JPS6258654A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS6258654A JPS6258654A JP19763285A JP19763285A JPS6258654A JP S6258654 A JPS6258654 A JP S6258654A JP 19763285 A JP19763285 A JP 19763285A JP 19763285 A JP19763285 A JP 19763285A JP S6258654 A JPS6258654 A JP S6258654A
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- JP
- Japan
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- electromagnet
- semiconductor manufacturing
- gripping
- wafer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体Ｖ造装置に係り、特に真空下で試料を
固定あるいは搬送する必要がある半導体製造装置に関す
るものである。
固定あるいは搬送する必要がある半導体製造装置に関す
るものである。
半導体製造装置では■ＬＳＨの超微細化が進むにつれて
試料であるウェハの被処理面上音こ塵埃を付着させない
ことがスループット向上の大きな要因番こなっている。
試料であるウェハの被処理面上音こ塵埃を付着させない
ことがスループット向上の大きな要因番こなっている。
これに伴って、処理時の固定島るいは搬送時のウェハの
姿勢も被処理面上向き水平Ｉきから被処理面垂直あるい
は被処理面下向き水平置きに変わろうとしており、特に
スパッタ装置のようにウェハの被処理面に成膜する半導
体製造装置では、この傾向が著しい。
姿勢も被処理面上向き水平Ｉきから被処理面垂直あるい
は被処理面下向き水平置きに変わろうとしており、特に
スパッタ装置のようにウェハの被処理面に成膜する半導
体製造装置では、この傾向が著しい。
従来の半導体製造装置に用いられている試料のチャッキ
ング手段としては、例えば、特開昭５６−１０３４４２
号公報に記載のような、数個のクリップのばね力により
試料であるウェハを把持し、プッシャーによりクリップ
を機械的に押拡げることでウェハを解放する構造のもの
が知られている。
ング手段としては、例えば、特開昭５６−１０３４４２
号公報に記載のような、数個のクリップのばね力により
試料であるウェハを把持し、プッシャーによりクリップ
を機械的に押拡げることでウェハを解放する構造のもの
が知られている。
二のチャッキング手段では、大気中でウェハの把持、解
放が行われ、プッシャーに空気シリンダ等を用いその配
管をフレキシブルにすることでプッシャーも移動可能に
なっている。
放が行われ、プッシャーに空気シリンダ等を用いその配
管をフレキシブルにすることでプッシャーも移動可能に
なっている。
しかしながら、半導体製造装置では、より良い真空度で
試料を処理するために、真空下で試料を移動させる必要
が生じており、これに対処するには、従来のチャッキン
グ手段を用いた半導体製造装置では構造が複雑になり試
料の固定あるいは搬送の信頼性の確保が困難であり、チ
ャッキング手段が設けられる真空室の容積も大きくなる
ため排気時間が増大するといった問題を有している。
試料を処理するために、真空下で試料を移動させる必要
が生じており、これに対処するには、従来のチャッキン
グ手段を用いた半導体製造装置では構造が複雑になり試
料の固定あるいは搬送の信頼性の確保が困難であり、チ
ャッキング手段が設けられる真空室の容積も大きくなる
ため排気時間が増大するといった問題を有している。
本発明の目的は、構造が簡単で試料の固定あるいは搬送
の信頼性の確保が容易である半導体製造装置を提供する
ことにある。
の信頼性の確保が容易である半導体製造装置を提供する
ことにある。
本発明は、試料を把持するつかみ装置と、該つかみ具に
把持または解放する力を与える弾性部材と、該弾性部材
の把持または解放する力に逆らう力を与える電磁石とで
成る試料つかみ手段を具備したことを特徴とするもので
、機械的な力を利用することなしに試料を解放１把持で
きるチャッキング手段を用い真空下で試料を固定あるい
は排送することで、半導体製造装置の構造を簡単化し試
料の固定あるいは搬送の信頼性を容易に解保しようとし
たものである。
把持または解放する力を与える弾性部材と、該弾性部材
の把持または解放する力に逆らう力を与える電磁石とで
成る試料つかみ手段を具備したことを特徴とするもので
、機械的な力を利用することなしに試料を解放１把持で
きるチャッキング手段を用い真空下で試料を固定あるい
は排送することで、半導体製造装置の構造を簡単化し試
料の固定あるいは搬送の信頼性を容易に解保しようとし
たものである。
本発明の一実施例を第１図〜第３図により説明する。な
お、この場合、半導体製造装置としてスパッタ装置を例
にとり説明する。
お、この場合、半導体製造装置としてスパッタ装置を例
にとり説明する。
１０は真空室で、ロードロック室１３と搬送室１４と処
理搬送室１５とから成り、内部空間は継なかっている。
理搬送室１５とから成り、内部空間は継なかっている。
ロードロック室１３内には保持装置（９）が設けられて
いる。保持袋Ｗｌ加はブツシャ４とベローズηと保持台
器とばねスと爪５とから成る。ロードロック室１３の内
壁にばね冴を介して保持台器が取り付けられ、ロードロ
ック室１３の外壁を貫通してブツシャ■の頭が保持台ｎ
を外側から押すかたちに設けられており、ロードロック
室１３の外壁とブツシャ４とはベローズ２で継ながれて
いる。ブツシャ２１の他端は図示しない駆動装置に継な
がれている。爪３は保持台器の反プブシャガ側面に円形
に複数個設けられている。ロードロック室１３ハ、下部
に設けたゲートバルブ伎を介して頁空予備室１１に継な
がっている。
いる。保持袋Ｗｌ加はブツシャ４とベローズηと保持台
器とばねスと爪５とから成る。ロードロック室１３の内
壁にばね冴を介して保持台器が取り付けられ、ロードロ
ック室１３の外壁を貫通してブツシャ■の頭が保持台ｎ
を外側から押すかたちに設けられており、ロードロック
室１３の外壁とブツシャ４とはベローズ２で継ながれて
いる。ブツシャ２１の他端は図示しない駆動装置に継な
がれている。爪３は保持台器の反プブシャガ側面に円形
に複数個設けられている。ロードロック室１３ハ、下部
に設けたゲートバルブ伎を介して頁空予備室１１に継な
がっている。
搬送室１４内には、この場合、回転装置４ｏと押し出し
装ｆｆ５０とつかみ手段であるつかみ装置６ｏとから成
る搬送’ＪＲが設けられている。回転装置類は、ベアリ
ング４１と回転軸４２と回転合邦と支持アーム材と図示
しない回転駆動装置とから成る。回転軸４２は、搬送室
１４の下部に設けたベアリング４１を介して取り付けら
れ、回転軸４２の上端部には、この場合、二組の支持ア
ーム材を設けた回転合邦が取り付けてあり、他端部には
回転部＃Ｉ装置が継ないである。押し出し装置間は、押
し出し軸５１とカム５２と図示しない駆動装置とから成
る。押し出し軸５１は、回転軸４２の軸心を貫通して設
けられ、押し出し軸５１の上端部には先細のカム５２が
取り付けてあり、他端部は駆＃ｌ装置に継ながれている
。っかみ装ｒｉ１６０は、支持台６１と案内軸６２とブ
ラケット臼とアーム６とビン団と爪６と電磁石６７とプ
ランジャ閏とばね的とから成る。案内軸６２は支持アー
ム必の上部に移動可能に取り付けられ、一端には支持台
６１が取り付けられ、他端は案内軸６２に取り付けたこ
ろを介してカム５２に当接されている。支持台６１と支
持アーム４とは、ばね７０で継ながれている。支持台６
１の案内軸６２側の面の円周部には、複数のブラケット
臼が取り付けてあり、ブラケット６３にはピン団を介し
てＬ字型のアーム例が回転可能に取り付けである。アー
ム劇の一端には爪６が設けてあり、他端は支持台６１に
取り付けた電磁石６７に組み込まれたプランジャ簡の端
部に回動可能に連結しである。アーム６の爪６側と支持
台６１との間にばね器が取り付けである。電磁石６７は
第３図に示すように、コイル６７ ａとボビン６７ ｂ
と磁極６７ ｃと絶縁テープ６７ ｄとモールド材６７
ｅと熱伝達材６７ ｆとケース６７ ｇとから成る。
装ｆｆ５０とつかみ手段であるつかみ装置６ｏとから成
る搬送’ＪＲが設けられている。回転装置類は、ベアリ
ング４１と回転軸４２と回転合邦と支持アーム材と図示
しない回転駆動装置とから成る。回転軸４２は、搬送室
１４の下部に設けたベアリング４１を介して取り付けら
れ、回転軸４２の上端部には、この場合、二組の支持ア
ーム材を設けた回転合邦が取り付けてあり、他端部には
回転部＃Ｉ装置が継ないである。押し出し装置間は、押
し出し軸５１とカム５２と図示しない駆動装置とから成
る。押し出し軸５１は、回転軸４２の軸心を貫通して設
けられ、押し出し軸５１の上端部には先細のカム５２が
取り付けてあり、他端部は駆＃ｌ装置に継ながれている
。っかみ装ｒｉ１６０は、支持台６１と案内軸６２とブ
ラケット臼とアーム６とビン団と爪６と電磁石６７とプ
ランジャ閏とばね的とから成る。案内軸６２は支持アー
ム必の上部に移動可能に取り付けられ、一端には支持台
６１が取り付けられ、他端は案内軸６２に取り付けたこ
ろを介してカム５２に当接されている。支持台６１と支
持アーム４とは、ばね７０で継ながれている。支持台６
１の案内軸６２側の面の円周部には、複数のブラケット
臼が取り付けてあり、ブラケット６３にはピン団を介し
てＬ字型のアーム例が回転可能に取り付けである。アー
ム劇の一端には爪６が設けてあり、他端は支持台６１に
取り付けた電磁石６７に組み込まれたプランジャ簡の端
部に回動可能に連結しである。アーム６の爪６側と支持
台６１との間にばね器が取り付けである。電磁石６７は
第３図に示すように、コイル６７ ａとボビン６７ ｂ
と磁極６７ ｃと絶縁テープ６７ ｄとモールド材６７
ｅと熱伝達材６７ ｆとケース６７ ｇとから成る。
コイル６７ ａはボビン６７ ｂに巻かれ、コイル６７
ａの外周は絶縁テープ６７ ｄが巻かれている。ボビ
ン６７ ｂの一端に電極６７ ｃが取り付けられ、ボビ
ン６７ ｂと磁極６７ ｃとの中空部にプランジャ銘が
差し込まれている。ケース６７ｇは、ボビン６７ ｂと
コイル６７ ａを被うように取り付けられ、コイル６７
ａに巻いた絶縁テープ６７ｄとケース６７ ｇとの間
には、モールド材６７ ｅおよび熱伝達材６７ ｆがつ
められている。
ａの外周は絶縁テープ６７ ｄが巻かれている。ボビ
ン６７ ｂの一端に電極６７ ｃが取り付けられ、ボビ
ン６７ ｂと磁極６７ ｃとの中空部にプランジャ銘が
差し込まれている。ケース６７ｇは、ボビン６７ ｂと
コイル６７ ａを被うように取り付けられ、コイル６７
ａに巻いた絶縁テープ６７ｄとケース６７ ｇとの間
には、モールド材６７ ｅおよび熱伝達材６７ ｆがつ
められている。
処理搬送室１５内には、回転ドラム１６と保持装置間と
が設けられている。保持装置ｔ３０はブツシャ３１とベ
ローズβと保持台おとばねあと爪あとから成る。処理搬
送室１５内（こ設けられたドラム１６の外周壁にばねあ
を介して保持台（が取り付けられ、処理搬送室１５の外
壁を！通してブツシャ３１の頭が保持合羽を外側、すな
わち大気側わら押すかたちに設けられており、処理搬送
室１５の外壁とブツシャ３１とはベローズｎで継ながれ
ている。ブツシャ３１の他端は図示しない駆動装置に継
ながれている。
が設けられている。保持装置ｔ３０はブツシャ３１とベ
ローズβと保持台おとばねあと爪あとから成る。処理搬
送室１５内（こ設けられたドラム１６の外周壁にばねあ
を介して保持台（が取り付けられ、処理搬送室１５の外
壁を！通してブツシャ３１の頭が保持合羽を外側、すな
わち大気側わら押すかたちに設けられており、処理搬送
室１５の外壁とブツシャ３１とはベローズｎで継ながれ
ている。ブツシャ３１の他端は図示しない駆動装置に継
ながれている。
爪あは保持台羽の反ブツシャ３１側に円形に複数個設け
られている。回転ドラム１６は、図示しない回転駆動装
置に取り付けられている。また、回転ドラム１６には、
ブツシャ３１が突き抜ける貫通穴があけである。
られている。回転ドラム１６は、図示しない回転駆動装
置に取り付けられている。また、回転ドラム１６には、
ブツシャ３１が突き抜ける貫通穴があけである。
上記構成により、真空予備室１１に図示しない搬送装置
によって試料、例えばウェハ（資）を運び込み、真空予
備室１１内部をロードロック室１３と同じレベルまで真
空排気する。その後、ゲートバルブＬを開けて図示しな
い搬送装置によってウェハ閏をロードロック室１３内に
運び込み、保持袋ｆｔ１２０にウェハ関を保持させる。
によって試料、例えばウェハ（資）を運び込み、真空予
備室１１内部をロードロック室１３と同じレベルまで真
空排気する。その後、ゲートバルブＬを開けて図示しな
い搬送装置によってウェハ閏をロードロック室１３内に
運び込み、保持袋ｆｔ１２０にウェハ関を保持させる。
この際、ブツシャ２１は引っ込められており、ばね冴に
よって保持台乙はロードロック室１３の外壁側に引き寄
せられている。ウェハ関を爪５によって保持した保持装
置加は、その後、ブツシャとが押し出されて、保持合羽
を押し出し搬送室１４側ヘウエハ関を出す。
よって保持台乙はロードロック室１３の外壁側に引き寄
せられている。ウェハ関を爪５によって保持した保持装
置加は、その後、ブツシャとが押し出されて、保持合羽
を押し出し搬送室１４側ヘウエハ関を出す。
搬送室１４では、回転装置伯を回わして、つかみ装！ω
を保持装置Ｉにのウェハ（資）の前に移動して、押し出
し装置間によって、カム５２を押し出し、カム５２に接
した案内軸６２を押して、支持台６１を保持袋ｒｙ１２
０のウェハ開側に押し出す。この時、電磁Ｅｕを作動さ
せて、プランジャ困を電磁石６７側に引き付けて、アー
ム嗣をピン錫を中心に回転させて、爪間な外側に広げて
おく。支持台６１が、支持装置加のウェハ閏をつかめる
位置まで押し出されたら、電磁石６７の磁力を止めて、
プランジャ絽の引き付けを止める。これによって、ばね
θの力により爪６を閉じて、ウェハ（資）をつかむ。そ
の後、押し出し装置１５０によりカム５２を引っ込めて
、案内軸６２の押し出しを止める。これによって、支持
台６１はばね７０の力により支持アーム必側へ引き寄せ
られ、保持装置２１１］の爪５に保持されていたウェハ
（資）は、力は、保持装置加の爪５自身のばね力による
保持力よりも強鳴してお４゜つかみ装置ω側にウェハ（
資）を移した後は、回転装置類によって支持台６１を処
理搬送室１５側に回転させ、再び、カム５２によって案
内軸６２を押し出し、支持台６１を処理搬送室側に押し
出す。この時、処理搬送室１５側では、保持装置■の保
持台羽がブツシャ３１によって、搬送室１４側に押し出
されている。つかみ装置ωの支持台６１が保持装置（９
）側に押し出されることによって、つかみ装置間の爪η
によってつかまれたウェハ（資）は、保持袋５ｉ３０の
爪あに押し込まれ、爪あに保持される。その後、つかみ
装！！ωでは、電磁５釘な作動させて爪閉を開かせ、支
持台６１を引っ込めて処理搬送室１５から引き離す。
を保持装置Ｉにのウェハ（資）の前に移動して、押し出
し装置間によって、カム５２を押し出し、カム５２に接
した案内軸６２を押して、支持台６１を保持袋ｒｙ１２
０のウェハ開側に押し出す。この時、電磁Ｅｕを作動さ
せて、プランジャ困を電磁石６７側に引き付けて、アー
ム嗣をピン錫を中心に回転させて、爪間な外側に広げて
おく。支持台６１が、支持装置加のウェハ閏をつかめる
位置まで押し出されたら、電磁石６７の磁力を止めて、
プランジャ絽の引き付けを止める。これによって、ばね
θの力により爪６を閉じて、ウェハ（資）をつかむ。そ
の後、押し出し装置１５０によりカム５２を引っ込めて
、案内軸６２の押し出しを止める。これによって、支持
台６１はばね７０の力により支持アーム必側へ引き寄せ
られ、保持装置２１１］の爪５に保持されていたウェハ
（資）は、力は、保持装置加の爪５自身のばね力による
保持力よりも強鳴してお４゜つかみ装置ω側にウェハ（
資）を移した後は、回転装置類によって支持台６１を処
理搬送室１５側に回転させ、再び、カム５２によって案
内軸６２を押し出し、支持台６１を処理搬送室側に押し
出す。この時、処理搬送室１５側では、保持装置■の保
持台羽がブツシャ３１によって、搬送室１４側に押し出
されている。つかみ装置ωの支持台６１が保持装置（９
）側に押し出されることによって、つかみ装置間の爪η
によってつかまれたウェハ（資）は、保持袋５ｉ３０の
爪あに押し込まれ、爪あに保持される。その後、つかみ
装！！ωでは、電磁５釘な作動させて爪閉を開かせ、支
持台６１を引っ込めて処理搬送室１５から引き離す。
処理搬送室１５では、ウェハ（資）をつかみ装置（イ）
から保持袋ｆｉ！７３０に移してから、ブツシャ３１を
引っ込めて、保持台おをばね具の力で回転ドラム１６側
に引き付け１回転ドラム１６を回わしたときＩこ、保持
袋′ａ３０の爪あが搬送室側の壁と当らないよう着こす
る。このとき、ブツシャ３１も回転ドラム１６と当らな
いように引っ込めておく。ウェハ（資）を保持した保持
台部は、回転ドラム１６を回わすことによって、図示し
てないウェハの処理室へと運ばれて行（。
から保持袋ｆｉ！７３０に移してから、ブツシャ３１を
引っ込めて、保持台おをばね具の力で回転ドラム１６側
に引き付け１回転ドラム１６を回わしたときＩこ、保持
袋′ａ３０の爪あが搬送室側の壁と当らないよう着こす
る。このとき、ブツシャ３１も回転ドラム１６と当らな
いように引っ込めておく。ウェハ（資）を保持した保持
台部は、回転ドラム１６を回わすことによって、図示し
てないウェハの処理室へと運ばれて行（。
処理されたウェハは、前記行程の逆の動作優こよって装
置外へ運び出される。これら行程中において、搬送室１
４の真空中で電磁石６７を作動させると、コイル６７
ａ内で発生した熱がコイル６７ ａ内に蓄熱されて、磁
石の磁気力が弱鳴なることが考えられる。そこで、コイ
ル６７ ａの外周に巻かれた絶縁テ−プロア ｄを被っ
たモールド材６７ ｅとケース６７ ｇとの間に、熱伝
導率の良い熱伝達材６７ ｆを入れて、熱伝達材６７
ｆを介して熱を外部に拡散させて、電磁石６７としての
効率を上げている。熱伝導材６７ ｆは、例えば銅板等
で、隙間に差し込んでも良いし、巻き付けても良い。
置外へ運び出される。これら行程中において、搬送室１
４の真空中で電磁石６７を作動させると、コイル６７
ａ内で発生した熱がコイル６７ ａ内に蓄熱されて、磁
石の磁気力が弱鳴なることが考えられる。そこで、コイ
ル６７ ａの外周に巻かれた絶縁テ−プロア ｄを被っ
たモールド材６７ ｅとケース６７ ｇとの間に、熱伝
導率の良い熱伝達材６７ ｆを入れて、熱伝達材６７
ｆを介して熱を外部に拡散させて、電磁石６７としての
効率を上げている。熱伝導材６７ ｆは、例えば銅板等
で、隙間に差し込んでも良いし、巻き付けても良い。
以上、本−実施例によれば、電磁石６７を真空中で使用
する場合でも、コイル６７ ａの発生する熱の蓄熱を防
止することができ、電磁石６７の吸引力の減少を押える
ことができる。また、電磁石６７を用いたつかみ装置の
信頼性を高めることができる効果がある。
する場合でも、コイル６７ ａの発生する熱の蓄熱を防
止することができ、電磁石６７の吸引力の減少を押える
ことができる。また、電磁石６７を用いたつかみ装置の
信頼性を高めることができる効果がある。
なお、本−実施例では、電磁石６７の力により爪閉を開
らかせ、ばねθのばね力により爪閉を閉じる構造にして
いるが、逆に電磁石の力により爪閉を閉じさせて、ばね
力により爪閉を開らかせても良い。
らかせ、ばねθのばね力により爪閉を閉じる構造にして
いるが、逆に電磁石の力により爪閉を閉じさせて、ばね
力により爪閉を開らかせても良い。
〔発明の効果〕
本発明によれば、内部に熱伝導率の良い熱伝達材を設け
た電磁石と、該電磁石の励磁並びにばねによる弾性力で
開閉作動し試料を解放９把持する爪とで成る試料つかみ
手段を具備したことで、構造が簡単で試料の固定あるい
は搬送の信頼性の容易に確保できるという効果がある。
た電磁石と、該電磁石の励磁並びにばねによる弾性力で
開閉作動し試料を解放９把持する爪とで成る試料つかみ
手段を具備したことで、構造が簡単で試料の固定あるい
は搬送の信頼性の容易に確保できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例である半導体製造装置を示す
断面図、第２図は第１図のＡ部詳細図、第３図は＠２図
のＢ部詳細断面図である。 ω・・・・・・つかみ装置、８・・・・・・アーム、６
・・・・・・爪、６７・・・・・・電磁石、６７ ａ・
・・・・・コイル、６７ ｂ・・・・・・ボビン、６７
ｃ・・・・・・磁極、６７ ｆ・・・・・・熱電連打
、６７ ｇ・・・・・・ケース、θ・・・・・・ばね 代理人 弁理士 小 川 勝 男 オ１図 １０−ｍ−−−７かｂ脹直
断面図、第２図は第１図のＡ部詳細図、第３図は＠２図
のＢ部詳細断面図である。 ω・・・・・・つかみ装置、８・・・・・・アーム、６
・・・・・・爪、６７・・・・・・電磁石、６７ ａ・
・・・・・コイル、６７ ｂ・・・・・・ボビン、６７
ｃ・・・・・・磁極、６７ ｆ・・・・・・熱電連打
、６７ ｇ・・・・・・ケース、θ・・・・・・ばね 代理人 弁理士 小 川 勝 男 オ１図 １０−ｍ−−−７かｂ脹直
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、試料を把持するつかみ具と、該つかみ具に把持また
は解放する力を与える弾性部材と、該弾性部材の把持ま
たは解放する力に逆らう力を与える電磁石とで成る試料
つかみ手段を具備したことを特徴とする半導体製造装置
。 ２、前記電磁石の励磁により開動作可能に前記つかみ具
および弾性部材を設けた特許請求の範囲第１項記載の半
導体製造装置。 ３、前記電磁石の励磁により開動作可能に前記つかみ具
および弾性部材を設けた特許請求の範囲第１項記載の半
導体製造装置。 ４、前記電磁石で、前記電磁石のケースと前記電磁石の
コイルとの間に良熱電導体である熱伝達材を設けた特許
請求の範囲第１項記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19763285A JPS6258654A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19763285A JPS6258654A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6258654A true JPS6258654A (ja) | 1987-03-14 |
Family
ID=16377711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19763285A Pending JPS6258654A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6258654A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100038035A1 (en) * | 2002-06-03 | 2010-02-18 | 3M Innovative Properties Company | Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body |
-
1985
- 1985-09-09 JP JP19763285A patent/JPS6258654A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100038035A1 (en) * | 2002-06-03 | 2010-02-18 | 3M Innovative Properties Company | Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body |
| US8789569B2 (en) * | 2002-06-03 | 2014-07-29 | 3M Innovative Properties Company | Apparatus for manufacturing ultrathin substrate using a laminate body |
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