JPS6258650A - 非接触形プロ−ブカ−ド - Google Patents
非接触形プロ−ブカ−ドInfo
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- JPS6258650A JPS6258650A JP60198279A JP19827985A JPS6258650A JP S6258650 A JPS6258650 A JP S6258650A JP 60198279 A JP60198279 A JP 60198279A JP 19827985 A JP19827985 A JP 19827985A JP S6258650 A JPS6258650 A JP S6258650A
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- Japan
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- electrical
- optical
- signal
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- Pending
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上皮且里公立
この発明は、試料としての各種電子部品の電気的諸特性
を測定する際に用いる非接触形プローブカードに係り、
特に前記試料に対して機械的探針を行わず、いわゆる光
学的探針を行う非接触形プローブカードに関する。
を測定する際に用いる非接触形プローブカードに係り、
特に前記試料に対して機械的探針を行わず、いわゆる光
学的探針を行う非接触形プローブカードに関する。
従未立伎血
一般に、試料としての半導体ウェハに形成される集積回
路やサーマルプリントヘッド等の電子部品の不良解析や
電気的諸特性の測定は一般にプローバと呼ばれる測定装
置で行われている。このブローバには、測定しようとす
る試料の電気的入出力部（ポンディングパッド部）の配
置状態に対応して配置された探針を備えたプローブカー
ドが用いられている。
路やサーマルプリントヘッド等の電子部品の不良解析や
電気的諸特性の測定は一般にプローバと呼ばれる測定装
置で行われている。このブローバには、測定しようとす
る試料の電気的入出力部（ポンディングパッド部）の配
置状態に対応して配置された探針を備えたプローブカー
ドが用いられている。
ここで、第３図に示すプローブカードを従来技術として
説明する。第３図はその構成を示す断面図である。
説明する。第３図はその構成を示す断面図である。
図において、２１は回路基板で、図示しないが各種電子
部品等が搭載されると共に、プリント配線が施されてい
る。この回路基板２１の中央には開口部２２が設けられ
ていて、この開口部２２の裏面側には嵌合部２３が形成
されている。嵌合部２３には傾斜面を有する絶縁リング
２４が嵌着され、この傾斜面上には複数の探針２５が放
射状に配置されている。
部品等が搭載されると共に、プリント配線が施されてい
る。この回路基板２１の中央には開口部２２が設けられ
ていて、この開口部２２の裏面側には嵌合部２３が形成
されている。嵌合部２３には傾斜面を有する絶縁リング
２４が嵌着され、この傾斜面上には複数の探針２５が放
射状に配置されている。
この探針２５は絶縁性合成樹脂２６にて保持されている
。さらに、回路基板２１の表面および裏面には、プリン
ト配線２７が絶縁リング２４近傍から外に向かって放射
状に伸びるように配設されている。このプリント配線２
７の絶縁リング２４側の端部には前記探針２５が半田付
等によって接続されている。なお、図面には表面側に設
けられるプリント配線２７を省略している。
。さらに、回路基板２１の表面および裏面には、プリン
ト配線２７が絶縁リング２４近傍から外に向かって放射
状に伸びるように配設されている。このプリント配線２
７の絶縁リング２４側の端部には前記探針２５が半田付
等によって接続されている。なお、図面には表面側に設
けられるプリント配線２７を省略している。
そして、上記プローブカードを図外のブローバと呼ばれ
る測定装置に接続し、探針２５を前述した試料の電気的
入出力部の表面に直接押し付けて、電気信号をやりとり
することにより電気的諸特性の測定を行うようにしてい
た。
る測定装置に接続し、探針２５を前述した試料の電気的
入出力部の表面に直接押し付けて、電気信号をやりとり
することにより電気的諸特性の測定を行うようにしてい
た。
（η・し ゛と るい 占
ところで、探針２５を試料の電気的入出力部に直接押し
付けてプリント配線２７を介して電気信号のやりとりを
行うことに伴い次のような問題を生じる。
付けてプリント配線２７を介して電気信号のやりとりを
行うことに伴い次のような問題を生じる。
それは、探針２５を電気的入出力部に押し付ける際に、
当該電気的入出力部上で探針２５がスリップし、電気的
入出力部に引っかき傷が付き、後工程であるワイヤーボ
ンディングの接着不良を招く。
当該電気的入出力部上で探針２５がスリップし、電気的
入出力部に引っかき傷が付き、後工程であるワイヤーボ
ンディングの接着不良を招く。
しかも前記スリップが生じると電気的入出力部を介して
その下方の結晶に欠陥が生じ、回路破壊を引き起こすに
至る。
その下方の結晶に欠陥が生じ、回路破壊を引き起こすに
至る。
さらには、探針２５自身が静電容量を有することと、探
針２５およびプリント配線２７によりインダクタンス成
分およびキャパシタンス成分が試料の電気的入出力部と
測定装置間に必然的に挿入されることから、インピーダ
ンスが不整合になる。そのため、従来のプローブカード
では、特に高周波動作時において測定値の信頼性の低下
を余儀なくされる。
針２５およびプリント配線２７によりインダクタンス成
分およびキャパシタンス成分が試料の電気的入出力部と
測定装置間に必然的に挿入されることから、インピーダ
ンスが不整合になる。そのため、従来のプローブカード
では、特に高周波動作時において測定値の信頼性の低下
を余儀なくされる。
従って、この発明の目的とする処は、一つは試料の電気
的入出力部の損傷および回路破壊を合理的に防止するこ
と、もう一つはインピーダンスの不整合を無くし、特に
高周波動作時においても測定値の信頼性を向上すること
にある。
的入出力部の損傷および回路破壊を合理的に防止するこ
と、もう一つはインピーダンスの不整合を無くし、特に
高周波動作時においても測定値の信頼性を向上すること
にある。
。 占 ′ るための
上記目的を達成するために、この発明は、試料と測定装
置との間の信号のやりとりを光学的に行うように構成し
た。つまり、従来回路基板に形成していたプリント配線
の代わりに光伝送ケーブルを前記回路基板に配設した。
置との間の信号のやりとりを光学的に行うように構成し
た。つまり、従来回路基板に形成していたプリント配線
の代わりに光伝送ケーブルを前記回路基板に配設した。
この光伝送ケーブルの先端面を、測定しようとする試料
の電気的入出力部の配置状態に対応して配置させた。
の電気的入出力部の配置状態に対応して配置させた。
但し、この構成の非接触形プローブカードで測定できる
試料は、その電気的入出力部に光信号を電気信号にまた
電気信号を光信号にそれぞれ変換する光／電気変換素子
および電気／光変換素子を有するものに限定される。
試料は、その電気的入出力部に光信号を電気信号にまた
電気信号を光信号にそれぞれ変換する光／電気変換素子
および電気／光変換素子を有するものに限定される。
作且
測定装置から試料に信号を送る場合、測定装置側から出
力した光信号は光伝送ケーブルで伝送され、この光伝送
ケーブルの先端面から直接、試料の電気的入出力部に形
成した光／電気変換素子に前記伝送されてきた光信号が
入射される。この光／電気変換素子にて光信号が電気信
号に変換され試料の回路に与えられる。
力した光信号は光伝送ケーブルで伝送され、この光伝送
ケーブルの先端面から直接、試料の電気的入出力部に形
成した光／電気変換素子に前記伝送されてきた光信号が
入射される。この光／電気変換素子にて光信号が電気信
号に変換され試料の回路に与えられる。
一方、試料から出力する電気信号は、前記とは別の電気
的入出力部に形成した電気／光変換素子にて光信号に変
換される。この光信号は光伝送ケーブルにて伝送され測
定装置に与えられる。
的入出力部に形成した電気／光変換素子にて光信号に変
換される。この光信号は光伝送ケーブルにて伝送され測
定装置に与えられる。
災立皿
第１図はこの発明の一実施例を示す要部断面図である。
図において、１は非接触形プローブカードで、この非接
触形プローブカード１は、略矩形板状の回路基板２と、
この回路基板２の貫通孔２ａに固定される筒状の絶縁部
材３とを具備している。
触形プローブカード１は、略矩形板状の回路基板２と、
この回路基板２の貫通孔２ａに固定される筒状の絶縁部
材３とを具備している。
具体的には、前記絶縁部材３は、回路基板２の中央に開
設された貫通孔２ａと同軸状に当該回路基Ｆｊ、２の下
面に突出して固定されている。この絶縁部材３の肉厚部
３１には孔部３１ａが複数個穿設されている。この孔部
３１ａには、複数本の光伝送ケーブル４がそれぞれ挿通
されていて、光伝送ケーブル４の先端面は肉厚部３１の
下面より下方に僅かに突出されている。そして、前記の
光伝送ケーブル４の先端面は、試料としての集積回路や
サーマルプリントヘッド等の電子部品の電気的入出力部
（ボンディングバソド部）の配置状態に対応して配置さ
れている。なお、光伝送ケーブル４は回路基板２の上面
に沿って図外のプローバと呼ばれる測定装置まで導出さ
れている。
設された貫通孔２ａと同軸状に当該回路基Ｆｊ、２の下
面に突出して固定されている。この絶縁部材３の肉厚部
３１には孔部３１ａが複数個穿設されている。この孔部
３１ａには、複数本の光伝送ケーブル４がそれぞれ挿通
されていて、光伝送ケーブル４の先端面は肉厚部３１の
下面より下方に僅かに突出されている。そして、前記の
光伝送ケーブル４の先端面は、試料としての集積回路や
サーマルプリントヘッド等の電子部品の電気的入出力部
（ボンディングバソド部）の配置状態に対応して配置さ
れている。なお、光伝送ケーブル４は回路基板２の上面
に沿って図外のプローバと呼ばれる測定装置まで導出さ
れている。
この測定装置からは通常電気信号を出力するようになっ
ているので、前記電気信号を外部にて前記電気信号を光
信号に変換するため、上記説明した電気／光変換素子６
や光／電気変換素子７と同様の素子を例えば回路基板２
に配設する必要がある。この場合には前記光伝送ケーブ
ル４を前記素子まで導出させればよい。なお、測定装置
内部で電気信号を光信号に変換して光信号を直接出力す
るようになっておれば、前記光伝送ケーブル４を測定装
置内にまで導入させればよい。
ているので、前記電気信号を外部にて前記電気信号を光
信号に変換するため、上記説明した電気／光変換素子６
や光／電気変換素子７と同様の素子を例えば回路基板２
に配設する必要がある。この場合には前記光伝送ケーブ
ル４を前記素子まで導出させればよい。なお、測定装置
内部で電気信号を光信号に変換して光信号を直接出力す
るようになっておれば、前記光伝送ケーブル４を測定装
置内にまで導入させればよい。
一方、上記構成の非接触形プローブカード１で測定でき
る試料５は、光信号を電気信号にまた電気信号を光信号
にそれぞれ変換する光／電気変換素子６および電気／光
変換素子７を有するものに限定される。この光／電気変
換素子６および電気／光変換素子７は、試料５の電気的
入出力部５１を形成すべき部分に形成されている。
る試料５は、光信号を電気信号にまた電気信号を光信号
にそれぞれ変換する光／電気変換素子６および電気／光
変換素子７を有するものに限定される。この光／電気変
換素子６および電気／光変換素子７は、試料５の電気的
入出力部５１を形成すべき部分に形成されている。
この光／電気変換素子６および電気／光変換素子７は、
第１図および第２図に示すように配置されるものが考え
られる。具体的には、第１図の場合、電気的入出力部５
１を形成すべき部分には、予め光／電気変換素子６およ
び電気／光変換素子７が形成されていて、この光／電気
変換素子６および電気／光変換素子７の表面には、これ
らの素子の約半分の大きさの電気的入出力部５１が被着
されている。一方、第２図の場合、光／電気変換素子６
および電気／光変換素子７と電気的入出力部５１とは、
それぞれ同一平面上に隣合うように形成されている。
第１図および第２図に示すように配置されるものが考え
られる。具体的には、第１図の場合、電気的入出力部５
１を形成すべき部分には、予め光／電気変換素子６およ
び電気／光変換素子７が形成されていて、この光／電気
変換素子６および電気／光変換素子７の表面には、これ
らの素子の約半分の大きさの電気的入出力部５１が被着
されている。一方、第２図の場合、光／電気変換素子６
および電気／光変換素子７と電気的入出力部５１とは、
それぞれ同一平面上に隣合うように形成されている。
なお、光／電気変換素子６としては例えば高速のスイッ
チング素子や高速で光の断続が可能な発光素子が、一方
、電気／光変換素子７としては例えば高速な光の断続に
追従可能な受光素子や高速のスイッチング素子がそれぞ
れ採用されている。
チング素子や高速で光の断続が可能な発光素子が、一方
、電気／光変換素子７としては例えば高速な光の断続に
追従可能な受光素子や高速のスイッチング素子がそれぞ
れ採用されている。
上記説明した非接触形プローブカード１を用いたときに
おいて測定装置と試料５との間の信号のやりとりは次の
ようになる。まず、測定装置から光信号を出力するとし
た場合、この光信号は光伝送ケーブル４を通り、その先
端面から直接試料５の光／電気変換素子６に入射される
。この光／電気変換素子６は、光信号を電気信号に変換
して試料５の回路（図示せず）へと与える。
おいて測定装置と試料５との間の信号のやりとりは次の
ようになる。まず、測定装置から光信号を出力するとし
た場合、この光信号は光伝送ケーブル４を通り、その先
端面から直接試料５の光／電気変換素子６に入射される
。この光／電気変換素子６は、光信号を電気信号に変換
して試料５の回路（図示せず）へと与える。
一方、試料５の回路から出力する電気信号は、電気／光
変換素子７に入る。この電気／光変換素子７は、電気信
号を光信号に変換して出力し、光伝送ケーブル６を通り
測定装置に入力する。このようにして試料の電気的諸特
性を測定する。
変換素子７に入る。この電気／光変換素子７は、電気信
号を光信号に変換して出力し、光伝送ケーブル６を通り
測定装置に入力する。このようにして試料の電気的諸特
性を測定する。
皇皿少頂来
以上説明したように、この発明にかかる非接触形プロー
ブカードは、試料の電気的人出力部に探針を押し付ける
ということをせず、光学的に信号のやりとりを行うから
、従来のように前記電気的入出力部に引っかき傷が入ら
ず、これに伴い回路破壊を生じることもない。さらに、
探針およびプリント配線を用いないから、探針の静電容
量が無くなると共にインダクタンス成分およびキャパシ
タンス成分も無くなる。つまり、インピーダンスの不整
合を合理的に解消できる。
ブカードは、試料の電気的人出力部に探針を押し付ける
ということをせず、光学的に信号のやりとりを行うから
、従来のように前記電気的入出力部に引っかき傷が入ら
ず、これに伴い回路破壊を生じることもない。さらに、
探針およびプリント配線を用いないから、探針の静電容
量が無くなると共にインダクタンス成分およびキャパシ
タンス成分も無くなる。つまり、インピーダンスの不整
合を合理的に解消できる。
以上のことに基づいて、この発明によれば、測定値の信
頼性が従来と比較して大幅に向上すると言える。
頼性が従来と比較して大幅に向上すると言える。
第１図はこの発明の一実施例を示す要部断面図、第２図
は第１図に示した試料５の変形実施例を示す要部断面図
、第３図は従来のプローブカードの構成を示す断面図で
ある。 １・・・非接触形プローブカード、２・・・回路基板、
３・・・絶縁部材、４・・・光伝送ケーブル、５・・・
試料、６・・・光／電気変換素子、７・・・電気／光変
換素子。 特許出願人 日本電子材料株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 第３図
は第１図に示した試料５の変形実施例を示す要部断面図
、第３図は従来のプローブカードの構成を示す断面図で
ある。 １・・・非接触形プローブカード、２・・・回路基板、
３・・・絶縁部材、４・・・光伝送ケーブル、５・・・
試料、６・・・光／電気変換素子、７・・・電気／光変
換素子。 特許出願人 日本電子材料株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 第３図
Claims (1)
- （１）光信号を電気信号にまた電気信号を光信号にそれ
ぞれ変換する光／電気変換素子および電気／光変換素子
を電気的入出力部に備えた試料の電気的諸特性を測定す
る非接触形プローブカードであって、 測定装置から出力された光信号を光伝送ケーブルで伝送
し、当該光伝送ケーブルの先端面から前記光信号を前記
試料の電気的入出力部に形成された光／電気変換素子に
入射させ、当該光／電気変換素子にて前記光信号を電気
信号に変換して試料の回路へと与える一方、試料の回路
から出力された電気信号を当該試料の電気的入出力部と
は別の電気的入出力部に形成された電気／光変換素子に
て光信号に変換し、前記とは別の光伝送ケーブルにて前
記測定装置まで伝送するようにしたことを特徴とする非
接触形プローブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60198279A JPS6258650A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 非接触形プロ−ブカ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60198279A JPS6258650A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 非接触形プロ−ブカ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6258650A true JPS6258650A (ja) | 1987-03-14 |
Family
ID=16388481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60198279A Pending JPS6258650A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 非接触形プロ−ブカ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6258650A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5055780A (en) * | 1989-03-09 | 1991-10-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Probe plate used for testing a semiconductor device, and a test apparatus therefor |
| US20110050262A1 (en) * | 2009-09-01 | 2011-03-03 | Ming-Kun Chen | Active non-contact probe card |
| KR20190019841A (ko) | 2017-08-18 | 2019-02-27 | 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 | 검사장치 |
| JP2022018889A (ja) * | 2020-07-16 | 2022-01-27 | 株式会社日本マイクロニクス | 接続装置 |
| JP2023033607A (ja) * | 2018-06-01 | 2023-03-10 | 株式会社日本マイクロニクス | 接続装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56114346A (en) * | 1980-02-14 | 1981-09-08 | Telmec Co Ltd | Semiconductor structure for novel wafer inspecting system |
| JPS59143338A (ja) * | 1983-02-07 | 1984-08-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPS6025244A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-08 | Fujitsu Ltd | 半導体評価用装置 |
| JPS6064443A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-13 | Seiko Epson Corp | プロ−ブカ−ド |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP60198279A patent/JPS6258650A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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| US8421491B2 (en) * | 2009-09-01 | 2013-04-16 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Active non-contact probe card |
| KR20190019841A (ko) | 2017-08-18 | 2019-02-27 | 가부시키가이샤 니혼 마이크로닉스 | 검사장치 |
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| JP2022018889A (ja) * | 2020-07-16 | 2022-01-27 | 株式会社日本マイクロニクス | 接続装置 |
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