JPS6260466B2 - - Google Patents
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- JPS6260466B2 JPS6260466B2 JP60146857A JP14685785A JPS6260466B2 JP S6260466 B2 JPS6260466 B2 JP S6260466B2 JP 60146857 A JP60146857 A JP 60146857A JP 14685785 A JP14685785 A JP 14685785A JP S6260466 B2 JPS6260466 B2 JP S6260466B2
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- chemical vapor
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- wafer boat
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45559—Diffusion of reactive gas to substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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-
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
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- C23C16/4587—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明の分野
本発明は化学的蒸着ウエーフアーボートに関す
るものである。特に、本発明は基質上に高度に均
一な、汚染されてないコーテイングを与えるため
の垂直装置中の熱分解反応を包含する化学的蒸着
方法において使用するためのウエーフアーボート
に関するものである。
るものである。特に、本発明は基質上に高度に均
一な、汚染されてないコーテイングを与えるため
の垂直装置中の熱分解反応を包含する化学的蒸着
方法において使用するためのウエーフアーボート
に関するものである。
本発明の背景
化学的蒸着（CVD）は、化学的な反応を用い
て気相から基質上に固体を析出させるための方法
である。この析出反応は一般に熱分解、化学的酸
化、又は化学的還元である。熱分解の一例におい
ては、有機金属化合物を蒸気として基質表面に輸
送し且つ基質表面上で元素金属状態に還元する。
化学的還元に対してもつとも普通に用いられる還
元剤は水素であるけれども、金属蒸気もまた用い
ることができる。たとえば珪素による六フツ化タ
ングステンの還元の場合のように、基質もまた還
元体として作用することができる。基質は化合物
又は合金析出物の一元素を供給することもでき
る。CVD方法は多くの元素及び合金、並びに酸
化物、窒化物及び炭化物を包含する化合物を析出
させるために用いることができる。
て気相から基質上に固体を析出させるための方法
である。この析出反応は一般に熱分解、化学的酸
化、又は化学的還元である。熱分解の一例におい
ては、有機金属化合物を蒸気として基質表面に輸
送し且つ基質表面上で元素金属状態に還元する。
化学的還元に対してもつとも普通に用いられる還
元剤は水素であるけれども、金属蒸気もまた用い
ることができる。たとえば珪素による六フツ化タ
ングステンの還元の場合のように、基質もまた還
元体として作用することができる。基質は化合物
又は合金析出物の一元素を供給することもでき
る。CVD方法は多くの元素及び合金、並びに酸
化物、窒化物及び炭化物を包含する化合物を析出
させるために用いることができる。
本発明においては、半導体ウエーフアー基質上
の高度に均一な析出物、たとえば、ポリ珪素及び
ジクロロシランとアンモニアからのプロセスによ
つて生成させた窒化珪素、のコーテイングを製造
するために熱分解反応を用いる。
の高度に均一な析出物、たとえば、ポリ珪素及び
ジクロロシランとアンモニアからのプロセスによ
つて生成させた窒化珪素、のコーテイングを製造
するために熱分解反応を用いる。
電子材料の化学的蒸発着は、テイー・エル・チ
ユー（T.L.Chu）ら、ジヤーナル オブ バキユ
ーム サイエンス テクノロジー（J.Bac.Sci.
Technol.）10：１（1973）及びビー・イー・ワツ
ツ（B.E.Watts）、シンソリツドフイルムス
（Thin Solid Films.）18：１（1973）によつて記
されている。これらの文献は、たとえば、珪素、
ゲルマニウム及びGaAらのような材料のエピタキ
シヤル型フイルムの生成とドーピングを記してい
る。化学的蒸着分野についての要約は、ダブリユ
ー．エー．ブライアント（W.A.Bryant）、“化学
的蒸発着の基礎”（“The Fundamentals of
Chemical Vapour Deposition”）、ジヤーナル
オブ マテリヤルズ サイエンス（Journal of
Materials Science）12：1285（1977）に記され
ている。ポリ珪素析出物の低圧CVD製造法につ
いては、アール．ロスラー（R.Rosler）、ソリツ
ドステートテクノロジー（Solid State
Technology 63−70（1977年４月）に要約されて
おり、その内容を参考としてここに包含せしめ
る。
ユー（T.L.Chu）ら、ジヤーナル オブ バキユ
ーム サイエンス テクノロジー（J.Bac.Sci.
Technol.）10：１（1973）及びビー・イー・ワツ
ツ（B.E.Watts）、シンソリツドフイルムス
（Thin Solid Films.）18：１（1973）によつて記
されている。これらの文献は、たとえば、珪素、
ゲルマニウム及びGaAらのような材料のエピタキ
シヤル型フイルムの生成とドーピングを記してい
る。化学的蒸着分野についての要約は、ダブリユ
ー．エー．ブライアント（W.A.Bryant）、“化学
的蒸発着の基礎”（“The Fundamentals of
Chemical Vapour Deposition”）、ジヤーナル
オブ マテリヤルズ サイエンス（Journal of
Materials Science）12：1285（1977）に記され
ている。ポリ珪素析出物の低圧CVD製造法につ
いては、アール．ロスラー（R.Rosler）、ソリツ
ドステートテクノロジー（Solid State
Technology 63−70（1977年４月）に要約されて
おり、その内容を参考としてここに包含せしめ
る。
従来の方法の説明
ウエーフアー支持物すなわちボートを有する蒸
着装置中における一例としての多数のウエーフア
ーの配置は、既に、たとえば米国特許第3471326
号に記されており、且つそれらを垂直の配置に置
くことは、米国特許第3922467号及び4018183号中
に記されている。炉中に挿入する前にあらかじめ
装填することができる開放したウエーフアー支持
ボートは、米国特許第4220116号及び4355974号に
記されており、平行ロツド乱気流発生器のかこい
板と組み合わせた類似のボートは、米国特許第
4203387号及び4309240号に記されている。軸的に
平行なロツドの穴をあけた半円筒状の上方の部分
と半円筒状の下方の部分から成るボートは、米国
特許第4256053号に開示されている。末端を閉鎖
した、穴のあけてある円筒状の円筒体から成るボ
ートは、米国特許第4098923号及び4232063号に記
されている。これらのボートは、あらかじめ装填
してから通常の管状炉中に入れ、ある程度の乱流
を伴なう非層流気流をウエーフアー部分中に向け
るように設計してある。気流パターンの性質のた
めに、これらの装置においては必然的に気体の流
入に対して全表面が開放され、ウエーフアー表面
が同伴される微粒子状の気体反応生成物による避
け難い汚染に暴される。たとえば、共通に譲渡さ
れた、1983年８月31日出願の共願中の特許願第
528193号に記されているような垂直反応器におい
ては、これらのボートは、ポリ珪素析出プロセス
において均一なフイルムを提供するためには適し
ていない。特に、ポリ珪素析出プロセスにおいて
及びジクロロシランとアンモニアからのプロセス
による窒化珪素の析出において、従来のボートを
用いる垂直反応器では不均一な析出物が生じる。
その上、気体の撹乱はコーテイングの不規則性を
導入し、且つウエーフアー上の通路を通して流れ
る気体はウエーフアー表面を汚染する微粒子を同
伴する。
着装置中における一例としての多数のウエーフア
ーの配置は、既に、たとえば米国特許第3471326
号に記されており、且つそれらを垂直の配置に置
くことは、米国特許第3922467号及び4018183号中
に記されている。炉中に挿入する前にあらかじめ
装填することができる開放したウエーフアー支持
ボートは、米国特許第4220116号及び4355974号に
記されており、平行ロツド乱気流発生器のかこい
板と組み合わせた類似のボートは、米国特許第
4203387号及び4309240号に記されている。軸的に
平行なロツドの穴をあけた半円筒状の上方の部分
と半円筒状の下方の部分から成るボートは、米国
特許第4256053号に開示されている。末端を閉鎖
した、穴のあけてある円筒状の円筒体から成るボ
ートは、米国特許第4098923号及び4232063号に記
されている。これらのボートは、あらかじめ装填
してから通常の管状炉中に入れ、ある程度の乱流
を伴なう非層流気流をウエーフアー部分中に向け
るように設計してある。気流パターンの性質のた
めに、これらの装置においては必然的に気体の流
入に対して全表面が開放され、ウエーフアー表面
が同伴される微粒子状の気体反応生成物による避
け難い汚染に暴される。たとえば、共通に譲渡さ
れた、1983年８月31日出願の共願中の特許願第
528193号に記されているような垂直反応器におい
ては、これらのボートは、ポリ珪素析出プロセス
において均一なフイルムを提供するためには適し
ていない。特に、ポリ珪素析出プロセスにおいて
及びジクロロシランとアンモニアからのプロセス
による窒化珪素の析出において、従来のボートを
用いる垂直反応器では不均一な析出物が生じる。
その上、気体の撹乱はコーテイングの不規則性を
導入し、且つウエーフアー上の通路を通して流れ
る気体はウエーフアー表面を汚染する微粒子を同
伴する。
発明の要約
本発明のウエーフアーボートは、多数のウエー
フアーを均一な間隔を置いた直立的な配置で個々
に支持するためのウエーフアー支持物である。各
ウエーフアーボートの底面は、ウエーフアー支持
板の上表面よりも少なくとも0.2mm上方でウエー
フアーボートを支持するために、その各末端から
のびている脚を有している。これらの脚は、ウエ
ーフアーボート装填及び取り出し装置の装填フオ
ーク突起とかみ合うように設計してあり且つ装填
突起にまたがるように間隔を置いてあることが好
ましい。円筒体は相互にかみ合う上部と下部の半
円筒体から成つており、下部の半円筒体中には気
体通路が設けてある。これらの部分から成る円筒
体の両端は開放されている。気体通路は下方の半
円筒体の気体拡散区域中にのみ存在していること
が好ましい。気体拡散区域はボート中心軸に対し
て垂直な面中で垂直の90゜以内、好ましくは75゜
以内の区域である。気流通路は気体拡散区域中で
実質的に均一に分布しており、その表面積の0.5
〜80パーセント、好ましくは0.5〜20パーセント
を占めている。
フアーを均一な間隔を置いた直立的な配置で個々
に支持するためのウエーフアー支持物である。各
ウエーフアーボートの底面は、ウエーフアー支持
板の上表面よりも少なくとも0.2mm上方でウエー
フアーボートを支持するために、その各末端から
のびている脚を有している。これらの脚は、ウエ
ーフアーボート装填及び取り出し装置の装填フオ
ーク突起とかみ合うように設計してあり且つ装填
突起にまたがるように間隔を置いてあることが好
ましい。円筒体は相互にかみ合う上部と下部の半
円筒体から成つており、下部の半円筒体中には気
体通路が設けてある。これらの部分から成る円筒
体の両端は開放されている。気体通路は下方の半
円筒体の気体拡散区域中にのみ存在していること
が好ましい。気体拡散区域はボート中心軸に対し
て垂直な面中で垂直の90゜以内、好ましくは75゜
以内の区域である。気流通路は気体拡散区域中で
実質的に均一に分布しており、その表面積の0.5
〜80パーセント、好ましくは0.5〜20パーセント
を占めている。
発明の詳細な説明
第１図は本発明の円筒状ウエーフアーボートの
側面図であり、且つ第２図は第１図中の２−２線
に沿つて取つた断面図である。円筒状のウエーフ
アーボート２の中心軸は水平であり、コーテイン
グのためにその中に支持したウエーフアーを直立
した配置で支持する。円筒状の壁の内部表面は被
覆せしめるべき個々のウエーフアーの外側の縁に
ならつた形状を有しており、ウエーフアーの縁か
ら正確に間隔を置いている。円筒状のウエーフア
ーボート２は、ほぼ円筒体２の中心軸を通る水平
面中で結合する相互にかみ合う向い合う表面を有
する上方の半円筒部分４と下方の半円筒部分６か
ら成つている。脚の突起８及び１０は半円筒体６
の下表面から突き出ており、それと一体と成つて
いることが好ましい。一対の脚８及び１０は他の
対よりも約２〜５mm長く、それによつてボートの
中心軸に対して水平からの僅かな傾斜を与えるこ
とが好ましい。装填したウエーフアーは、このよ
うにして垂直から僅かに且つ均一に傾斜して、ウ
エーフアーを正確に平行な配置に保つ。これによ
つてウエーフアーの上端と下端におけるウエーフ
アーの間隔が、均一なコーテイングのために必須
の必要条件として、同一となる。
側面図であり、且つ第２図は第１図中の２−２線
に沿つて取つた断面図である。円筒状のウエーフ
アーボート２の中心軸は水平であり、コーテイン
グのためにその中に支持したウエーフアーを直立
した配置で支持する。円筒状の壁の内部表面は被
覆せしめるべき個々のウエーフアーの外側の縁に
ならつた形状を有しており、ウエーフアーの縁か
ら正確に間隔を置いている。円筒状のウエーフア
ーボート２は、ほぼ円筒体２の中心軸を通る水平
面中で結合する相互にかみ合う向い合う表面を有
する上方の半円筒部分４と下方の半円筒部分６か
ら成つている。脚の突起８及び１０は半円筒体６
の下表面から突き出ており、それと一体と成つて
いることが好ましい。一対の脚８及び１０は他の
対よりも約２〜５mm長く、それによつてボートの
中心軸に対して水平からの僅かな傾斜を与えるこ
とが好ましい。装填したウエーフアーは、このよ
うにして垂直から僅かに且つ均一に傾斜して、ウ
エーフアーを正確に平行な配置に保つ。これによ
つてウエーフアーの上端と下端におけるウエーフ
アーの間隔が、均一なコーテイングのために必須
の必要条件として、同一となる。
半円筒体６の下表面は、所望に応じ、一般にウ
エーフアー上に存在する平らな下方の割出しの縁
とかみ合わせるために、平らな部分とすることが
できる。脚の突起８及び１０はウエーフアーボー
トを安定な配置に保持して、その下方の表面を支
持表面上少なくとも0.2mm、好ましくは少なくと
も0.5mmとして、反応区域中に正確に位置させ
る。
エーフアー上に存在する平らな下方の割出しの縁
とかみ合わせるために、平らな部分とすることが
できる。脚の突起８及び１０はウエーフアーボー
トを安定な配置に保持して、その下方の表面を支
持表面上少なくとも0.2mm、好ましくは少なくと
も0.5mmとして、反応区域中に正確に位置させ
る。
上方の半円筒体４を構成する壁中には気流通路
が存在しない。下方の半円筒体６の気体拡散区域
部分は気流通路１６を有している。これらの通路
１６は、図に示すように、円形の穴とすることが
でき、又は希望するならば、卵形、長円形、長方
形、みぞ状又はその他の断面形態を有することが
できる。一実施形態において、通路１６は拡散区
域の全体にわたつて実質的に均等な分布で位置し
ている。気流通路の断面積は半円筒体６の拡散区
域の全外表面積（穴が占める部分を含む）の0.5
〜80パーセント、好ましくは0.5〜40パーセン
ト、最適には0.5〜20パーセントとすることがで
きる。
が存在しない。下方の半円筒体６の気体拡散区域
部分は気流通路１６を有している。これらの通路
１６は、図に示すように、円形の穴とすることが
でき、又は希望するならば、卵形、長円形、長方
形、みぞ状又はその他の断面形態を有することが
できる。一実施形態において、通路１６は拡散区
域の全体にわたつて実質的に均等な分布で位置し
ている。気流通路の断面積は半円筒体６の拡散区
域の全外表面積（穴が占める部分を含む）の0.5
〜80パーセント、好ましくは0.5〜40パーセン
ト、最適には0.5〜20パーセントとすることがで
きる。
第２図を参照すると、気体拡散区域は気流通路
が占める下方の半円筒体壁の部分であり且つ円筒
体の縦軸に対して垂直な面中で垂直な面の角度Ａ
の中にある。角度Ａは45〜90゜とすることがで
き、60〜75゜であることが好ましい。
が占める下方の半円筒体壁の部分であり且つ円筒
体の縦軸に対して垂直な面中で垂直な面の角度Ａ
の中にある。角度Ａは45〜90゜とすることがで
き、60〜75゜であることが好ましい。
かみ合つた位置にある２半円筒体４及び６から
成る円筒体２の末端１４及び１５は完全に開いて
いることが好ましい。
成る円筒体２の末端１４及び１５は完全に開いて
いることが好ましい。
脚８は好ましくはそれらと一体となつている交
差したけた１８によつて支持してある。脚８は、
コーテイング作業の間に安定な配置で円筒状のウ
エーフアーボートを支持するように、設計してあ
る。これらは装填装置の装填フオーク突起をまた
ぎ且つそれとかみ合うようにも設計してあり、そ
れによつてボートを自動的且つ迅速にウエーフア
ー支持表面に装填することができ且つそこから取
り出すことができる。このような装填装置は共通
に譲渡された、1983年９月６日出願の、共願中の
特許願第529415号中に記されている。
差したけた１８によつて支持してある。脚８は、
コーテイング作業の間に安定な配置で円筒状のウ
エーフアーボートを支持するように、設計してあ
る。これらは装填装置の装填フオーク突起をまた
ぎ且つそれとかみ合うようにも設計してあり、そ
れによつてボートを自動的且つ迅速にウエーフア
ー支持表面に装填することができ且つそこから取
り出すことができる。このような装填装置は共通
に譲渡された、1983年９月６日出願の、共願中の
特許願第529415号中に記されている。
第３図は第２図中の線３−３に沿つて取つた下
方のウエーフアー支持レールの部分断面図であ
る。みぞ３０は、底面３４と併合するように先細
となつた、ある角度で傾斜した側面３２を有して
おり、その中に置いたウエーフアーの底部を正確
に決定した間隔に保つがしかしウエーフアー表面
を完全に露出したままに残す。
方のウエーフアー支持レールの部分断面図であ
る。みぞ３０は、底面３４と併合するように先細
となつた、ある角度で傾斜した側面３２を有して
おり、その中に置いたウエーフアーの底部を正確
に決定した間隔に保つがしかしウエーフアー表面
を完全に露出したままに残す。
第４図は第２図中の４−４線に沿つて取つた上
方のウエーフアー支持レールの部分的断面図であ
る。みぞ３６は、その中に直立の配置で置いたウ
エーフアーを支持する。これらは先細となつた部
分３８及び４０を有し、それが装填を容易にする
と共にみぞで遮蔽されるウエーフアー表面部分を
減少させる。
方のウエーフアー支持レールの部分的断面図であ
る。みぞ３６は、その中に直立の配置で置いたウ
エーフアーを支持する。これらは先細となつた部
分３８及び４０を有し、それが装填を容易にする
と共にみぞで遮蔽されるウエーフアー表面部分を
減少させる。
第５図は垂直CVD装置の反応室の断面表示図
であつて、ウエーフアーボートの回り及びその中
の気流のパターンを示している。気体は気体分布
器４２の出口４０から外被４４と支持板４６が限
る反応室中に排出する。気体はウエーフアーボー
ト４８及び５０の回りで反応室中を流れ、支持板
４６中の気体出口の穴５２及び５４を通して排出
する。支持板は下方のボール型の要素５６と共に
減圧下の気体除去系を限る。気体は、コーテイン
グ作業の間に出口４０から反応室中を流れ、気体
除去系を通じて出る。
であつて、ウエーフアーボートの回り及びその中
の気流のパターンを示している。気体は気体分布
器４２の出口４０から外被４４と支持板４６が限
る反応室中に排出する。気体はウエーフアーボー
ト４８及び５０の回りで反応室中を流れ、支持板
４６中の気体出口の穴５２及び５４を通して排出
する。支持板は下方のボール型の要素５６と共に
減圧下の気体除去系を限る。気体は、コーテイン
グ作業の間に出口４０から反応室中を流れ、気体
除去系を通じて出る。
垂直反応器中で熱分確析出プロセスを用いる
と、従来のウエーフアーボートは不均一な、劣悪
なコーテイングを与えた。乱流からウエーフアー
を保護するために穴の分布を変えた場合にすら、
不均一なコーテイングが生じた。本発明の特定の
ウエーフアーボート構造においては、しかしなが
ら、ポリ珪素の析出及び、たとえばジクロロシラ
ンとアンモニアからのプロセスによる窒化珪素の
析出のような他の熱分解析出の何れにおいても、
高度に均一なコーテイングを与えた。その上に、
本発明のボート構造においては、ウエーフアー表
面は、撹乱的な気流あるいは経路中を流れる気体
のジエツト又は流れによる直接の衝突から、ボー
トの構造によつて保護される。ボート内部への気
体の流れは拡散に限定される。上方の半円筒体４
の壁は気流の穴を有していないから、それはウエ
ーフアーを気体の出口４０を取り巻く乱流から保
護するばかりでなく、気体出口４０の回りで反応
する気体中で生じる微粒子がウエーフアー表面に
達するのを防いで、従来から公知の装置に特徴的
である望ましくない表面の不規則性の主な原因を
排除する。拡散区域中の穴１６を通じてボート内
部中に拡散する気体は微粒子を同伴することがで
きる気体の流れを構成することはなく、微粒子は
排出する気体と共に系から流出する。
と、従来のウエーフアーボートは不均一な、劣悪
なコーテイングを与えた。乱流からウエーフアー
を保護するために穴の分布を変えた場合にすら、
不均一なコーテイングが生じた。本発明の特定の
ウエーフアーボート構造においては、しかしなが
ら、ポリ珪素の析出及び、たとえばジクロロシラ
ンとアンモニアからのプロセスによる窒化珪素の
析出のような他の熱分解析出の何れにおいても、
高度に均一なコーテイングを与えた。その上に、
本発明のボート構造においては、ウエーフアー表
面は、撹乱的な気流あるいは経路中を流れる気体
のジエツト又は流れによる直接の衝突から、ボー
トの構造によつて保護される。ボート内部への気
体の流れは拡散に限定される。上方の半円筒体４
の壁は気流の穴を有していないから、それはウエ
ーフアーを気体の出口４０を取り巻く乱流から保
護するばかりでなく、気体出口４０の回りで反応
する気体中で生じる微粒子がウエーフアー表面に
達するのを防いで、従来から公知の装置に特徴的
である望ましくない表面の不規則性の主な原因を
排除する。拡散区域中の穴１６を通じてボート内
部中に拡散する気体は微粒子を同伴することがで
きる気体の流れを構成することはなく、微粒子は
排出する気体と共に系から流出する。
制御した気体の拡散は、２パーセント未満、注
意深く制御した条件下には１パーセント未満のみ
の縁と中心及びウエーフアー同士間のコーテイン
グの変動を達成し、この方法をVLSIデバイスの
製造に対して特に適するものとする。本発明によ
るウエーフアーボートは共通に譲渡された、1983
年８月31日出願の共願中の特許願第528193号中に
記した垂直CVD装置中で使用するために特に適
しており、この特許願の全内容を参考として本明
細書中に包含せしめる。
意深く制御した条件下には１パーセント未満のみ
の縁と中心及びウエーフアー同士間のコーテイン
グの変動を達成し、この方法をVLSIデバイスの
製造に対して特に適するものとする。本発明によ
るウエーフアーボートは共通に譲渡された、1983
年８月31日出願の共願中の特許願第528193号中に
記した垂直CVD装置中で使用するために特に適
しており、この特許願の全内容を参考として本明
細書中に包含せしめる。
第１図は本発明の円筒状ウエーフアーボートの
側面図である。第２図は第１図中の線２−２に沿
つて取つた本発明の円筒状ウエーフアーボートの
断面図である。第３図は第２図中の３−３線に沿
つて取つた下方のウエーフアー支持レールの部分
的断面図である。第４図は第２図中の線４−４に
沿つて取つた上方のウエーフアー支持レールの部
分的断面図である。第５図は垂直CVD装置の反
応室の断面表示図であり、ウエーフアーボートの
回り及びその中の気流のパターンを示している。
側面図である。第２図は第１図中の線２−２に沿
つて取つた本発明の円筒状ウエーフアーボートの
断面図である。第３図は第２図中の３−３線に沿
つて取つた下方のウエーフアー支持レールの部分
的断面図である。第４図は第２図中の線４−４に
沿つて取つた上方のウエーフアー支持レールの部
分的断面図である。第５図は垂直CVD装置の反
応室の断面表示図であり、ウエーフアーボートの
回り及びその中の気流のパターンを示している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 均一な間隔を置いて多数のウエーフアーを垂
直な位置で支持するための化学的蒸着ウエーフア
ーボートであつて、 開いた両末端を有し且つ相互にかみ合う上方及
び下方の半円筒体から成る円筒体を有しており、 上方の半円筒体には開口がなくそして下方の半
円筒体は気体拡散区域中に気体拡散開口を有して
おり、そして 上記気体拡散区域は円筒体の縦軸に対して直角
をなす面中の垂直面の90゜以内の下方の半円筒体
壁の一部分である ことを特徴とする化学的蒸着ウエーフアーボー
ト。 ２ 気体拡散区域は円筒体の縦軸に対して直角を
なす面中の垂直面の90゜以内の下方の半円筒体壁
の一部分であり、気体拡散区域中の気流通路は該
区域全体のわたつて実質的に均一な間隔で配置さ
れており、且つ気流通路が占める気体拡散区域の
全壁面積に対する百分率は0.5〜80パーセントの
範囲内にある特許請求の範囲第１項記載の化学的
蒸着ウエーフアーボート。 ３ 該百分率は0.5〜40パーセントの範囲内にあ
る特許請求の範囲第２項記載の化学的蒸着ウエー
フアーボート。 ４ 該百分率は0.5〜20パーセントの範囲内にあ
る特許請求の範囲第２項記載の化学的蒸着ウエー
フアーボート。 ５ 気体拡散区域は垂直の75゜以内の下方の半円
筒体壁の部分中にある特許請求の範囲第２項項記
載の化学的蒸着ウエーフアーボート。 ６ ウエーフアーボートを支持表面上少なくとも
２mmに支持するため及びウエーフアーボート装填
及び取り出し手段とかみ合わせるためのボートの
底と一体となつた脚手段を有する特許請求の範囲
第２項記載の化学的蒸着ウエーフアーボート。 ７ ボートの一端における脚はボートの他端にお
ける脚よりも２〜５mm長く、且つボートの中心軸
は水平から傾斜している特許請求の範囲第６項記
載の化学的蒸着ウエーフアーボート。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US628542 | 1984-07-06 | ||
| US06/628,542 US4548159A (en) | 1984-07-06 | 1984-07-06 | Chemical vapor deposition wafer boat |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144179A JPS6144179A (ja) | 1986-03-03 |
| JPS6260466B2 true JPS6260466B2 (ja) | 1987-12-16 |
Family
ID=24519339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60146857A Granted JPS6144179A (ja) | 1984-07-06 | 1985-07-05 | 化学的蒸着ウエ−フア−ボ−ト |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4548159A (ja) |
| EP (1) | EP0167374A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6144179A (ja) |
| AU (1) | AU4464485A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4653636A (en) * | 1985-05-14 | 1987-03-31 | Microglass, Inc. | Wafer carrier and method |
| DE8704734U1 (de) * | 1987-03-31 | 1987-05-14 | plasma-electronic GmbH + Co, 7024 Filderstadt | Vakuumkammer zur Behandlung der Oberflächen von insbesondere Substraten od.dgl. mittels ionisierter Gase |
| JPH0793191B2 (ja) * | 1990-01-09 | 1995-10-09 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
| FR2702088B1 (fr) * | 1993-02-24 | 1995-05-24 | Sgs Thomson Microelectronics | Nacelle pour plaquettes de silicium. |
| US5417767A (en) * | 1993-12-28 | 1995-05-23 | Stinson; Mark G. | Wafer carrier |
| US20040188319A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Wafer carrier having improved processing characteristics |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3660179A (en) * | 1970-08-17 | 1972-05-02 | Westinghouse Electric Corp | Gaseous diffusion technique |
| US3819067A (en) * | 1972-08-29 | 1974-06-25 | I Hammond | Heat treating apparatus |
| US4098923A (en) * | 1976-06-07 | 1978-07-04 | Motorola, Inc. | Pyrolytic deposition of silicon dioxide on semiconductors using a shrouded boat |
| JPS5364676A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-09 | Hitachi Ltd | Treating apparatus in gas phase |
| CA1158109A (en) * | 1981-01-14 | 1983-12-06 | George M. Jenkins | Coating of semiconductor wafers and apparatus therefor |
-
1984
- 1984-07-06 US US06/628,542 patent/US4548159A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-07-01 EP EP85304671A patent/EP0167374A3/en not_active Ceased
- 1985-07-05 AU AU44644/85A patent/AU4464485A/en not_active Abandoned
- 1985-07-05 JP JP60146857A patent/JPS6144179A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6144179A (ja) | 1986-03-03 |
| US4548159A (en) | 1985-10-22 |
| EP0167374A3 (en) | 1987-07-29 |
| EP0167374A2 (en) | 1986-01-08 |
| AU4464485A (en) | 1986-01-09 |
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