して接着剤等で固定されてい
る。このような構造では、誘電体４と直径の大き
い部分９との線膨張係数の差が小さく、比較的面
積の小さい面で密着しているので、温度サイクル
が加わつても接着部分の歪は小さく安定した電気
的特性が得られる。
つて外導体２にとりつけられており、直径の大き
い部分９は、直径の小さい部分１０と外導体２に
挾まれて固定されている。又、直径の大きい部分
９は、線膨張係数の小さい合金で形成されてい
る。誘電体４は、直径の小さい部分１０と外導体
２の間に設けられており、直径の小さい部分１０
と直径の大きい部分９の境界においてのみ直径の
大きい部分９に接して接着剤等で固定されてい
る。このような構造では、誘電体４と直径の大き
い部分９との線膨張係数の差が小さく、比較的面
積の小さい面で密着しているので、温度サイクル
が加わつても接着部分の歪は小さく安定した電気
的特性が得られる。
直径の大きい部分９を形成している線膨張係数
の小さい合金は、一般には比抵抗が大きいがメツ
キを施せば電気的な問題は生じない。
の小さい合金は、一般には比抵抗が大きいがメツ
キを施せば電気的な問題は生じない。
次に、この発明の高周波ろ波器の動作は、内導
体３の形状を除いて第１図の高周波ろ波器と全く
同じ構造であり、従来の高周波ろ波器と同様に帯
域通過ろ波器としての機能を有する。この帯域通
過ろ波器としての特性は、この発明の高周波ろ波
器では前述した理由から温度サイクルに対して安
定して良好な特性となる。
体３の形状を除いて第１図の高周波ろ波器と全く
同じ構造であり、従来の高周波ろ波器と同様に帯
域通過ろ波器としての機能を有する。この帯域通
過ろ波器としての特性は、この発明の高周波ろ波
器では前述した理由から温度サイクルに対して安
定して良好な特性となる。
第３図は、この発明の他の一実施例を示すもの
であり、１〜１０，P1，P2，Ｃは第２図と同じも
のである。
であり、１〜１０，P1，P2，Ｃは第２図と同じも
のである。
この発明の高周波ろ波器では、半同軸共振器６
の外導体２の横断面を正方形として肉厚を薄くす
ることによつて軽量化が図られている。また、結
合孔８を半同軸共振器６の全長にわたつて連続し
た形状とすることによつて、結合孔８の加工が容
易になつている。
の外導体２の横断面を正方形として肉厚を薄くす
ることによつて軽量化が図られている。また、結
合孔８を半同軸共振器６の全長にわたつて連続し
た形状とすることによつて、結合孔８の加工が容
易になつている。
なお、以上は共振器が３段の場合について述べ
たが、共振器の段数は３段に限定されるものでは
ない。又、共振器相互の結合を結合孔で行う場合
について述べたが、この発明はこれに限らずルー
プで結合する場合に適用してもよい。
たが、共振器の段数は３段に限定されるものでは
ない。又、共振器相互の結合を結合孔で行う場合
について述べたが、この発明はこれに限らずルー
プで結合する場合に適用してもよい。
以上のように、この発明に係る高周波ろ波器で
は、内導体３に線膨張係数の小さい金属で形成さ
れた直径の大きい部分９を設け、誘電体４をこの
部分に固定することによつて、温度サイクルに対
して安定して良好な特性が得られるという利点が
ある。
は、内導体３に線膨張係数の小さい金属で形成さ
れた直径の大きい部分９を設け、誘電体４をこの
部分に固定することによつて、温度サイクルに対
して安定して良好な特性が得られるという利点が
ある。
第１図は従来の高周波ろ波器であり、同図ａは
一部欠載する平面図、同図ｂは縦断面図、第２図
はこの発明の一実施例を示す概略構成図であり、
同図ａは一部欠載する平面図、同図ｂは縦断面
図、ｃは部分的な詳細図、第３図はこの発明の他
の一実施例を示す概略構成図であり、ａは一部欠
載する平面図、ｂは縦断面図である。 図中、１，２は外導体、３は内導体、４は誘電
体、６は半同軸共振器、７は入出力ループ、８は
結合孔、９は内導体３の直径の大きい部分、１０
は内導体３の直径の小さい部分、Ｃはコンデンサ
である。なお、図中、同一あるいは相当部分には
同一符号を付して示してある。
一部欠載する平面図、同図ｂは縦断面図、第２図
はこの発明の一実施例を示す概略構成図であり、
同図ａは一部欠載する平面図、同図ｂは縦断面
図、ｃは部分的な詳細図、第３図はこの発明の他
の一実施例を示す概略構成図であり、ａは一部欠
載する平面図、ｂは縦断面図である。 図中、１，２は外導体、３は内導体、４は誘電
体、６は半同軸共振器、７は入出力ループ、８は
結合孔、９は内導体３の直径の大きい部分、１０
は内導体３の直径の小さい部分、Ｃはコンデンサ
である。なお、図中、同一あるいは相当部分には
同一符号を付して示してある。
Claims (1)
- １ 共振器を相互に結合した高周波ろ波器におい
て、上記共振器を外導体の横断面が正方形あるい
は円形で、内導体と外導体との間の一部に誘電体
を充てんした半同軸共振器とし、かつ、上記誘電
体の短絡側に線膨張係数の小さい合金で形成され
た直径の大きい部分を設けるとともに、上記誘電
体は上記内導体の開放端側の直径の小さい部分と
外導体との間に充てんされ、上記直径の大きい部
分のみに接して固定されていることを特徴とする
高周波ろ波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3852581A JPS57152701A (en) | 1981-03-17 | 1981-03-17 | High frequency filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3852581A JPS57152701A (en) | 1981-03-17 | 1981-03-17 | High frequency filter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57152701A JPS57152701A (en) | 1982-09-21 |
| JPS625527B2 true JPS625527B2 (ja) | 1987-02-05 |
Family
ID=12527686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3852581A Granted JPS57152701A (en) | 1981-03-17 | 1981-03-17 | High frequency filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57152701A (ja) |
-
1981
- 1981-03-17 JP JP3852581A patent/JPS57152701A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57152701A (en) | 1982-09-21 |
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