JPS6258603A - 排ガス温度の検出用サ−ミスタ - Google Patents
排ガス温度の検出用サ−ミスタInfo
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- JPS6258603A JPS6258603A JP19889685A JP19889685A JPS6258603A JP S6258603 A JPS6258603 A JP S6258603A JP 19889685 A JP19889685 A JP 19889685A JP 19889685 A JP19889685 A JP 19889685A JP S6258603 A JPS6258603 A JP S6258603A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の利用分野］
この発明は、排ガス温度の検出用サーミスタに関し、特
に排ガス組成の影響が小さく、排ガスの温度を正確に検
出できるサーミスタに関する。
に排ガス組成の影響が小さく、排ガスの温度を正確に検
出できるサーミスタに関する。
［従来技術］
Ｔｉ０ｈ等の金属酸化物半導体をち密に焼結し、排ガス
との接触を断つようにしたサーミスタが知られている（
例えば特開昭５５−１２９７４２号）。このサーミスタ
では焼結をち密にして、排ガスの組成変化への応答を遅
らせ、見掛は上排ガス組成への感度を小さくする。しか
しこの公報によると、リッチ側（当ｍ比λが１以下の領
域）とり一ン側（当量比λが１以上の領域）との間で雰
囲気を切り替えると、サーミスタの抵抗値は１秒間に約
４倍変化する。なお測定温度は７１０°Ｃである。
との接触を断つようにしたサーミスタが知られている（
例えば特開昭５５−１２９７４２号）。このサーミスタ
では焼結をち密にして、排ガスの組成変化への応答を遅
らせ、見掛は上排ガス組成への感度を小さくする。しか
しこの公報によると、リッチ側（当ｍ比λが１以下の領
域）とり一ン側（当量比λが１以上の領域）との間で雰
囲気を切り替えると、サーミスタの抵抗値は１秒間に約
４倍変化する。なお測定温度は７１０°Ｃである。
［発明の課題］
この発明の課題は、排ガス組成による検出誤差が小さい
サーミスタを得ることに有る。
サーミスタを得ることに有る。
［発明の構成コ
この発明の排ガス温度の検出用サーミスタは、化合物Ａ
ＳｎＯ３に、（ここにＡはＢａ、Ｓｒ、Ｃａ。
ＳｎＯ３に、（ここにＡはＢａ、Ｓｒ、Ｃａ。
およびＲａからなる群の少なくとも一員を現す。）、そ
の１モル当たり、０．０３〜０５グラム原子の、Ｍｎ、
Ｃｕ、ＷＳＴａ、Ｃｏ、Ｇａ、Ｎｂ５Ｚｎ。
の１モル当たり、０．０３〜０５グラム原子の、Ｍｎ、
Ｃｕ、ＷＳＴａ、Ｃｏ、Ｇａ、Ｎｂ５Ｚｎ。
Ｎｉ、Ｃｒからなる群の少なくとも一員の元素の酸化物
を添加したことを特徴とする特 ［実施例］ ＢａＣ０：＋、５ｒＣＯｚ、ＣａＣＯ３、Ｒａ Ｃ０３
を等モル量のＳｎＯ２と混合し、空気中にて４時間１１
００°Ｃで仮焼し、ペロブスカイト化合物ｆ３ａｓｎｏ
ｓ、５ｒＳｎ（）：＋、ｃａｓｎＯ：＋、Ｒａ Ｓ ｎ
０３を得た。化合物の粉砕後に、マンガン等の酸化物
を添加し、３００気圧でプレス成型して、一対の電極を
埋設したベレットとした。ベレットを空気中にて４時間
１４００°Ｃで焼結した。得られたベレットはち密で、
はとんど気孔のないものであった。
を添加したことを特徴とする特 ［実施例］ ＢａＣ０：＋、５ｒＣＯｚ、ＣａＣＯ３、Ｒａ Ｃ０３
を等モル量のＳｎＯ２と混合し、空気中にて４時間１１
００°Ｃで仮焼し、ペロブスカイト化合物ｆ３ａｓｎｏ
ｓ、５ｒＳｎ（）：＋、ｃａｓｎＯ：＋、Ｒａ Ｓ ｎ
０３を得た。化合物の粉砕後に、マンガン等の酸化物
を添加し、３００気圧でプレス成型して、一対の電極を
埋設したベレットとした。ベレットを空気中にて４時間
１４００°Ｃで焼結した。得られたベレットはち密で、
はとんど気孔のないものであった。
加えた酸化物は、その一部がベロブスツＪイト化合物中
に侵入して固溶または置換し、大部分が酸化物として析
出しているものと推定される。なお酸化物としての存在
形態は、マンガンがＭ ｎ ｔ ０３やＭｎａＯい銅が
ＣｕＯやＣＬＩ２０、タングステンがＷ ０３、タンタ
ルがＴａ２０５、コバルトがＣｏｏやＣｏ５ｔいガリウ
ムがＧａ２Ｏ３、ニオブがＮｂ ２０５、亜鉛がＺｎＯ
，ニッケルがＮｉｐ、クロムがＣ「２０３と推定される
。また仮焼や焼結の条件は適宜に変更できろ。
に侵入して固溶または置換し、大部分が酸化物として析
出しているものと推定される。なお酸化物としての存在
形態は、マンガンがＭ ｎ ｔ ０３やＭｎａＯい銅が
ＣｕＯやＣＬＩ２０、タングステンがＷ ０３、タンタ
ルがＴａ２０５、コバルトがＣｏｏやＣｏ５ｔいガリウ
ムがＧａ２Ｏ３、ニオブがＮｂ ２０５、亜鉛がＺｎＯ
，ニッケルがＮｉｐ、クロムがＣ「２０３と推定される
。また仮焼や焼結の条件は適宜に変更できろ。
他の実施例として、マンガン酸化物を加えたＢ ａＳ
ｎｏ ３を、３０気圧でプレス成型して、焼結した乙の
を得た。また比較例として、マンガン等の酸化物を加え
ないしのを製造した。
ｎｏ ３を、３０気圧でプレス成型して、焼結した乙の
を得た。また比較例として、マンガン等の酸化物を加え
ないしのを製造した。
これらのベレットを用いて、第１図のサーミスタ（２）
を製造した。図において、（４）はアルミナ等の基板、
（６）はベレット、（８）、（１０）は電極、（１２）
、（１４）は外部リードである。
を製造した。図において、（４）はアルミナ等の基板、
（６）はベレット、（８）、（１０）は電極、（１２）
、（１４）は外部リードである。
サーミスタ（２）の特性を調へた。当量比λが１１の雰
囲気（リーン）、あるいはえが０．９の雰囲気（リッチ
）にサーミスタ（２）を置き、１０°Ｃ／ｍｉｎの昇温
速度で、３００°Ｃから８００°Ｃに昇温する。この間
の抵抗値を測定し、サーミスタ（２）の特性を評価した
。
囲気（リーン）、あるいはえが０．９の雰囲気（リッチ
）にサーミスタ（２）を置き、１０°Ｃ／ｍｉｎの昇温
速度で、３００°Ｃから８００°Ｃに昇温する。この間
の抵抗値を測定し、サーミスタ（２）の特性を評価した
。
第２図にマンガンを加えたＢａ５ｎＯ３（プレス圧３０
０気圧）の特性を示す。なお以下では、Ｂａ５ｎ−０３
等の１モルにたいして、加えた酸化物中の金属か０．０
１グラム原子である場合を、１モル％、あるいは単に１
％として表示する。
０気圧）の特性を示す。なお以下では、Ｂａ５ｎ−０３
等の１モルにたいして、加えた酸化物中の金属か０．０
１グラム原子である場合を、１モル％、あるいは単に１
％として表示する。
１０％のマンガンを加えると、排ガス組成への感度か失
イっれ、正確なサーミスタとして用いろことができる。
イっれ、正確なサーミスタとして用いろことができる。
なお比較のため、単味のＢ ａ Ｓ ｎ ０３の結果を
示す。
示す。
第３図に１０％の銅を加えたｒ３ａｓｎｏ＊の結果を、
第・１図に１０％のマンガンを加えたＳｒＳｎＯ３の結
果を、第５図に１０％のマンガンを加えたＣａ５ｎ−０
３の結果を示す。いずれら排ガス組成の影響は小さく、
正確に温度を検出できる。
第・１図に１０％のマンガンを加えたＳｒＳｎＯ３の結
果を、第５図に１０％のマンガンを加えたＣａ５ｎ−０
３の結果を示す。いずれら排ガス組成の影響は小さく、
正確に温度を検出できる。
各実施例の結果を、まとめて表１、表２に示す。
表 １ １３ａＳｎ０３系
Ｒ１／Ｒｒ３）
Ｎｏ ｔ） 添加物２） ７００’Ｃ８００’
Ｃ１＊ Ｍｎ１５ ＩＱ２
Ｍｎ ５ ２ ３３
Ｍｎ１Ｏ１，７１，８４Ｍｎ３０ １
．３ １．４５４） Ｍｎ１０ ２
２．５６＊ Ｍｎ１Ｏ００，３ ７＊ Ｃｕ Ｉ ６ １
０８ Ｃｕ１０ ２．１ ２．
３９ ＷＩｏ １．８ ２．
０１０ Ｔａ１０ ２ ２．５
１１ Ｃｏ１０ ２．５ ４１２
Ｚｎ１０４ ６１３＊
ＴｉＯ２１０３００ １４＊ ５ｎＯ２１０３５０ １）主＋Ａ料は全てＢａＳｎＯ３、＊は比較例、２）モ
ル％単位、 ３） リーン側（λが１．１）とリッヂ側（λが０９）
とで、毎分ｊＯ°Ｃの速度で３００℃から８００°Ｃへ
昇温し、抵抗値を測定する、各温度でのリーン側とリッ
チ側との抵抗値の比を示す、 ４） プレス圧３０気圧。
Ｃ１＊ Ｍｎ１５ ＩＱ２
Ｍｎ ５ ２ ３３
Ｍｎ１Ｏ１，７１，８４Ｍｎ３０ １
．３ １．４５４） Ｍｎ１０ ２
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０８ Ｃｕ１０ ２．１ ２．
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Ｚｎ１０４ ６１３＊
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ル％単位、 ３） リーン側（λが１．１）とリッヂ側（λが０９）
とで、毎分ｊＯ°Ｃの速度で３００℃から８００°Ｃへ
昇温し、抵抗値を測定する、各温度でのリーン側とリッ
チ側との抵抗値の比を示す、 ４） プレス圧３０気圧。
表 ２ 他の半導体１）
Ｒ１／Ｒｒ
半導体２） 添加物 ７００℃ ８００’Ｃ
３ｒＳｎＯ３＊ Ｍｎ １ ５ ９／ｌ
Ｍｎ１０ １．３ １．５”
Ｃｕ１０ １．２ １．５〃 ＷＩＯ１
，３＋、５ 〃Ｃｏ１０ ２ ２．５ 〃Ｇａ１Ｏ２２，８ 〃Ｚｎ１０ ３ ４ 〃Ｎｉ１Ｏ３４ ツノ Ｃｒ１Ｑ ３
４表２続き ｆｌｌ／Ｒｒ 批弘±２） 添加物 ７００°Ｃ８００°ＣＣ
ａＳｎＯ３＊ Ｍｎ Ｉ ５ ８〃Ｍｎ
１Ｏ１，４１，６ 〃 Ｃｕ ５ ｌ ６ ２ 〃Ｔａ１Ｏ１，３１，５ 〃Ｃｏｌ０ １．５ ２．３ 〃Ｇａ１０ １．６ ２．３ ” Ｎｂ１０ １．５ ２．２ＲａＳｎ０
３Ｍｎｌ Ｏ１，８２ １）測定条件等は表１に同じ、 ２）＊は比較例。
３ｒＳｎＯ３＊ Ｍｎ １ ５ ９／ｌ
Ｍｎ１０ １．３ １．５”
Ｃｕ１０ １．２ １．５〃 ＷＩＯ１
，３＋、５ 〃Ｃｏ１０ ２ ２．５ 〃Ｇａ１Ｏ２２，８ 〃Ｚｎ１０ ３ ４ 〃Ｎｉ１Ｏ３４ ツノ Ｃｒ１Ｑ ３
４表２続き ｆｌｌ／Ｒｒ 批弘±２） 添加物 ７００°Ｃ８００°ＣＣ
ａＳｎＯ３＊ Ｍｎ Ｉ ５ ８〃Ｍｎ
１Ｏ１，４１，６ 〃 Ｃｕ ５ ｌ ６ ２ 〃Ｔａ１Ｏ１，３１，５ 〃Ｃｏｌ０ １．５ ２．３ 〃Ｇａ１０ １．６ ２．３ ” Ｎｂ１０ １．５ ２．２ＲａＳｎ０
３Ｍｎｌ Ｏ１，８２ １）測定条件等は表１に同じ、 ２）＊は比較例。
各表の結果から、以下のことがわかる。マンガン等の酸
化物の添加用については、１％では不充分であるが、５
％では充分な効果が得られる（表１の試料Ｉ、２）。一
方１００％のマンガンを加えろと、サーミスタはＢａ５
ｎＯｓ等上りムマンガン酸化物に類似の性質を示す（表
１の試料６）。
化物の添加用については、１％では不充分であるが、５
％では充分な効果が得られる（表１の試料Ｉ、２）。一
方１００％のマンガンを加えろと、サーミスタはＢａ５
ｎＯｓ等上りムマンガン酸化物に類似の性質を示す（表
１の試料６）。
酸化物の種類について検討すると、マンガン、銅、タン
グステン、タンタルは類似の性質を示し、かつ最も効果
が大きい。これに次ぐものは、コバルト、ガリウム、ニ
オブであり、亜鉛、ニッケル、クロムは効果がやや小さ
い。
グステン、タンタルは類似の性質を示し、かつ最も効果
が大きい。これに次ぐものは、コバルト、ガリウム、ニ
オブであり、亜鉛、ニッケル、クロムは効果がやや小さ
い。
［発明の効果］
この発明では、排ガス組成の影響が小さく、排カスの温
度を正確に検出できろサーミスタが得られる。
度を正確に検出できろサーミスタが得られる。
第１図は実施例の排ガス温度の検出用サーミスタの正面
図、第２図〜第５図は実施例の特性図である。
図、第２図〜第５図は実施例の特性図である。
Claims (1)
- （１）化合物ＡＳｎＯ＿３に、（ここにＡはＢａ、Ｓｒ
、Ｃａ、およびＲａからなる群の少なくとも一員を現す
。）、 Ｍｎ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｚｎ、Ｎｉ
、Ｃｒからなる群の少なくとも一員の元素の酸化物を添
加すると共に、 その添加量は酸化物中の金属元素に換算して、ＡＳｎＯ
＿３１モル当たり０．０３〜０．５グラム原子であるこ
とを特徴とする、排ガス温度の検出用サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19889685A JPS6258603A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 排ガス温度の検出用サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19889685A JPS6258603A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 排ガス温度の検出用サ−ミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6258603A true JPS6258603A (ja) | 1987-03-14 |
Family
ID=16398739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19889685A Pending JPS6258603A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 排ガス温度の検出用サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6258603A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55121961A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-19 | Tdk Electronics Co Ltd | High frequency heat generator |
-
1985
- 1985-09-09 JP JP19889685A patent/JPS6258603A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55121961A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-19 | Tdk Electronics Co Ltd | High frequency heat generator |
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