JPS6255963A - ＧａＡｓ半導体装置 - Google Patents
ＧａＡｓ半導体装置Info
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- JPS6255963A JPS6255963A JP60196966A JP19696685A JPS6255963A JP S6255963 A JPS6255963 A JP S6255963A JP 60196966 A JP60196966 A JP 60196966A JP 19696685 A JP19696685 A JP 19696685A JP S6255963 A JPS6255963 A JP S6255963A
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- gaas
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- electrode layer
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- Pending
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明（よＧａＡｓ半導体装置の電極構造に関するも
のである。
のである。
第４図は従来のＧａＡｓ半導体装置の一例として、Ｇａ
Ａｓ太陽電池の製造方法を工程順に示したものである。
Ａｓ太陽電池の製造方法を工程順に示したものである。
以下これを用いて従来の方法を説明する。
まず、第４図（ａ）に示すように、ｎ形ＧａＡｓ基板（
１）の上面に亜鉛を添加したＡ Ｉ −Ｇ ａ Ａ ｓ
メルトを用いて、液相エピタキシャル成長法でＡｌ−Ｇ
ａ Ａ ｓ層（３）を成長させる。乙のとき、添加さ
れた亜鉛がｎ形ＧａＡｓ基板（１）に拡散して、Ｐ形Ｇ
ａＡｓ層（２）が形成されろ。特に宇宙で用いろ場合、
耐放射線の強いＧａＡｓ太陽電池が要求され、Ｐ形Ｇａ
Ａｓ層（２）（よ０．５μｍ程度の膜厚のものが要求さ
れろ。次に第４図（ｂ）に示すようにＡＮ−ＧａＡｓ層
（３）上面に反射防止膜（４）をＣＶＤ法により形成し
た後、写真製版、エツチング法により選択的にコンタク
トホール（９）を形成する。次に第４図 （ｃ）に示すように、蒸着法によりコンタクトホール（
９）にＴ ｉ ／Ａｇ、Ａｇ−ＺｎなどてＰ形電極層（
６）、ｎ形ＧａＡｓ基板（１）の裏面にＡ ｕ Ｇ
ｅ Ｎｉ −Ａ ｇ、のｎ形電極層（７）を形成する
。次に銀のインクコネクタ（８）をＰ形電極層（６）に
電気溶接により接続し、モジュール化する。
１）の上面に亜鉛を添加したＡ Ｉ −Ｇ ａ Ａ ｓ
メルトを用いて、液相エピタキシャル成長法でＡｌ−Ｇ
ａ Ａ ｓ層（３）を成長させる。乙のとき、添加さ
れた亜鉛がｎ形ＧａＡｓ基板（１）に拡散して、Ｐ形Ｇ
ａＡｓ層（２）が形成されろ。特に宇宙で用いろ場合、
耐放射線の強いＧａＡｓ太陽電池が要求され、Ｐ形Ｇａ
Ａｓ層（２）（よ０．５μｍ程度の膜厚のものが要求さ
れろ。次に第４図（ｂ）に示すようにＡＮ−ＧａＡｓ層
（３）上面に反射防止膜（４）をＣＶＤ法により形成し
た後、写真製版、エツチング法により選択的にコンタク
トホール（９）を形成する。次に第４図 （ｃ）に示すように、蒸着法によりコンタクトホール（
９）にＴ ｉ ／Ａｇ、Ａｇ−ＺｎなどてＰ形電極層（
６）、ｎ形ＧａＡｓ基板（１）の裏面にＡ ｕ Ｇ
ｅ Ｎｉ −Ａ ｇ、のｎ形電極層（７）を形成する
。次に銀のインクコネクタ（８）をＰ形電極層（６）に
電気溶接により接続し、モジュール化する。
第４図で示すように、電気溶接でＰ形電極層（６）とイ
ンクコネクタ（８）とを接続するときに、高い溶接電圧
を印加すると高熱が生じ、Ｐ形電極層（６）の材料によ
って、Ｐｎ接合００）が損傷されろことがある。また、
Ｐ ｎ接合α０）の損傷を恐れて電気溶接のｉ＊接電圧
を下げると、Ｐ形電極層（６）とインクコネクタ（８）
とが接合しないという問題点がある。上記のことから、
Ｐ形電極層（６）とインタコネクタ（８）との接続は、
電気溶接の溶接電圧、溶接電圧のパルス幅、などの最適
な設定条件の範囲は非常に狭く、細かな配慮が必要であ
る。それに加えて従来ての電気溶接の印加電圧で（よ溶
接器の先端が溶接時に酸化するなど、前記の最適な設定
条件の再現性が悪くなるなどの問題点があった。
ンクコネクタ（８）とを接続するときに、高い溶接電圧
を印加すると高熱が生じ、Ｐ形電極層（６）の材料によ
って、Ｐｎ接合００）が損傷されろことがある。また、
Ｐ ｎ接合α０）の損傷を恐れて電気溶接のｉ＊接電圧
を下げると、Ｐ形電極層（６）とインクコネクタ（８）
とが接合しないという問題点がある。上記のことから、
Ｐ形電極層（６）とインタコネクタ（８）との接続は、
電気溶接の溶接電圧、溶接電圧のパルス幅、などの最適
な設定条件の範囲は非常に狭く、細かな配慮が必要であ
る。それに加えて従来ての電気溶接の印加電圧で（よ溶
接器の先端が溶接時に酸化するなど、前記の最適な設定
条件の再現性が悪くなるなどの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、充分な接続強度を有するインクコネクタと
Ｐｎ接合が損傷されることの無いＧａＡｓ半導体装置を
得ることを目的とする。
れたもので、充分な接続強度を有するインクコネクタと
Ｐｎ接合が損傷されることの無いＧａＡｓ半導体装置を
得ることを目的とする。
この発明に係わるＧａＡｓ半導体装置は、Ｐ形ＧａＡｓ
層（２）とＰ形電極層（６）との間にＴｉＮの薄膜を設
けたものである。
層（２）とＰ形電極層（６）との間にＴｉＮの薄膜を設
けたものである。
この発明における、Ｐ形ＧａＡｓ層（２）とＰ形電極層
（６）との間のＴｉＮの薄膜（よ、高い溶接電圧を印加
した電気溶接のさいに生ずる熱によって、下層のＰ形電
極層と反応することが無いためにＰｎ接合が損傷される
ことを防止する。
（６）との間のＴｉＮの薄膜（よ、高い溶接電圧を印加
した電気溶接のさいに生ずる熱によって、下層のＰ形電
極層と反応することが無いためにＰｎ接合が損傷される
ことを防止する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例のインクコネクタ（８）を除いた
上面図、第２図は本発明の一実施例によるＧａＡｓ太陽
電池の製造方法を工程１１１αに示し、第２図（ａ）は
従来法の第４図（ｂ）と同一の状態である。第２図（ｂ
）は第１図（ａ）のＴｕｂ−４ｂ’線断面図で、インタ
コネクタ（８）を溶接したものである。本実施例方法で
は、第２図（ａ）の状態の後、第２図（ｂ）のようにイ
ンタコネクタ（８）を接続する部分のＰ形ＧａＡｓ層（
２）の上面に、反応性スパッタ法により、ＴｉＮ層（５
）を形成し、その後、従来方法と同様にＰ形ｉ′Ｓ極層
（６）、ｎ形電極層（７）を形成する。モジュール化す
る為にインクコネクタ（８）をＰ形電極層（６）に接続
する。
図は本発明の一実施例のインクコネクタ（８）を除いた
上面図、第２図は本発明の一実施例によるＧａＡｓ太陽
電池の製造方法を工程１１１αに示し、第２図（ａ）は
従来法の第４図（ｂ）と同一の状態である。第２図（ｂ
）は第１図（ａ）のＴｕｂ−４ｂ’線断面図で、インタ
コネクタ（８）を溶接したものである。本実施例方法で
は、第２図（ａ）の状態の後、第２図（ｂ）のようにイ
ンタコネクタ（８）を接続する部分のＰ形ＧａＡｓ層（
２）の上面に、反応性スパッタ法により、ＴｉＮ層（５
）を形成し、その後、従来方法と同様にＰ形ｉ′Ｓ極層
（６）、ｎ形電極層（７）を形成する。モジュール化す
る為にインクコネクタ（８）をＰ形電極層（６）に接続
する。
Ｔ ｉ Ｎ層（５）をＰ形ＧａＡｓ層（２）とＰ形電極
層（６）との間に形成することによって、インクコネク
タ（８）の溶接時に、高い溶接電圧を加えても、ＴｉＮ
層（５）がＰ形ＧａＡｓ層（２）に対して、バリアメタ
ルとして機能し、Ｐｎ接合００）を損傷されることが無
くなった。従来の場合、溶接電圧は０．５ＫＶが限界で
あったが、ＴｉＮ層（５）の前記の機能により０゜５５
Ｋ Ｖまで高くすることができる。また、溶接時に他界
溶接電圧を加えられるため、充分な強度を有する接続が
実現され、接続部の信頼性を高めろことができる。
層（６）との間に形成することによって、インクコネク
タ（８）の溶接時に、高い溶接電圧を加えても、ＴｉＮ
層（５）がＰ形ＧａＡｓ層（２）に対して、バリアメタ
ルとして機能し、Ｐｎ接合００）を損傷されることが無
くなった。従来の場合、溶接電圧は０．５ＫＶが限界で
あったが、ＴｉＮ層（５）の前記の機能により０゜５５
Ｋ Ｖまで高くすることができる。また、溶接時に他界
溶接電圧を加えられるため、充分な強度を有する接続が
実現され、接続部の信頼性を高めろことができる。
なお、ＴｉＮ層（５）は接触抵抗が高い為に格子状電極
（６ａ）に設ければ、ＧａＡｓ太陽電池の変換効率が下
がるので、Ｐ形電極層（６）上部全体に設けることがで
きない。このことより第１図に示すようにインクコネク
タ（８）を接続する部分のみにＴｉＮ層（５）を設ける
場合と第３図のようｌこ共通電極（６ａ）全体にＴｉＮ
層（５）を設ける場合が考えられる。
（６ａ）に設ければ、ＧａＡｓ太陽電池の変換効率が下
がるので、Ｐ形電極層（６）上部全体に設けることがで
きない。このことより第１図に示すようにインクコネク
タ（８）を接続する部分のみにＴｉＮ層（５）を設ける
場合と第３図のようｌこ共通電極（６ａ）全体にＴｉＮ
層（５）を設ける場合が考えられる。
以上のように、この発明によれば共通電極部内のＰ形電
極層とＰ形Ｇａｚａ層との間にＴｉＮ層を形成したので
、Ｐ形電極材料にＰｎ接合が損傷されるのを防止できる
。従って前記により、溶接時に高い溶接電圧を印加臼で
きので、インクコネクタの接着強度の高いＧａＡｓ太陽
電池が得られる効果がある。また、このＴｉＮ層はＧａ
Ａｓ太陽電池以外のＧａＡｓ半導体装置にも適用できろ
。
極層とＰ形Ｇａｚａ層との間にＴｉＮ層を形成したので
、Ｐ形電極材料にＰｎ接合が損傷されるのを防止できる
。従って前記により、溶接時に高い溶接電圧を印加臼で
きので、インクコネクタの接着強度の高いＧａＡｓ太陽
電池が得られる効果がある。また、このＴｉＮ層はＧａ
Ａｓ太陽電池以外のＧａＡｓ半導体装置にも適用できろ
。
第１図、第３図はこの発明の一実施例によろＧａＡｓ太
陽電池の一ヒ面図、第２図はこの発明の一実施例による
ＧａＡｓ太陽電池の製造工程を示す断面図、第２図（ｂ
）は第１図のＨｂ−１’Ｉｂ’綿断面図、第４図は従来
のＧａＡｓ太陽電池の製造工程を示す断面図である。 ｌ ｉｆ ｎ形ＧａＡｓ基板、２はＰ形ＧａＡｓ層、３
はＡｊ’−ＧａＡｓ層、４ζよ反射防止膜、５はＴｉＮ
層、６はＰ形電極層、６ａは格子状電極、６ｂｉよ共通
電極、７はｎ形電極層、８はインクコネクタである。な
お、図中、同一符号は同一、又（よ相当部分を示す。
陽電池の一ヒ面図、第２図はこの発明の一実施例による
ＧａＡｓ太陽電池の製造工程を示す断面図、第２図（ｂ
）は第１図のＨｂ−１’Ｉｂ’綿断面図、第４図は従来
のＧａＡｓ太陽電池の製造工程を示す断面図である。 ｌ ｉｆ ｎ形ＧａＡｓ基板、２はＰ形ＧａＡｓ層、３
はＡｊ’−ＧａＡｓ層、４ζよ反射防止膜、５はＴｉＮ
層、６はＰ形電極層、６ａは格子状電極、６ｂｉよ共通
電極、７はｎ形電極層、８はインクコネクタである。な
お、図中、同一符号は同一、又（よ相当部分を示す。
Claims (1)
- ＧａＡｓ層と、前記ＧａＡｓ層表面の選択された領域
に形成されたＴｉＮ層、前記ＧａＡｓ層とＴｉＮ層の表
面に形成された電極層、前記ＴｉＮ層上の前記電極層表
面に形成された電極とを備えたＧａＡｓ半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196966A JPS6255963A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | ＧａＡｓ半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196966A JPS6255963A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | ＧａＡｓ半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255963A true JPS6255963A (ja) | 1987-03-11 |
Family
ID=16366608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60196966A Pending JPS6255963A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | ＧａＡｓ半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6255963A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011517105A (ja) * | 2008-04-08 | 2011-05-26 | エフオーエム・インスティテュート・フォー・アトミック・アンド・モルキュラー・フィジックス | 表面プラズモン共鳴生成ナノ構造を有する太陽光電池 |
| WO2022138619A1 (ja) | 2020-12-21 | 2022-06-30 | 出光興産株式会社 | 太陽電池の電極構造および製造方法 |
| WO2022138623A1 (ja) | 2020-12-21 | 2022-06-30 | 出光興産株式会社 | 太陽電池の電極構造および製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58188157A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS5998553A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | ＧａＡｓ半導体装置の電極構造 |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP60196966A patent/JPS6255963A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58188157A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPS5998553A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | ＧａＡｓ半導体装置の電極構造 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011517105A (ja) * | 2008-04-08 | 2011-05-26 | エフオーエム・インスティテュート・フォー・アトミック・アンド・モルキュラー・フィジックス | 表面プラズモン共鳴生成ナノ構造を有する太陽光電池 |
| WO2022138619A1 (ja) | 2020-12-21 | 2022-06-30 | 出光興産株式会社 | 太陽電池の電極構造および製造方法 |
| WO2022138623A1 (ja) | 2020-12-21 | 2022-06-30 | 出光興産株式会社 | 太陽電池の電極構造および製造方法 |
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