JPS6261248A - 前面発光形螢光表示管 - Google Patents
前面発光形螢光表示管Info
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- JPS6261248A JPS6261248A JP60198491A JP19849185A JPS6261248A JP S6261248 A JPS6261248 A JP S6261248A JP 60198491 A JP60198491 A JP 60198491A JP 19849185 A JP19849185 A JP 19849185A JP S6261248 A JPS6261248 A JP S6261248A
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/86—Vessels; Containers; Vacuum locks
- H01J29/89—Optical or photographic arrangements structurally combined or co-operating with the vessel
- H01J29/896—Anti-reflection means, e.g. eliminating glare due to ambient light
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/15—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen with ray or beam selectively directed to luminescent anode segments
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2229/89—Optical components associated with the vessel
- H01J2229/8913—Anti-reflection, anti-glare, viewing angle and contrast improving treatments or devices
- H01J2229/8916—Anti-reflection, anti-glare, viewing angle and contrast improving treatments or devices inside the vessel
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- H01J2229/8913—Anti-reflection, anti-glare, viewing angle and contrast improving treatments or devices
- H01J2229/8918—Anti-reflection, anti-glare, viewing angle and contrast improving treatments or devices by using interference effects
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明に係る前面発光形蛍光表示管は、ガラス基板の−
・方の面にアルミニウム等の金属薄膜を被着させて陽極
導体とし、該陽極導体に蛍光体層を被着させて電子の射
突する陽極とし、電ｆ〜の射突によって発光する蛍光体
層を、ガラス基板及び陽極導体を通してガラス基板の他
方の面から観察するタイプのものである。
・方の面にアルミニウム等の金属薄膜を被着させて陽極
導体とし、該陽極導体に蛍光体層を被着させて電子の射
突する陽極とし、電ｆ〜の射突によって発光する蛍光体
層を、ガラス基板及び陽極導体を通してガラス基板の他
方の面から観察するタイプのものである。
そして、本発明は、特に前記ガラス基板の光反射率等を
改善して、表示部の視認性を向トきせた前面発光形蛍光
表示管に関するものである。
改善して、表示部の視認性を向トきせた前面発光形蛍光
表示管に関するものである。
［従来の技術］
・般に、前面発光形蛍光表示管における陽極端−ｒを含
む配線導体（以後、単に配線導体と略す。）と陽極導体
は、スパッタリングや蒸着等のｆυ：によって基板上に
被着させた導電物質の薄膜を、フォトリングラフィ法に
よって所望のパターンにエツチングして形成している。
む配線導体（以後、単に配線導体と略す。）と陽極導体
は、スパッタリングや蒸着等のｆυ：によって基板上に
被着させた導電物質の薄膜を、フォトリングラフィ法に
よって所望のパターンにエツチングして形成している。
従って、一般に配線導体と陽極導体は同一導電物質で形
成されている場合が多い。
成されている場合が多い。
蛍光表示管には、前記導電物質の薄膜として、ＩＴＯ膜
やネサ膜等の透明導電膜を利用したものと、前記導電物
質の薄膜としてアルミニラｔ、′Ｖの金属薄膜を利用し
たものとがあり、後名の場合には、陽極導体の少くとも
−・部をメツシュ状やくし歯状笠の導体部と隙間群とに
より透光性陽極導体が形成ごれた構造にして、該透光性
陽極導体（以後、単に陽極導体と略す。）の１−面に被
着された蛍光体層の発光表示が、基板及び陽極導体を通
して観察できるようになっている。
やネサ膜等の透明導電膜を利用したものと、前記導電物
質の薄膜としてアルミニラｔ、′Ｖの金属薄膜を利用し
たものとがあり、後名の場合には、陽極導体の少くとも
−・部をメツシュ状やくし歯状笠の導体部と隙間群とに
より透光性陽極導体が形成ごれた構造にして、該透光性
陽極導体（以後、単に陽極導体と略す。）の１−面に被
着された蛍光体層の発光表示が、基板及び陽極導体を通
して観察できるようになっている。
ところが、配線導体と陽極導体とが金属薄膜によって構
成された前面発光形蛍光表示管のノ、（板を、表示面側
から観察すると、配線導体とメツシュ状の陽極導体とが
、透明な基板の向う側に鏡面として観察されてしまう。
成された前面発光形蛍光表示管のノ、（板を、表示面側
から観察すると、配線導体とメツシュ状の陽極導体とが
、透明な基板の向う側に鏡面として観察されてしまう。
外光はこの鏡面によって反射され、その正反射率は８０
％以１−になるので、特に高照度下での表示部の視認性
がよくないという問題点があった。
％以１−になるので、特に高照度下での表示部の視認性
がよくないという問題点があった。
前記の問題点を解決するため、本１１出願人は、４１ｆ
願昭５８−２２２７１４ （特開昭６Ｏ−１１５１３７
）において、金属薄膜による配線導体及び陽極導体と基
板との間に、有色薄膜による反射防１１−膜を設けた前
面発光形蛍光表示管を提案している。
願昭５８−２２２７１４ （特開昭６Ｏ−１１５１３７
）において、金属薄膜による配線導体及び陽極導体と基
板との間に、有色薄膜による反射防１１−膜を設けた前
面発光形蛍光表示管を提案している。
第３図は、前記出願に係る発明の説明図であり、図にお
いて、ｌはガラス基板である。ガラス基板の・方の面に
は、低透過率な透光性物質、例えば酸化モリブデンより
なる反射防１１−膜２が被着形成されており、該反射防
止膜２の」−には、配線導体及び陽極導体となる金属薄
膜３が設けられている。
いて、ｌはガラス基板である。ガラス基板の・方の面に
は、低透過率な透光性物質、例えば酸化モリブデンより
なる反射防１１−膜２が被着形成されており、該反射防
止膜２の」−には、配線導体及び陽極導体となる金属薄
膜３が設けられている。
外光、例えば光源４ａから出て基板ｌ中に入った光４は
、反射防１１−膜２で一部が反射し、残りは反射防１Ｆ
膜２中に入る。そして、この光は金属薄膜３との界面で
反射して反射防１１＝膜２及び基板ｌを通って外に出る
が、基板１から出るときに、基板ｌの表面で反射して基
板ｌ中に戻っていく光もある。
、反射防１１−膜２で一部が反射し、残りは反射防１Ｆ
膜２中に入る。そして、この光は金属薄膜３との界面で
反射して反射防１１＝膜２及び基板ｌを通って外に出る
が、基板１から出るときに、基板ｌの表面で反射して基
板ｌ中に戻っていく光もある。
このように、外光は、基板ｌや反射防止効果２で何度も
反射され、往復路吸収されたり、拡散されたりするので
正反射率は小さくなり、基板１側から観察した場合に、
金属薄膜３による鏡面が見えにくくなる。
反射され、往復路吸収されたり、拡散されたりするので
正反射率は小さくなり、基板１側から観察した場合に、
金属薄膜３による鏡面が見えにくくなる。
また、前記反射防止効果２として低反射率な物質、例え
ば酸化クロム等を使用してもよい。
ば酸化クロム等を使用してもよい。
［発明が解決しようとする問題点］
ところが、前記反射防１１膜２として利用されている各
種物質は、一般に必ずしも安定なものではなく、例えば
酸化クロムや酸化モリブデン等は遷移金属の酸化物であ
り、蛍光表示管の製造−「稈における焼成時に１」れて
しまい、所期の反射防止効果が得れらなくなってしまう
場合があるという問題点があった。また、前記反射防用
効果自体も、反射防１１−膜による外光の吸収・拡散作
用のみによるものであって、必ずしも十分なものではな
いという問題点があった。
種物質は、一般に必ずしも安定なものではなく、例えば
酸化クロムや酸化モリブデン等は遷移金属の酸化物であ
り、蛍光表示管の製造−「稈における焼成時に１」れて
しまい、所期の反射防止効果が得れらなくなってしまう
場合があるという問題点があった。また、前記反射防用
効果自体も、反射防１１−膜による外光の吸収・拡散作
用のみによるものであって、必ずしも十分なものではな
いという問題点があった。
［発明の［１的］
未発明は前記の問題点を解決するためになされたもので
あり、反射防１１−効果が高く表示部の視認性が良好で
、しかも製造１−の困難性が少い前面発光形蛍光表示管
を提供することを目的としている。
あり、反射防１１−効果が高く表示部の視認性が良好で
、しかも製造１−の困難性が少い前面発光形蛍光表示管
を提供することを目的としている。
［問題点を解決するための手段］
前記の１−１的を達成するため本発明は、前面発光形′
ＭＸ、表小管において、ガラス基板の一力の面に被着さ
れた誘゛市体層と、該誘゛市体層上に被着された吸収金
属層と、によって構成される反射防１［膜を介して、金
属薄膜よりなる陽極導体が配設されたことを満足してい
る。
ＭＸ、表小管において、ガラス基板の一力の面に被着さ
れた誘゛市体層と、該誘゛市体層上に被着された吸収金
属層と、によって構成される反射防１［膜を介して、金
属薄膜よりなる陽極導体が配設されたことを満足してい
る。
［作用］
ガラス基板に入用した外光の内、誘電体層に入った光の
・部は、該誘電体層と吸収金属層との界面で反射されて
基板外に進むが、この時の反射率は、誘電体と吸収金属
の屈折率によって決まるので、両者の組合せを適宜に定
めることによって当該反射率を低くおさえることができ
る。
・部は、該誘電体層と吸収金属層との界面で反射されて
基板外に進むが、この時の反射率は、誘電体と吸収金属
の屈折率によって決まるので、両者の組合せを適宜に定
めることによって当該反射率を低くおさえることができ
る。
また、誘電体層の膜厚を適宜に定めれば、前記反射光は
、ガラス基板と誘電体層との界面で反射した光と干渉し
て弱めあうので、入射外光の反射率はさらに低減される
ことになる。
、ガラス基板と誘電体層との界面で反射した光と干渉し
て弱めあうので、入射外光の反射率はさらに低減される
ことになる。
また、ガラス基板、誘電体層を通って吸収金属層に入っ
た−・部の外光は、吸収金属層内で減衰され、陽極導体
を構成する金属薄膜との界面にはほとんど到達しない。
た−・部の外光は、吸収金属層内で減衰され、陽極導体
を構成する金属薄膜との界面にはほとんど到達しない。
［実施例］
本発明の実施例の構成等について説明する前に、まず実
施例の要点な第２図の原理図にノ、（づいて説明する。
施例の要点な第２図の原理図にノ、（づいて説明する。
カラス基板５の・力の面には誘電体層６が被着ネれてお
り、さらに吸収金属層７が積層・被着されて反射防止膜
が構成されている。そして、該吸収金属層７には、詳細
な構造は省略するが、陽極導体・配線導体となるアルミ
ニラ１．．笠の金属釣設８が被着形成されている。
り、さらに吸収金属層７が積層・被着されて反射防止膜
が構成されている。そして、該吸収金属層７には、詳細
な構造は省略するが、陽極導体・配線導体となるアルミ
ニラ１．．笠の金属釣設８が被着形成されている。
誘電体層６を構成する誘電体の種類、及び吸収金属層７
を構成する吸収金属の種類は１両層６゜７の界面Ｃにお
ける反射率Ｒが０に近い伯となるように定めなければな
らない。
を構成する吸収金属の種類は１両層６゜７の界面Ｃにお
ける反射率Ｒが０に近い伯となるように定めなければな
らない。
ｍ記反射十Ｒは、誘電体のに１ｉ折率な１１２．吸収金
属の屈折率をｎ−とすると、・般に、次式で表わされる
。
属の屈折率をｎ−とすると、・般に、次式で表わされる
。
従って、界面Ｃにおける反射率Ｒが、０又はＯに近くな
るような屈折率ｒｌ＋、ｎ２の組合せは多数考えられる
が、現実に採用しうる材本１の種類からみて、誘電体の
屈折率ｎ２は１．０〜３．５の範囲とするのがよい。吸
収金属の種類は、誘電体の種類に応じ、式（Ｉ）に従っ
て選定すればよいが、屈折率ｎｌが０．８以上のものな
ら反射率ＲがＯ近くになるので使用できる。
るような屈折率ｒｌ＋、ｎ２の組合せは多数考えられる
が、現実に採用しうる材本１の種類からみて、誘電体の
屈折率ｎ２は１．０〜３．５の範囲とするのがよい。吸
収金属の種類は、誘電体の種類に応じ、式（Ｉ）に従っ
て選定すればよいが、屈折率ｎｌが０．８以上のものな
ら反射率ＲがＯ近くになるので使用できる。
次に、前記誘電体層６の膜厚ｄ２は、前記界面Ｃで反射
した光と、ガラス基板５と誘電体層６の界面Ｂで反射し
た光とが、干渉して弱めあうような条■を満だするもの
でなければならない。
した光と、ガラス基板５と誘電体層６の界面Ｂで反射し
た光とが、干渉して弱めあうような条■を満だするもの
でなければならない。
例えば、一般に、カラス基板５の屈折率ｎ３は誘電体の
屈折率ｎ２よりも小さいので、界面Ｂで入 反射する光の位相は半波長−だけずれる。
屈折率ｎ２よりも小さいので、界面Ｂで入 反射する光の位相は半波長−だけずれる。
この場合において、誘電体の屈折率ｎ２が吸収金属の屈
折率ｒｌ＋より小さい時には１界面Ｃで反誘電体層６の
膜厚ｄ２の値を、式ｎｄ＝−が満足されるように設定す
れば、両界面Ｂ、Ｃでそれぞれ反射した光は干渉効果に
よってＴＩ−いに弱めあうことになる。
折率ｒｌ＋より小さい時には１界面Ｃで反誘電体層６の
膜厚ｄ２の値を、式ｎｄ＝−が満足されるように設定す
れば、両界面Ｂ、Ｃでそれぞれ反射した光は干渉効果に
よってＴＩ−いに弱めあうことになる。
前記の場合において、誘電体の屈折率ｎ２が吸収金属の
屈折率０皿より大きい時には、界面Ｃで反射する光の位
相はずれないので、誘電体層６の設定すれば、両界面Ｂ
、Ｃでそれぞれ反射した光は干渉効果によってｈ゛いに
弱めあうことになる。
屈折率０皿より大きい時には、界面Ｃで反射する光の位
相はずれないので、誘電体層６の設定すれば、両界面Ｂ
、Ｃでそれぞれ反射した光は干渉効果によってｈ゛いに
弱めあうことになる。
（１）第１実施例
第１図は、第１実施例の前面発光形蛍光表示管の要部を
示す断面図である。
示す断面図である。
図中９はガラス基板であり、該ガラス基板９の一力の面
には、Ｚ ｒ ０２よりなる誘電体層１０がＥＢ、２４
着法、スパッタリング？Ｊ、等の手法によって被着形成
されている。そして、該誘電体層１０にはＣｒよりなる
吸収金属層１１が被着形成されて反躬防１１−膜が構成
されている。
には、Ｚ ｒ ０２よりなる誘電体層１０がＥＢ、２４
着法、スパッタリング？Ｊ、等の手法によって被着形成
されている。そして、該誘電体層１０にはＣｒよりなる
吸収金属層１１が被着形成されて反躬防１１−膜が構成
されている。
前記Ｚ ｒ Ｏ２（７）屈折率ｎ！は２．Ｏ，Ｃｒの複
素屈折率ｎ１は２ 、４８＋ ＋ ２ 、３であるから
、界面Ｃにおける外光の反射率Ｒは、式（Ｉ）より、 となる。また、界面Ｂにおける外光の反射率Ｒは、カラ
ス基板９の屈折率ｎ３を１．５とすれば、式（Ｉ）より
、 となり、界面Ｂと界面Ｃの反射率を加えても３０％を超
えることはない。
素屈折率ｎ１は２ 、４８＋ ＋ ２ 、３であるから
、界面Ｃにおける外光の反射率Ｒは、式（Ｉ）より、 となる。また、界面Ｂにおける外光の反射率Ｒは、カラ
ス基板９の屈折率ｎ３を１．５とすれば、式（Ｉ）より
、 となり、界面Ｂと界面Ｃの反射率を加えても３０％を超
えることはない。
そして、前記誘′市体層ｌＯの膜厚ｄ２は、式（１’ｊ
Ｌ、、入は可視光線の波長の中央値）を満足するよう
に設定しである。すなわち、本実施例におけるＺ ｒ
Ｏ２の膜厚ｄ２は、λ＝５００ｎｍとすれば、 となる。実際には、成膜条件によって屈折率ｎ２も若干
変化するし、入の値も大略５００〜５５０ｎｍの範囲を
有していると考えられるので、この場合にはｄ２の値は
６２．５−□６８．Ｏｎｍの範囲で設定すればよい。こ
のようにすれば、界面Ｂからの反射光と界面Ｃからの反
射光は１１１１述１．た干渉効果によってｌｊ゛いに弱
めあうので、外光の反射率は前述した３０％弱のｉｄｊ
よりもさらに低減されることになる。
Ｌ、、入は可視光線の波長の中央値）を満足するよう
に設定しである。すなわち、本実施例におけるＺ ｒ
Ｏ２の膜厚ｄ２は、λ＝５００ｎｍとすれば、 となる。実際には、成膜条件によって屈折率ｎ２も若干
変化するし、入の値も大略５００〜５５０ｎｍの範囲を
有していると考えられるので、この場合にはｄ２の値は
６２．５−□６８．Ｏｎｍの範囲で設定すればよい。こ
のようにすれば、界面Ｂからの反射光と界面Ｃからの反
射光は１１１１述１．た干渉効果によってｌｊ゛いに弱
めあうので、外光の反射率は前述した３０％弱のｉｄｊ
よりもさらに低減されることになる。
また、前記吸収金属層１１の厚さｄｌは、約１１００ｎ
”１５０ｎｍの範囲に設定されている。この程度の膜厚
にしておけば、前記界面Ｃを通過した外光の・部は、吸
収金属層１１内で吸収されてしまい、界面りにはほとん
ど達しない。界面りに達して反射されたとしても、この
光は更に復路で減衰ｙれるので、Ｄ界面における反射光
は、全体としての反射率にはほとんど関ケしないことに
なる。
”１５０ｎｍの範囲に設定されている。この程度の膜厚
にしておけば、前記界面Ｃを通過した外光の・部は、吸
収金属層１１内で吸収されてしまい、界面りにはほとん
ど達しない。界面りに達して反射されたとしても、この
光は更に復路で減衰ｙれるので、Ｄ界面における反射光
は、全体としての反射率にはほとんど関ケしないことに
なる。
次に、前記吸収金属層１１には、Ａｎの金属薄膜１２が
１．０〜２．０川ｍの厚さに被着されている。第１図に
示すように、この金属薄膜１２には、フォＩ・リングラ
フィＩＪ、によって、配線導体１３及びストライプ状の
開１１部１４ａを有する陽極導体１４等のパターニング
が施されている。パターニングの手順としては、まずＡ
Ｍのエツチングを行い、次にＣｒのエツチングを行うよ
うにすればよい。
１．０〜２．０川ｍの厚さに被着されている。第１図に
示すように、この金属薄膜１２には、フォＩ・リングラ
フィＩＪ、によって、配線導体１３及びストライプ状の
開１１部１４ａを有する陽極導体１４等のパターニング
が施されている。パターニングの手順としては、まずＡ
Ｍのエツチングを行い、次にＣｒのエツチングを行うよ
うにすればよい。
次に、前記陽極導体１４の開口部１４ａには、電着状、
印刷法等のｆ法で蛍光体１５が被着されて、陽極１６を
構成している。また、図示はしないが、陽極１６以外の
金属薄膜１２十、には光がもれないように黒色の絶縁層
が被着させである。
印刷法等のｆ法で蛍光体１５が被着されて、陽極１６を
構成している。また、図示はしないが、陽極１６以外の
金属薄膜１２十、には光がもれないように黒色の絶縁層
が被着させである。
そして、図示はしないが、前述のように構成された陽極
基板１７にはフィラメント状陰極等が実装されており、
これらの電極等を覆って、背面容器がガラス基板９の−
・方の面トに封着固定されている。背面容器の内部は高
真空雰囲気に保持されており、蛍光体１５の発光を、ガ
ラス基板９及び透明な誘電体層１０を通して観察する前
面発光形蛍光表示管が構成されている。
基板１７にはフィラメント状陰極等が実装されており、
これらの電極等を覆って、背面容器がガラス基板９の−
・方の面トに封着固定されている。背面容器の内部は高
真空雰囲気に保持されており、蛍光体１５の発光を、ガ
ラス基板９及び透明な誘電体層１０を通して観察する前
面発光形蛍光表示管が構成されている。
次に、以−ヒ説明した構成における作用ψ効果について
説明する。
説明する。
第４図中（イ）は、可視光線の各波長に対する実施例の
反射率を示したグラフの一例である。該グラフ中、（ハ
）は、対比の為、ガラス基板にＡＭ薄咬を直接被着させ
た場合の反射・Ｖを示したものである。グラフかられか
るよう番こ、（／＼）の場合は入−５００ｎｍイ・Ｉ近
で反射＋Ｒが９５％にもなっているのに対し、本実施例
（イ）ではわずか１３％程度にとどまっている。このデ
ータは、別に最良の条件下で行なわれた実験によって求
められたものではなく、技術的にはさらに反射率を低減
させることができる。
反射率を示したグラフの一例である。該グラフ中、（ハ
）は、対比の為、ガラス基板にＡＭ薄咬を直接被着させ
た場合の反射・Ｖを示したものである。グラフかられか
るよう番こ、（／＼）の場合は入−５００ｎｍイ・Ｉ近
で反射＋Ｒが９５％にもなっているのに対し、本実施例
（イ）ではわずか１３％程度にとどまっている。このデ
ータは、別に最良の条件下で行なわれた実験によって求
められたものではなく、技術的にはさらに反射率を低減
させることができる。
以上のことから１本実施例の前面発光形蛍光表示管によ
れば、表示部以外の部分（表示パターンを除くバックの
部分）の反射率が大幅に低減することになる。また、本
実施例の場合、陽極部分は聞「１率９０％程度のストラ
イブ電極となっているが、ここの部分の反射率も低減す
ることになる。
れば、表示部以外の部分（表示パターンを除くバックの
部分）の反射率が大幅に低減することになる。また、本
実施例の場合、陽極部分は聞「１率９０％程度のストラ
イブ電極となっているが、ここの部分の反射率も低減す
ることになる。
従って、表示部自体の点灯争非点灯の識別が容易になる
と共に、点灯した表示部とバックの部分とのコントラス
トが増大するので、特に高照瓜下における表示部の視認
性が大幅に向１−シ、スピードメータ等の車載用に未発
Ｅ！１を適用すれば、きわめて４１用である。
と共に、点灯した表示部とバックの部分とのコントラス
トが増大するので、特に高照瓜下における表示部の視認
性が大幅に向１−シ、スピードメータ等の車載用に未発
Ｅ！１を適用すれば、きわめて４１用である。
また、本実施例で使用しているＺ ｒ Ｏ２は熱に対し
て安定的な物質なので、蛍光表示管の製造−「程におけ
る焼成時にも変質してしまうことがない。
て安定的な物質なので、蛍光表示管の製造−「程におけ
る焼成時にも変質してしまうことがない。
（２）第２実施例
第２実施例では、吸収金属層をＭｏによって形成してあ
り、その他の構成や反射率Ｒの考え方は第１実施例と同
様である。
り、その他の構成や反射率Ｒの考え方は第１実施例と同
様である。
ＭＯの複素屈折率は１．９６＋ｉ１．ｏであるから、屈
折率が２．０のＺ ｒ ０２と組合せて使用すると、干
渉条件が第１実施例の場合とは異なってくるはずである
。実際には純粋なＺ ｒ Ｏ２薄膜を形成させることは
難しく、屈折率も−・般にはＭｏの屈折率より小さくな
るので、本実施例における干渉条件も第１実施例と同様
に考えてよい。
折率が２．０のＺ ｒ ０２と組合せて使用すると、干
渉条件が第１実施例の場合とは異なってくるはずである
。実際には純粋なＺ ｒ Ｏ２薄膜を形成させることは
難しく、屈折率も−・般にはＭｏの屈折率より小さくな
るので、本実施例における干渉条件も第１実施例と同様
に考えてよい。
第４図中（ロ）は、本実施例による反射率の一例を示し
ているが、第１実施例よりもさらに低減化されているこ
とがわかる。
ているが、第１実施例よりもさらに低減化されているこ
とがわかる。
（３）その他の実施例
以上説明した２つの実施例は、両方とも誘電体の屈折率
０２よりも吸収金属の屈折率ｎ１が大きい場合である。
０２よりも吸収金属の屈折率ｎ１が大きい場合である。
このような組合せとしては、以上の他、表１に示す組合
せをあげることができる。
せをあげることができる。
また逆に、ｎ ＋ ＜ ｎ ２であるような組合せとし
ては、表２に示す組合せをあげることができる。
ては、表２に示す組合せをあげることができる。
この場合には、干渉条件の考え方は、第１、第２実施例
とは異なってくる。
とは異なってくる。
以Ｉ−説［！１した各実施例においては、誘′市体層及
び吸収金属層の屈折率は必ずしも・定ではなく、成膜条
件等によっても若干異なってくる。従って、所望の屈折
率となるように条件を調整することによって、組合せて
使用できる材料の範囲はＳらに広がることになる。
び吸収金属層の屈折率は必ずしも・定ではなく、成膜条
件等によっても若干異なってくる。従って、所望の屈折
率となるように条件を調整することによって、組合せて
使用できる材料の範囲はＳらに広がることになる。
また、前掲のＴ ｉ Ｏ２、Ａ ｌ ｐ ０３も熱に強
い物質なので、蛍光表示管の製造丁、程におＬする焼成
時に変質してしまうことはない。
い物質なので、蛍光表示管の製造丁、程におＬする焼成
時に変質してしまうことはない。
なお、以上説明した各実施例は、いずれも、誘電体の屈
折率が、ガラス基板の屈折率（−・般には約１．５）よ
り大きい場合であった。例えば、屈折率が１．５よりも
小さい誘電体を採用するのであれば、ガラス基板と誘電
体層との界面（第１図、第２図の界面Ｂ）で反射する光
には位相の反転が起きないから、干渉条件はこの点を考
慮して定めればよい。
折率が、ガラス基板の屈折率（−・般には約１．５）よ
り大きい場合であった。例えば、屈折率が１．５よりも
小さい誘電体を採用するのであれば、ガラス基板と誘電
体層との界面（第１図、第２図の界面Ｂ）で反射する光
には位相の反転が起きないから、干渉条件はこの点を考
慮して定めればよい。
［発明の効果］
以−１−説明したように、本発明の前面発光形蛍光表示
管は、ガラス基板と陽極導体等との間に、適宜な屈折率
の組合せになる誘電体層と吸収金属層とを設け、両層の
界面での反射率を低く押えると共に、該誘電体層の膜厚
を調整し、干渉効果によって反射率がさらに低減するよ
うに構成しである。
管は、ガラス基板と陽極導体等との間に、適宜な屈折率
の組合せになる誘電体層と吸収金属層とを設け、両層の
界面での反射率を低く押えると共に、該誘電体層の膜厚
を調整し、干渉効果によって反射率がさらに低減するよ
うに構成しである。
従って、本発明によれば、反射防１Ｆ効果が高く、表示
部の視認性が高照度下にあっても良好で、しかも製造ト
の困難性が少い前面発光形蛍光表示管を実現Ｎせること
かできるという効果がある。
部の視認性が高照度下にあっても良好で、しかも製造ト
の困難性が少い前面発光形蛍光表示管を実現Ｎせること
かできるという効果がある。
第１図は、本発明の第１実施例の要部断面図、第２図は
、本発明の原理を示す説明図、第３図は、従来の反射防
１１ユ膜による外光の屈折状態を示す図、第４図は、可
視光線の各波長に対する実施例の反射率Ｒを示すグラフ
である。 ５．９・・・ガラス基板、ｅ、ｔｏ・・・誘電体層、７
．１１・・・吸収金属層、８，１２・・・金属薄膜、１
４・・・陽極導体、１５・・・蛍光体、１６・・・陽極
。 特許出願人 双葉電子■業株式会君第１図 ５−ｎ３ 箪３図 第４図 烏１ 〜３ 波長λ
、本発明の原理を示す説明図、第３図は、従来の反射防
１１ユ膜による外光の屈折状態を示す図、第４図は、可
視光線の各波長に対する実施例の反射率Ｒを示すグラフ
である。 ５．９・・・ガラス基板、ｅ、ｔｏ・・・誘電体層、７
．１１・・・吸収金属層、８，１２・・・金属薄膜、１
４・・・陽極導体、１５・・・蛍光体、１６・・・陽極
。 特許出願人 双葉電子■業株式会君第１図 ５−ｎ３ 箪３図 第４図 烏１ 〜３ 波長λ
Claims (4)
- （１）ガラス基板の一方の面に被着された金属薄膜によ
って配線導体及び透光性を有する陽極導体を形成し、該
陽極導体上に蛍光体を被着して陽極を形成し、該陽極の
上方にフィラメント状陰極を配設し、前記各電極等を覆
うと共に内部が高真空雰囲気に保持される背面容器をガ
ラス基板の一方の面上に封着することによって構成され
、前記蛍光体の発光表示をガラス基板及び陽極導体を通
してガラス基板の他方の面から観察する前面発光形蛍光
表示管において、ガラス基板の一方の面に被着された誘
電体層と、該誘電体層上に被着された吸収金属層と、に
よって構成される反射防止膜を介して、少くも前記金属
薄膜よりなる陽極端子を含む配線導体及び透光性陽極導
体の導体部が配設されたことを特徴とする前面発光形蛍
光表示管。 - （２）前記反射防止膜の誘電体層が屈折率１．０〜３．
５の範囲の誘電体よりなる特許請求の範囲第１項記載の
前面発光形蛍光表示管。 - （３）誘電体層を構成する誘電体の屈折率の値が、ガラ
ス基板の屈折率と吸収金属層を構成する金属の屈折率と
の間の値であり、かつ、該誘電体層の膜厚ｄの値が、式 ｎｄ＝λ／４（但し、ｎは誘電体層を構成する誘電体の
屈折率、λは可視光線の波長の中央値。）を満足する特
許請求の範囲第２項記載の前面発光形蛍光表示管。 - （４）誘電体層を構成する誘電体の屈折率が、吸収金属
層を構成する金属の屈折率及びガラス基板の屈折率より
大きく、かつ、該誘電体層の膜厚ｄの値が、式 ｎｄ＝λ／２（但し、ｎは誘電体層を構成する誘電体の
屈折率、λは可視光線の波長の中央値。）を満足する特
許請求の範囲第２項記載の前面発光形蛍光表示管。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60198491A JPS6261248A (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | 前面発光形螢光表示管 |
| US07/212,021 US4845407A (en) | 1985-09-10 | 1988-06-23 | Front emission type fluorescent display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60198491A JPS6261248A (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | 前面発光形螢光表示管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6261248A true JPS6261248A (ja) | 1987-03-17 |
Family
ID=16392001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60198491A Pending JPS6261248A (ja) | 1985-09-10 | 1985-09-10 | 前面発光形螢光表示管 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4845407A (ja) |
| JP (1) | JPS6261248A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05182609A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Sharp Corp | 画像表示装置 |
| US5606462A (en) * | 1993-07-12 | 1997-02-25 | Futaba Denshi Kogyo K.K. | Color filter and fluorescent display device having color filters incorporated therein |
| DE4444872A1 (de) * | 1994-12-16 | 1996-06-20 | Philips Patentverwaltung | Leuchtstoffpulver, Verfahren zu seiner Herstellung und Niederenergie-Kathodenstrahl-Display |
| US6037711A (en) * | 1997-01-10 | 2000-03-14 | Micron Technology, Inc. | Flat panel display anode that reduces the reflectance of ambient light |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5736658B2 (ja) * | 1978-05-25 | 1982-08-05 | ||
| JPS60115137A (ja) * | 1983-11-26 | 1985-06-21 | Futaba Corp | 螢光表示管 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4472658A (en) * | 1980-05-13 | 1984-09-18 | Futaba Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha | Fluorescent display device |
| JPH05346697A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Minolta Camera Co Ltd | 自動原稿搬送装置 |
-
1985
- 1985-09-10 JP JP60198491A patent/JPS6261248A/ja active Pending
-
1988
- 1988-06-23 US US07/212,021 patent/US4845407A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5736658B2 (ja) * | 1978-05-25 | 1982-08-05 | ||
| JPS60115137A (ja) * | 1983-11-26 | 1985-06-21 | Futaba Corp | 螢光表示管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4845407A (en) | 1989-07-04 |
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